TSMF1000/1020/1030/1040
威世半导体
参数
辐射强度
辐射功率
温度。系数
φ
e
半强度角
峰值波长
光谱带宽
温度。系数
λ
p
上升时间
下降时间
I
F
= 20毫安
I
F
= 20毫安
I
F
= 20毫安
I
F
= 20毫安
I
F
= 20毫安
测试条件
I
F
= 20毫安
I
F
= 100毫安，吨
p
= 100
s
I
F
= 100毫安，吨
p
= 20毫秒
I
F
= 20毫安
符号
I
e
I
e
φ
e
TK
φe
λ
p
λ
TK
λp
t
r
t
f
民
2.5
典型值。
5
25
35
- 0.6
± 17
870
40
0.2
30
30
最大
日前，Vishay
单位
毫瓦/ SR
毫瓦/ SR
mW
%/K
度
nm
nm
纳米/ K
ns
ns
典型特征
(T
AMB
= 25
°C
除非另有规定编）
10000
200
P
V
- 功耗（MW ）
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
T
AMB
- 环境温度（
°
C )
I
F
- 正向电流（mA ）
t
p
/T = 0.005
1000
0.01
T
AMB
< 60℃
0.02
0.05
100
0.2
0.5
DC
0.1
10
1
0.01
95 9985
0.1
1
10
100
16187
t
p
- 脉冲宽度（毫秒）
图1.功耗与环境温度
图3.脉冲正向电流与脉冲持续时间
10
4
120
I
F
- 正向电流（mA ）
I
F
- 正向电流（mA ）
100
80
60
40
20
0
10
3
10
2
10
1
10
0
0
10 20 30 40 50
60 70 80 90 100
94 8880
0
1
2
3
4
16188
T
AMB
- 环境温度（
°
C )
V
F
- 正向电压（ V）
图2.正向电流与环境温度
图4.正向电流与正向电压
www.vishay.com
2
文档编号81061
启示录6 ， 21日， 03
TSMF1000
威世德律风根
高速红外发光二极管的直径SMD封装
描述
TSMF1000是一个高效率的红外发光二极管
在砷化镓（GaAs）技术的GaAlAs的成型清楚SMD
包
在与砷化镓的标准比较砷化镓
技术，这些发射器达到约100％的
辐射功率的改善，在类似的波长。
的正向电压在低电流和高脉冲
电流大致对应的低的值
标准技术。因此，这些发射器
理想地适合于作为高性能替代
标准的发射器。
15 969
特点
D
D
D
D
D
D
D
超高辐射功率
低正向电压
适用于高脉冲电流运行
半强度角
=
±
17
°
峰值波长
l
p
= 870 nm的
高可靠性
良好的光谱匹配Si光电探测器
应用
兼容IrDA
自由的空气传输系统
控制和驱动电路
光中断
穿孔带阅读器
绝对最大额定值
T
AMB
= 25
_
C
参数
反向电压
正向电流
最大正向电流
正向电流浪涌
功耗
结温
工作温度范围
存储温度范围
焊接温度
测试条件
符号
V
R
I
F
I
FM
I
FSM
P
V
T
j
T
AMB
T
英镑
T
sd
价值
5
100
200
1.0
100
–40...+85
–40...+85
260
单位
V
mA
mA
A
mW
°
C
°
C
°
C
°
C
t
p
/T = 0.5, t
p
= 100
m
s
t
p
= 100
m
s
t
x
5秒，从2毫米的情况下，
文档编号81061
第4版， 31 -MAR- 00
www.vishay.de
FaxBack + 1-408-970-5600
1 (4)
TSMF1000
威世德律风根
消耗臭氧层物质的政策声明
它的策略
威世半导体有限公司
to
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
2.定期和不断改进我们的产品，工艺，销售和经营的业绩
相对于它们对健康和员工的安全和影响公众系统，以及它们的
对环境的影响。
这是特别令人关注，以控制或消除这些物质释放到其已知作为气氛
消耗臭氧层物质（消耗臭氧层物质） 。
蒙特利尔议定书（ 1987年）和其伦敦修正案（ 1990年）打算严格限制使用消耗臭氧层物质和
在未来十年内禁止其使用。不同的国家和国际行动正加紧进行早期禁令
于这些物质。
威世半导体有限公司
已经能够使用的持续改进其政策，以杜绝使用
消耗臭氧层物质列在下面的文件。
1.附件A， B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦分别修正列表
2 。 I类和II于1990年，由环境的清洁空气法案修正案消耗臭氧层物质
保护局（EPA）在美国
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A，B和C （过渡性物质） 。
威世半导体有限公司
可以证明，我们的半导体是不消耗臭氧制造
