TPC8102
东芝场效应晶体管的硅P沟道MOS型（ π - MOSVI ）
TPC8102
锂离子电池应用
笔记本电脑
便携式设备的应用
占地面积小，因小而薄的封装
低漏源导通电阻
: R
DS （ ON）
= 34毫欧（典型值）。
高正向转移导纳： | Y
fs
| = 9 S （典型值）。
低漏电流：I
DSS
=
10
μA （最大值） （V
DS
=
30
V)
增强型： V
th
=
0.8~ 2.0
V (V
DS
=
10
V， ID =
1
毫安）
单位：mm
最大额定值
（ TA = 25°C ）
特征
漏源电压
漏，栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅源电压
漏电流
DC
脉冲
（注1 ）
（注1 ）
（T = 10秒）
（注2A ）
（T = 10秒）
（注2B ）
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
P
D
E
AS
I
AR
E
AR
T
ch
T
英镑
等级
30
30
±20
6
24
2.4
1.0
47
6
0.24
150
55
150
单位
V
V
V
A
W
W
mJ
A
mJ
°C
°C
JEDEC
JEITA
东芝
―
―
2-6J1B
漏极功耗
漏极功耗
重0.080克（典型值）。
单脉冲雪崩能量
（注3）
雪崩电流
重复性雪崩能量
（注2A ） （注4 ）
通道温度
存储温度范围
电路CON组fi guration
注：对于（注1 ） （注2 ） （注3）和（注4 ） ，请参阅
下页。
此晶体管是静电敏感器件。请处理好与
慎用。
1
2002-01-18
TPC8102
热特性
特征
耐热性，信道至环境
（T = 10秒）
（注2A ）
耐热性，信道至环境
（T = 10秒）
（注2B ）
符号
R
第（章-a）的
R
第（章-a）的
最大
52.1
125
单位
° C / W
° C / W
记号
（注5 ）
TPC8102
※
TYPE
注1 ：请在使用条件下的设备，该通道的温度低于150 ℃。
注2 ：（1）安装在玻璃环氧基板的装置（一）
（二）装置安装在一个玻璃环氧板（二）
FR-4
25.4 × 25.4 × 0.8
（单位：毫米）
FR-4
25.4 × 25.4 × 0.8
（单位：毫米）
(a)
(b)
注3 ： V
DD
=
24
V，T
ch
= 25 ° C（初始） ， L = 1.0 mH的，R
G
= 25
,
I
AR
=
6
A
注4 ： Reptitve评级;脉冲宽度有限的最大通道温度。
注5 ：
●
在标记的左下角显示引脚1 。
※
示批号。生产（年：生产年份的最后一个十进制数，月
制作：一月到十二月是由字母A ，分别表示为L）
2
2002-01-18
TPC8102
东芝场效应晶体管的硅P沟道MOS型（ π - MOSVI ）
TPC8102
锂离子电池应用
笔记本电脑
便携式设备的应用
占地面积小，因小而薄的封装
低漏源导通电阻
: R
DS （ ON）
= 34毫欧（典型值）。
高正向转移导纳： | Y
fs
| = 9 S （典型值）。
低漏电流：I
DSS
=
10
μA （最大值） （V
DS
=
30
V)
增强型： V
th
=
0.8~ 2.0
V (V
DS
=
10
V， ID =
1
毫安）
单位：mm
最大额定值
（ TA = 25°C ）
特征
漏源电压
漏，栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅源电压
漏电流
DC
脉冲
（注1 ）
（注1 ）
（T = 10秒）
（注2A ）
（T = 10秒）
（注2B ）
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
P
D
E
AS
I
AR
E
AR
T
ch
T
英镑
等级
30
30
±20
6
24
2.4
1.0
47
6
0.24
150
55
150
单位
V
V
V
A
W
W
mJ
A
mJ
°C
°C
JEDEC
JEITA
