初步
TSC5304D
高压NPN晶体管,二极管
引脚分配:
1.基地
2.收集
3.辐射源
BV
首席执行官
= 400V
BV
CBO
= 750V
IC = 4A
V
CE (SAT)
, = 1.2V @ IC / IB = 4A / 1A
特点
内置续流二极管,使高效抗
饱和运算。
无需关注,因为低变量的值HFE
存储时间传播,即使后起之秀的精神产品。
低基数的驱动器要求。
适用于半桥镇流器应用。
订购信息
产品型号
TSC5304DCH
TSC5304DCP
填料
管
T&R
包
TO-251
TO-252
框图
结构
硅三重扩散型。
与二极管NPN硅晶体管
绝对最大额定值
( TA = 25
o
C除非另有说明)
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
DC
脉冲
基极电流
DC
脉冲
总功率耗散( TC = 25
o
C)
工作结温
工作结存储温度范围
热阻结到外壳
热阻结到环境
注: 1,单脉冲, PW = 300US ,职务< = 2 %
P
D
T
J
T
英镑
RθJC
RΘJA
I
B
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
极限
750V
400V
10
4
8
1.5
4
35
+150
- 65 + 150
6
90
单位
V
V
V
A
A
W
o
o
o
o
C
C
C / W
C / W
TS5304D初步
1-1
2004/09转。一
初步
电气特性
参数
STATIC
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 1mA时,我
B
= 0
I
C
= 5毫安,我
E
= 0
I
E
= 1mA时,我
C
= 0
V
CB
= 500V ,我
E
= 0
V
EB
= 9V ,我
C
= 0
I
C
/ I
B
= 1.0A / 0.2A
I
C
/ I
B
= 2.0A / 0.5A
I
C
/ I
B
= 4.0A / 1.0A
基射极饱和电压
I
C
/ I
B
= 1.0A / 0.2A
I
C
/ I
B
= 2.0A / 0.5A
直流电流增益
V
CE
= 5V ,我
C
= 0.5A
V
CE
= 5V ,我
C
= 2A
启动时间
贮存时间
下降时间
Doide
下降时间
正向电压
I
C
= 2A
I
C
= 2A
V
CC
= 250V ,我
C
= 2A,
I
B1
= I
B2
= 0.4A,
t
P = 25US
占空比< 1 %
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE ( SAT )
1
V
CE ( SAT )
2
V
CE ( SAT )
3
V
CB (SAT)
1
V
CB (SAT)
2
h
FE
1
h
FE
2
750
400
9
--
--
--
--
--
--
--
15
10
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
20
--
--
--
--
--
--
--
10
10
0.35
0.55
1.25
1.0
1.1
--
--
0.5
3
0.2
uS
uS
uS
V
V
V
V
uA
uA
V
条件
符号
民
典型值
最大
单位
t
ON
t
英镑
t
F
t
F
Vf
--
--
--
--
500
1.3
nS
V
注:脉冲测试:脉冲宽度< = 300US ,占空比< = 2 %
TS5304D初步
2-2
2004/09转。一