物质和不含有这种物质。
我们保留作出修改，以改善技术设计，并可以这样做，恕不另行通知的权利。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每个客户的应用进行验证
由客户。如买方使用的Vishay ，德律风根产品的任何意外或未经授权的应用程序时，
买方应赔偿日前，Vishay ，德律风根的所有索赔，费用，损失，费用，所产生的直接或
间接的，人身损害，伤害或死亡等意外或未经授权使用相关的任何索赔。
日前，Vishay半导体有限公司， P.O.B. 3535 ， D- 74025德国Heilbronn
电话： 49 （ 0 ） 67 7131 2831 ，传真号码： 49 （ 0 ） 7131 67 2423
www.vishay.de
FaxBack + 1-408-970-5600
4 (4)
文档编号81061
第4版， 31 -MAR- 00
TSMF1000 ， TSMF1020 ， TSMF1030
www.vishay.com
威世半导体
高速红外发光二极管，符合RoHS ，
890纳米， GaAlAs的双异质
特点
TSMF1000
TSMF1020
封装类型：表面贴装
包装形式： GW ， RGW ，蛋黄，轴向
尺寸（单位：mm长x宽x高） ： 2.5 ×2× 2.7
峰值波长：
p
= 890 nm的
高辐射功率
半强度角：
= ± 17°
低正向电压
适用于高脉冲电流操作
16758-5
TSMF1030
多功能终端配置
与检测TEMD1000包匹配
地板寿命： 168小时， MSL 3 ， ACC 。 J- STD- 020
符合RoHS指令2002/95 / EC和
按照WEEE 2002/96 / EC
描述
TSMF1000系列红外， 890 nm的发光二极管
的GaAlAs双异质（ DH）技术，具有高辐射
功率和高转速，模压在透明，不着色的塑料
包（用透镜），用于表面安装（SMD） 。
应用
兼容IrDA数据传输
微型光障
光断续器
光开关
控制和驱动电路
轴编码器
产品概述
部件
TSMF1000
TSMF1020
TSMF1030
I
e
（毫瓦/ SR）
5
5
5
（度）
± 17
± 17
± 17
P
（纳米）
890
890
890
t
r
（纳秒）
30
30
30
记
测试条件见附表“基本特征”
订购信息
订购代码
TSMF1000
TSMF1020
TSMF1030
记
起订量：最小起订量
包装
磁带和卷轴
磁带和卷轴
磁带和卷轴
备注
最小起订量： 1000件， 1000件/卷
最小起订量： 1000件， 1000件/卷
最小起订量： 1000件， 1000件/卷
包装形式
相反的鸥翼式
鸥翼
轭
修订版1.8 ， 30军， 11
1
如有技术问题，请联系：
emittertechsupport@vishay.com
文档编号： 81061
本文如有更改，恕不另行通知。描述的产品说明书和本文档
受到特定的免责声明，阐明的AT
www.vishay.com/doc?91000
TSMF1000 ， TSMF1020 ， TSMF1030
www.vishay.com
威世半导体
测试条件
符号
V
R
I
F
t
p
/T = 0.5, t
p
½
100 μs
t
p
= 100 μs
I
FM
I
FSM
P
V
T
j
T
AMB
T
英镑
t
5s
焊接在PCB上，垫尺寸：
4毫米×4mm的
T
sd
R
thJA
价值
5
100
200
0.8
180
100
- 40至+ 85
- 40至+ 100
260
400
单位
V
mA
mA
A
mW
°C
°C
°C
°C
K / W
绝对最大额定值
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
反向电压
正向电流
最大正向电流
正向电流浪涌
功耗
结温
工作温度范围
存储温度范围
焊接温度
热阻结/环境
200
180
120
100
80
60
P
V
- 功耗（MW ）
140
120
100
80
60
40
20
0
0
10
20
30
40
50
60
70 80
90 100
R
thJA
= 400 K / W
I
F
- 正向电流（mA ）
160
R
thJA
= 400 K / W
40
20
0
0
10
20 30 40
50 60 70 80
90 100
21165
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
21166
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
图。 1 - 功耗极限 - 环境温度
图。 2 - 正向电流限制与环境温度
基本特征
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
