TPCF8104
东芝场效应晶体管的硅P沟道MOS型（ U- MOSⅢ ）
TPCF8104
笔记本电脑应用
便携式设备的应用
低漏源导通电阻，R
DS （ ON）
= 21毫欧（典型值）。
高正向转移导纳： | Y
fs
| = 9.6 S（典型值）。
低漏电流：I
DSS
=
10 μA
（最大值） （Ⅴ
DS
=
30
V)
增强型： V
th
=
0.8
to
2.0
V
(V
DS
=
10
V，I
D
=
1mA)
单位：mm
绝对最大额定值
（大
=
25°C)
特征
漏源电压
漏，栅极电压（R
GS
= 20 kΩ)
栅源电压
漏电流
DC
脉冲
（注1 ）
（注1 ）
（T = 5秒）
（注2A ）
（T = 5秒）
（注2B ）
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
P
D
E
AS
I
AR
（注4 ）
E
AR
T
ch
T
英镑
等级
30
30
±20
6
24
2.5
0.7
5.8
3
0.25
150
55~150
单位
V
V
V
A
W
W
mJ
A
mJ
°C
°C
1
2
3
4
JEDEC
JEITA
东芝
―
―
2-3U1A
重量： 0.011克（典型值）。
漏极功耗
漏极功耗
电路CON组fi guration
8
7
6
5
单脉冲雪崩能量（注3 ）
雪崩电流
重复性雪崩能量
通道温度
存储温度范围
注： （注1 ） （注2 ） （注3 ） （注4 ）和（注5 ） ：参见下页。
重负载下连续使用（如高温/电流/电压的施加而在显著变化
温度等）可能会导致此产品的可靠性降低显著即使工作条件下（即
工作温度/电流/电压等）的绝对最大额定值。请设计适当的
经审查东芝半导体可靠性手册（ “注意事项” /降级的概念和可靠性
方法）和个人可靠性数据（即可靠性测试报告和估计的故障率，等）。
此晶体管是静电感应装置。请谨慎操作。
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2006-11-16
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