半导体
TIC126A ， TIC126B ， TIC126C ， TIC126D ， TIC126E ， TIC126M ，
TIC126N ， TIC126S
PNPN硅反向阻断晶闸管
12一个持续通态电流
100 A浪涌电流
玻璃钝化硅片
100 V到800 V断态电压
我最大
GT
20毫安
符合RoHS指令
绝对最大额定值
价值
A
V
DRM
V
RRM
I
T（ RMS ）
I
T（ AV ）
I
TM
I
GM
P
GM
P
G（ AV ）
T
C
T
英镑
T
L
注意事项：
1.
2.
3.
4.
5.
这些值适用于当栅极 - 阴极电阻R
GK
= 1k
这些值适用于带电阻性负载连续直流操作。超过70 °C减免线性地
零，在110 ℃。
这个值可以连续地在单相50赫兹正弦半波动作与应用
阻性负载。超过70 °C减免线性到零上110 ℃。
该值适用于一个50Hz的半正弦波，当设备工作在（或以下）的额定
峰值反向电压和通态电流值。浪涌可以重复该装置具有后
返回到原来的热平衡。
该值适用于20ms的最大平均时间。
符号
评级
B
C
单位
M
S
N
V
V
A
A
A
A
W
W
°C
°C
°C
D
E
重复峰值断态电压
100 200 300 400 500 600 700 800
（见注1）
反向重复峰值电压
100 200 300 400 500 600 700 800
持续通态电流（或低于）
12
70 ℃的外壳温度（见注2 ）
通态平均电流（ 180 °导
7.5
角）在（或低于） 70℃的情况下的温度
（见注3 ）
浪涌通态电流（见注4 ）
100
峰正栅极电流（脉冲宽度
3
≤300
s)
峰值功率耗散（脉冲宽度
≤300
5
s)
平均门功耗（见
1
Note5)
工作温度范围
-40到+110
存储温度范围
-40到+125
焊接温度1.6毫米从案例10
230
秒
第1页3
半导体
TIC126A ， TIC126B ， TIC126C ， TIC126D ， TIC126E ， TIC126M ，
TIC126N ， TIC126S
热特性
符号
t
gt
t
q
R
θJC
R
θJA
门控
开启时间
电路交流
打开-O FF时间
评级
V
AA
= 30 V ，R
L
= 6
,
R
GK （ EFF ）
= 100
,
V
in
= 20 V
V
AA
= 30 V ，R
L
= 6
,
I
RM
≈
10 A
价值
0.8
单位
s
11
≤
2.4
≤
62.5
° C / W
电气特性
TC = 25° C除非另有说明
符号
I
DRM
I
RRM
I
GT
评级
重复峰值断态电流
反向重复峰值电流
门极触发电流
测试条件（S ）
V
D
=额定V
DRM
, R
GK
= 1 k,
T
C
= 110°C
V
R
=额定V
RRM
, I
G
= 0,
T
C
= 110°C
V
AA
= 6 V ，R
L
= 100
,
t
P（ G）
≥
20s
V
AA
= 6 V ，R
L
= 100
,
R
GK
= 1千欧，T
P（ G）
≥
20s,
T
C
= -40°C
V
AA
= 6 V ，R
L
= 100
,
R
GK
= 1千欧，T
P（ G）
≥
20s,
V
AA
= 6 V ，R
L
= 100
,
R
GK
= 1千欧，T
P（ G）
≥
20s,
T
C
= 110°C
V
AA
= 6 V ，R
GK
= 1 k,
开始我
T
= 100毫安
V
AA
= 6 V ，R
GK
= 1 k,
开始我
T
= 100毫安，
T
C
= -40°C
I
TM
= 8A （见注6 ）
V
D
=额定V
D
,
T
C
= 110°C
最小典型单位的Mx
-
-
-
-
-
0.2
-
-
-
-
-
-
5
-
0.8
-
-
-
-
100
2
2
20
2.5
1.5
-
40
mA
70
1.4
-
V
V / μs的
V
mA
mA
mA
V
GT
门极触发电压
I
H
保持电流
V
TM
dv / dt的
峰值通态电压
崛起的断态临界速率
电压
注6 ：
该参数必须使用脉冲技术进行测量，T
W
= 300μS ，占空比
≤
2％ ，电压传感
接触，分离了courrent承载触点，位于内3.2毫米（1/8英寸）的解装置主体。
分页： 1 2 3
半导体
TIC126A ， TIC126B ， TIC126C ， TIC126D ， TIC126E ， TIC126M ，
TIC126N ， TIC126S
机械数据案例TO- 220
引脚1 ：
引脚2 ：
3脚：
Kathode
阳极
门
第3页3
半导体
TIC126A ， TIC126B ， TIC126C ， TIC126D ， TIC126E ， TIC126M ，
TIC126N ， TIC126S
P-N - P-N硅反向阻断型三极管
晶闸管
12一个持续通态电流
100 A浪涌电流
玻璃钝化硅片
100 V到800 V断态电压
我最大
GT
20毫安
符合RoHS指令
绝对最大额定值
价值
A
V
DRM
V
RRM
I
T（ RMS ）
I
T（ AV ）
I
TM
I
GM