正向电压
V温度COEF网络cient
F
反向电流
结电容
辐射强度
辐射功率
温度COEF网络cient
e
半强度角
峰值波长
光谱带宽
温度COEF网络cient
p
上升时间
下降时间
截止频率
虚拟源直径
I
F
= 20毫安
I
F
= 20毫安
I
F
= 20毫安
I
F
= 20毫安
I
F
= 20毫安
I
DC
= 70 mA时，我
AC
= 30毫安页
测试条件
I
F
= 20毫安
I
F
= 1 A，T
p
= 100 μs
I
F
= 1毫安
V
R
= 5 V
V
R
= 0 V ， F = 1MHz时， E = 0
I
F
= 20毫安
I
F
= 100毫安，吨
p
= 100 μs
I
F
= 100毫安，吨
p
= 20毫秒
I
F
= 20毫安
符号
V
F
V
F
TK
VF
I
R
C
j
I
e
I
e
e
TK =
e
p
TK =
p
t
r
t
f
f
c
d
2.5
160
5
25
35
- 0.6
± 17
890
40
0.2
30
30
12
1.2
13
分钟。
典型值。
1.3
2.4
- 1.8
10
马克斯。
1.5
单位
V
V
毫伏/ K
μA
pF
毫瓦/ SR
毫瓦/ SR
mW
%/K
度
nm
nm
纳米/ K
ns
ns
兆赫
mm
修订版1.8 ， 30军， 11
2
如有技术问题，请联系：
emittertechsupport@vishay.com
文档编号： 81061
本文如有更改，恕不另行通知。描述的产品说明书和本文档
受到特定的免责声明，阐明的AT
www.vishay.com/doc?91000
TSMF1000 ， TSMF1020 ， TSMF1030
www.vishay.com
基本特征
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
威世半导体
10 000
t
p
/T = 0.005
T
AMB
< 60℃
1000
I
F
- 正向电流（mA ）
1000
Φ
e
- 辐射功率（mW ）
100
0.01
0.02
0.05
100
0.2
0.5
DC
10
0.1
100
10
1
1
0.01
95 9985
0.1
1
10
0.1
10
0
94 8007
t
p
- 脉冲宽度（毫秒）
10
1
10
2
10
3
I
F
- 正向电流（mA ）
10
4
图。 3 - 脉冲正向电流与脉冲持续时间
图。 6 - 辐射功率与正向电流
10
4
I
F
- 正向电流（mA ）
1.6
10
3
I
ê相对
;
Φ
ê相对
1.2
I
F
= 20毫安
0.8
10
2
10
1
0.4
10
0
0
94 8880
1
2
3
4
0
- 10 0 10
94 7993
50
100
140
V
F
- 正向电压（ V）
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
图。 4 - 正向电流与正向电压
图。 7 - 相对。辐射强度/功率随环境温度
1000
1.25
I
e
- 辐射强度（毫瓦/ SR ）
Φ
ê相对
- 相对辐射功率
1.0
100
0.75
10
0.5
1
0.25
0.1
10
0
16189
10
1
10
2
10
3
10
4
20082
0
800
900
1000
I
F
- 正向电流（mA ）
λ
- 波长（nm ）
图。 5 - 辐射强度与正向电流
图。 8 - 相对辐射功率与波长
修订版1.8 ， 30军， 11
3
如有技术问题，请联系：
emittertechsupport@vishay.com
文档编号： 81061
本文如有更改，恕不另行通知。描述的产品说明书和本文档
受到特定的免责声明，阐明的AT
www.vishay.com/doc?91000
TSMF1000 ， TSMF1020 ， TSMF1030
www.vishay.com
威世半导体
回流焊接温度曲线
20°
30°
0°
10°
260
240
- 角位移
S
REL
- 相对灵敏度
220
温度（℃）
40°
1.0
0.9
0.8
0.7
50°
60°
70°
80°
0.6
0.4
0.2
0
200
180
160
140
120
100
80
60
0
+ 5°C /秒
- 5 ℃/秒
60秒到120秒
5s
20 40 60 80 100 120 140 160 180 200 220
94 8248
17172
时间（s）
图。 9 - 相对辐射强度对比角位移
图。 10 - 铅锡（锡铅）回流焊接温度曲线
使用注意事项
1，过电流，防
客户必须申请电阻进行保护，否则
轻微的电压变化会引起很大的电流变化（烧坏
会发生） 。
2.存储
存储温度和相对。湿度的条件是：
5℃至35℃ ，相对湿度60％。
地板使用寿命不得超过168小时， ACC 。 JEDEC三级，
J-STD-020.
