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TPIC2322L
3通道的公共源型逻辑电平功率DMOS阵列
SLIS036A - 1994年6月 - 修订1994年10月
低R
DS ( ON)
. . . 0.6
典型值
高压输出。 。 。 60 V
脉冲电流。 。 。 2.25每通道
快换速度
直接逻辑电平接口
( TOP VIEW )
DRAIN1
GATE2
DRAIN2
DRAIN3
1
2
3
4
8
7
6
5
GATE1
来源/ GND
来源/ GND
GATE3
描述
该TPIC2322L是单片逻辑电平功率DMOS阵列,它由三个电气隔离的
配置有一个共同的源极和漏极开路的N沟道增强型DMOS晶体管。
该TPIC2322L提供了标准的8引脚小外形表面贴装(D )封装,其特征
工作在的情况下温度范围 - 40 ° C至125°C 。
概要
DRAIN1
1
Q1
GATE1
8
Z1
GATE2
2
Q2
Z2
GATE3
5
DRAIN2
3
Q3
Z3
DRAIN3
4
6, 7
源, GND
在工作温度范围内的绝对最大额定值(除非另有说明)
漏极至源极电压,V
DS
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60 V
栅极到GND电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 100 V
漏极至GND的电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 100 V
栅极 - 源极电压,V
GS
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
±
20 V
连续漏电流,每个输出上,T所有输出
C
= 25°C 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.75
连续源 - 漏极二极管的电流,T
C
= 25°C 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.75
脉冲漏极电流,每路输出,我
最大
, T
C
= 25 ° C(见注1和图15 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2.25
单脉冲雪崩能量E
AS
, T
C
= 25 ℃(参见图4) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 30.4兆焦耳
连续总功率耗散(或低于)T
C
= 25 ° C(见图15) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.95 W
工作结温范围,T
J
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至150℃
工作温度范围内,T
C
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至125°C
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
铅温度1.6毫米(1/16英寸)的距离的情况下为10秒。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 260℃
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只,和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
注1 :脉冲持续时间= 10毫秒,占空比= 2 % 。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
1994年,德州仪器
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TPIC2322L
3通道的公共源型逻辑电平功率DMOS阵列
SLIS036A - 1994年6月 - 修订1994年10月
电特性,T
C
= 25 ℃(除非另有说明)
参数
V( BR ) DSX
VGS ( TH)
V( BR )
VDS (上)
VF ( SD )
IDSS
IGSSF
IGSSR
ILKG
漏极至源极击穿电压
栅极 - 源极阈值电压
反向漏到地击穿电压
漏极至源极导通状态电压
前的导通状态的电压,源极 - 漏极
零栅极电压漏电流
正向栅电流,漏短路到源代码
反向栅极电流,漏短路到源代码
泄漏电流,漏极至GND
测试条件
ID = 250
A,
ID = 1毫安,
参见图5
VGS = 0
VDS = VGS ,
60
1.5
100
0.45
0.85
0.05
0.5
10
10
0.05
0.5
0.6
0.94
0.75
0.9
115
VDS = 25 V ,
F = 1MHz时,
VGS = 0时,
见图11
60
30
145
75
40
pF
0.53
1
1
10
100
100
1
10
0.7
TC = 125°C
1
S
1.85
2.2
典型值
最大
单位
V
V
V
V
V
A
A
nA
nA
A
A
漏极至GND的电流= 250
A
ID = 0.75 ,
见注2和3
VGS = 5V ,
IS = 0.75 ,
VGS = 0
见注2和3以及图12
VDS = 48 V ,
VGS = 0
VGS = 16 V ,
VSG = 16 V ,
VDGND = 48 V
VGS = 5V ,
ID = 0.75 ,
见注2和3
