TN5325
低门槛
N沟道增强模式
垂直的DMOS场效应管
订购信息
BV
DSS
/
BV
DGS
250V
R
DS （ ON）
（最大）
7.0
V
GS （ TH）
（最大）
2.0V
I
D（上）
（分钟）
1.2A
订单号码/套餐
TO-236AB*
TN5325K1
TO-92
TN5325N3
TO-243AA**
TN5325N8
产品标识为SOT- 23 ：
N3C
哪里
= 2个星期的α-日期代码
*同SOT- 23 。各单位出货3000片载带卷盘。
**出货2,000片载带和卷轴。
产品标识为TO- 243AA
特点
低门槛 - 2.0V最大。
无二次击穿
低功耗驱动要求
低C
国际空间站
和快速开关速度
优良的热稳定性
高输入阻抗和高增益
互补N和P沟道器件
TN3C
哪里
= 2个星期的α-日期代码
先进的DMOS技术
这些增强模式（常关）晶体管采用一
垂直的DMOS结构和Supertex公司的成熟的硅栅
制造工艺。这种结合产生器件与
双极晶体管和与所述功率处理能力
高输入阻抗和正温度系数inher-
耳鼻喉科的MOS器件。所有MOS结构的特征，这些
设备不受热失控和热致
二次击穿。
Supertex公司的垂直DMOS场效应管非常适用于范围广泛
开关和放大应用的高击穿
电压，高输入阻抗，低输入电容，并快速
开关速度是期望的。
应用
逻辑电平接口 - 适合TTL和CMOS
固态继电器
电池供电系统
光伏驱动器
模拟开关
通用线路驱动器
电信交换机
封装选项
绝对最大额定值
漏极至源极电压
漏极至栅极电压
栅极 - 源极电压
工作和存储温度
焊接温度*
*
1.6毫米的情况下10秒的距离。
11/12/01
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agreement." Supertex公司赔偿保险不承担设备使用说明的责任，并限制其更换设备来确定赔偿责任是有缺陷的，由于
做工。没有责任承担可能的遗漏或不准确。电路和规格如有变更，恕不另行通知。有关最新的产品规格，请参阅
Supertex公司网站： http://www.supertex.com 。有关Supertex公司所有产品完全责任的信息，请参阅最新的数据手册或向Supertex公司网站上的法律/免责声明页面。
BV
DSS
BV
DGS
±
20V
-55 ° C至+ 150°C
300°C
S摹
G
D
S
D
G
S
D
TO-92
TO-243AA
(SOT-89)
TO-236AB
(SOT-23)
注：请参阅尺寸封装外形部分。
1
TN5325
热特性
包
TO-236AB
TO-92
TO-243AA
I
D
（连续） *
150mA
215mA
316mA
I
D
（脉冲的）
400mA
800mA
1.5A
功耗
@ T
A
= 25
°
C
0.36W
0.74W
1.6W**
θ
jc
°
C / W
200
125
15
θ
ja
°
C / W
350
170
78**
I
DR
*
150mA
215mA
316mA
I
DRM
400mA
800mA
1.5A
*
I
D
（续）由最大限制额定牛逼
j
.
**安装在FR5板。 25毫米x 25mm的X 1.57毫米。显著PD增长可能在陶瓷基板。
电气特性
（ 25°C ，除非另有规定）
符号
BV
DSS
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
参数
漏极至源极击穿电压
栅极阈值电压
改变V
GS （ TH）
随温度
门体漏
零栅极电压漏极电流
民
250
0.6
2.0
-4.5
100
1.0
10.0
1.0
I
D（上）
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
G
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
t
rr
注意事项：
1，所有的DC参数，除非另有说明100％在25℃下进行测试。 （脉冲测试： 300μS脉冲， 2 ％的占空比）。
2.所有参数交流采样测试。
典型值
最大
单位
V
V
毫伏/°C的
nA
A
A
mA
条件
I
D
= 100μA ，V
GS
= 0V
V
GS
= V
DS
, I
D
= 1毫安
I
D
= 1mA时， V
GS
= V
DS
V
GS
=
±20V,
V
DS
= 0V
V
GS
= 0V, V
DS
= 100V
V
GS
= 0V, V
DS
=最大额定值
V
GS
= 0V, V
DS
= 0.8最高评级
T
A
= 125°C
V
GS
= 4.5V, V
DS
= 25V
V
GS
= 10V, V
DS
= 25V
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 150毫安
V
GS
= 10V ，我
D
= 1.0A
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 150毫安
V
DS
= 25V ，我
D
= 200毫安
V
GS
= 0V, V
DS
= 25V ， F = 1MHz的
通态漏电流
静态漏 - 源
导通状态电阻
变化在研发
DS （ ON）
随温度
正向跨导
输入电容
共源输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
二极管的正向压降
反向恢复时间
0.6
1.2
8.0
7.0
1.0
150
110
60
23
20
15
25
25
1.8
300
V
ns
ns
pF
A
%/°C
m
开关波形和测试电路
10V
90%
输入
0V
脉冲
发电机
R
根
10%
t
（上）
t
（关闭）
t
r
t
D（关闭）
t
F
t
D（上）
V
DD
10%
10%
输入
产量
0V
90%
90%
2001 Supertex公司保留所有权利。未经授权擅自使用或复制禁止的。
2
1235年波尔多驱动，桑尼维尔， CA 94089
电话： （ 408 ） 744-0100 传真： （ 408 ） 222-4895
www.supertex.com
V
DD
V
DD
= 25V
I
D
= 150毫安
R
根
= 25
I
SD
=的200mA， V
GS
= 0V
I
SD
=的200mA， V
GS
= 0V
R
L
产量
D.U.T.
11/12/01
QQ：2880707522 复制