一旦包装被打开，该产品应
在一个星期内使用。否则，它们应该被保持在一
防潮盒干燥剂。
考虑磁带生命，我们建议在使用产品
一年，自生产日期。
如果在气氛5 ℃，开了一个多星期来
35℃，相对湿度60％时，装置应在60℃下处理过的
±5 ℃下进行15小时。
如果在包中的湿度指示灯显示粉红色
（正常蓝色），则设备应当与被处理
相同的条件下2.3 。
1 ℃/秒至5 ℃/秒
预加热
180 ℃至200 ℃的
260 °C以下。
10秒以内。
60秒MAX 。
高于220 ℃，
120秒以内。
1 ℃/秒至5 ℃/秒
22566
图。 11 - 铅（Pb ） - 免费的回流焊接温度曲线ACC 。 J- STD- 020
修订版1.8 ， 30军， 11
4
如有技术问题，请联系：
emittertechsupport@vishay.com
文档编号： 81061
本文如有更改，恕不另行通知。描述的产品说明书和本文档
受到特定的免责声明，阐明的AT
www.vishay.com/doc?91000
TSMF1000 ， TSMF1020 ， TSMF1030
www.vishay.com
包装尺寸
以毫米为单位：
TSMF1000
威世半导体
16159
包装尺寸
以毫米为单位：
TSMF1020
3.8
± 0.2
1.9
± 0.2
0.85
0.15
± 0.05
0.3
2.5
± 0.2
2
± 0.2
1
± 0.1
1.1
0.5
0.4
4.5
± 0.1
2.3
± 0.1
0.75
1.4
2.7
± 0.2
C
A
16160
修订版1.8 ， 30军， 11
5
如有技术问题，请联系：
emittertechsupport@vishay.com
文档编号： 81061
本文如有更改，恕不另行通知。描述的产品说明书和本文档
受到特定的免责声明，阐明的AT
www.vishay.com/doc?91000
TSMF1000 ， TSMF1020 ， TSMF1030
威世半导体
高速红外发光二极管，符合RoHS ， 890纳米，
的GaAlAs双异质
特点
TSMF1000
TSMF1020
封装类型：表面贴装
包装形式： GW ， RGW ，蛋黄，轴向
尺寸（单位：mm长x宽x高） ： 2.5 ×2× 2.7
峰值波长：
λ
p
= 890 nm的
高辐射功率
半强度角：
= ± 17°
低正向电压
适用于高脉冲电流操作
多功能终端配置
16758-5
TSMF1030
与检测TEMD1000包匹配
地板寿命： 168小时， MSL 3 ， ACC 。 J- STD- 020
铅（Pb ）按照-free组件
RoHS指令2002/95 / EC和WEEE 2002/96 / EC
同
描述
TSMF1000系列红外， 890 nm的发光二极管
的GaAlAs双异质（ DH）技术，具有高辐射
功率和高转速，模压在透明，不着色的塑料
包（用透镜），用于表面安装（SMD） 。
应用
兼容IrDA数据传输
微型光障
光断续器
光开关
控制和驱动电路
轴编码器
产品概述
部件
TSMF1000
TSMF1020
TSMF1030
I
e
（毫瓦/ SR）
5
5
5
（度）
± 17
± 17
± 17
λ
P
（纳米）
890
890
890
t
r
（纳秒）
30
30
30
记
测试条件见附表“基本特征”
订购信息
订购代码
TSMF1000
TSMF1020
TSMF1030
记
最小起订量：最小起订量
包装
磁带和卷轴
磁带和卷轴
磁带和卷轴
备注
最小起订量： 1000件， 1000件/卷
最小起订量： 1000件， 1000件/卷
最小起订量： 1000件， 1000件/卷
包装形式
相反的鸥翼式
鸥翼
轭
绝对最大额定值
参数
反向电压
正向电流
最大正向电流
正向电流浪涌
功耗
t
p
/T = 0.5, t
p
=
100 s
t
p
= 100 s
测试条件
符号
V
R
I
F
I
FM
I
FSM
P
V
价值
5
100
200
0.8
180
单位
V
mA
mA
A
mW
www.vishay.com
224
如有技术问题，请联系： emittertechsupport@vishay.com
文档编号： 81061
修订版1.7 ， 04 09月08
TSMF1000 ， TSMF1020 ， TSMF1030
高速红外发光二极管，符合RoHS
威世半导体
标准， 890纳米， GaAlAs的双异质
绝对最大额定值
参数
结温
工作温度范围
存储温度范围
焊接温度