东芝
―
―
2-6J1B
漏极功耗
漏极功耗
重0.080克（典型值）。
单脉冲雪崩能量
（注3）
雪崩电流
重复性雪崩能量
（注2A ） （注4 ）
通道温度
存储温度范围
电路CON组fi guration
注：对于（注1 ） （注2 ） （注3）和（注4 ） ，请参阅
下页。
此晶体管是静电敏感器件。请处理好与
慎用。
1
2002-01-18
TPC8102
热特性
特征
耐热性，信道至环境
（T = 10秒）
（注2A ）
耐热性，信道至环境
（T = 10秒）
（注2B ）
符号
R
第（章-a）的
R
第（章-a）的
最大
52.1
125
单位
° C / W
° C / W
记号
（注5 ）
TPC8102
※
TYPE
注1 ：请在使用条件下的设备，该通道的温度低于150 ℃。
注2 ：（1）安装在玻璃环氧基板的装置（一）
（二）装置安装在一个玻璃环氧板（二）
FR-4
25.4 × 25.4 × 0.8
（单位：毫米）
FR-4
25.4 × 25.4 × 0.8
（单位：毫米）
(a)
(b)
注3 ： V
DD
=
24
V，T
ch
= 25 ° C（初始） ， L = 1.0 mH的，R
G
= 25
,
I
AR
=
6
A
注4 ： Reptitve评级;脉冲宽度有限的最大通道温度。
注5 ：
●
在标记的左下角显示引脚1 。
※
示批号。生产（年：生产年份的最后一个十进制数，月
制作：一月到十二月是由字母A ，分别表示为L）
2
2002-01-18
富士通半导体
数据表
DS04-27231-3E
ASSP电源管理的应用
（通用DC / DC转换器）
2路DC / DC转换器IC
与过电流保护
MB39A104
s
描述
该MB39A104是使用2信道的DC / DC转换器集成电路的脉冲宽度调制（PWM） ，结合有
过电流保护电路（不需要电流感应电阻器） 。该IC是理想的降频转换。
工作在高的频率降低了线圈的值。
这是理想的内置电源，如液晶显示器和ADSL 。
本产品已获得美国专利号6147477 。
s
特点
内置计时器锁存过流保护电路（不需要电流感应电阻器）
电源电压范围： 7 V至19 V
参考电压： 5.0 V
±
1
%
误差放大器阈值电压： 1.24 V
±
1
%
高频运行能力： 1.5兆赫（最大）
内置待机功能： 0
A
（典型值）
内置软启动电路不受负载影响
内置图腾柱输出型的P沟道MOS FET
s
包
24引脚塑料SSOP
(FPT-24P-M03)
MB39A104
s
引脚说明
PIN号
1
2
3
4
5
符号
VCCO
VH
OUT1
VS1
ILIM1
I / O
O
O
I
I
说明
输出电路电源端子（连接到相同的电位VCC引脚）。
对于FET驱动电路电源端子（ VH
=
V
CC
5 V)
外部P沟道MOS FET的栅极驱动端
过电流保护电路的输入端
过电流保护电路检测电阻的连接端子。集
取决于外部电阻器的过电流检测的基准电压和
内部现有的资源（ 110
A
在室温
=
24 k)
PWM比较器模块（ PWM）输入端子。比较的最低电压
其中与三角波和控制输出FB1和DTC终端。
为基准电源和控制电路电源端子
（连接到相同的电位VCCO终端）
定时闭锁短路保护电容连接端子
误差放大器（误差放大器1 ）输出端子
误差放大器（误差放大器1 ）反相输入端
软启动电容器连接端子
三角波振荡频率设定电阻连接端子
三角波振荡频率设定电容连接端子
软启动电容器连接端子
误差放大器（误差放大器2 ）反相输入端
误差放大器（误差放大器2 ）输出端子
参考电压输出端
输出电路接地端子（连接到相同的电位GNDO
终奌站。 ）
PWM比较器模块（ PWM）输入端子。比较的最低电压
其中与三角波和控制输出FB2和DTC终端。
过流保护circit检测电阻的连接端子。集
取决于外部电阻器的过电流检测的基准电压和
内部现有的资源（ 110
A
在室温
=
24 k)
过电流保护电路的输入端
外部P沟道MOS FET的栅极驱动端
输出电路接地端子（连接到相同的电势GND端子）。
电源控制端。设置CTL端子处于“L”级的地方IC
