6,4 mm
y
5,0 mm
TPS54350-EP
SGLS308 - 2005年10月
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4.5 V至20 V输入， 3 -A输出同步PWM
切换器，带集成FET （ SWIFT ）
特点
控制基线
- 一个封装/测试网站，一个制造
现场
-55 ° C扩展级温度性能
至125℃
提高制造业递减
源（ DMS ）支持
增强型产品更改通知
资质谱系
(1)
100毫瓦， 4.5 A峰值MOSFET开关，用于高
效率3 -A的连续输出电流
使用外部低压侧MOSFET或二极管
输出电压可调低至0.891 V
用2 ％精度
同步至外部时钟
180 °错相同步的
宽PWM频率 - 固定250千赫，
500 kHz或可调250 kHz至700 kHz的
内部慢启动
荷载的峰值电流限制和保护
热关断
可调节欠压锁定
16引脚TSSOP使用PowerPad 封装
按照JEDEC和组件认证
行业标准，以确保可靠运行了一个多
扩展级温度范围。这包括，但不限于
到，高加速应力测试（ HAST ）或偏见85/85 ，
温度循环，高压灭菌器或无偏HAST ，
电，债券间的生活，和模塑料
生活。这样的资格测试不应该被看作是
超出规定的证明使用该组件的
性能和环境限制。
应用
工业&商业低功耗系统
LCD显示器和电视
电脑外设
负载调整高点
高性能DSP ， FPGA的ASIC和
微处理器
(1)
描述
该TPS54350是一个介质输出电流
同步降压PWM转换器集成
高边MOSFET和一个可选的栅极驱动器
低压侧外部MOSFET 。其特点包括高
高性能电压误差放大器，使
瞬态条件下的最大性能
并且在选择输出滤波电感器的灵活性
和
电容器。
该
TPS54350
有
an
欠电压锁定电路，以防止启动直到
输入电压达到4.5伏;内部慢启动
电路，以限制浪涌电流;和一个电源良好
输出到显示输出的有效条件。该
同步功能可配置为一个
输入或便于180 °异相的输出
同步。
该TPS54350装置处于热可
增强型16引脚TSSOP （ PWP ）使用PowerPad
封装。德州仪器（TI）提供的评估
模块和SWIFT Designer软件工具
有助于迅速实现高性能电源
供电设计，以满足积极的设备
开发周期。
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
使用PowerPad ， SWIFT是德州仪器的商标。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
版权所有 2005年，德州仪器
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简化的原理图
输入
电压
VIN
95
90
TPS54350
SYNC
PWRGD
ENA
VBIAS
COMP
LSG
保护地
VSENSE
PwrPad
效率
vs
负载电流
85
BOOT
PH
效率 - ％
80
75
70
65
60
55
50
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
I
L
- 负载电流 - 一个
V
I
= 12 V
V
O
= 5 V
f
S
250千赫
产量
电压
这些器件具有有限的内置ESD
保护。引线应短
一起或装置放置在导电
在储存过程中的泡沫或处理，以防止
静电损坏MOS大门。
订购信息
T
J
-55℃
125°C
(1)
产量
电压
可调
0.891 V
包
塑料
HTSSOP
（ PWP ）
(1)
部分
数
TPS54350MP
WPREP
PWP封装也提供卷带封装。添加
- [R后缀的设备类型（即， TPS54350PWPR ） 。
包装耗散额定值
(1) (2)
包
16引脚PWP用焊锡
(3)
16引脚PWP无焊料
(1)
(2)
(3)
热阻抗
结到环境
42.1°C/W
151.9°C/W
T
A
= 25°C
额定功率
2.36
0.66
T
A
= 70°C
额定功率
1.31
0.36
T
A
= 85°C
额定功率
0.95
0.26
SEE
图46
对于功耗曲线。
欲了解更多信息，请参阅德州仪器技术简介
SLMA002.
