TP2635/TP2640
P-沟道增强型
垂直的DMOS场效应管
特点
低门槛 - -2.0V最大。
高输入阻抗
低输入电容
快速开关速度
低导通电阻
无二次击穿
低输入和输出泄漏
互补N和P沟道器件
概述
这些低阈增强模式（常关）
晶体管采用垂直DMOS结构和Supertex公司
成熟的硅栅的制造工艺。这
结合生产设备的功率处理
双极晶体管和具有高的输入能力
阻抗和正温度COEF网络cient固有
在MOS器件。所有MOS结构的特点，
这些设备是无热失控和热
诱发二次击穿。
Supertex公司的垂直DMOS场效应管非常适合于
种类繁多的开关和放大的应用场合
非常低的阈电压，高的击穿电压，高
输入阻抗，低输入电容，和快速开关
速度是需要的。
应用
逻辑电平接口 - 适合TTL和CMOS
固态继电器
电池供电系统
光伏驱动器
模拟开关
通用线路驱动器
电信交换机
绝对最大额定值
参数
漏源极电压
漏极至栅极电压
栅极至源极电压
工作和存储温度
焊接温度
1
销刀豆网络gurations
价值
BV
DSS
BV
DGS
±20V
SGD
NC
NC
S
G
1
2
3
4
8
7
6
5
D
D
D
D
-55 ° C至+ 150°C
+300°C
TO-92
（ TOP VIEW ）
SO-8
绝对最大额定值是那些价值超过该设备损坏
可能会发生。在这些条件下的功能操作，是不是暗示。连续
该设备在绝对额定值级的操作可能会影响器件的可靠性。所有
电压参考器件接地。
注： 1 。
为1.6mm的情况下， 10秒的距离。
订购信息
设备
封装选项
SO-8
-
-
TP2640LG
TP2640LG-G
TO-92
TP2635N3
TP2635N3-G
TP2640N3
TP2640N3-G
BV
DSS
/ BV
DGS
-350V
R
DS （ ON）
（最大）
15Ω
V
GS （ TH）
（最大）
-2.0V
I
D（上）
（分钟）
-0.7A
TP2635
TP2640
-400V
15Ω
-2.0V
-0.7A
-G表示封装，符合RoHS标准（ “绿色” ）
1
TP2635/TP2640
热特性
套餐一
D
（连续）
1
I
D
（脉冲的）
SO-8
TO-92
-210mA
-180mA
-1.25A
-0.8A
功耗
@T
C
= 25
O
C
1.3W
2
1.0W
Θ
jc
(
O
C / W ）
24
125
Θ
jc
(
O
C / W ）
96
2
170
I
DR1
210mA
-180mA
I
DRM
-1.25A
-0.8A
注意事项：
1. I
D
（续）由最大限制额定牛逼
j
.
2.安装在FR4板， 25毫米x 25mm的X 1.57毫米
电气特性
（T = 25° C除非另有规定编）
J
符号
参数
民
典型值
最大
单位
条件
BV
DSS
V
GS （ TH）
ΔV
GS （ TH）
I
GSS
漏极至源极突破性
电压下降
栅极阈值电压
TP2640
TP2635
-400
-350
-0.8
-
-
-
-
-
-
-2.0
5
-100
-1.0
-10.0
-1.0
V
V
毫伏/
O
C
nA
A
A
mA
A
Ω
%/
O
C
m
Ω
V
GS
= 0V时，我
D
= -2.0mA
V
GS
= V
DS
, I
D
= -1.0mA
V
GS
= V
DS
, I
D
= -1.0mA
V
GS
= ±20V, V
DS
= 0V
V
DS
= -100V, V
GS
= 0V
V
DS
=最大额定值，V
GS
= 0V
V
DS
= 0.8最大额定值，
V
GS
= 0V ，T
A
= 125
O
C
V
GS
= -10V, V
DS
= -25V
V
GS
= -2.5V ，我
D
= -200mA
V
GS
= -4.5V ，我
D
= -150mA
V
GS
= -10V ，我
D
= -300mA
V
GS
= -10V ，我
D
= -300mA
V
DS
= -25V ，我
D
= -300mA
V
GS
= 0V, V
DS
= -25V ， F = 1MHz的
改变V
GS （ TH）
随温度
门体漏
I
DSS
零栅极电压漏极电流
-
-
I
D（上）
R
DS （ ON）
ΔR
DS （ ON）
G
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
t
rr
通态漏电流
静态漏 - 源极导通状态
阻力
变化在研发
DS （ ON）
随温度
正向跨导
输入电容
共源输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
二极管的正向压降
反向恢复时间
0.7
-
-
200
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
12
11
11
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
300
-
15
15
15
0.75
-
300
50
12
10
15
60
40
-1.8
-
pF
ns
V
DD
= 25V ，我
D
= 2.0A,
R
根
= 25
V
GS
= 0V时，我
SD
= 200毫安
V
GS
= 0V时，我
SD
= 1.0A
V
ns
注意事项：
1.全直流参数在25℃经过100％测试，除非另有说明。 （脉冲测试： 300秒脉冲， 2 ％占空比）
2.所有参数交流采样测试。
N沟道开关波形和测试电路
0V
10%
脉冲
发电机
90%
t
（上）
R
根
输入
-10V
t
（关闭）
t
r
t
D（关闭）
t
F
输入
t
D（上）
0V
D.U.T.
