TSM1N60L
600V N沟道功率MOSFET
产品概述
针脚定义：
1.门
2.漏
3.源
TO-252
TO-251
V
DS
(V)
600
R
DS （ ON）
(Ω)
12 @ V
GS
=10V
I
D
(A)
1
概述
该TSM1N60L使用了先进的终止方案，以提供增强的电压阻断能力不
降解性能随着时间的推移。此外，这种先进的MOSFET被设计成能承受高的能量在
雪崩和减刑模式。新的节能设计还提供了一个漏源二极管具有快速
恢复时间。设计用于高电压，在电源高速开关应用中，转换器和PWM
电机控制装置，这些装置特别适合井为电桥电路，其中二极管的速度和整流安全
经营范围是至关重要的，并提供了对突发电压瞬变和额外的安全裕度。
特点
●
●
●
●
●
强大的高压端子
较高的雪崩能量
二极管电桥电路的特点是使用
源极到漏极二极管的恢复时间堪比
离散的快速恢复二极管。
I
DSS
和V
DS （ ON）
指定高温
框图
订购信息
产品型号
TSM1N60LCP RO
TSM1N60LCH C5
包
TO-252
TO-251
填料
2.5Kpcs / 13 “卷轴
50PCS /管
N沟道MOSFET
绝对最大额定值
（ TA = 25
o
C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
A，B
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
EAS
P
D
T
J
T
J
, T
英镑
1/7
极限
600
±30
1
4
1
20
2.5
+150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
mJ
W
o
o
单脉冲漏极至源极雪崩能量
(V
DD
= 100V, V
GS
= 10V ，我
AS
= 2A ，L = 10MH ，R
G
=25Ω)
最大功率耗散@Ta = 25℃
工作结温
工作结存储温度范围
o
C
C
版本： A07
TSM1N60L
600V N沟道功率MOSFET
热性能
参数
（从案例1/8“ ）焊接温度
热阻 - 结到环境
注：表面安装在FR4板上吨
≤
10sec
符号
T
L
R
JA
极限
10
62.5
单位
o
S
C / W
电气规格
（ TA = 25
o
C除非另有说明）
参数
条件
符号
民
600
--
2.0
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
典型值
--
10.5
--
--
--
10
--
8.5
1.8
4
210
28
4.2
8
21
18
24
最大
--
12
4.0
10
± 100
--
1.5
14
--
--
--
--
--
--
--
--
--
单位
V
Ω
V
uA
nA
S
V
STATIC
漏源击穿电压
V
GS
= 0V时，我
D
= 250uA
BV
DSS
漏源导通电阻
V
GS
= 10V ，我
D
= 0.6A
R
DS （ ON）
栅极阈值电压
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250uA
V
GS （ TH）
零栅极电压漏极电流
V
DS
= 600V, V
GS
= 0V
I
DSS
门体漏
V
GS
= ±20V, V
DS
= 0V
I
GSS
正向跨导
V
DS
≧50V,
I
D
= 0.5A
g
fs
二极管的正向电压
I
S
= 1A ，V
GS
= 0V
V
SD
b
动态
总栅极电荷
Q
g
V
DS
= 400V ，我
D
= 1A,
栅极 - 源电荷
Q
gs
V
GS
= 10V
栅极 - 漏极电荷
Q
gd
输入电容
C
国际空间站
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V,
输出电容
C
OSS
F = 1.0MHz的
反向传输电容
C
RSS
c
开关
导通延迟时间
t
D（上）
开启上升时间
V
GS
= 10V ，我
D
= 1A,
t
r
V
DS
= 300V ，R
G
= 6Ω
打开-O FF延迟时间
t
D（关闭）
关断下降时间
t
f
注意事项：
一。脉冲测试：脉冲宽度< = 300US ，占空比< = 2 ％
B 。仅供设计参考，未经生产测试。
。开关时间基本上是独立的工作温度。
nC
pF
nS
2/7
版本： A07
TSM1N60L
600V N沟道功率MOSFET
SOT- 252机械制图
暗淡
A
A1
B
C
D
E
F
G
G1
G2
H
I
J
K
L
M
TO- 252外形尺寸
MILLIMETERS
英寸
民
最大
民
最大
2.3BSC
0.09BSC
4.6BSC
0.18BSC
6.80
7.20
0.268
0.283
5.40
5.60
0.213
0.220
6.40
6.65
0.252
0.262
2.20
2.40
0.087
0.094
