【TPC8406-H东芝场效应晶体管的硅P / N沟道MOS型（ P沟道/ N沟道超高速U- MOSI】,IC型号TPC8406-H,TPC8406-H PDF资料,TPC8406-H经销商,ic,电子元器件-51电子网

TPC8406-H

东芝场效应晶体管的硅P / N沟道MOS型

（ P沟道/ N沟道超高速U- MOSIII ）

TPC8406-H

高效率DC / DC转换器应用

笔记本电脑应用

便携式设备的应用

CCFL逆变器应用

由于占用空间小，小而薄的封装

高速开关

低漏源导通电阻： P通道

DS （ ON）

= 24毫欧（典型值）。

N沟道

DS （ ON）

= 22毫欧（典型值）。

小栅极电荷：

P沟道Q

= 9.7 NC （典型值）。

N沟道Q

= 3.5 NC （典型值）。

高正向转移导纳： P通道| Y

| = 13 S（典型值）。

N沟道| Y

| = 14 S（典型值）。

低漏电流： P沟道我

DSS

10 μA

N沟道我

DSS

= 10

μA

= 40 V)

增强型

： P- V频道

0.8

2.0

V (V

V，I

毫安）

： N沟道V

= 1.1 2.3 V（V

= 10 V，I

= 1 mA）的

单位：mm

绝对最大额定值

（大

25°C)

特征

漏源电压

漏，栅极电压（R

20 kΩ)

栅源电压

漏电流

脉冲

（注1 ）

符号

DSS

DGR

GSS

D(1)

D(2)

D(1)

D(2)

英镑

等级

P沟道N沟道

±20

6.5

1.5

1.1

0.75

0.45

（注4A ）

6.5

0.08

150

±20

6.5

1.5

1.1

0.75

0.45

（注4B ）

6.5

°C

单位

JEDEC

JEITA

东芝

―

2-6J1E

重量： 0.085克（典型值）。

漏功耗的单设备操作

（注3A ）

耗散

10s)

在单器件值

（注2a）的双操作（注3B ）

耗电

耗散

10s)

单设备操作

（注3A ）

电路CON组fi guration

在单器件值

（注2B ）双操作（注3B ）

单脉冲雪崩能量

雪崩电流

重复性雪崩能量

在操作单个设备的价值

（注意图2a ，图3b ，5）

通道温度

存储温度范围

N沟道

P沟道

注意：对于注释1至5，参见下页。

重负载下连续使用（如高温/电流/电压的施加而在显著变化

温度等）可能会导致此产品的可靠性降低显著即使工作条件下（即

工作温度/电流/电压等）的绝对最大额定值。请设计适当的

经审查东芝半导体可靠性手册（ “注意事项” /降级的概念和可靠性

方法）和个人可靠性数据（即可靠性测试报告和估计的故障率，等）。

此晶体管是静电感应装置。小心轻放。

2009-09-29

TPC8406-H

热特性

特征

单设备操作

（注3A ）

符号

第（ CH-A ）（1）

第（ CH-A ）（2）

第（ CH-A ）（1）

第（ CH-A ）（2）

最大

83.3

单位

耐热性，信道至环境

10s)

（注2A ）的单设备价值

双操作

（注3B ）

114

° C / W

167

耐热性，信道至环境

10s)

（注2B），在单器件值

双操作

（注2B ）

单设备操作

（注2A ）

278

标记（注6 ）

TPC8406

产品型号（或缩写代码）

LOT号

注7：

注1 ：通道温度不超过150 ℃，在使用过程中。

注2 ：1），安装到玻璃环氧树脂基板（一）

FR-4

25.4

0.8

（单位：毫米）

二）装置安装在玻璃环氧基板（二）

FR-4

25.4

0.8

（单位：毫米）

(a)

(b)

注3 ：1）的功耗和热电阻值显示为单个设备

（在单一装置操作时，电源被施加到仅仅一个设备）。

二）的功耗和热电阻值显示为单个设备

（在双重操作，功率均匀地施加到两个设备）。

注4 ：1） V

24 V ，T

25 ° C（初始），L

0.5 mH的，R

Ω,

6.5 A

B ）V

24 V ，T

25 ° C（初始），L

0.5 mH的，R

Ω,

6.5 A

注5 ：重复评价：脉冲宽度有限的最大通道温度

注6 ：

上的标记的左下表示引脚1 。

每周码：（三位数）

制造周

（ 01年第一周，持续到52或53 ）

制造年份

（日历年的最后一位数字）

注7 ：下一个批号的行标识产品标签的指示。

没有下划线： [铅] /包括> MCV

下划线： [ [G ] /符合RoHS标准或[ G] ] / RoHS指令[铅]

