–
TE
TN2101
唯一
- OB
低门槛
N沟道增强模式
垂直的DMOS场效应管
订购信息
BV
DSS
/
BV
DGS
15V
R
DS （ ON）
（最大）
7.0
V
GS （ TH）
（最大）
1.0V
订单号码/套餐
TO-236AB*
TN2101K1
DIE
TN2101ND
产品标识为SOT- 23 ：
N1U
哪里
= 2个星期的α-日期代码
*同SOT- 23 。各单位出货3000片载带卷盘。
7
特点
无二次击穿
低功耗驱动要求
易于并联的
低C
国际空间站
和快速开关速度
优良的热稳定性
积分源极 - 漏极二极管
高输入阻抗和高增益
互补N和P沟道器件
先进的DMOS技术
这些增强模式（常关）晶体管采用一
垂直的DMOS结构和Supertex公司的成熟的硅栅
制造工艺。这种结合产生器件与
双极晶体管和与所述功率处理能力
高输入阻抗和正温度系数inher-
耳鼻喉科的MOS器件。所有MOS结构的特征，这些
设备不受热失控和热致
二次击穿。
Supertex公司的垂直DMOS场效应管非常适用于范围广泛
开关和放大应用的高击穿
电压，高输入阻抗，低输入电容，并快速
开关速度是期望的。
应用
逻辑电平接口 - 适合TTL和CMOS
固态继电器
电池供电系统
光伏驱动器
模拟开关
通用线路驱动器
电信交换机
漏
封装选项
绝对最大额定值
漏极至源极电压
漏极至栅极电压
栅极 - 源极电压
工作和存储温度
焊接温度*
*
1.6毫米的情况下10秒的距离。
BV
DSS
BV
DGS
±15V
-55 ° C至+ 150°C
300°C
门
来源
TO-236AB
(SOT-23)
顶视图
注：请参阅尺寸封装外形部分。
7-67
TN2101
热特性
包
TO-236AB
I
D
（连续） *
0.17A
I
D
（脉冲的）
0.8A
功耗
@ T
A
= 25
°
C
0.36W
θ
jc
°
C / W
200
θ
ja
°
C / W
350
I
DR
*
0.17A
I
DRM
0.8A
*
I
D
（续）由最大限制额定牛逼
j
.
TE -
唯一
- OB
电气特性
（ 25°C ，除非另有规定）
民
15
0.5
1.0
-5.5
100
10
1.0
I
D（上）
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
G
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
t
rr
通态漏电流
静态漏 - 源
导通状态电阻
变化在研发
DS （ ON）
随温度
正向跨导
输入电容
共源输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
二极管的正向压降
反向恢复时间
100
50
110
60
35
5
15
15
25
1.8
V
ns
ns
pF
60
50
7.0
0.75
典型值
最大
单位
V
V
毫伏/°C的
nA
A
mA
mA
%/°C
m
符号
BV
DSS
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
参数
漏极至源极击穿电压
栅极阈值电压
改变V
GS （ TH）
随温度
门体漏
零栅极电压漏极电流
条件
I
D
= 1mA时， V
GS
= 0V
V
GS
= V
DS
, I
D
= 1毫安
I
D
= 1mA时， V
GS
= V
DS
V
GS
=
±15V,
V
DS
= 0V
V
GS
= 0V, V
DS
=最大额定值
V
GS
= 0V, V
DS
= 0.8最高评级
T
A
= 125°C
V
GS
= 3.0, V
DS
= 15V
V
GS
= 1.2V ，我
D
= 2.0毫安
V
GS
= 3V ，我
D
= 50毫安
I
D
= 50mA时V
GS
= 3V
V
DS
= 3V ，我
D
= 50毫安
V
GS
= 0V, V
DS
= 15V ， F = 1MHz的
注意事项：
1.所有的DC参数，除非另有说明， 100％在25℃下进行测试。 （脉冲测试： 300μS脉冲， 2 ％的占空比）。
2.所有参数交流采样测试。
开关波形和测试电路
V
DD
10V
90%
输入
0V
脉冲
发电机
R
根
10%
t
（上）
t
（关闭）
t
r
t
D（关闭）
t
F
t
D（上）
V
DD
10%
10%
输入
产量
0V
90%
90%
7-68
V
DD
= 15V
I
D
= 50毫安
R
根
= 25
I
SD
= 50mA时V
GS
= 0V
I
SD
= 50mA时V
GS
= 0V
R
L
产量
D.U.T.
QQ：2881677436 复制
