TN6726A / NZT6726
分立功率&信号
技术
TN6726A
NZT6726
C
E
C
C
TO-226
BE
B
SOT-223
PNP通用放大器
该器件是专为通用中等功率
放大器和要求集电极电流为1.0 A.开关
从工艺77采购。
绝对最大额定值*
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
T
J
, T
英镑
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
TA = 25° C除非另有说明
参数
价值
30
40
5.0
1.5
-55到+150
单位
V
V
V
A
°C
工作和存储结温范围
*
这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
注意事项：
1)
这些评级是基于150度C的最高结温
2)
这些都是稳定状态的限制。厂方应征询涉及脉冲或低占空比操作的应用程序。
热特性
符号
P
D
R
θJC
R
θJA
TA = 25° C除非另有说明
特征
器件总功耗
减免上述25℃
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
TN6726A
1.0
8.0
50
125
最大
*NZT6726
1.0
8.0
125
2
单位
W
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
*
设备安装在FR- 4 PCB 36毫米×18 x 1.5毫米;安装焊盘的集电极引线分钟。 6厘米。
1997仙童半导体公司
TN6726A / NZT6726
TN6726A
NZT6726
C
E
C
C
TO-226
B
E
B
SOT-223
PNP通用放大器
该器件是专为通用中等功率
放大器和要求集电极电流为1.0 A.开关
从工艺77采购。
绝对最大额定值*
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
T
J
, T
英镑
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
TA = 25° C除非另有说明
参数
价值
30
40
5.0
1.5
-55到+150
单位
V
V
V
A
°C
工作和存储结温范围
*
这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
注意事项：
1)
这些评级是基于150度C的最高结温
2)
这些都是稳定状态的限制。厂方应征询涉及脉冲或低占空比操作的应用程序。
3)
所有的电压（V）和电流（A）中是负的极性为PNP晶体管。
热特性
符号
P
D
R
θJC
R
θJA
TA = 25° C除非另有说明
特征
器件总功耗
减免上述25℃
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
TN6726A
1.0
8.0
50
125
最大
*NZT6726
1.0
8.0
125
单位
W
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
*
设备安装在FR- 4 PCB 36毫米×18 x 1.5毫米;安装焊盘的集电极引线分钟。 6厘米
2
.
1997仙童半导体公司
TN6726A / NZT6726
PNP通用放大器
（续）
电气特性
符号
参数
TA = 25° C除非另有说明
测试条件
民
最大
单位
开关特性
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
集电极 - 发射极击穿
电压
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
I
C
= 10 mA时，我
B
= 0
I
C
= 1.0毫安，我
E
= 0
I
E
= 100
A,
I
C
= 0
V
CB
= 40 V，I
E
= 0
V
EB
= 5.0 V，I
C
= 0
30
40
5.0
0.1
0.1
V
V
V
A
A
基本特征*
h
FE
直流电流增益
I
C
= 10 mA时， V
CE
= 1.0 V
I
C
= 100毫安， V
CE
= 1.0 V
I
C
= 1.0 A，V
CE
= 1.0 V
I
C
= 1.0 A，I
B
= 100毫安
I
C
= 1.0 A，V
CE
= 1.0 V
55
60
50
250
0.5
1.2
V
CE（
SAT
)
V
BE （
on
)
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
V
V
小信号特性
h
fe
C
cb
小信号电流增益
集电极 - 基极电容
I
C
= 50 mA时， V
CE
= 10 V,
F = 20MHz的
V
CB
= 10 V，I
E
= 0中，f = 1.0兆赫
2.5
25
30
pF
*
脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
s,
占空比
≤
1.0%
注意：
所有的电压（V）和电流（A）中是负的极性为PNP晶体管。
3
典型特征
300
V
CESAT
- COLLE CTOR - 发射极电压（V ）
h
FE
- 典型ICAL脉冲CURRE NT GAIN
典型的脉冲电流增益
VS集电极电流
V
CE
= 5.0V
250
200
150
100
- 40 °C
125 °C
集电极 - 发射极饱和
电压Vs集电极电流
1
β
= 10
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0.01
- 40 °C
125 °C
25 °C
25 °C
50
0
0.01
I
C
0.1
1
- 集电极电流（ A）
2
0.1
1
I
C
- COLLE CTOR电流（A）
3
TO- 226AE磁带和卷轴数据
TO -226AE包装
CONF iguratio N：
网络古尔E 1.0
磁带和卷轴选项
FSCINT标签SAMPL ê
FAIRCHIL S EMICONDUCTOR公司
L OT ：
发E图2
e
0.0对于VA rious
HTB ： B
10000
Reeli克风格
n
CBVK741B019
数量：
NSID ：
PN2222N
SP EC：
FSCINT
SP EC RE V ：
QA REV ：
D / C1 ：
D9842
B2
拉贝升
5卷轴元
诠释呃MED在Iate牛B
（ FSCINT ）
F63TNR label的AMPL ê
LOT ： CBVK7 41B019
数量： 2000
CUS汤姆美化版
拉贝升
F63TNR
拉贝升
CUS汤姆美化版
FSID ： PN222N
产品规格：
D / C1 ： D9842
D / C2 ：
QTY1 ：
QTY2 ：
SPEC REV ：
CPN ：
N / F： F
(F63TNR)3
拉贝升
375米米× 267米米× 375毫米
诠释呃MED在Iate牛B
弹药盒OPTION
发E图3
e
0.0 2弹药
组选
s
TO- 226AE TNR / AMMO包装INF
息
填料
REEL
风格
A
E
QUA
ntity
2,000
2,000
2,000
2,000
EOL代码
D26Z
D27Z
D74Z
D75Z
上午M O对
M
P
FSCINT
拉贝升
327米米× 158米米× 135毫米
林MED在Iate牛B
5 A毫米O盒ES元
诠释呃MED在Iate牛B
单吨伟GH吨
卷轴weig HT无线个嗡婆堂费
AMM weig HT连接上无线网络的TS第 OMP
= 0.300克米
= 0.868 克
= 0.880 克
CUS汤姆美化版
拉贝升
最大Q uanti TY P呃我NTE RM版在Iate牛B = 10,000非其
CUS汤姆美化版
拉贝升
F63TNR
柱C颂歌标签
333米米× 231米米× 183毫米
诠释呃MED在Iate牛B
BULK选项
发E散装P
e
ACKING
了信息离子TABL
e
反-stati
FSCINT柱C颂歌标签
（ TO- 226AE ）批量包装信息
LEADCLIP
维
不使用L EAD CLIP
不使用L EAD CLIP
不使用L EADCLIP
小家伙BLE表
EOL有限公司
DE
J18Z
J05Z
NO EOL
CODE
描述
TO- 18 OPTION STD
TO-5
OPTION性病
QUANTITY
1.0 K /盒
1.0 K /盒
1.5 K /盒
其1500元的未
EO70盒
的TD 关于PTI
114米米× 102米米× 51毫米
EO70调解林牛B
TO- 226标准
直
5 EO70箱PE
诠释呃MED在Iate牛B
530米米× 130米米× 83毫米
国米MED在Iate盒
CUS tomized
LABEL
FSCINT拉贝升
7500取消其并购的Axim庵
每中间体EDI在E盒
对于ST 选择离子
2000仙童半导体国际
1999年10月修订版A1
QQ：2881677436 复制
