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TPS51200

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SLUS812 - 2008年2月

漏/源DDR终端稳压器

特点

应用

存储器终端稳压器，用于DDR ，

DDR2 ， DDR3和低功耗DDR3 / DDR4

笔记本/台式机/服务器

电信/数据通信， GSM基站，

LCD-TV / PDP -TV ，复印机/打印机，机顶盒

输入电压：支持2.5 V轨和3.3 -V

轨

VLDOIN电压范围： 1.1 V至3.5 V

漏/源终端稳压器包括

跌落补偿

需要的最小输出电容

20 μF （一般为3

10 μF的MLCC ）的内存

终止应用程序（ DDR ）

PGOOD监视输出调节

EN输入

REFIN输入可用于灵活的输入跟踪

直接或通过电阻分压器

遥感（ VOSNS ）

± 10 mA的缓冲基准（ REFOUT ）

内置软启动，欠压锁定和OCL

热关断

满足DDR ， DDR2 JEDEC规格;

支持DDR3和低功率DDR3 / DDR4

VTT应用

SON - 10使用PowerPad 封装

描述

该TPS51200是一个汇/源双倍数据速率

（ DDR ）终端稳压器特别设计

低输入电压，低成本，低噪声的系统，其中

空间是一个重要的考虑因素。

该TPS51200保持了快速瞬态响应

并且只需要一个最小的输出电容

该TPS51200支持遥感

功能与所有电源需求DDR ， DDR2 ，

DDR3和低功率DDR3 / DDR4 VTT总线

终止。

此外， TPS51200提供一个漏极开路

PGOOD信号监测输出调节和

可用于放电的VTT一个EN信号

在S3 （挂起到内存）为DDR应用。

该TPS51200是在热效率可

SON - 10使用PowerPad封装，额定两者

绿色无铅。它是从-40 °C至

+85°C.

标准的DDR应用

TPS51200

VDDQ

REFIN

VIN 10

3.3 V

VLDOIN

VTT

VLDOIN PGOOD

保护地

GND

0.1

PGOOD

SLP_S3

VTTREF

VOSNS REFOUT

UDG-08025

请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用

德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。

使用PowerPad是德州仪器的商标。

2008 ，德州仪器

PRODUCTION数据信息为出版日期。

产品符合占德州条款规范

仪器标准保修。生产加工过程中不

不一定包括所有参数进行测试。

TPS51200

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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉

储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。

订购信息

包

设备号

TPS51200DRCT

TPS51200DRCR

引脚

中

最低

QUANTITY

250

3000

-40 ° C至85°C

刚果（金）塑料小外形

磁带和卷轴

绝对最大额定值

(1)

在工作自由空气的温度范围内，除非另有说明。

价值

VIN ， VLDOIN ， VOSNS ， REFIN

输入电压范围

(2)

PGND到GND

输出电压范围

(2)

英镑

(1)

(2)

储存温度

VO ， REFOUT

PGOOD

-0.3 3.6

-0.3 6.5

-0.3 0.3

-0.3 3.6

-0.3 6.5

-55到150

°C

单位

强调超越那些在列

绝对最大额定值

可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值

该设备在这些或超出下标明的任何其他条件，仅及功能操作

推荐工作

条件

是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。

所有电压值都是相对于该网络的接地端子，除非另有说明。

耗散额定值表

(1)

包

10引脚SON

(1)

