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THMC10
远端/本地温度监测
带有SMBus接口
SLIS089 - 1999年12月
D
D
D
D
D
D
D
双线SMBus串行接口
片上和外部连接成二极管
晶体管的温度监控
±2.5°C
对于片上精度
±3°C
外部精度
可编程欠压/过温
范围
欠压/过温中断信号
主机控制器
低工作电流。 。 。 35
A
(平均)
低待机电流。 。 。 3
A
3 V至3.6 V电源电压范围
SSOP封装DBQ
( TOP VIEW )
N / C
V
DD
DXP
DXN
N / C
ADD1
GND
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
THMC10
16
15
14
13
12
11
10
9
N / C
STBY
SCLK
N / C
SDATA
警报
ADD0
N / C
描述
该THMC10是一个双数字温度监测器与下/超温警报旨在用于
个人计算机系统或需要本地任何其他系统以及远程温度监测和
管理(例如,服务器和工作站) 。该器件可在智能电池应用中使用,并
内存模块。本设备被设计用来测量在微处理器上的温度
在微处理器芯片连接成二极管的晶体管,如1存在于英特尔
奔腾
II, III,
和太阳
的UltraSPARC 。该装置还可以用低成本使用,二极管连接的,离散晶体管,
如2N3904 2N3906或为远程温度检测应用。
该THMC10使用两电流测量技术在单个二极管连接的晶体管是取消
远程晶体管V的绝对值
BE
;因此,不需要进行校准。第二通道
测量芯片上的温度传感器可用于监测环境温度,在
THMC10的经营环境。
该THMC10使用两线, SMBus接口来报告温度在8位,二进制补码格式中
°C.
下/过温为片上和远程温度传感器限值是通过用户可编程
SMBus接口。该ALERT终端可以用作一个中断或SMBus报警功能,以指示
下/过温。在STBY终端和
START / STOP
在SMBus接口位允许该设备
进入低电流待机模式(典型<10
A).
该THMC10还通过ALERT终端和SMBus接口的开放式远程诊断提供
传感器连接,或者如果传感器连接被短路到V
DD.
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
Intel和Pentium是Intel Corporation的注册商标。
太阳是注册商标和UltraSPARC是Sun Microsystems公司的商标。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
1999年,德州仪器
邮政信箱655303
达拉斯,德克萨斯州75265
1
THMC10
远端/本地温度监测
带有SMBus接口
SLIS089 - 1999年12月
原理图/方框图
VDD
上电
明确
所有的寄存器
单稳
注册
地址指针
注册
自动采集
率寄存器
下限
比较
当地气温
注册
8位A / D
变流器
下限
注册
上限
注册
下限
注册
上限
注册
CON组fi guration
注册
状态
注册
打断
掩蔽
片上
温度
传感器
上限
比较
DXP
DXN
类似物
MUX
下限
比较
远程TEMP
注册
上限
比较
STBY
警报
SMBus接口
GND
SDATA
SCLK
ADD0
ADD1
2
邮政信箱655303
达拉斯,德克萨斯州75265
THMC10
远端/本地温度监测
带有SMBus接口
SLIS089 - 1999年12月
终端功能
终奌站
名字
ADD0
ADD1
警报
DXN
DXP
GND
N / C
SCLK
SDATA
STBY
VDD
10
6
11
4
3
7, 8
1, 5, 9,
13, 16
14
12
15
2
I / O
I
I
O
I / O
I / O
I
N / C
I
I / O
I
I
描述
SMBus的地址选择端0 (注:过量的电容这个终端上可能会造成的SMBus地址
识别问题。 )
SMBus的地址选择端1 (注:过量的电容这个终端上可能会造成的SMBus地址
识别问题。 )
积极低温中断信号
电流吸收外部二极管连接的晶体管和A / D负输入(不要离开,如果没有外部浮动
二极管使用 - 应连接到GND) 。
电流源为外部二极管连接的晶体管和A / D正输入
IC地面
无连接
SMBus串行时钟输入端 - 时钟信号的SMBus串行数据
SMBus串行数据I / O端子 - 串行数据的I / O的SMBus
有源低待机模式输入
IC电源电压 - 应与外部0.1脱钩
F
电容
在工作情况下的绝对最大额定值(见注1 ), (除非另有说明)
V :在输入电压
DD
电源端,V
( DDIN )
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V至6 V
I / O端子,V
( IOIN )
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V到V
DD
+ 0.3 V
SMBus的终端,V
( SMBIN )
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V至6 V
DXN端,V
( DXN )
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V至0.8 V
SMBus输入/输出电流,I
( SMBIN )
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -1毫安到50mA
DXN输入电流,I
( DXN )
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -1毫安至1 mA
连续功率耗散,P
D
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 330毫瓦
