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数据表

MOS场效应

PA2790GR

开关

的N-和P-沟道功率MOS场效应管

描述

该

PA2790GR是N沟道和P沟道MOS场效应

晶体管专为电机驱动应用。

8

封装图（单位：mm ）

5

N沟道

1 ： 1来源

2 ： 1门

7,8 ：汲极1

P沟道

3 ： 2来源

4 ： 2门

5 ，6：排水2

6.0 ±0.3

特点

低通态电阻

N沟道

DS(on)1

= 28 mΩ以下。（V

GS

= 10 V，I

D

= 3 A)

1.8 MAX 。

R

DS(on)2

= 40 mΩ的最大。（V

GS

= 4.5 V，I

D

= 3 A)

P沟道

DS(on)1

= 60 mΩ以下。（V

GS

=

10

V，I

D

=

3

A)

R

DS(on)2

= 80 mΩ以下。（V

GS

=

4.5

V，I

D

=

3

A)

低输入电容

N沟道

国际空间站

= 500 pF的典型。

P沟道

C

国际空间站

= 460 pF的典型。

1

4

+0.05

–0.10

5.37最大。

4.0

1.0

0.20

0.10最小。

0.6

1.27

0.12 M

0.40

+0.11

–0.05

0.5 ±0.2

0.10

内置栅极保护二极管

小型表面贴装封装（ SOP8电）

等效电路

N沟道

漏

P沟道

漏

订购信息

产品型号

包

电源SOP8

门

保护

二极管

来源

门

体

二极管

门

体

二极管

PA2790GR

门

保护

二极管

来源

备注

连接在所述晶体管的栅极和源极之间的二极管用作抗ESD的保护器。

当此装置实际使用时，一个额外的保护电路由外部要求，如果电压超过

额定电压可以施加到该装置。

本文档中的信息如有更改，恕不另行通知。使用本文档，请前

证实，这是最新版本。

并非所有的产品和/或型号都向每个国家供应。请与NEC电子签

销售代表查询产品供应及其他信息。

一号文件G16954EJ2V0DS00 （第2版）

发布日期2004年8月NS CP （ K）

日本印刷

商标

表示主要修改点。

2004

PA2790GR

绝对最大额定值（T

A

= 25°C 。所有的终端连接。）

参数

漏源极电压（V

GS

= 0 V)

门源电压（V

DS

= 0 V)

漏电流（ DC ）

漏电流（脉冲）

Note1

Note2

Note2

符号

V

DSS

V

GSS

I

D（ DC）的

I

D（脉冲）

P

T

P

T

T

ch

T

英镑

N沟道

30

±20

±6

±24

1.7

2.0

150

55

+150

6

3.6

P沟道

30

单位

V

V

A

A

W

W

°C

°C

m

20

m6

m

24

总功率耗散（ 1个单位）

总功率耗散（ 2台）

通道温度

储存温度

单雪崩电流

单雪崩能量

Note3

Note3

I

AS

E

AS

6

3.6

A

mJ

注意事项1 。

PW

≤

10

S，占空比

≤

1%

2.

装在2000毫米× 1.6毫米陶瓷基板

3.

起始物为

ch

= 25 ° C，V

DD

=

1

2

2

X V

DSS

, R

G

= 25

,

L = 100

H，V

GS

= V

GSS

→

0 V

2

数据表G16954EJ2V0DS

PA2790GR

电气特性（T

A

= 25°C 。所有的终端连接。）

N沟道

特征

零栅极电压漏极电流

栅极漏电流

门放电截止电压

正向转移导纳

记

记

符号

I

DSS

I

GSS

V

GS （ OFF ）

| y

fs

|

R

DS(on)1

R

DS(on)2

R

DS(on)3

测试条件

V

DS

= 30 V, V

GS

= 0 V

V

GS

=

±

16 V, V

DS

= 0 V

V

DS

= 10 V，I

D

= 1毫安

V

DS

= 10 V，I

D

= 3 A

V

GS

= 10 V，I

D

= 3 A

V

GS

= 4.5 V，I

D

= 3 A

V

GS

= 4.0 V，I

D

= 3 A

V

DS

= 10 V

V

GS

= 0 V

F = 1 MHz的

V

DD

= 15 V，I

D

= 3 A

V

GS

= 10 V

R

G

= 10

分钟。

典型值。

马克斯。

10

单位

A

A

V

S

±

10

1.5

2

21

28

34

500

135

77

9.2

8.8

28

7.4

28

40

53

2.5

漏极至源极导通电阻

m

m

m

pF

pF

pF

ns

ns

ns

ns

nC

nC

nC

V

ns

nC

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

门源费

栅漏电荷

体二极管正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

记

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

Q

G

Q

GS

Q

GD

V

F（ S- D）的

t

rr

Q

rr

I

D

= 6 A

V

DD

= 24 V

V

GS

= 10 V

I

F

= 6 A，V

GS

= 0 V

I

F

= 6 A，V

GS

= 0 V

的di / dt = 100 A /

s

12.6

1.7

3.8

0.85

18

11

记

脉冲

测试电路1雪崩能力

D.U.T.