产量
R
L
90%
产量
V
DD
90%
10%
10%
V
DD
2
TP2635/TP2640
8引脚SOIC封装外形（ LG）
4.90 ± 0.10
8
6.00 ± 0.20
3.90 ± 0.10
注2
1
顶视图
0.17 - 0.25
1.75最大
1.25敏
5° - 15°
（ 4 PLC）的
45°
0.25 - 0.50
注2
0° - 8°
0.10 - 0.25
1.27BSC
0.40 - 1.27
0.31 - 0.51
SIDE VIEW
注意事项：
1.以毫米为单位所有尺寸。角度。
2.如果在角落里不倒角，那么引脚1标识符
必须位于该区域之内的指示。
端视图
3引脚TO- 92封装外形（ N3 ）
0.135 MIN
0.125 - 0.165
0.080 - 0.105
1
2
3
底部视图
0.175 - 0.205
0.170 - 0.210
1 2 3
飞机座位
0.500 MIN
0.014 - 0.022
0.014 - 0.022
0.045 - 0.055
0.095 - 0.105
前视图
SIDE VIEW
注意事项：
所有尺寸的单位均为毫米;各个角度的度数。
（包图纸（S ）本数据表可能不会再FL ECT最新的特定连接的阳离子。如需最近的封装外形
信息，请访问
http://www.supertex.com/packaging.html 。 ）
DOC 。 ＃ DSFP ， TP2635_TP2640
C032807
5
TP2635
TP2640
低门槛
P沟道增强模式
垂直的DMOS场效应管
订购信息
BV
DSS
/
BV
DGS
-350V
-400V
R
DS （ ON）
（最大）
15
15
V
GS （ TH）
（最大）
-2.0V
-2.0V
I
D（上）
（分钟）
-0.7A
-0.7A
订单号码/套餐
SO-8
–
TP2640LG
TO-92
TP2635N3
TP2640N3
DIE
—
TP2640ND
MIL视觉筛选可用。
特点
低门槛 - -2.0V最大。
高输入阻抗
低输入电容
快速开关速度
低导通电阻
无二次击穿
低输入和输出泄漏
互补N和P沟道器件
低阈值DMOS技术
这些低阈增强模式（常关），晶体管
器使用一个垂直DMOS结构和Supertex公司的成熟的
硅栅的制造工艺。这种结合产生
与双极晶体管的功率处理能力的设备
并用高输入阻抗和正温度
系数固有的MOS器件。所有MOS特性
结构，这些设备是无热失控和
热诱导的二次击穿。
Supertex公司的垂直DMOS场效应管非常适用于范围广泛
开关和放大应用的门槛很低
电压，高的击穿电压，高输入阻抗，低输入
电容，和快速的开关速度是期望的。
应用
逻辑电平接口 - 适合TTL和CMOS
固态继电器
电池供电系统
光伏驱动器
模拟开关
通用线路驱动器
电信交换机
封装选项
SGD
TO-92
NC
NC
BV
DSS
BV
DGS
±
20V
-55 ° C至+ 150°C
300°C
注：请参阅尺寸封装外形部分。
1
2
3
4
8
7
6
5
绝对最大额定值
漏极至源极电压
漏极至栅极电压
栅极 - 源极电压
工作和存储温度
焊接温度*
*
1.6毫米的情况下10秒的距离。
11/12/01
D
D
D
D
S
G
SO-8
顶视图
Supertex公司公司不建议使用其产品在生命支持应用程序除非收到足够的"products责任将不会有意地销售其产品用于此类应用
agreement." Supertex公司赔偿保险不承担设备使用说明的责任，并限制其更换设备来确定赔偿责任是有缺陷的，由于
做工。没有责任承担可能的遗漏或不准确。电路和规格如有变更，恕不另行通知。有关最新的产品规格，请参阅
Supertex公司网站： http://www.supertex.com 。有关Supertex公司所有产品完全责任的信息，请参阅最新的数据手册或向Supertex公司网站上的法律/免责声明页面。
1
TP2635/TP2640
热特性
包
SO-8
TO-92
I
D
（连续） *
-210mA
-180mA
I
D
（脉冲的）
-1.25A
-0.8A
功耗
@ T
C
= 25
°
C
1.3W
1.0W
θ
jc
°
C / W
24
125
θ
ja
°
C / W
96
170
I
DR
*
-210mA
-180mA
I
DRM
-1.25A
-0.8A
*
I
D
（续）由最大限制额定牛逼
j
.