在待机模式。
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
DTC1
VCC
CSCP
FB1
INE1
CS1
RT
CT
CS2
INE2
FB2
VREF
GND
DTC2
I
O
I
I
O
O
I
20
21
22
23
24
ILIM2
VS2
OUT2
GNDO
CTL
I
I
O
I
3
MB39A104
s
绝对最大额定值
参数
电源电压
输出电流
输出峰值电流
功耗
储存温度
符号
V
CC
I
O
I
OP
P
D
T
英镑
条件
VCC ， VCCO终端
OUT1，OUT2端
税
≤
5% (t
=
1/f
OSC
×占空比）
Ta
≤ +25 °C
等级
民
55
最大
20
60
700
740*
+125
单位
V
mA
mA
mW
°C
*：该封装被安装在环氧树脂板（10厘米
×
10厘米） 。
警告：在半导体器件上的应用应力（电压，电流可能会损坏，
温度等）超过绝对最大额定值。不要超过这些额定值。
s
推荐工作条件
参数
电源电压
参考电压输出电流
VH输出电流
输入电压
控制输入电压
输出电流
输出峰值电流
振荡频率
定时电容
定时电阻
VH端子电容器
软启动电容
短路检测电容
参考电压输出
电容
工作环境温度
符号
V
CC
I
REF
I
VH
V
INE
V
DTC
V
CTL
I
O
I
OP
f
OSC
C
T
R
T
C
VH
C
S
C
SCP
C
REF
Ta
条件
VCC ， VCCO终端
VREF终端
VH端子
-INE1 ， -INE2
终奌站
DTC1 ， DTC2终端
CTL端子
OUT1，OUT2端
税
≤
5% (t
=
1/f
OSC
×占空比）
价值
民
7
1
0
0
0
0
45
450
100
100
典型值
12
500
500
100
24
0.1
0.1
0.1
0.1
+25
最大
19
0
30
V
CC
0.9
V
CC
0.9
19
+45
+450
1000
1500
560
130
1.0
1.0
1.0
1.0
+85
单位
V
mA
mA
V
V
V
mA
mA
千赫
千赫
pF
k
F
F
F
F
°C
过电流检测
通过FET的导通电阻
*
VH端子
CS1，CS2终端
CSCP端子
VREF终端
39
11
30
* ：请参阅“
s
设置三角振荡频率“ 。
警告：在推荐的工作条件是必需的，以保证正常运行
半导体器件。所有器件的电气特性均可得到保证时，该设备是
在这些范围内进行操作。
总是用自己的推荐工作条件范围内的半导体器件。手术
超出这些范围的可能不利地影响可靠性，并可能导致设备故障。
无担保是由相对于用途，工作条件，或组合不派代表参加
数据表。用户在未记载条件下使用，应联系其
富士通的代表事前。
5
富士通半导体
数据表
DS04-27231-3E
ASSP电源管理的应用
（通用DC / DC转换器）
2路DC / DC转换器IC
与过电流保护
MB39A104
s
描述
该MB39A104是使用2信道的DC / DC转换器集成电路的脉冲宽度调制（PWM） ，结合有
过电流保护电路（不需要电流感应电阻器） 。该IC是理想的降频转换。
工作在高的频率降低了线圈的值。
这是理想的内置电源，如液晶显示器和ADSL 。
本产品已获得美国专利号6147477 。
s
特点
内置计时器锁存过流保护电路（不需要电流感应电阻器）
电源电压范围： 7 V至19 V
参考电压： 5.0 V
±
1
%
误差放大器阈值电压： 1.24 V
±
1
%
高频运行能力： 1.5兆赫（最大）
内置待机功能： 0
A
（典型值）
内置软启动电路不受负载影响
内置图腾柱输出型的P沟道MOS FET
s
包
24引脚塑料SSOP
(FPT-24P-M03)
MB39A104
s
引脚说明
PIN号
1
2
3
4
5
符号
VCCO
VH
OUT1
VS1
ILIM1
I / O
O
O
I
I
说明
输出电路电源端子（连接到相同的电位VCC引脚）。
对于FET驱动电路电源端子（ VH
=
V
CC
5 V)
外部P沟道MOS FET的栅极驱动端