P
GM
P
G（ AV ）
T
C
T
英镑
T
L
重复峰值断态电压
（见注1）
反向重复峰值电压
持续通态电流
（或低于） 70℃的情况下的温度
（见注2 ）
平均通态电流
（180°导通角），在（或低于）
70 ℃的外壳温度（见注3 ）
浪涌通态电流（见注4 ）
峰正栅极电流
（脉冲宽度
≤300
s)
峰值功耗
（脉冲宽度
≤300
s)
平均门功耗
（见注5 ）
工作温度范围
存储温度范围
从案例铅温度1.6毫米
10秒
符号
评级
B
C
单位
M
S
N
V
V
A
A
A
A
W
W
°C
°C
°C
D
E
100 200 300 400 500 600 700 800
100 200 300 400 500 600 700 800
12
7.5
100
3
5
1
-40到+110
-40到+125
230
30/10/2012
半导体COMSET
1|4
半导体
TIC126A ， TIC126B ， TIC126C ， TIC126D ， TIC126E ， TIC126M ，
TIC126N ， TIC126S
热特性
符号
t
gt
t
q
R
θJC
R
θJA
评级
门控
V
AA
= 30 V ，R
L
= 6
开启时间
R
GK （ EFF ）
= 100
,
V
in
= 20 V
电路交流
V
AA
= 30 V ，R
L
= 6
打开-O FF时间
I
RM
≈
10 A
结到外壳热阻
结到自由空气的热阻
价值
0.8
单位
s
11
≤
2.4
≤
62.5
° C / W
电气特性
TC = 25° C除非另有说明
符号
I
DRM
I
RRM
I
GT
评级
重复峰值断态
当前
反向重复峰值
当前
门极触发电流
测试条件（S ）
V
D
=额定V
DRM
R
GK
= 1 k
T
C
= 110°C
V
R
=额定V
RRM
, I
G
= 0
T
C
= 110°C
V
AA
= 6 V ，R
L
= 100
t
P（ G）
≥
20s
V
AA
= 6 V ，R
L
= 100
R
GK
= 1千欧，T
P（ G）
≥
20s
T
C
= -40°C
V
AA
= 6 V ，R
L
= 100
R
GK
= 1千欧，T
P（ G）
≥
20s
V
AA
= 6 V ，R
L
= 100
R
GK
= 1千欧，T
P（ G）
≥
20s
T
C
= 110°C
V
AA
= 6 V ，R
GK
= 1 k
开始我
T
= 100毫安
V
AA
= 6 V ，R
GK
= 1 k
开始我
T
= 100毫安
T
C
= -40°C
I
TM
= 8A （见注6 ）
V
D
=额定V
D
T
C
= 110°C
民
-
-
-
-
-
0.2
-
-
-
-
典型值
-
-
5
-
0.8
-
-
-
-
100
最大
2
2
20
2.5
1.5
-
40
单位
mA
mA
mA
V
GT
门极触发电压
V
I
H
保持电流
mA
70
1.4
-
V
V / μs的
V
TM
dv / dt的
峰值通态电压
场外的临界上升率
态电压
30/10/2012
半导体COMSET
2|4
半导体
TIC126A ， TIC126B ， TIC126C ， TIC126D ， TIC126E ， TIC126M ，
TIC126N ， TIC126S
注意事项：
1.这些值适用于当栅极 - 阴极电阻R
GK
= 1k
2.这些值适用于带电阻性负载连续直流操作。高于70 °C减免
线性到零，在110 ℃。
3.该值可根据单相50赫兹正弦半波持续施加
操作阻性负载。超过70 °C减免线性到零上110 ℃。
4.该值适用于一个50Hz的正弦半波当设备在运行（或低于）
峰值反向电压和通态电流的额定值。浪涌后可重复
该设备已返回到原来的热平衡。
5.该值适用于20ms的最大平均时间。
6.此参数必须使用脉冲技术进行测量，T
W
= 300μS ，占空比
≤
2 %,
电压感测接触，分离了courrent承载触点，位于内
3.2毫米（1/8英寸）的解装置主体。
机械数据案例TO- 220
30/10/2012
半导体COMSET
3|4
半导体
TIC126A ， TIC126B ， TIC126C ， TIC126D ， TIC126E ， TIC126M ，
TIC126N ， TIC126S
钉扎
引脚1 ：
引脚2 ：
3脚：
Kathode
阳极
门
修订后的2012年9月
提供的资料被认为是准确和可靠。然而，半导体COMSET承担的后果不承担任何责任
利用这些信息，也没有对任何侵犯第三方专利或可借鉴其使用效果等权利。资料如有变更，
恕不另行通知。 COMSET半导体公司对于其产品适用于任何特定的任何保证，声明或担保
目的，也不COMSET半导体承担由此产生的任何产品的应用或使用任何责任，并明确拒绝承担任何
和所有责任，包括但不限于间接或附带损失。 COMSET半导体的产品不授权使用的
在生命支持设备或系统中的关键组件。
www.comsetsemi.com
30/10/2012
半导体COMSET
info@comsetsemi.com
4|4
QQ：2880707522 复制