= 25°C

额定功率

1.92 W

降额因子

上述牛逼

= 25°C

19毫瓦/°C的

= 85°C

额定功率

0.79 W

使用PowerPad尺寸： 3.0

1.9毫米， 4个标准散热孔。根据上述环境，结到散热垫电阻

10.24 ° C / W 。结到环境的热阻

为52.06 ° C / W 。

推荐工作条件

参数

电源电压

VIN

EN ， VLDOIN ， VOSNS

REFIN

电压范围

VO ， PGOOD

REFOUT

保护地

经营自由的空气温度，T

民

2.375

–0.1

0.5

–0.1

–40

典型值

最大

3.500

3.5

1.8

3.5

1.8

0.1

°C

单位

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2008 ，德州仪器

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电气特性

在推荐的自由空气的温度范围内，V

VIN

= 3.3 V,V

VLDOIN

= 1.8 V, V

REFIN

= 0.9 V, V

VOSNS

= 0.9 V, V

= V

VIN

, C

OUT

= 3

并示出在电路

第1节。

（除非另有说明）

参数

电源电流

IN（ SDN ）

LDOIN

LDOIN （ SDN ）

输入电流

REFIN

VO输出

REFOUT

= 1.25 V （ DDR1 ），我

= 0 A

VOSNS

输出直流电压VO

REFOUT

= 0.9 V（ DDR2 ），我

= 0 A

LDOIN

= 1.5 V, V

REFOUT

= 0.75 V（ DDR3 ），我

= 0 A

VOTOL

VOSRCL

VOSNCL

DSCHRG

输出电压容差

REFOUT

VO源vurrent限制

VO灌电流限制

放电电流， VO

-2A <我

< 2A

参照REFOUT ，V

嗅觉神经元

= 90%

REFOUT

参照REFOUT ，V

嗅觉神经元

= 110%

REFOUT

REFIN

= 0 V, V

= 0.3 V, V

= 0 V ，T

= 25°C

相对于REFOUT PGOOD窗口门槛较低

TH （ PG ）

PGSTUPDLY

PGOODLOW

PBADDLY

PGOODLK

VO PGOOD门槛

相对于REFOUT PGOOD窗口阈值上限

PGOOD滞后

PGOOD启动延迟

输出低电压

PGOOD坏延迟

漏电流

(1)

启动上升沿， VOSNS内REFOUT的15％

SINK

= 4毫安

VOSNS是±20％，PGOOD窗口外

嗅觉神经元

= V

REFIN

（ PGOOD高阻抗）

PGOOD = V

+ 0.2 V

0.5

REFIN上升

360

390

REFIN

-10毫安<我

REFOUT

< 10毫安，V

REFIN

= 1.25 V

REFOUTTOL

REFOUT电压容差

REFIN

-10毫安<我

REFOUT

< 10毫安，V

VREFIN

= 0.9 V

-10毫安<我

REFOUT

< 10毫安，V

REFIN

= 0.75V

-10毫安<我

REFOUT

< 10毫安，V

REFIN

= 0.6 V

REFOUTSRCL

REFOUTSNCL

REFOUT源电流限制

REFOUT灌电流限制

REFOUT

= 0 V

REFOUT

= 0 V

–15

–23.5%

17.5%

1.25

–15

0.9

–15

0.75

–15

–25

3.5

4.5

5.5

输入电流， REFIN

= 3.3 V

电源电流

关断电流

电源电流ofVLDOIN

VLDOIN的关断电流

= 25

°C,

= 3.3 V ，空载

= 25

°C,

= 0 V, V

REFIN

= 0 ，无负载

= 25

°C,

= 0 V, V

REFIN

> 0.4 V，空载

= 25

°C,

= 3.3 V ，空载

= 25

°C,

= 0 V ，无负载

0.7

200

0.1

400

测试条件

民

典型值

最大

单位

电源良好比较器

–20%

20%

0.4

–17.5%

23.5%

REFIN和REFOUT

REFIN

REFINUVLO

REFINUVHYS

REFOUT

REFIN电压范围

REFIN欠压锁定

迟滞

REFOUT电压

1.8

420

(1)

由设计保证。未经生产测试。

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TPS51200

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电气特性（续）

在推荐的自由空气的温度范围内，V

VIN

= 3.3 V,V

VLDOIN

= 1.8 V, V

REFIN

= 0.9 V, V

VOSNS

= 0.9 V, V

= V

VIN

, C

OUT

= 3

并示出在电路

第1节。

（除非另有说明）

参数

UVLO / EN逻辑阈值

VINUVVIN

ENIH

ENIL

ENYST

ENLEAK

UVLO阈值

高电平输入电压

低电平输入电压

滞后电压

逻辑输入漏电流

醒来后，T

= 25°C

迟滞

启用

EN ，T

= 25°C

关断温度

迟滞

–1

0.5

1.7

0.3

2.2

2.3

2.375

测试条件

民

典型值

最大

单位

热关断

儿子

热关断阈值

(2)

150

°C

(2)

由设计保证。未经生产测试。

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设备信息

刚果（金）包装

TPS51200

（底视图）

VOSNS 5

保护地4

VO 3

VLDOIN 2

REFIN 1

6 REFOUT

7 EN

8 GND

9 PGOOD

10 VIN

终端功能

终奌站

名字

GND

保护地

PGOOD

REFIN

REFOUT

VIN

VLDOIN

VOSNS

号

I / O

–

描述

对于DDR VTT应用， EN连接到SLP_S3 。对于任何其他的应用程序（多个）中，使用EN作为开/关

功能。

Ground.Signal地。连接到所述输出电容器的负端。

电源地输出的LDO

PGOOD输出。指示调节。

参考输入

参考输出。通过0.1 μF陶瓷电容连接到GND 。

2.5 V或3.3 V电源的陶瓷去耦电容1μF和4.7 μF之间的值

所需。

电源电压的LDO

功率输出的LDO

电压检测输出的LDO 。连接到输出电容或负载的正端子。

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