过电流保护电路的输入端
过电流保护电路检测电阻的连接端子。集
取决于外部电阻器的过电流检测的基准电压和
内部现有的资源（ 110
A
在室温
=
24 k)
PWM比较器模块（ PWM）输入端子。比较的最低电压
其中与三角波和控制输出FB1和DTC终端。
为基准电源和控制电路电源端子
（连接到相同的电位VCCO终端）
定时闭锁短路保护电容连接端子
误差放大器（误差放大器1 ）输出端子
误差放大器（误差放大器1 ）反相输入端
软启动电容器连接端子
三角波振荡频率设定电阻连接端子
三角波振荡频率设定电容连接端子
软启动电容器连接端子
误差放大器（误差放大器2 ）反相输入端
误差放大器（误差放大器2 ）输出端子
参考电压输出端
输出电路接地端子（连接到相同的电位GNDO
终奌站。 ）
PWM比较器模块（ PWM）输入端子。比较的最低电压
其中与三角波和控制输出FB2和DTC终端。
过流保护circit检测电阻的连接端子。集
取决于外部电阻器的过电流检测的基准电压和
内部现有的资源（ 110
A
在室温
=
24 k)
过电流保护电路的输入端
外部P沟道MOS FET的栅极驱动端
输出电路接地端子（连接到相同的电势GND端子）。
电源控制端。设置CTL端子处于“L”级的地方IC
在待机模式。
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
DTC1
VCC
CSCP
FB1
INE1
CS1
RT
CT
CS2
INE2
FB2
VREF
GND
DTC2
I
O
I
I
O
O
I
20
21
22
23
24
ILIM2
VS2
OUT2
GNDO
CTL
I
I
O
I
3
MB39A104
s
绝对最大额定值
参数
电源电压
输出电流
输出峰值电流
功耗
储存温度
符号
V
CC
I
O
I
OP
P
D
T
英镑
条件
VCC ， VCCO终端
OUT1，OUT2端
税
≤
5% (t
=
1/f
OSC
×占空比）
Ta
≤ +25 °C
等级
民
55
最大
20
60
700
740*
+125
单位
V
mA
mA
mW
°C
*：该封装被安装在环氧树脂板（10厘米
×
10厘米） 。
警告：在半导体器件上的应用应力（电压，电流可能会损坏，
温度等）超过绝对最大额定值。不要超过这些额定值。
s
推荐工作条件
参数
电源电压
参考电压输出电流
VH输出电流
输入电压
控制输入电压
输出电流
输出峰值电流
振荡频率
定时电容
定时电阻
VH端子电容器
软启动电容
短路检测电容
参考电压输出
电容
工作环境温度
符号
V
CC
I
REF
I
VH
V
INE
V
DTC
V
CTL
I
O
I
OP
f
OSC
C
T
R
T
C
VH
C
S
C
SCP
C
REF
Ta
条件
VCC ， VCCO终端
VREF终端
VH端子
-INE1 ， -INE2
终奌站
DTC1 ， DTC2终端
CTL端子
OUT1，OUT2端
税
≤
5% (t
=
1/f
OSC
×占空比）
价值
民
7
1
0
0
0
0
45
450
100
100
典型值
12
500
500
100
24
0.1
0.1
0.1
0.1
+25
最大
19
0
30
V
CC
0.9
V
CC
0.9
19
+45
+450
1000
1500
560
130
1.0
1.0
1.0
1.0
+85
单位
V
mA
mA
V
V
V
mA
mA
千赫
千赫
pF
k
F
F
F
F
°C
过电流检测
通过FET的导通电阻
*
VH端子
CS1，CS2终端
CSCP端子
VREF终端
39
11
30
* ：请参阅“
s
设置三角振荡频率“ 。
警告：在推荐的工作条件是必需的，以保证正常运行
半导体器件。所有器件的电气特性均可得到保证时，该设备是
在这些范围内进行操作。
总是用自己的推荐工作条件范围内的半导体器件。手术
超出这些范围的可能不利地影响可靠性，并可能导致设备故障。
无担保是由相对于用途，工作条件，或组合不派代表参加
数据表。用户在未记载条件下使用，应联系其
富士通的代表事前。
5
QQ：2881677436 复制