热阻结/环境
记
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
t
≤
5s
焊接在PCB上，垫尺寸：
4毫米×4mm的
测试条件
符号
T
j
T
AMB
T
英镑
T
sd
R
thJA
价值
100
- 40至+ 85
- 40至+ 100
260
400
单位
°C
°C
°C
°C
K / W
200
180
120
100
80
60
R
thJA
= 400 K / W
40
20
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90 100
21166
P
V
- 功耗（MW ）
140
120
100
80
60
40
20
0
R
thJA
= 400 K / W
I
F
- 正向电流（mA ）
160
0
10
20 30 40
50 60 70
80
90 100
21165
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
图。 1 - 功耗极限 - 环境温度
图。 2 - 正向电流限制与环境温度
基本特征
参数
正向电压
V温度COEF网络cient
F
反向电流
结电容
辐射强度
辐射功率
温度COEF网络cient
φ
e
半强度角
峰值波长
光谱带宽
温度COEF网络cient
λ
p
上升时间
下降时间
截止频率
虚拟源直径
记
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
I
F
= 20毫安
I
F
= 20毫安
I
F
= 20毫安
I
F
= 20毫安
I
F
= 20毫安
I
DC
= 70 mA时，我
AC
= 30毫安页
测试条件
I
F
= 20毫安
I
F
= 1 A，T
p
= 100 s
I
F
= 1毫安
V
R
= 5 V
V
R
= 0 V ， F = 1MHz时， E = 0
I
F
= 20毫安
I
F
= 100毫安，吨
p
= 100 s
I
F
= 100毫安，吨
p
= 20毫秒
I
F
= 20毫安
符号
V
F
V
F
TK
VF
I
R
C
j
I
e
I
e
φ
e
TK =
e
λ
p
Δλ
TK =
p
t
r
t
f
f
c
d
2.5
160
5
25
35
- 0.6
± 17
890
40
0.2
30
30
12
1.2
13
分钟。
典型值。
1.3
2.4
- 1.8
10
马克斯。
1.5
单位
V
V
毫伏/ K
A
pF
毫瓦/ SR
毫瓦/ SR
mW
%/K
度
nm
nm
纳米/ K
ns
ns
兆赫
mm
文档编号： 81061
修订版1.7 ， 04 09月08
如有技术问题，请联系： emittertechsupport@vishay.com
www.vishay.com
225
TSMF1000 ， TSMF1020 ， TSMF1030
威世半导体
高速红外发光二极管，符合RoHS
标准， 890纳米， GaAlAs的双异质
基本特征
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
10 000
t
p
/T = 0.005
T
AMB
< 60℃
1000
I
F
- 正向电流（mA ）
1000
0.02
0.05
100
0.2
0.5
DC
10
0.1
Φ
e
- 辐射功率（mW ）
100
0.01
100
10
1
1
0.01
95 9985
0.1
1
10
0.1
10
0
94
8007
t
p
- 脉冲宽度（毫秒）
10
1
10
2
10
3
I
F
- 正向电流（mA ）
10
4
图。 3 - 脉冲正向电流与脉冲持续时间
图。 6 - 辐射功率与正向电流
10
4
I
F
- 正向电流（mA ）
1.6
10
3
I
ê相对
;
Φ
ê相对
1.2
I
F
= 20毫安
0.8
10
2
10
1
0.4
10
0
0
94
8880
1
2
3
4
0
- 10 0 10
94 7993
50
100
140
V
F
- 前进
电压
(V)
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
图。 4 - 正向电流与正向电压
图。 7 - 相对。辐射强度/功率随环境温度
1000
1.25
I
e
- 辐射强度（毫瓦/ SR ）
Φ
ê相对
- 相对辐射功率
1.0
100
0.75
10
0.5
1