R

G

= 25

PG 。

V

GS

= 20

→

0 V

50

测试电路2开关时间

D.U.T.

L

V

DD

PG 。

R

G

R

L

V

DD

V

GS

V

GS

电波表

0

10%

V

GS

90%

V

DS

90%

90%

10%

10%

BV

DSS

I

AS

I

D

V

DD

V

DS

V

GS

0

τ

τ

= 1

s

占空比

≤

1%

V

DS

V

DS

电波表

0

t

D（上）

t

on

t

r

t

D（关闭）

t

关闭

t

f

起始物为

ch

测试电路3栅极电荷

D.U.T.

I

G

= 2毫安

PG 。

50

R

L

V

DD

数据表G16954EJ2V0DS

3

PA2790GR

P沟道

特征

零栅极电压漏极电流

栅极漏电流

门放电截止电压

正向转移导纳

记

记

符号

I

DSS

I

GSS

V

GS （ OFF ）

| y

fs

|

R

DS(on)1

R

DS(on)2

R

DS(on)3

测试条件

V

DS

=

30

V, V

GS

= 0 V

V

GS

=

m

16 V, V

DS

= 0 V

V

DS

=

10

V，I

D

=

1

mA

V

DS

=

10

V，I

D

=

3

A

V

GS

=

10

V，I

D

=

3

A

V

GS

=

4.5

V，I

D

=

3

A

V

GS

=

4.0

V，I

D

=

3

A

V

DS

=

10

V

V

GS

= 0 V

F = 1 MHz的

V

DD

=

15

V，I

D

=

3

A

V

GS

=

10

V

R

G

= 10

分钟。

典型值。

马克斯。

10

单位

A

A

V

S

m

10

1.0

2

43

58

65

460

130

77

8.5

4.8

42

19

60

80

110

2.5

漏极至源极导通电阻

m

m

m

pF

pF

pF

ns

ns

ns

ns

nC

nC

nC

V

ns

nC

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

门源费

栅漏电荷

体二极管正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

记

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

Q

G

Q

GS

Q

GD

V

F（ S- D）的

t

rr

Q

rr

I

D

=

6

A

V

DD

=

24

V

V

GS

=

10

V

I

F

= 6 A，V

GS

= 0 V

I

F

= 6 A，V

GS

= 0 V

的di / dt = 100 A /

s

11

1.7

3.3

0.92

21

12

记

脉冲

测试电路1雪崩能力

D.U.T.

R

G

= 25

PG 。

V

GS

=

20 →

0 V

I

D

V

DD

50

L

V

DD

PG 。

BV

DSS

V

DS

V

GS

()

0

τ

起始物为

ch

τ

= 1

s

占空比

≤

1%

V

DS

电波表

测试电路2开关时间

D.U.T.

R

L

R

G

V

DD

V

DS

()

90%

10% 10%

90%

V

GS

()

V

GS

电波表

0

10%

V

GS

90%

I

AS

V

DS

0

t

D（上）

t

on

t

r

t

D（关闭）

t

关闭

t

f

测试电路3栅极电荷

D.U.T.

I

G

=

2

mA

PG 。

50

R

L

V

DD

4

数据表G16954EJ2V0DS

PA2790GR

典型特征（T

A

= 25°C)

（1） N沟道

正向偏置的降额因子

安全工作区

P

T

- 总功率耗散 - W /包

总功耗对比

环境温度

2.8

2.4

2台

2.0

1个单位

1.6

1.2

0.8

0.4

0

0

20

40

60

80

100 120 140 160

安装在陶瓷

基材

2000 mm

2

X 1.6毫米

胸苷 - 百分比额定功率 - ％

100

80

60

40

20

0

0

20

40

60

80

100 120 140 160

T

A

- 环境温度 - C

正向偏置安全工作区

T

A

- 环境温度 - C

100

I

D（脉冲）

R

DS （ ON）

有限

（在V

GS

= 10 V)

PW = 100

s

I

D（ DC）的

I

D

- 漏电流 - 一个

10

DC

1

10毫秒

100毫秒

功耗有限公司

1毫秒

0.1

T

A

= 25°C

单脉冲

安装在陶瓷基板

2000毫米X 1.6毫米

2

0.01

0.01

0.1

1

10

100

V

DS

- 漏极至源极电压 - V

瞬态热阻与脉冲宽度

1000

r

日（T ）

- 瞬态热阻 -

° C / W

100

R

第（章-a）的

= 73.5C / W

10

1

T

A

= 25 ℃，单脉冲， 1个单位

安装于2000毫米的陶瓷基片

2

X 1.6毫米

1m

10 m

100 m

1

PW - 脉冲宽度 - S

10

100

1000

0.1

100

数据表G16954EJ2V0DS

5

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地址：深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318

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