TQM8M9075
0.05-4 GHz数字可变增益放大器
绝对最大额定值
参数
储存温度
RF输入功率，
CW ， 50Ω ，T = 25°C
电源电压（V
DD
)
反向电压的设备
数字输入电压
推荐工作条件
参数
电源电压（V
DD
)
电源电流（I
DD
)
工作温度。范围
6
T
J
（为>10小时MTTF ）
等级
-65 ℃150℃
+24 dBm的
+6 V
0.3 V
V
DD
+ 0.5 V
最小典型最大单位
+3.3
40
+5
88
+5.25
+85
+190
V
mA
°C
°C
此设备的操作参数范围之外
上面给出可能造成永久性的损害。
电气规格是在特定的测试测量
条件。规格不能保证在所有
推荐工作条件。
电气规格
试验条件除非另有说明：
V
DD
= + 5V ，温度= + 25 ° C，配置为DSA其次是放大器
参数
工作频率范围
测试频率
收益
增益控制范围
增益精度
衰减步骤
时间
上升/下降
时间
上，
时间
关闭
输入回波损耗
输出回波损耗
输出P1dB为
输出IP3
噪声系数
电源电流（I
DD
)
热阻
条件
民
50
典型值
最大
4000
单位
兆赫
兆赫
dB
dB
dB
dB
ns
ns
dB
dB
DBM
DBM
dB
mA
° C / W
10％/ 90％的射频
50％的CTL对10％/ 90％的射频
噘嘴= + 3 dBm的/音， ΔF = 1兆赫
在最大增益电平
渠道情况
2140
16
18
20
31.5
± （安泰信，设置0.3 + 4 ％ ）最大
0.5
90
100
-16
-16.5
+20.5
+32.5
+36.5
2.9
70
88
110
41
数据表： F版2012年12月5日
2012 TriQuint半导体
-
2第8
-
免责声明：如有更改，恕不另行通知
连接数码世界，贯通全球网络
TQM8M9075
0.05-4 GHz数字可变增益放大器
串行控制接口
该TQM8M9075具有CMOS输入SPI兼容的串行接口。该串行控制接口转换
TM
串行数据输入流中的并行输出字。输入为3线（ CLK ， LE和SID ） SPI输入兼容。在
电时，串行控制接口复位DSA到最小增益状态。在6位的SID （串行输入数据）
字加载到寄存器的CLK ， MSB的上升沿第一。当LE为高电平时， CLK ，内部禁用。
TM
串行控制时序特性
（测试条件： V
参数
时钟频率
LE安装时间，t
LESUP
LE脉冲宽度，T
LEPW
SID的建立时间，叔
SDSUP
SID保持时间，T
SDHLD
LE脉冲间隔吨
LE
传播延迟吨
巴解组织
DD
= +5 V，温度= 25 ° C）
条件
占空比为50％
经过最后的CLK上升沿
之前CLK的上升沿
CLK上升沿后
LE LE以脉冲间隔
LE到并行输出有效
民
10
30
10
10
630
最大
10
单位
兆赫
ns
ns
ns
ns
ns
ns
30
= +5 V，温度= 25 ° C）
串行控制直流逻辑特征
（测试条件： V
参数
输入低电压状态，V
IL
输入高电压状态，V
IH
输出高电平电压，V
OH
输出低电压状态，V
OL
输入电流I
IH
/ I
IL
DD
条件
民
0
2.4
2.0
0
10
最大
0.8
V
DD
V
DD
0.8
+10
单位
V
V
V
V
A
对SOD针
对SOD针
在SID ， LE和CLK引脚
SERIN控制逻辑真值表
6位控制字
最高位
时序图
CLK在内部禁用时LE高
D5-D0
MSB - LSB
D5-D0
MSB - LSB
获得相对于
最大增益
最低位
D0
1
0
1
1
1
1
1
0
最大增益
± 0.5分贝
1分贝
-2分贝
-4分贝
-8分贝
-16分贝
-31.5分贝
D5
1
1
1
1
1
1
0
0
D4
1
1
1
1
1
0
1
0
D3
1
1
1
1
0
1
1
0
D2
1
1
1
0
1
1
1
0
D1
1
1
0
1
1
1
1
0
LE
t
巴解组织
CLK
SID
可能的64种状态的任何组合将提供一个
减少了的位近似之和增益
选择。
t
SDSUP
t
SDHLD
t
LESUP
t
LEPW
数据表： F版2012年12月5日
2012 TriQuint半导体
-
3 8
-
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连接数码世界，贯通全球网络
TQM8M9075
0.05-4 GHz数字可变增益放大器
TQM8M9075 -PCB评估板
C7
C3
C6
VDD
J6引脚19
C11
C5
8
7
6
5
4
3
2
1
32
AMP
31
30
29
28
27
26
25
17
18
19
20
21
22
23
24
C4
C6
C4
C5
C7
9
10
L1
C2
C3
DSA
J1
C1
C1
11
12
L1
U1
C2
J2
RF
产量
RF
输入
13
14