工作温度范围内,T
C
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55 ° C至125°C
贮藏温度,T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65℃至165℃
结温,T
J
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150°C
引线温度(焊接, 10秒) ,T
(铅)
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300°C
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只,和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
注1 :所有的电压值是相对于GND 。
推荐工作条件
电源电压(VDD)
SMBus输入高电压, VIH
SMBus输入低电压, VIL
SMBus的运行频率f (SCLK)
工作环境温度, TA
10
0
3
2.2
0.8
100
85
最大
3.6
单位
V
V
V
千赫
°C
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达拉斯,德克萨斯州75265
3
THMC10
远端/本地温度监测
带有SMBus接口
SLIS089 - 1999年12月
直流电气特性,V
DD
= 3.3 V ,T
A
= 25 ℃(除非另有说明)
A / D和供应
参数
T( RES )
T(ERR1)
T(ERR2)
V( UVLOCK )
V( POR )
温度分辨率
从最初的内部温度误差
二极管
来自外部的初始温度误差
二极管(见注2 )
欠压锁定电压
上电复位阈值
测试条件
无漏码
TA = 60 ℃至100 ℃的
TA =全系列
TA = 60 ℃至100 ℃的
TA =全系列
VDD输入,禁止采集,上升沿
在VDD输入,下降沿
被迫VDD或GND逻辑输入,
待机模式下, SMBus是静态的
被迫VDD或GND逻辑输入,
待机模式下, SCLK = 10千赫
慢自动AQUIRE率(0.25样本/秒)
快速自动AQUIRE速率( 2个样本/秒)
1
–2
–3
–2.5
–3.5
2.65
1
2.8
2.25
3
4
40
45
0.7
STBY = 0, DXP = DXN = 0
瞬时上电
DXP = 1.5 V,高水平
DXP = 1.5 V,低电平
DXP
35
100
10
9.7
10
10.2
2
100
70
180
V
A
A
A
2
3
2.5
3.5
2.95
2.5
10
典型值
最大
单位
°C
°C
°C
V
V
A
A
A
我( DD , STANDBY )
( DD STANDBY )
VDD待机电源电流
国际直拨电话
V(D , SOURCE )
我( DLEAK )
我(ADD , BIAS )
我(二极管)
我( RATIO )
VDD工作电源电流(平均值
在自动采集岁4秒
自动获取
模式)
德信源电压
DXP和DXN漏电流
添加{ 0 : 1 }偏置电流
二极管电流源
二极管光源流动比率
BE
+
N·K [ LN( 10 ) ]
*
273
q
+
1.5 V,
高层
低层
注2 :
根据T(℃ )
哪里
D
V
q = 1.6
×
10–19
n = 1.0085
k = 1.38
×
10–23
(负责人)
(二极管理想因子)
(玻尔兹曼常数)
SMBUS
参数
VIH
VIL
IOL1
IOL2
II
输入高电压
输入低电压
SMBus的输出低电平电流
ALERT输出低电平电流
SMBus输入电流
SDATA = 0.6 V
ALERT = 0.4 V
6
1
–1
1
测试条件
2.2
0.8
典型值
最大
单位
V
V
mA
mA
A
4
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THMC10
远端/本地温度监测
带有SMBus接口
SLIS089 - 1999年12月
AC电气特性,V
DD
= 3.3 V ,T
A
= 25 ℃(除非另有说明)
A / D和供应
参数
T( CONV )
单次转换时间
采集准确率
测试条件
由SMBus停止位到下一个拍摄模式
转换完成(两个通道)
自动AQUIRE模式
–25%
典型值
12
25%
最大
单位
ms
SMBUS
参数
F( SCLK)
T( BUF )
T( HDSTA )
T( SUSTA )
T( SUSTO )
T( HDDAT )
T( SUDAT )
T( LOW )
T(高)
T( LOWSEXT )
T( LOWMEXT )
tF
tR
SCLK工作频率
停止和启动条件之间的总线空闲时间
保持时间后(重复)启动条件。在此期限之后,在
产生第一个时钟
重复启动条件建立时间
停止条件的建立时间
数据保持时间
数据建立时间
SCLK时钟低电平时间
SCLK时钟高电平期间
累计时钟低电平延长时间(从设备)
累计时钟低电平延长时间(主设备)
时钟/数据下降时间
时钟/数据上升时间
测试条件
见图1
见图1
见图1
见图1
见图1
见图1
见图1
见图1
见图1
见图1
见图1
见图1
见图1
10
4.7
4
4.7
4
300
250
4.7
4
50
25
10
300
1000
典型值
最大
100
单位
千赫
s
s
s
s
ns
ns
s
s
ms
ms
ns
ns
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    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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