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TSP10N60M / TSF10N60M
600V N沟道MOSFET
概述
这是功率MOSFET采用生产Truesemi的
先进的平面条形DMOS技术。
这种先进的技术已特别针对
最大限度地减少通态电阻，优越的开关
性能，并能承受高能量脉冲
雪崩和减刑模式。这些装置是公
适用于高效率的开关型电源，
基于半桥有源功率因数校正
拓扑结构。
特点
10.0A ， 600V ，R
DS （ ON）
= 0.750 @V
GS
= 10 V
低栅极电荷（典型值48nC ）
高耐用性
快速开关
100％的雪崩测试
改进的dv / dt能力
D
●
G
g DS的
▲
●
●
TO-220
GD S
TO-220F
S
绝对最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GSS
E
AS
E
AR
dv / dt的
P
D
T
J
, T
英镑
T
L
T
C
= 25° Cunless另有说明
参数
漏源电压
- 连续（T
C
= 25°C)
漏电流
- 连续（T
C
= 100°C)
漏电流
- 脉冲
（注1 ）
TSP10N60M
600
10.0
6.0
40
±
30
（注2 ）
（注1 ）
（注3）
TSF10N60M
10.0*
6.0*
40 *
709
16.2
4.5
单位
V
A
A
A
V
mJ
mJ
V / ns的
W
W / ℃，
°C
°C
栅源电压
单脉冲雪崩能量
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
功率耗散（T
C
= 25°C)
- 减免上述25℃
工作和存储温度范围
最大无铅焊接温度的目的，
8分之1 ＆ QUOT ;从案例5秒
162
1.30
-55到+150
300
52
0.42
*漏电流受最高结温。
热特性
符号
R
θJC
R
θCS
R
θJA
参数
热阻，结到外壳
热电阻，凯斯到水槽典型。
热阻，结到环境
TSP10N60M
0.77
0.5
62.5
TSF10N60M
2.4
--
62.5
单位
° C / W
° C / W
° C / W
代理销售：深圳德江源电子有限公司
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TSP10N60M / TSF10N60M
电气特性
符号
参数
T
C
= 25 ° C除非另有说明
测试条件
民
典型值
最大
单位
开关特性
BV
DSS
ΔBV
DSS
/
T
J
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门体漏电流，正向
门体漏电流，反向
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
A
I
D
= 250
A,
参考25 ℃下
V
DS
= 600 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 480 V ，T
C
= 125°C
V
GS
= 30 V, V
DS
= 0 V
V
GS
= -30 V, V
DS
= 0 V
600
--
--
--
--
--
--
0.7
--
--
--
--
--
--
1
10
100
-100
V
V /°C的
A
A
nA
nA
基本特征
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
栅极阈值电压
静态漏源
导通电阻
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
A
V
GS
= 10 V，I
D
=
5.0A
2.0
--
--
0.62
4.0
0.75
V
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
输入电容
输出电容
反向传输电容
V
DS
= 25 V, V
GS
= 0 V,
F = 1.0 MHz的
--
--
--
1650
165
18
--
--
--
pF
pF
pF
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DD
= 300 V，I
D
= 10.0A,
R
G
= 25
（注4,5）
--
--
--
--
--
--
--
25
70
140
80
48
7.0
18.0
--
--
--
--
-
--
--
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
DS
= 480 V，I
D
= 10.0A,
V
GS
= 10 V
（注4,5）
漏源二极管的特性和最大额定值
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
最大连续漏源二极管的正向电流
最大脉冲漏源二极管的正向电流
V
GS
= 0 V，I
S
= 10.0 A
漏源二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
V
GS
= 0 V，I
S
= 10.0 A,
dI
F
/ DT = 100 A / μs的
（注4 ）
--
--
--
--
--
--
--
--
430
4.3
10.0
40.0
1.4
--
--
A
A
V
ns
C
注意事项：
1.重复额定值：脉冲宽度有限的最高结温
2， L = 13mH ，我
AS
= 10.0 A，V
DD
= 50V ，R
G
= 25
,
起始物为
J
= 25°C
3. I
SD
≤
10.0 A， di / dt的
≤
200A / μs的，V
DD
≤
BV
DSS ，
起始物为
J
= 25°C
4.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300μS ，占空比
≤
2%
5.基本上是独立工作温度
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典型特征
图1.区域特征
图2.传输特性
图3.导通电阻变化VS
漏电流和栅极电压
图4.体二极管正向电压
变化与源电流
和温度
图5.电容特性
图6.栅极电荷特性
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典型特征
（续）
图7.击穿电压变化
与温度
图8.导通电阻变化
与温度
图9-1 。最大安全工作区
对于TSP10N60M
图9-2 。最大安全工作区
对于TSF10N60M
10
8
I
D
，漏电流[ A]
6
4
2
0
25
50
75
100
125
150
T
C
，外壳温度[ ∩ ]
图10.最大漏极电流
VS外壳温度
典型特征
（续）
图11-1 。瞬态热响应曲线
对于TSP10N60M
图11-2 。瞬态热响应曲线
对于TSF10N60M
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