TMS416409A ， TMS417409A ， TMS426409A ， TMS427409A
4194304 4位扩展数据输出
动态随机存取存储器
SMKS893B - 1996年8月 - 修订1997年4月
手术
扩展数据输出
扩展数据输出（EDO ）允许高达50兆赫50纳秒的设备的数据输出速率。当保持相同的
行地址，同时随机选择地址栏，时间为行地址建立和保持和地址
多路复用被消除。列的可访问用t确定的最大数目
RASP
中，
最大RAS低的时间。
扩展数据输出不会在/数据数据输出引脚（ DQ管脚）放入与该高阻抗状态
中科院上升边缘。输出仍然有效的系统来锁存数据。后CAS号变高时，在DRAM
解码的下一个地址。 OE和W能够控制输出阻抗。 OE和W的描述，进一步
解释EDO运营效益。
地址： A0 - A11 （ TMS416409A和TMS426409A ）和A0 - A10 （ TMS417409A和TMS427409A ）
二十二个地址位的解码需要每个4 194 304的存储单元位置。对于
TMS416409A和TMS426409A ， 12行的地址位被设置在A0到A11和锁存到芯片
由行地址选通（ RAS）的。十列地址位通过A9成立A0 。对于TMS417409A
和TMS427409A ， 11行地址位都设置在输入A0到A10和锁存到由RAS芯片。
十一列地址位A10通过设立A0 。所有的地址必须是稳定的或下落之前
RAS和CAS的优势。 RAS类似于一个芯片使能，因为它激活的读出放大器，以及
行解码器。 CAS号被用作芯片选择，激活输出缓冲器和锁存地址位进
列地址缓冲器。
输出使能（ OE ）
OE控制所述输出缓冲器的阻抗。而CAS和RAS低， W为高， OE可以带来
低或高和有效的数据和高阻抗之间的DQ过渡（参见图8） 。有两种
方法放置的DQ进入高阻抗状态，并保持在CAS的时候那个状态。
第一种方法是过渡OE高之前CAS变高，并保持OE为高电平吨
CHO
（保持时间， OE
从CAS）过去CAS过渡。这将禁用DQS和他们保持禁用状态，无论OE ，直到CAS
再次下降。第二种方法是使参考低至CAS号转换为高。然后， OE脉冲可以为高一
最小的t
OEP
（预充电时间， OE）在CAS的时候随时随地，能进一步DQS的考虑
转换的OE CAS之前，再次跌倒（见图8） 。
写使能（W）的
读或写模式是通过W.选择的逻辑高电平W上选择读模式，并且一个逻辑低选择
写入模式。的数据输入被禁止时被选择的读出模式。当W去之前， CAS低
（早期写） ，数据输出保持在整个周期上的高阻抗状态时，允许写操作与
OE接地。当w变低的一个扩展数据输出读取周期中， DQS的被禁用，只要CAS高
（参见图9） 。
数据/数据输出（ DQ1 - DQ4 ）
数据写过程中被写入或读出 - 修改 - 写周期。取决于操作模式，该后来落下
CAS号或W选通数据到片上数据的边缘与安装闩锁和保持参照的存货边缘倍。
DQS的驱动有效数据符合所有访问时间后仍然有效，除非在W描述的情况下，
和OE的部分。
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