【TPIC6595功率逻辑8位移位寄存器SLIS010A - 1992年4月 - 修订1995年10月】,IC型号TPIC6595DW,TPIC6595DW PDF资料,TPIC6595DW经销商,ic,电子元器件-51电子网

TPIC6595

功率逻辑8位移位寄存器

SLIS010A - 1992年4月 - 修订1995年10月

低R

DS （ ON）

. . . 1.3

典型

雪崩能量。。。 75兆焦耳

八功率DMOS晶体管输出

250 - mA的持续电流

1.5脉冲电流每路输出

输出钳位电压为45 V

设备的级联

低功耗

DW或N包装

（ TOP VIEW ）

描述

该TPIC6595是一款单芯片，高电压，高

当前功率的8位移位寄存器设计为用

在需要相对高的负载功率的系统。

该器件包含一个内置的电压钳位

输出端的电感瞬态保护。

功率驱动器应用包括继电器，电磁铁

noids ，和其他中等电流或高电压

负载。

该器件包含一个8位串行输入，并行输出

馈送一个8位D型存储移位寄存器

上的上升沿存储寄存器

移位寄存器时钟（ SRCK ）和寄存器时钟

（ RCK ）分别。存储寄存器传送

SHIFT-时数据到输出缓冲器

寄存器清零（ SRCLR ）为高。当SRCLR是

低，输入移位寄存器清零。当输出

使能（ G）时保持高电平时，所有的数据在输出

缓冲区保持低电平，所有的漏输出关闭。

当G为低，从存储寄存器数据

是透明的输出缓冲器。串行

输出（SER OUT），允许的级联

从移位寄存器的数据到其他设备。

保护地

SER IN

DRAIN0

DRAIN1

DRAIN2

DRAIN3

SRCLR

保护地

LGND

SER OUT

DRAIN7

DRAIN6

DRAIN5

DRAIN4

SRCK

RCK

保护地

逻辑符号

RCK

SRCLR

SRCK

SER IN

EN3

SRG8

DRAIN0

DRAIN1

DRAIN2

DRAIN3

DRAIN4

DRAIN5

DRAIN6

DRAIN7

SER OUT

这个符号是按照ANSI / IEEE标准91-1984

和IEC出版617-12 。

输出低端，漏极开路DMOS

晶体管与45 V和250 mA的输出额定值

连续灌电流能力。当在输出缓冲器的数据为低电平时， DMOS晶体管输出关闭。

当数据为高时， DMOS晶体管输出具有灌电流能力。

提供独立的电源和逻辑电平接地引脚，以方便最大的系统灵活性。引脚1 ， 10 ， 11 ，

和20在内部相连，并且每个引脚必须从外部连接到电力系统接地，以

以减少寄生电感。引脚19 ，逻辑接地（ LGND ）和引脚1之间的单点连接，

10 ，11和20 ，功率理由（PGND ），必须以一种方式降低之间的串扰被外部取得

的逻辑和负载电路。

该TPIC6595的特点是操作上的工作温度范围 - 40 ° C至125°C 。

PRODUCTION数据信息为出版日期。

产品符合每德州仪器条款规范

标准保修。生产加工并不包括

所有测试参数。

版权

1995年，德州仪器

邮政信箱655303

达拉斯，德克萨斯州75265

TPIC6595

功率逻辑8位移位寄存器

SLIS010A - 1992年4月 - 修订1995年10月

逻辑图（正逻辑）

RCK

SRCLR

SRCK

SER IN

CLR

DRAIN2

DRAIN1

DRAIN0

CLR

DRAIN3

CLR

DRAIN4

CLR

DRAIN5

CLR

DRAIN6

CLR

DRAIN7

CLR

1, 10, 11, 20

保护地

SER OUT

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达拉斯，德克萨斯州75265

TPIC6595

功率逻辑8位移位寄存器

SLIS010A - 1992年4月 - 修订1995年10月

输入和输出的原理图

等效每个输入

VCC

典型所有排水输出

漏

45 V

输入

25 V

12 V

LGND

保护地

在推荐的工作温度范围内绝对最大额定值（除非

另有说明）

逻辑电源电压，V

（见注NO TAG ）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 7 V

逻辑输入电压范围，V

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 - 0.3 V至7 V

功率DMOS漏极至源极电压V

（见注NO TAG ）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 45 V

连续的源极 - 漏极二极管的阳极电流。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 1

脉冲源极 - 漏极二极管的阳极电流。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 2将

脉冲漏极电流，每路输出，所有输出，我

DN ，

= 25 ° C（见注NO TAG ）。。。。。。。。。。。。 750毫安

连续漏电流，每个输出，所有输出，我

DN ，

= 25°C 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 250毫安

峰值漏极电流单输出，我

DM ，

= 25 ° C（见注NO TAG ）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 2将

单脉冲雪崩能量E

（看不到标签）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 75兆焦耳

雪崩电流，我

（见注NO TAG ）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 1

连续总功耗。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。见耗散额定值表

工作结温范围，T

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 - 40℃ 150℃

存储温度范围，T

英镑

。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 - 65 ℃150 ℃的

铅温度1.6毫米（1/16英寸）的距离的情况下为10秒。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 260℃