图6和图7
TC = 25°C
TC = 125°C
VDS = 0
VDS = 0
TC = 25°C
TC = 125°C
TC = 25°C
RDS ( ON)
静态漏 - 源极导通电阻
政府飞行服务队
西塞
科斯
CRSS
正向跨导
短路的输入电容,公共源极
短路输出电容,公共源极
短路反向传输电容,
常见的来源
VDS = 15 V ,
ID = 0.5 A ,
见注2和3以及图9
注: 2.技术应该限制TJ - TC至10 ° C(最大值) 。
3.这些参数测量电压感测触点分开的通电接点。
源 - 漏二极管特性,T
C
= 25 ℃(见示意图)
参数
TRR
QRR
反向恢复时间
共有二极管充电
测试条件
IF = 0.375 A,
的di / dt = 100 A / μs的,
VDS = 48 V ,
参见图1和14
典型值
85
0.19
最大
单位
ns
C
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TPIC2322L
3通道的公共源型逻辑电平功率DMOS阵列
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阻性负载开关特性,T
C
= 25°C
参数
TD (上)
TD (关闭)
tr
tf
Qg
QGS (日)
QGD
LD
LS
Rg
导通延迟时间
打开-O FF延迟时间
上升时间
下降时间
总栅极电荷
阈值的栅 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
内部排水电感
内部源极电感
内部栅极电阻
VDS = 48 V ,
见图3
ID = 0.375 A,
VGS = 5V ,
VDD = 25 V ,
TDIS = 10纳秒,
RL = 67
,
见图2
10 = 10纳秒,
测试条件
典型值
21
26
14
13
1.8
0.4
1.1
5
5
0.25
nH
最大
42
52
28
26
2.3
0.5
1.4
nC
ns
单位
热阻
参数
R
θJA
R
θJP
结至环境热阻,
见注4
结对引脚热阻
测试条件
与同等功率输出的所有
典型值
130
44
最大
单位
°C/
W
°C/
W
注4 :包安装在一FR4印刷电路板没有散热片。
参数测量信息
1.5
VDS = 48 V
VGS = 0 V
TJ = 25°C
Z1,Z2和Z3
1
I S - 源极到漏极二极管电流 - 一个
0.5
相反的di / dt = 100 A / μs的
0
0.5
IRM 25%
阴影面积= QRR
1
1.5
2
IRM
0
50
TRR ( SD )
2.5
200 250 300
吨 - 时间 - NS
IRM =最大恢复电流
100
150
350
400
450
500
图1.反向恢复电流源极到漏极二极管波形
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TPIC2322L
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SLIS036A - 1994年6月 - 修订1994年10月
参数测量信息
VDD = 25 V
TEN
VGS
VGS
DUT
RGEN
50
50
TD (上)
CL = 30 pF的
(见注一)
VDS
电压波形
测试电路
注一: CL包括探针和夹具电容。
tf
0V
TD (关闭)
tr
VDD
VDS (上)
TDI发动机
5V
RL
脉冲发生器
VDS
图2.电阻开关测试电路和电压波形
当前
调节器
12-V
电池
0.2
F
50 k
0.3
F
VDS
IG = 1
A
DUT
VDD
VGS
栅极电压
时间
IG电流 -
取样电阻
测试电路
ID电流 -
取样电阻
电压波形
同一类型
作为DUT
Qg
5V
QGS (日)
QGD
0
图3.栅极电荷测试电路和电压波形
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TPIC2322L
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SLIS036A - 1994年6月 - 修订1994年10月
参数测量信息
VDD = 25 V
tw
7毫亨
脉冲发生器
(见注一)
50
RGEN
50
VDS
VDS
VGS
0V
ID
IAS
(见注B)
0V
V( BR ) DSX = 60 V最小
TAV
5V
ID
VGS
DUT
0V
电压和电流波形
测试电路
注:A脉冲发生器具有以下特点:痕量
10纳秒, TF
10 NS, ZO = 50
.
B.输入脉冲宽度( TW )增加至峰值电流IAS = 2.25 A.
I
V
吨AV
AS
( BR ) DSX
能量检测水平定义为E
+
+
30.4兆焦耳。
AS
2
图4.单脉冲雪崩能量测试电路和波形
典型特征
栅极 - 源极阈值电压
vs
结温
VGS ( TH) - 栅 - 源阈值电压 - V
2.5
VDS = VGS
2
ID = 1毫安
R DS(ON ) - 静态漏 - 源
1.2
导通状态电阻 -
静态漏 - 源极导通电阻
vs
结温
1.5
ID = 0.75
1.5
ID = 100
A
0.9
VGS = 4.5 V
VGS = 5V
1
0.6
0.5
0.3
0
40 20
20 40 60 80 100 120 140 160
TJ - 结温 -
°C
0
0
40 20
0
20 40 60 80 100 120 140 160
TJ - 结温 -
°C
图5
图6
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