0.00
0.20
0.000
0.008
5.20
5.40
0.205
0.213
0.75
0.85
0.030
0.033
0.55
0.65
0.022
0.026
0.35
0.65
0.014
0.026
0.90
1.50
0.035
0.059
2.20
2.80
0.087
0.110
0.50
1.10
0.020
0.043
0.90
1.50
0.035
0.059
1.30
1.70
0.051
0.67
标记图
Y
=年份代码
M
=月守则
（ A =一月，
B =月， C =月， D = APL， E =月， F =君，G =月， H =月，
I =月， J =月， K =月， L =月）
L
- 批次编号
5/7
版本： A07
TSM1N60L
N沟道功率增强型MOSFET
引脚分配：
1.门
2.漏
3.源
V
DS
= 600V
I
D
= 1A
R
DS （ ON）
， V GS @ 10V ， IDS @ 0.6A = 10Ω
概述
该TSM1N60L使用了先进的终止方案，以提供增强的电压阻断能力不
降解性能随着时间的推移。此外，这种先进的MOSFET被设计成能承受高能量的雪崩
和减刑模式。新的节能设计还提供了一个漏源二极管具有快速恢复时间。
专为高电压，电源供应器，转换器和PWM电机控制高速开关应用，
这些器件特别适用以及为桥电路中二极管的速度和换向安全工作区域
关键的，并提供对意外的电压瞬变附加和安全裕度。
特点
强大的高压端子
较高的雪崩能量
二极管电桥电路的特点是使用
源极到漏极二极管的恢复时间堪比
离散的快速恢复二极管。
I
DSS
和V
DS （ ON）
指定高温
框图
订购信息
产品型号
TSM1N60LCP
TSM1N60LCH
填料
磁带&卷轴
管
包
TO-252
TO-251
绝对最大额定值
（ TA = 25
o
C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
最大功率耗散
TA = 25
o
C
TA > 25
o
C
工作结温
工作结存储温度范围
单脉冲漏极至源极雪崩能量
(V
DD
= 500V, V
GS
= 10V ，我
AS
= 1A ，L = 115mH ，R
G
=25)
T
J
T
J
, T
英镑
E
AS
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
极限
600V
± 30
1
9
28
0.22
+150
- 55 + 150
50
单位
V
V
A
A
W
W/
o
C
o
o
C
C
mJ
热性能
参数
（从案例1/8“ ）焊接温度
结到环境热阻（PCB安装）
注：表面安装在FR4电路板t< = 10秒。
符号
T
L
R
θJA
极限
10
50
单位
S
o
C / W
TSM1N60L
1-4
2006/01转。一
电气特性
TJ = 25
o
C，除非另有说明
参数
STATIC
漏源击穿电压
漏源导通电阻
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
正向跨导
条件
符号
民
典型值
最大
单位
V
GS
= 0V时，我
D
= 250uA
V
GS
= 10V ，我
D
= 0.6A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250uA
V
DS
= 600V, V
GS
= 0V
V
GS
= ± 30V, V
DS
= 0V
V
DS
≧50V,
I
D
= 0.5A
BV
DSS
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
I
DSS
I
GSS
g
fs
600
--
2.0
--
--
--
--
10
--
--
--
10
--
12
4.0
10
± 100
--
V
V
uA
nA
S
动态
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V,
F = 1.0MHz的
V
DD
= 300V,
I
D
= 1A ，V
根
= 10V,
R
G
= 25
V
DS
= 480V ，我
D
= 1.0A,
V
GS
= 10V
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
4.5
1.1
2.0
10
20
25
24
155
20
3
6.0
--
--
30
50
45
60
200
26
4
pF
nS
nC
源极 - 漏极二极管
马克斯。二极管的正向电流
二极管的正向电压
I
S
= 1.0A ，V
GS
= 0V
注意事项：1.脉冲测试：脉冲宽度< = 300US ，占空比< = 2 ％
2.忽略不计，占主导地位的电路电感。
I
S
V
SD
--
--
--
--
1.0
1.4
A
V
TSM1N60L
2-4
2006/01转。一
QQ：2881677436 复制