超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只和

该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不

暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。

注：1.所有电压值相对于LGND和PGND 。

2.每个功率DMOS源内部连接到保护接地。

3.脉冲持续时间

≤

100

占空比

≤

2 %

4.漏极供电电压= 15V，开始结温（ TJS ） = 25 ° C，L = 100 mH为IAS = 1 A（看不到标签）。

额定功耗表

包

≤

25°C

额定功率

1125毫瓦

1150毫瓦

降额因子

以上TA = 25°C

9.0毫瓦/°C的

9.2毫瓦/°C的

TA = 125°C

额定功率

225毫瓦

230毫瓦

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TPIC6595

功率逻辑8位移位寄存器

SLIS010A - 1992年4月 - 修订1995年10月

在推荐的工作温度范围推荐工作条件（除非

另有说明）

民

逻辑电源电压VCC

高电平输入电压， VIH

低电平输入电压， VIL

脉冲漏输出电流， TC = 25 ℃， VCC = 5 V （见注3和5 ）

建立时间， SER在高SRCK ↑之前， TSU （看不到标签）

保持时间， SER在高SRCK ↑后，第（看不到标签）

脉冲持续时间，总重量（看不到标签）

工作温度的情况下， TC

– 1.8

– 40

125

4.5

0.85 VCC

0.15 VCC

1.5

最大

5.5

单位

°C

电气特性，V

= 5 V ，T

= 25 ℃（除非另有说明）

参数

V（ BR ） DSX

VSD

VOH

VOL

V（ HYS ）

IIH

IIL

ICCL

ICC （ FRQ ）

IDSX

漏源击穿电压

源极 - 漏极二极管正向电压

高层次的输出电压，

g ,

SER OUT

低级别的输出电压， SER

g ,

OUT

输入滞后

高层次的输入电流

低电平输入电流

逻辑电源电流

逻辑电源电流频率

额定电流

关闭状态

关机状态下漏电流

ID = 1毫安

IF = 250 mA时，

测试条件

见注3

4.4

4.1

民

0.85

4.49

4.3

0.002

0.2

1.3

–1

0.6

250

0.05

0.15

1.3

见注5和6

与图9和10

NO TAG

1.3

3.2

100

0.1

0.4

典型值

最大

单位

IOH = - 20 mA，且VCC = 4.5 V

IOH = - 4毫安， VCC = 4.5 V

IOH = 20 mA时， VCC = 4.5 V

IOH = 4毫安，

VCC = 4.5 V

VDS = 15 V

VCC = 5.5 V ，

VI = VCC

VI = 0

IO = 0，

所有输入低

fSRCK = 5MHz时， IO = 0，

CL = 30 pF的，

参见图1 ，图2和6

VDS （ ON） = 0.5 V ，

IN = ID ，

TC = 85°C

VDS = 40 V

VDS = 40 V ，

ID = 250毫安，

VCC = 4.5 V

ID = 500 mA时，

TC = 125°C

VCC = 4.5 V

TC = 125°C ，

VCC = 4.5 V

见注5 ，第6和7

RDS （ ON）

静态漏源导通状态

阻力

开关特性，V

= 5 V ，T

= 25°C

参数

TPLH

的TPH1

TRR

传播延迟时间，从低到高的电平输出给G

传播延迟时间，高到低级别的输出给G

上升时间，漏极开路输出

下降时间，漏极开路输出

反向恢复电流上升时间

反向恢复时间

IF = 250 mA时，

的di / dt = 20A / μs的，

见注5和6和图3

CL = 30 pF的，

ID = 250毫安，

参见图1和2

测试条件

民

典型值

650

150

750

425

100

300

最大

单位

注：3 。

脉冲持续时间

≤

100

占空比

≤

技术应该限制TJ - TC至10 ° C（最大值）。

这些参数的测量用电压感应触头分开的通电接点。

额定电流被定义为来自不同源的设备之间一致的比较。它是目前能产生

0.5 V电压TC压降= 85°C 。

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功率逻辑8位移位寄存器

SLIS010A - 1992年4月 - 修订1995年10月

热阻

参数

θJA

热阻，结到环境

阻力结到环境

DW包装

N包装

测试条件

所有8个输出与功率相等

民

最大

111

108

单位

° C / W

参数测量信息

SRCLR

VCC

RL = 95

DUT

SER IN

RCK

PGND LGND

测试电路

1, 10, 11, 20

DRAIN1

电压波形

漏

4 –7,

14 –17

产量

SER IN

RCK

SRCLR

24 V

SRCK

24 V

0.5 V

13 SRCK

字

发电机

（见注一）

CL = 30 pF的

（见注B）

图1.电阻性负载运行

字

发电机

（见注一）

SRCLR CC

SRCK

SER IN

RCK

摹地线LGND

测试电路

1, 10, 11, 20

DUT

漏

CL = 30 pF的

（见注B）

4 –7,

14 –17

产量

RL = 95

产量

90%

10%

开关时间

SRCK

TSU

50%

SER IN

50%

输入建立和保持波形

50%

90%

10%

24 V

TPLH

的TPH1

24 V

0.5 V

50%

图2.测试电路，开关时间和电压波形

注释：A.输出漏极1,2 ，5和6的低（PGND ），所有其它漏极输出是在24伏特的字发生器具有以下特点：

≤

10纳秒， TF

≤

10纳秒， TW = 300纳秒，脉冲重复率（ PRR ） = 5千赫， ZO = 50

B. CL包括探针和夹具电容。

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