请联系您的东芝销售代表的详细情况，诸如环境问题，如RoHS指令

产品的兼容性。 RoHS指令的指令2002/95 / EC欧洲议会和27局的

2003年1月关于在电气和电子设备中使用某些有害物质的限制。

2009-09-29

TPC8406-H

P沟道

电气特性

（大

25°C)

特征

栅极漏电流

排水截止电流

漏源击穿电压

栅极阈值电压

漏源导通电阻

正向转移导纳

输入电容

反向传输电容

输出电容

上升时间

开启时间

开关时间

下降时间

打开-O FF时间

关闭

符号

GSS

DSS

（ BR ） DSS

（ BR ） DSX

DS （ ON）

国际空间站

RSS

OSS

4.7

= 10

V, V

0 V，F

1兆赫

测试条件

= ±16

V, V

0 V

= 40

V, V

0 V

= 10

毫安，V

0 V

= 10

毫安，V

20 V

= 10

V，I

= 1

= 4.5

V，I

3.3 A

= 10

V，I

3.3 A

= 10

V，I

3.3 A

民

0.8

6.5

V, V

= 10

6.5 A

典型值。

1190

170

250

3.2

8.1

9.7

最大

±10

2.0

单位

μA

mΩ

= 3.3

OUT

6.1

税

＆ LT ;

1%, t

μs

V, V

=10V

= 6.5

V, V

= 5

6.5 A

总栅极电荷

（栅极 - 源极加上栅极 - 漏极）

栅极 - 源极电荷1

栅 - 漏极（ “米勒” ）费

门开关充电

gs1

源极 - 漏极额定值和特性

（大

25°C)

特征

反向漏电流

正向电压（二极管）

脉冲（注1 ）

符号

DRP

DSF

测试条件

= 6.5

A，V

0 V

民

典型值。

最大

1.2

单位

2009-09-29

TPC8406-H

N沟道

电气特性

（大

25°C)

特征

栅极漏电流

排水截止电流

漏源击穿电压

栅极阈值电压

漏源导通电阻

正向转移导纳

输入电容

反向传输电容

输出电容

上升时间

开启时间

开关时间

下降时间

打开-O FF时间

总栅极电荷

（栅极 - 源极加上栅极 - 漏极）

栅极 - 源极电荷1

栅 - 漏极（ “米勒” ）费

门开关充电

关闭

gs1

32 V, V

10 V，I

6.5A

符号

GSS

DSS

（ BR ） DSS

（ BR ） DSX

DS （ ON）

国际空间站

RSS

OSS

3.3 A

OUT

4.7

6.1

10 V, V

0 V，F

1兆赫

测试条件

= ±16

V, V

0 V

40 V, V

0 V

10毫安，V

0 V

10毫安，V

= 20

10 V，I

1毫安

4.5 V，I

3.3 A

10 V，I

3.3 A

10 V，I

3.3 A

民

1.1

典型值。

650

240

6.2

2.1

2.7

3.5

最大

±10

2.3

单位

μA

mΩ

10 V

20 V

税

＆ LT ;

1%, t

μs

32 V, V

=10V,

6.5A

32 V, V

5 V，I

6.5A

源极 - 漏极额定值和特性

（大

25°C)

特征

反向漏电流

正向电压（二极管）

脉冲（注1 ）

符号

DRP

DSF

测试条件

6.5 A，V

0 V

民

典型值。

最大

1.2

单位

2009-09-29

TPC8406-H

P沟道

– V

3.2

3.4

2.8

2.7

2.6

2.5

VGS

= 2.4

常见的来源

25°C

脉冲测试

4.5

3.0

3.4

3.2

– V

常见的来源

25°C

脉冲测试

(A)

4.5

漏电流

(A)

2.8

2.6

VGS

= 2.4

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

0.4

0.8

1.2

1.6

漏源电压

(V)

漏源电压

(V)

– V

常见的来源

VDS

= 10

脉冲测试

0.5

– V

常见的来源

25℃

脉冲测试

(V)

漏源电压

0.4

(A)

0.3

漏电流

0.2

= 6.5

100

0.1

3.3

= 55°C

1.7

栅源电压

(V)

栅源电压

(V)

– I

(S)

100

300

常见的来源

VDS

= 10

脉冲测试

= 55°C

100

常见的来源

25°C

脉冲测试

DS （ ON）

– I

漏源导通电阻

DS （ ON）

(mΩ)

100

正向转移导纳

4.5

VGS

= 10

0.1

100

0.1

100

漏电流

(A)

漏电流

(A)

2009-09-29