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TIC106系列
可控硅整流器器
5 A连续通态电流
30 A浪涌电流
玻璃钝化硅片
400 V到800 V断态电压
我最大
GT
200 μA
该系列产品是目前已经上市,但
不建议用于新设计。
的TO-220封装
( TOP VIEW )
K
A
G
1
2
3
销2与安装底座的电接触。
MDC1ACA
在工作情况下的绝对最大额定值(除非另有说明)
等级
重复峰值断态电压(见注1 )
TIC106M
TIC106N
反向重复峰值电压
连续导通状态CURR ENT在(或低于) 80 ℃的外壳温度(见注2 )
(见注3 )
TIC106S
TIC106D
S ymbol
V
DRM
价值
400
600
700
800
400
V
RRM
I
T( RMS )
I
T( AV )
I
TSM
P
GM
T
C
T
L
I
GM
600
700
800
5
3.2
0.2
1.3
-40到+110
-40到+125
230
0.3
30
V
A
A
A
A
V
单位
TIC106M
TIC106N
TIC106S
TIC106D
平均通态电流(180°导通角),在(或低于) 80℃的情况下,温度
浪涌通态电流(或低于) 25 ° C(见注4 )
栅极峰值功率耗散(脉冲宽度
300
s)
平均门功耗(见注5 )
存储温度范围
工作温度范围
峰正栅极电流(脉冲宽度
300
s)
P
G( AV )
T
英镑
W
°C
°C
°C
W
焊接温度1.6毫米案件从10秒
注释:1.这些值适用于当栅极 - 阴极电阻R
GK
= 1 k.
2.这些值适用于带电阻性负载连续直流操作。高于80 °C减免线性到零上110 ℃。
3.该值可以连续下单相50赫兹正弦半波动作与电阻负载应用。高于80 °C减免
线性到零,在110 ℃。
4.此值适用于一个50赫兹正弦半波时,设备在工作(或以下)的峰值反向沃尔特GE额定值
和通态电流。浪涌可以重复元件后返回到原来的热平衡。
5.该值适用于20ms的最大平均时间。
1971年4月 - 修订2002年9月
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
1
TIC106系列
可控硅整流器器
在25℃的情况下温度的电特性(除非另有说明)
参数
I
DRM
I
RRM
I
GT
重复峰值
FF-态电流
重复峰值
反向电流
门极触发电流
V
D
=额定V
DRM
V
R
=额定V
RRM
V
AA
= 12 V
V
AA
= 12 V
t
P( G)
20 s
V
GT
门极触发电压
V
AA
= 12 V
t
P( G)
20 s
V
AA
= 12 V
t
P( G)
20 s
V
AA
= 12 V
I
H
保持电流
开始我
T
= 10毫安
V
AA
= 12 V
开始我
T
= 10毫安
V
T
dv / dt的
峰值通态
电压
的临界上升率
断态电压
I
T
= 5 A
V
D
=额定V
D
(见注6 )
R
GK
= 1 k
T
C
= 110°C
10
R
GK
= 1 k
测试条件
R
GK
= 1 k
I
G
= 0
R
L
= 100
R
L
= 100
R
GK
= 1 k
R
L
= 100
R
GK
= 1 k
R
L
= 100
R
GK
= 1 k
R
GK
= 1 k
T
C
= - 40°C
T
C
= 110°C
0.4
0.2
8
mA
5
1.7
V
V / μs的
0.6
T
C
= 110°C
T
C
= 110°C
t
P( G)
20
s
T
C
= - 40°C
5
典型值
最大
400
1
200
1.2
1
V
单位
A
mA
A
6 :该参数必须使用脉冲技术进行测量,T
p
= 300微秒,占空比
2%。电压检测-接触,分离
载流触点,位于内从装置主体3.2毫米。
热特性
参数
R
θJC
R
θJA
结到外壳热阻
结到自由空气的热阻
典型值
最大
3.5
62.5
单位
° C / W
° C / W
2
1971年4月 - 修订2002年9月
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
NOITAMROFNI
TCUDORP
TIC106系列
可控硅整流器器
热信息
平均阳极通态电流
降额曲线
I
T( AV )
- 最大平均阳极正向电流 - 一个
6
连续直流
5
P
A
- 阳极耗散功率 - 含
TI20AA
阳极耗散功率
vs
通态电流
100
T
J
= 110°C
TI20AB
4
Φ
= 180
3
10
2
1
180°
Φ
传导
0
30
1
40
50
60
70
80
90
100
110
1
10
I
T
- 通态电流 - 一个
100
T
C
- 外壳温度 - C
图1 。
图2中。
浪涌通态电流
vs
电流持续时间周期
100
T
C
80 °C
I
TM
- 峰值半正弦波电流 - 一个
事先没有传导设备
门控制保证
TI20AC
瞬态热阻
vs
电流持续时间周期
10
R
θJC (T )
- 瞬态热阻 - C / W
TI20AD
10
1
1
1
10
连续50赫兹正弦半波周期
100
0·1
1
10
连续50赫兹正弦半波周期
100
网络连接gure 3 。
图4中。
1971年4月 - 修订2002年9月
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
NOITAMROFNI
TCUDORP
3
TIC106系列
可控硅整流器器
典型特征
门极触发电压
vs
外壳温度
1
V
AA
= 12 V
V
GT
- 栅极触发电压 - V
0·8
R
L
= 100
t
P( G)
20 s
0·6
I
H
- 保持电流 - 毫安
R
GK
= 1 k
TC20AB
保持电流
vs
外壳温度
10
V
AA
= 12 V
R
GK
= 1 k
开始我
T
= 10毫安
TC20AD
1
0·4
0·2
0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
0.1
-50
-25
0
25
50
75
100
125
T
C
- 外壳温度 - C
T
C
- 外壳温度 - C
图5中。
图6 。
峰值通态电压
vs
峰值通态电流
2.5
TC20AE
V
TM
- 峰值通态电压 - V
2.0
T
C
= 25 °C
t
p
= 300 s
占空比
2 %
1.5
1.0
0.5
0.0
0·1
1
10
I
TM
- 峰值通态电流 - 一个
图7 。
4
1971年4月 - 修订2002年9月
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
NOITAMROFNI
TCUDORP
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    TIC106DS
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    -
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TIC106DS
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13+
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进口原装假一赔十
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
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TIC106DS
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