15
16
U1
TQM8M9075
6-BIT
SPI
C11
C8
超氧化物歧化酶
J6引脚14
J6
C8
VDD
J6引脚1
J6销
CLK SID LE
12 11 13
注意事项：
对于材料1.见评估板的PCB信息部分和堆栈式。
2. C4，C5， C6和C7可为操作高于700兆赫除去。
物料清单 - TQM8M9075 -PCB
参考德。
不适用
U1
L 1 （注3）
C1, C2, C3
C4, C5, C6, C7
C8
C11
价值
不适用
不适用
68 nH的
68 pF的
330 pF的
1000 pF的
0.01 uF的
描述
印刷电路板
数字可变增益放大器
电感器， 0603
电容器， 0402
电容器， 0402
电容器， 0603
电容器， 0603
MANUF 。
TriQuint公司
TriQuint公司
Coilcraft公司
各个
各个
各个
各个
产品型号
1081051
TQM8M9075
0603CS-47NXJLW
注意事项：
1.对于中频应用（ <300兆赫） L1上升到330 nH的。
数据表： F版2012年12月5日
2012 TriQuint半导体
-
4 8
-
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连接数码世界，贯通全球网络
TQM8M9075
0.05-4 GHz数字可变增益放大器
典型性能TQM8M9075 -PCB
试验条件除非另有说明： V
DD
= + 5 V，I
DD
= 88 mA（典型值） ，温度= + 25°C
参数
频率
收益
输入回波损耗
输出回波损耗
输出P1dB为
输出IP3
(1)
噪声系数
条件
500
20.7
16.6
8.3
+21
+36.7
1.9
900
20.5
27.2
12.9
+21
+36.7
2.0
典型的价值
2140
18.0
16.5
16.0
+20.5
+36.5
2.9
2700
16.7
15.2
13.9
+20.1
+38.0
3.3
3500
14.7
14.6
10.9
+19.7
+34.9
4.1
4000
13.4
25.0
8.9
+19.0
+33.8
4.9
单位
兆赫
dB
dB
dB
DBM
DBM
dB
噘嘴= +3 dBm的/语气， ΔF = 1兆赫
注意事项：
1.增益值反映了去嵌入为0.4dB评估板RF I / O线路损耗，将不会出现在目标应用。
2. NF值反映了去嵌入的评估板RF I / O线路损耗，将不会出现在目标应用。
下图所示为DVGA最大增益状态3，除非另有说明，性能曲线。
性能曲线 - TQM8M9075 -PCB
24
22
20
+85°C
+25°C
40°C
增益与频率
0
输入回波损耗与频率的关系
+85°C
+25°C
40°C
0
输出回波损耗与频率
-10
输出回波损耗（dB ）
输入回波损耗（dB ）
-5
+85°C
增益（dB ）
18
16
14
12
10
0
1
2
3
-10
-15
+25°C
40°C
-20
-30
-20
-25
-40
4
0
1
2
3
4
0
1
2
3
4
频率（GHz ）
频率（GHz ）
频率（GHz ）
45
OIP3与频率的关系
1 MHz的音调间隔
噘嘴/音= +3 dBm的
25
的P1dB与频率的关系
+85
°
C
+25
°
C
40
°
C
7
6
5
噪声系数与频率的关系
40
P1dB的（ DBM）
OIP3 （ dBm的）
NF（ dB）的
+85
°
C
+25
°
C
40
°
C
23
21
19
4
3
2
35
30
17
1
15
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
+85
°
C
+25
°
C
40
°
C
25
3.5
4
频率（MHz）
频率（GHz ）
频率（GHz ）
1.5
衰减精度与衰减
0
-5
输入回波损耗与频率的关系
Temp.=+25°C
键位状态
最大增益
0
输出回波损耗与频率
Temp.=+25°C
键位状态
衰减精度（ dB）的
0.5
0
-0.5
-1
-1.5
900兆赫
-10
-15
输出回波损耗（dB ）
输入回波损耗（dB ）
1
-5
-10
-15
最大增益
MIN GAIN
-20
-25
-30
-35
-40
MIN GAIN
2600兆赫
1900兆赫
-20
-25
0
5
10
15
20
25
30
35
0
1
2
3
4
0
1
2
3
4
衰减（dB ）
频率（MHz）
频率（MHz）
`
数据表： F版2012年12月5日
2012 TriQuint半导体
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5 8
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