安装在FR4板， 25毫米x 25mm的X 1.57毫米。
电气特性
（ 25°C ，除非另有规定）
符号
BV
DSS
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
参数
漏 - 源
击穿电压
栅极阈值电压
改变V
GS （ TH）
随温度
门体漏
零栅极电压漏极电流
TP2640
TP2635
民
-400
-350
-0.8
-2.0
5.0
-100
-1
-10
-1
I
D（上）
R
DS （ ON）
通态漏电流
静态漏 - 源
导通状态电阻
0.7
12
11
11
R
DS （ ON）
G
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
t
rr
变化在研发
DS （ ON）
随温度
正向跨导
输入电容
共源输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
二极管的正向压降
反向恢复时间
300
200
300
50
12
10
15
60
40
-1.8
V
ns
V
GS
= 0V时，我
SD
= -200mA
V
GS
= 0V时，我
SD
= -200mA
ns
V
DD
= -25V,
I
D
= -300mA ，
R
根
= 25
pF
15
15
15
0.75
%/°C
m
V
毫伏/°C的
nA
A
A
mA
A
V
GS
= V
DS
, I
D
= -1.0mA
V
GS
= V
DS
, I
D
= -1.0mA
V
GS
=
±
20V, V
DS
= 0V
V
GS
= 0V, V
DS
= -100V
V
GS
= 0V, V
DS
=最大额定值
V
GS
= 0V, V
DS
= 0.8最高评级
T
A
= 125°C
V
GS
= -10V, V
DS
= -25V
V
GS
= -2.5V ，我
D
= -20mA
V
GS
= -4.5V ，我
D
= -150mA
V
GS
= -10V ，我
D
= -300mA
V
GS
= -10V ，我
D
= -300mA
V
DS
= -25V ，我
D
= -300mA
V
GS
= 0V, V
DS
= -25V
F = 1 MHz的
典型值
最大
单位
V
条件
V
GS
= 0V时，我
D
= -2.0mA
注意事项：
1.所有的DC参数，除非另有说明， 100％在25℃下进行测试。 （脉冲测试： 300μS脉冲， 2 ％的占空比）。
2.所有参数交流采样测试。
开关波形和测试电路
0V
10%
输入
-10V
脉冲
发电机
90%
t
（上）
R
根
t
（关闭）
t
r
t
D（关闭）
t
F
输入
t
D（上）
0V
90%
产量
V
DD
90%
10%
10%
2
D.U.T.
产量
R
L
V
DD
TP2635/TP2640
典型曲线
BV
DSS
随温度的变化
30
1.1
24
导通电阻与漏电流
V
GS
= -2.5V
V
GS
= -4.5V
BV
DSS
（归一化）
R
DS （ ON）
（欧姆）
18
1.0
12
V
GS
= -10V
6
0.9
0
-50
0
50
100
150
0
-0.4
-0.8
-1.2
-1.6
-2.0
T
j
(
°
C)
传输特性
-2.0
I
D
（安培）
V
TH
和R
DS
随温度的变化
2.5
V
DS
= -25V
-1.6
1.2
V
（ TH ）
@ -1mA
2.0
1.0
1.5
0.8
1.0
0.6
I
D
（安培）
-1.2
T
A
= -55°C
25°C
-0.8
R
DS （ ON）
@ -10V ， -0.3A
0.5
-0.4
0.4
0
0
-2
-4
-6
-8
-10
-50
0
50
100
150
0
V
GS
（伏）
电容与漏 - 源极电压
400
-10
T
j
(
°
C)
栅极驱动器的动态特性
F = 1MHz的
-8
300
678pF
C（皮法）
V
GS
（伏）
C
国际空间站
200
-6
V
DS
= -10V
-4
V
DS
= -40V
100
-2
C
OSS
263pF
0
0
-10
-20
-30
C
RSS
-40
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
（伏）
Q
G
（ nanocoulombs ）
11/12/01
2001 Supertex公司保留所有权利。未经授权擅自使用或复制禁止的。
4
1235年波尔多驱动，桑尼维尔， CA 94089
电话： （ 408 ） 744-0100 传真： （ 408 ） 222-4895
www.supertex.com
R
DS （ ON）
（归一化）
V
GS （ TH）
（归一化）
+125°C
QQ：2880707522 复制
