TZM系列
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威世半导体
小信号齐纳二极管
特点
非常尖锐的反向特性
低反向电流水平
非常高的稳定性
- 低噪声
TZMC - V
Z
- 容差± 5 %
TZMB - V
Z
- 容差± 2 %
AEC- Q101标准
材料分类:为符合定义
请参阅
www.vishay.com/doc?99912
单位
V
mA
主要特征
参数
V
Z
范围NOM 。
测试电流I
ZT
V
Z
规范
诠释。施工
价值
2.4 75
2.5; 5
脉冲电流
单身
应用
电压稳定
订购信息
设备名称
TZM系列
TZM系列
订购代码
TZM-series-GS18
TZM-series-GS08
每卷胶带单位
10 000( 13"上排8毫米磁带)
2500 (上7"卷轴8mm带)
最小起订量
10 000 /盒
12 500 /盒
包
包名称
MiniMELF SOD- 80
重量
31毫克
模塑料
可燃性等级
符合UL 94 V -0
湿气敏感度
水平
MSL等级1
(根据J- STD- 020 )
焊接
条件
260 ℃/ 10秒,在终端
绝对最大额定值
(T
AMB
= 25 ℃,除非另有规定)
参数
功耗
齐纳电流
结到环境空气
结温
存储温度范围
正向电压(最大)
I
F
= 200毫安
在PC板50毫米×50毫米× 1.6毫米
测试条件
R
thJA
300 K / W
符号
P
合计
I
Z
R
thJA
T
j
T
英镑
V
F
价值
500
P
合计
/V
Z
500
175
- 65 + 175
1.5
单位
mW
mA
K / W
°C
°C
V
修订版1.6 , 22 - Nov12
文档编号: 84122
1
您所在区域内的技术问题:
DiodesAmericas@vishay.com , DiodesAsia@vishay.com , DiodesEurope@vishay.com
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受到特定的免责声明,阐明的AT
www.vishay.com/doc?91000
TZM系列
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威世半导体
温度
对COEF网络cient
齐纳电压
TK
VZ
%/K
典型值。
& LT ; 600
& LT ; 600
& LT ; 600
& LT ; 600
& LT ; 600
& LT ; 600
& LT ; 600
& LT ; 600
& LT ; 550
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& LT ; 50
& LT ; 50
& LT ; 50
< 70
< 70
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< 110
< 110
< 170
< 170
< 220
< 220
< 220
< 220
< 220
< 220
< 220
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& LT ; 600
& LT ; 700
& LT ; 700
& LT ; 1000
& LT ; 1000
& LT ; 1000
& LT ; 1500
分钟。
- 0.09
- 0.09
- 0.08
- 0.08
- 0.08
- 0.08
- 0.06
- 0.05
- 0.02
- 0.05
0.03
0.03
0.03
0.03
0.03
0.03
0.03
0.03
0.03
0.03
0.03
0.03
0.03
0.04
0.04
0.04
0.04
0.04
0.04
0.04
0.04
0.04
0.04
0.04
0.04
0.04
0.04
马克斯。
- 0.06
- 0.06
- 0.05
- 0.05
- 0.05
- 0.05
- 0.03
0.02
0.02
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0.07
0.07
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0.11
0.11
0.11
0.11
0.11
0.11
0.12
0,12
0.12
0.12
0.12
0.12
0.12
0.12
0.12
0.12
0.12
0.12
0.12
0.12
电气特性
(T
AMB
= 25 ℃,除非另有规定)
齐纳电压
范围
产品型号
V
Z
在我
ZT1
V
分钟。
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TZMC2V7
TZMC3V0
TZMC3V3
TZMC3V6
TZMC3V9
TZMC4V3
TZMC4V7
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TZMC5V6
TZMC6V2
TZMC6V8
TZMC7V5
TZMC8V2
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TZMC15
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TZMC22
TZMC24
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TZMC36
TZMC39
TZMC43
TZMC47
TZMC51
TZMC56
TZMC62
TZMC68
TZMC75
2.28
2.5
2.8
3.1
3.4
3.7
4
4.4
4.8
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5.8
6.4
7
7.7
8.5
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10.4
11.4
12.4
13.8
15.3
16.8
18.8
20.8
22.8
25.1
28
31
34
37
40
44
48
52
58
64
70
喃。马克斯。
2.4
2.7
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
2.56
2.9
3.2
3.5
3.8
4.1
4.6
5
5.4
6
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14.1
15.6
17.1
19.1
21.2
23.3
25.6
28.9
32
35
38
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54
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5
5
5
5
5
5
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5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
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<2
<2
<2
<1
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& LT ; 0.1
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1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
2
3
5
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
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& LT ; 50
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<2
<2
<2
<2
<2
<2
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<2
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<2
<2
<2
<2
<2
<2
<2
<2
<2
<5
<5
<5
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& LT ; 10
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1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
2
3
5
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
测试电流
I
ZT1
mA
I
ZT2
反向漏
当前
I
R
在V
R
μA
V
I
R (1)
在V
R
μA
V
典型值。
< 85
< 85
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& LT ; 90
& LT ; 90
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< 60
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<8
<7
<7
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< 26
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& LT ; 55
< 80
< 80
< 80
< 80
< 80
& LT ; 90
& LT ; 90
< 110
& LT ; 125
& LT ; 135
& LT ; 150
& LT ; 200
& LT ; 250
动态
阻力
Z
Z
在我
ZT1
Z
ZK
在我
ZT2
笔记
电压组TZMC9V1到TZMC75附加的测量,我
R
在95 %的V
ZMIN 。
35 nA的在T
j
= 25 °C
(1)
在T = 150℃
j
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TZM系列
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威世半导体
温度
对COEF网络cient
齐纳电压
TK
VZ
%/K
典型值。