0.25
0.1
10
0
16189
10
1
10
2
10
3
10
4
20082
0
800
900
1000
I
F
- 正向电流（mA ）
λ
-
波长
（纳米）
图。 5 - 辐射强度与正向电流
图。 8 - 相对辐射功率与波长
www.vishay.com
226
如有技术问题，请联系： emittertechsupport@vishay.com
文档编号： 81061
修订版1.7 ， 04 09月08
TSMF1000 ， TSMF1020 ， TSMF1030
高速红外发光二极管，符合RoHS
威世半导体
标准， 890纳米， GaAlAs的双异质
回流焊接温度曲线
0°
10°
20°
30°
- 角位移
260
240
S
REL
- 相对灵敏度
220
温度（℃）
40°
1.0
0.9
0.8
0.7
50°
60°
70°
80°
0.6
0.4
0.2
0
200
180
160
140
120
100
80
60
0
+ 5°C /秒
- 5 ℃/秒
60秒到120秒
5s
20 40 60
80
100 120 140 160 180 200 220
94
8248
17172
时间（s）
图。 9 - 相对辐射强度对比角位移
图。 10 - 铅锡（锡铅）回流焊接温度曲线
使用注意事项
1，过电流，防
客户必须申请电阻进行保护，否则
轻微的电压变化会引起很大的电流变化（烧出来的意志
发生） 。
2.存储
2.1存放温度和相对。湿度的条件是：
5℃至35℃ ，相对湿度60％。
2.2车间寿命不能超过168小时， ACC 。 JEDEC三级，
J-STD-020.
一旦包装被打开，该产品应
在一个星期内使用。否则，它们应该被保持在一
防潮盒干燥剂。
考虑磁带生命，我们建议在使用产品
一年，自生产日期。
2.3如果在气氛5 ℃，开了一个多星期来
35℃，相对湿度60％时，装置应在60℃下处理过的
±5 ℃下进行15小时。
2.4如果在包中的湿度指示灯显示粉红色
（正常蓝色），则设备应当与被处理
相同的条件下2.3 。
文档编号： 81061
修订版1.7 ， 04 09月08
如有技术问题，请联系： emittertechsupport@vishay.com
www.vishay.com
227
TSMF1000 ， TSMF1020 ， TSMF1030
威世半导体
高速红外发光二极管，符合RoHS
标准， 890纳米， GaAlAs的双异质
包装尺寸
以毫米为单位：
TSMF1000
16159
包装尺寸
以毫米为单位：
TSMF1020
3.8
± 0.2
1.9
± 0.2
0.85
0.15
± 0.05
0.3
2.5
± 0.2
2
± 0.2
1
± 0.1
1.1
0.5
0.4
4.5
± 0.1
2.3
± 0.1
0.75
1.4
2.7
± 0.2
C
A
16160
www.vishay.com
228
如有技术问题，请联系： emittertechsupport@vishay.com
文档编号： 81061
修订版1.7 ， 04 09月08
TSMF1000/1020/1030/1040
威世半导体
参数
辐射强度
辐射功率
温度。系数
φ
e
半强度角
峰值波长
光谱带宽
温度。系数
λ
p
上升时间
下降时间
I
F
= 20毫安
I
F
= 20毫安
I
F
= 20毫安
I
F
= 20毫安
I
F
= 20毫安
测试条件
I
F
= 20毫安
I
F
= 100毫安，吨
p
= 100
s
I
F
= 100毫安，吨
p
= 20毫秒
I
F
= 20毫安
符号
I
e
I
e
φ
e
TK
φe
λ
p
λ
TK
λp
t
r
t
f
民
2.5
典型值。
5
25
35
- 0.6
± 17
870
40
0.2
30
30
最大
日前，Vishay
单位
毫瓦/ SR
毫瓦/ SR
mW
%/K
度
nm
nm
纳米/ K
ns
ns
典型特征
(T
AMB
= 25
°C
除非另有规定编）
10000
200
P
V
- 功耗（MW ）
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
T
AMB
- 环境温度（
°
C )
I
F
- 正向电流（mA ）
t
p
/T = 0.005
1000
0.01
T
AMB
< 60℃
0.02
0.05
100
0.2
0.5
DC
0.1
10
1
0.01
95 9985
0.1
1
10
100
16187
t
p