测试板条件
一。厚度： 0.062英寸
B 。 3英寸×3英寸
。 2盎司位于PCB板焊接的顶部和底部的铜迹线
。位于PCB板焊接的顶部和底部铜区
。电源和地平面， 1盎司铜（ 0.036毫米厚）
F。散热孔， 0.33毫米口径， 1.5毫米间距
克。电源平面的热隔离
2
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绝对最大额定值
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
(1)
值/单位
VIN
VSENSE
V
I
输入电压范围
UVLO
SYNC
ENA
BOOT
VBIAS
LSG
SYNC
V
O
输出电压范围
RT
PWRGD
COMP
PH
PH
I
O
源出电流
LSG （稳态电流）
COMP ， VBIAS
SYNC
LSG （稳态电流）
I
S
灌电流
PH值（稳态电流）
COMP
ENA ， PWRGD
电压差动
TJ
TSTG
储存温度
焊接温度1.6毫米（ 1/16英寸）的情况下，持续10秒
(1)
AGND至PGND
经营虚拟结温范围
0.3 V至21.5 V
0.3 V至8 V
0.3 V至8 V
0.3 V至24 V
0.3 V至24 V
VI （ PH ） + 8.V
-0.3 8.5 V
-0.3 8.5 V
-0.3 4 V
-0.3 4 V
-0.3 6 V
-0.3 4 V
-1.5 V至22 V
内部限制（ A）
10毫安
3毫安
5毫安
百毫安
500毫安
3毫安
10毫安
±0.3
V
-55 ° C至+ 150°C
-65 ° C至+ 150°C
260°C
强调超越那些在列
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值
只和功能在这些或任何其他条件超出下所指示的设备的操作
推荐工作
条件
是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
推荐工作条件
民
V
I
T
J
输入电压范围
工作结温
4.5
–55
喃
最大
20
125
单位
V
°C
3
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电气特性
T
J
= -55 ° C至125°C ，V
IN
= 4.5到20V （除非另有说明）
参数
电源电流
I
Q
静态电流
启动阈值电压
VIN
停止阈值电压
迟滞
欠压锁定（ UVLO引脚）
启动阈值电压
UVLO
停止阈值电压
迟滞
偏置电压（ VBIAS PIN）
VBIAS
输出电压
I
VBIAS
= 1毫安， VIN
≥
12 V
I
VBIAS
= 1毫安， VIN = 4.5 V
T
J
= 25°C
7.5
4.4
0.888
0.88
RT接地
RT开放
RT = 100 kΩ的（ 1 ％电阻AGND ）
25 pF到地面
25 pF到地面
从上升沿到上升沿的延迟
的PH引脚，见
图19
RT = 100 kΩ的
(1)
测试条件
工作电流， PH引脚开路，无
外部低边MOSFET ， RT =高阻
关机， ENA = 0 V
民
典型值
最大
单位
5
1
4.32
3.63
3.97
350
1.2
1.02
1.1
100
7.8
4.47
0.891
0.891
250
500
500
200
5
180
100
360
2.5
0.6
0.8
2.3
8.035
4.5
0.896
0.899
300
600
595
500
10
1.28
4.52
mA
V
V
mV
V
V
mV
V
参考系统精度
参考电压
振荡器（ RT PIN）
内部设置PWM开关频率
外部设置PWM开关频率
SYNC出低到高的上升时间（10％ / 90％）
(1)
同步输出高电平到低电平的下降时间（ 90 ％ / 10 ％ ）
下降沿的延迟时间
(1)
最小输入脉冲宽度
(1)
延迟（下降沿同步到边PH上升）
同步输出高电平电压
同步输出低电平电压
SYNC低电平门槛
SYNC在较高水平门槛
SYNC的频率范围
(1)
前馈调制器（内部信号）
调制器的增益
调制器的增益变化
最小可控ON
最大占空比
(1)
误差放大器（ VSENSE和COMP引脚）
误差放大器的开环电压增益
(1)
误差放大器的单位增益带宽
(1)
输入偏置电流， VSENSE引脚
COMP
(1)
(1)
V
183
396
400
千赫
千赫
ns
ns
度
ns
ns
下降沿触发双向同步系统（ SYNC引脚）
RT = 100 kΩ的
50 kΩ电阻接地，没有上拉
电阻器
V
V
V
千赫
V/V
编程频率的百分比
–10%
225
10%
770
8
VIN = 12 V ，T
J
= 25°C
–25%
时间
(1)
VIN = 4.5 V
80%
60
1
25%
180
86%
80
2.8
500
1.5
dB
兆赫
nA
V / μs的
ns
输出电压转换速率（对称）
(1)
(1)
4
通过设计保证，未经生产测试。
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电气特性（续）
T
J
= -55 ° C至125°C ，V
IN
= 4.5到20V （除非另有说明）
参数
ENABLE （ ENA PIN）
禁止低电平输入电压
内部慢启动时间（10％ 90 ％）
上拉电流源
下拉MOSFET
POWER GOOD （ PWRGD引脚）
电源正常阈值
上升沿延迟
(1)
输出饱和电压
开路漏极漏电流
电流限制
电流限制
电流限制打嗝时间
(2)
热关断
热关断触发点
(2)
热关断
迟滞
(2)
VIN = 4.5 V ，容性负载= 1000 pF的
VIN = 12 V
VIN = 4.5 V汇/源
VIN = 12 V汇/源
直流条件和无负荷， ENA = 0 V.
VIN = 4.5 V ，IDC =百毫安
VIN = 12 V ，IDC = 100毫安
VIN = 4.5 V ， BOOT -PH = 4.5 V ，
I
O
= 0.5 A
VIN = 12V， BOOT -PH = 8 V ，
I
O
= 0.5 A
低边MOSFET驱动器（ LSG PIN）
打开的上升时间， （10％ / 90％
(2)
)
死区时间
(2)
驱动导通电阻
输出功率MOSFET （ PH PIN）
相节点电压时禁用
电压降，低边FET和二极管
0.5
1.13
1.08
150
100
1.42
1.38
300
220
m
V
V
15
60
7.5
5
ns
ns
165
7
°C
°C
VIN = 12 V ，T
A
= 25°C
f
s
= 500千赫
3
4.5
4.5
7.2
A
ms
上升的电压
f
s
250千赫
f
s
= 500千赫
I
SINK
= 1毫安， VIN > 4.5 V
I
SINK
= 100 μA ， VIN = 0 V
在PWRGD = 6 V电压
97%
4
2
0.05
0.76
3
ms
V
V
A
二（ENA） = 1毫安
f
s
= 250 kHz时， RT =地面
(1)
f
s
= 500 kHz时， RT =高阻
(1)
1.8
4.6
2.3
5
0.1
10
0.5
V
ms
A
V
测试条件
民
典型值
最大
单位
PWRGD
r
DS （ ON）
高侧功率MOSFET开关
(3)
(2)
(3)
通过设计保证，未经生产测试。
电阻从VIN至PH引脚。
5
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