& LT ; 600
& LT ; 600
& LT ; 600
& LT ; 600
& LT ; 600
& LT ; 600
& LT ; 600
& LT ; 600
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< 110
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< 170
< 220
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< 220
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< 220
< 220
< 220
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& LT ; 700
& LT ; 1000
& LT ; 1000
& LT ; 1000
& LT ; 1500
分钟。
- 0.09
- 0.09
- 0.08
- 0.08
- 0.08
- 0.08
- 0.06
- 0.05
- 0.02
- 0.05
0.03
0.03
0.03
0.03
0.03
0.03
0.03
0.03
0.03
0.03
0.03
0.03
0.03
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0.04
0.04
0.04
0.04
0.04
0.04
0.04
0.04
0.04
0.04
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0.04
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马克斯。
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- 0.05
- 0.05
- 0.03
0.02
0.02
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0.07
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0.11
0.11
0.11
0.11
0.11
0.11
0.12
0,12
0.12
0.12
0.12
0.12
0.12
0.12
0.12
0.12
0.12
0.12
0.12
0.12
电气特性
(T
AMB
= 25 ℃,除非另有规定)
齐纳电压
范围
产品型号
V
Z
在我
ZT1
V
分钟。
TZMB2V4
TZMB2V7
TZMB3V0
TZMB3V3
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TZMB3V9
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TZMB22
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TZMB56
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50
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73.5
喃。马克斯。
2.4
2.7
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3.6
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4.7
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5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
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3.36
3.68
3.98
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16.3
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52
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5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
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1
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1
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0.5
0.5
0.5
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43
47
51
56
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<2
<2
<2
<2
<2
<2
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<2
<2
<2
<2
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<2
<2
<2
<2
<2
<2
<2
<2
<5
<5
<5
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18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
测试电流
I
ZT1
mA
I
ZT2
反向漏
当前
I
R
在V
R
μA
V
I
R (1)
在V
R
μA
V
典型值。
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< 85
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<7
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< 80
< 80
< 80
< 80
& LT ; 90
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& LT ; 250
动态
阻力
Z
Z
在我
ZT1
Z
ZK
在我
ZT2
笔记
电压组TZMB9V1到TZMB75附加的测量,我
R
在95 %的V
ZMIN 。
35 nA的在T
j
= 25 °C
(1)
在T = 150℃
j
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基本特征
(T
AMB
= 25 ℃,除非另有规定)
600
500
400
300
200
100
0
0
95 9602
威世半导体
P
合计
- 总功率耗散( mW)的
15
TK
VZ
- 温度系数
of
V
Z
(10
-4
/K)
10
5
I
Z
= 5毫安
0
-5
80
120
160
40
T
AMB
- 环境温度( ° C)
200
95 9600
0
10
20
30
40
50
V
Z
- z - 电压(V)
图。 1 -
总功率耗散与环境温度
图。 4 -
V温度COEF网络cient
Z
与Z-电压
1000
200
T
j
= 25 °C
100
C
D
- 二极管电容(pF )
V
Z
-
电压
CHANGE (MV )
150
V
R
= 2
V
T
j
= 25 °C
100
I
Z
= 5毫安
10
50
1
0
95 9598
0
5
10
15
20
25
95 9601
0
5
10
15
20
25
V
Z
- z - 电压(V)
V
Z
- z - 电压(V)
图。 2 -
工作电压下工作的典型变化
在T条件
AMB
= 25 °C
图。 5 -
二极管电容与Z-电压
1.3
100
V
ZTN
- 相对电压变化
V
ZTN
= V
Zt
/V
Z
(25 °C)
I
F
- 正向电流(mA )
1.2
TK
VZ
= 10 x 10
-4
/K
8 x 10
-4
/K
6 x 10
-4
/K
4 x 10
-4
/K
2 x 10
-4
/K
10
1.1
1
T
j
= 25 °C
1.0
0.9
0
- 2×10 / K的
- 4 x 10
-4
/K
-4
0.1
0.01
0.8
- 60
95 9599
0.001
0
60
120
180
240
95 9605
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
T
j
- 结温( ° C)
V
F
- 前进
电压
(V)
图。 3 -
工作电压与典型的变化
结温
图。 6 -
正向电流与正向电压
修订版1.6 , 22 - Nov12
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威世半导体
1000
100
80
r
Z
- 微分Z-电阻(Ω )
I
Z
- Z-电流(mA )
P
合计
= 500毫瓦
T
AMB
= 25 °C
60
I
Z
= 1毫安
100
5毫安
10 10毫安
40
20
0
0
95 9604
1
4
6
8
12
20
95 9606
T
j
= 25 °C
0
5
10
15
20
25
V
Z
- z - 电压(V)
V
Z
- z - 电压(V)
图。 7 -
Z-电流与Z-电压
图。 9 -
差分Z-电阻与Z-电压
50
P
合计
= 500毫瓦
T
AMB
= 25 °C
40
I
Z
- Z-电流(mA )
30
20
10
0
15
95 9607
20
25
30
35
V
Z
- z - 电压(V)
图。 8 -
Z-电流与Z-电压
Z
THP
- 脉冲电导率热阻。 (K / W)
1000
t
p
/T = 0.5
100
t
p
/T = 0.2
单脉冲
R
thJA
= 300°K / W的
T = T
j max的情况。
- T
AMB
t
p
/T = 0.01
t
p
/T = 0.1
t
p
/T = 0.02
i
ZM
= (-
V
Z
+ (V
Z2
+ 4r
zj
x深/ Z
THP
)
1/2
)/(2r
zj
)
t
p
/T = 0.05
10
1
10
-1
10
0
10
1
t
p
- 脉冲宽度(毫秒)
10
2
95 9603
图。 10 -
热响应
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