- 脉冲宽度（毫秒）
图1.功耗与环境温度
图3.脉冲正向电流与脉冲持续时间
10
4
120
I
F
- 正向电流（mA ）
I
F
- 正向电流（mA ）
100
80
60
40
20
0
10
3
10
2
10
1
10
0
0
10 20 30 40 50
60 70 80 90 100
94 8880
0
1
2
3
4
16188
T
AMB
- 环境温度（
°
C )
V
F
- 正向电压（ V）
图2.正向电流与环境温度
图4.正向电流与正向电压
www.vishay.com
2
文档编号81061
启示录6 ， 21日， 03
TSMF1000
威世德律风根
高速红外发光二极管的直径SMD封装
描述
TSMF1000是一个高效率的红外发光二极管
在砷化镓（GaAs）技术的GaAlAs的成型清楚SMD
包
在与砷化镓的标准比较砷化镓
技术，这些发射器达到约100％的
辐射功率的改善，在类似的波长。
的正向电压在低电流和高脉冲
电流大致对应的低的值
标准技术。因此，这些发射器
理想地适合于作为高性能替代
标准的发射器。
15 969
特点
D
D
D
D
D
D
D
超高辐射功率
低正向电压
适用于高脉冲电流运行
半强度角
=
±
17
°
峰值波长
l
p
= 870 nm的
高可靠性
良好的光谱匹配Si光电探测器
应用
兼容IrDA
自由的空气传输系统
控制和驱动电路
光中断
穿孔带阅读器
绝对最大额定值
T
AMB
= 25
_
C
参数
反向电压
正向电流
最大正向电流
正向电流浪涌
功耗
结温
工作温度范围
存储温度范围
焊接温度
测试条件
符号
V
R
I
F
I
FM
I
FSM
P
V
T
j
T
AMB
T
英镑
T
sd
价值
5
100
200
1.0
100
–40...+85
–40...+85
260
单位
V
mA
mA
A
mW
°
C
°
C
°
C
°
C
t
p
/T = 0.5, t
p
= 100
m
s
t
p
= 100
m
s
t
x
5秒，从2毫米的情况下，
文档编号81061
第4版， 31 -MAR- 00
www.vishay.de
FaxBack + 1-408-970-5600
1 (4)
TSMF1000
威世德律风根
消耗臭氧层物质的政策声明
它的策略
威世半导体有限公司
to
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
2.定期和不断改进我们的产品，工艺，销售和经营的业绩
相对于它们对健康和员工的安全和影响公众系统，以及它们的
对环境的影响。
这是特别令人关注，以控制或消除这些物质释放到其已知作为气氛
消耗臭氧层物质（消耗臭氧层物质） 。
蒙特利尔议定书（ 1987年）和其伦敦修正案（ 1990年）打算严格限制使用消耗臭氧层物质和
在未来十年内禁止其使用。不同的国家和国际行动正加紧进行早期禁令
于这些物质。
威世半导体有限公司
已经能够使用的持续改进其政策，以杜绝使用
消耗臭氧层物质列在下面的文件。
1.附件A， B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦分别修正列表
2 。 I类和II于1990年，由环境的清洁空气法案修正案消耗臭氧层物质
保护局（EPA）在美国
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A，B和C （过渡性物质） 。
威世半导体有限公司
可以证明，我们的半导体是不消耗臭氧制造
物质和不含有这种物质。
我们保留作出修改，以改善技术设计，并可以这样做，恕不另行通知的权利。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每个客户的应用进行验证
由客户。如买方使用的Vishay ，德律风根产品的任何意外或未经授权的应用程序时，
买方应赔偿日前，Vishay ，德律风根的所有索赔，费用，损失，费用，所产生的直接或
间接的，人身损害，伤害或死亡等意外或未经授权使用相关的任何索赔。
日前，Vishay半导体有限公司， P.O.B. 3535 ， D- 74025德国Heilbronn
电话： 49 （ 0 ） 67 7131 2831 ，传真号码： 49 （ 0 ） 7131 67 2423
www.vishay.de
FaxBack + 1-408-970-5600
4 (4)
文档编号81061
第4版， 31 -MAR- 00
QQ：2881677436 复制
