TCST110 。达TCST230 。
威世德律风根
典型特征
(T
AMB
= 25
_
C，除非另有规定）
400
P
合计
- 总功率耗散（ mW）的
10000
I
首席执行官
- 集电极暗电流，
与开基（ NA）
V
CE
=25V
I
F
=0
300
电荷耦合器件
200
PHOTOTRANSISTOR
100
红外二极管
1000
100
10
0
0
95 11088
1
30
60
90
120
150
95 11090
0
25
50
75
100
T
AMB
- 环境温度（
°C
)
T
AMB
- 环境温度（
°C
)
图3.总功耗对比
环境温度
1000.0
图6.集电极暗电流与环境温度
10.000
V
CE
=5V
I
F
- 正向电流（mA ）
100.0
I
C
- 集电极电流（mA ）
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
V
F
- 正向电压（ V）
1.000
10.0
0.100
1.0
0.010
0.1
96 11862
0.001
0.1
96 12066
1.0
10.0
100.0
I
F
- 正向电流（mA ）
图4.正向电流与正向电压
CTR
REL
- 相对电流传输比
2.0
图7.集电极电流与正向电流
10.00
I
C
- 集电极电流（mA ）
V
CE
=5V
I
F
=20mA
1.5
I
F
=50mA
20mA
1.00
10mA
5mA
2mA
1.0
0.10
1mA
0.5
0
–25
95 11089
0
25
50
75
100
0.01
0.1
96 12067
1.0
10.0
100.0
T
AMB
- 环境温度（
°C
)
V
CE
- 集电极发射极电压（V ）
图5.相对电流传输比主场迎战
环境温度
文档编号83764
牧师A5 ， 08军， 99
图8.集电极电流与集电极发射极电压
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5 (9)
TCST110 。达TCST230 。
威世德律风根
典型特征
(T
AMB
= 25
_
C，除非另有规定）
400
P
合计
- 总功率耗散（ mW）的
10000
I
首席执行官
- 集电极暗电流，
与开基（ NA）
V
CE
=25V
I
F
=0
300
电荷耦合器件
200
PHOTOTRANSISTOR
100
红外二极管
1000
100
10
0
0
95 11088
1
30
60
90
120
150
95 11090
0
25
50
75
100
T
AMB
- 环境温度（
°C
)
T
AMB
- 环境温度（
°C
)
图3.总功耗对比
环境温度
1000.0
图6.集电极暗电流与环境温度
10.000
V
CE
=5V
I
F
- 正向电流（mA ）
100.0
I
C
- 集电极电流（mA ）
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
V
F
- 正向电压（ V）
1.000
10.0
0.100
1.0
0.010
0.1
96 11862
0.001
0.1
96 12066
1.0
10.0
100.0
I
F
- 正向电流（mA ）
图4.正向电流与正向电压
CTR
REL
- 相对电流传输比
2.0
图7.集电极电流与正向电流
10.00
I
C
- 集电极电流（mA ）
V
CE
=5V
I
F
=20mA
1.5
I
F
=50mA
20mA
1.00
10mA
5mA
2mA
1.0
0.10
1mA
0.5
0
–25
95 11089
0
25
50
75
100
0.01
0.1
96 12067
1.0
10.0
100.0
T
AMB
- 环境温度（
°C
)
V
CE
- 集电极发射极电压（V ）
图5.相对电流传输比主场迎战
环境温度
文档编号83764
牧师A5 ， 08军， 99
图8.集电极电流与集电极发射极电压
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5 (9)
TCST1103/1202/1300/2103/2202/2300
威世半导体
透射光学传感器，具有光电晶体管输出
描述
该TCST1103 /一千三百分之一千二百〇二/二千二百〇二分之二千一百〇三/ 2300顷
透射式传感器，其包括一个红外线发射器
和光电晶体管，位于面到面的opti-
卡尔的含铅封装，可见块轴
光。这些部件号包括光圈选项
宽度和安装法兰。
B)
A)
顶视图
+
D
E
+
7.6
0.3”
特点
包装类型：含铅
探测器类型：光电晶体管
尺寸封装答：
e4
L 11.9毫米x宽6.3毫米x高10.8毫米
尺寸B包：
L 24.5毫米x宽6.3毫米x高10.8毫米
间隙： 3.1毫米
测试的典型输出电流：I
C
= 4毫安
(TCST1103/2103)
测试的典型输出电流：I
C
= 2毫安
(TCST1202/2202)
测试的典型输出电流：I
C
- 0.5毫安
(TCST1300/2300)
19180
日光阻断滤波器
发射波长为950nm
无铅（ Pb）焊接发布
铅（Pb）按照RoHS -free组件
2002/95 / EC和WEEE 2002/96 / EC
应用
光开关
光遮断器
计数器
编码器
为了说明
产品型号
TCST1103
TCST1202
TCST1300
TCST2103
TCST2202
TCST2300
备注
如果没有安装法兰
A)
如果没有安装法兰
A)
如果没有安装法兰
A)
与安装法兰
B)
与安装法兰
B)
与安装法兰
B)
分辨率，光圈
0.6 mm, 1 mm
0.4 mm, 0.5 mm
0.2 mm, 0.25 mm
0.6 mm, 1 mm
0.4 mm, 0.5 mm
0.2 mm, 0.25 mm
最小起订量
1020个， 85个/管
1020个， 85个/管
1020个， 85个/管
1020个， 85个/管
1020个， 85个/管
1020个， 85个/管
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
耦合器
参数
总功耗
工作温度范围
存储温度范围
焊接温度
距离包：2毫米;吨
≤
5 s
测试条件
T
AMB
≤
25 °C
符号
P
合计
T
AMB
T
英镑
T
sd
价值
250
- 55至+ 85
- 55至+ 100
260
单位
mW
°C
°C
°C
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1
TCST1103/1202/1300/2103/2202/2300
威世半导体
INPUT （发射器）
参数
反向电压
正向电流
正向浪涌电流
功耗
结温
t
p
≤
10 s
T
AMB
≤
25°C
测试条件
符号
V
R
I
F
I
FSM
P
V
T
j
价值
6
60
3
100
100
单位
V
mA
A
mW
°C
输出（检测器）
参数
集电极 - 发射极电压
发射极集电极电压
集电极电流
集电极电流峰值
功耗
结温
t
p
/T = 0.5, t
p
≤
10毫秒
T
AMB
≤
25°C
测试条件
符号
V
首席执行官
V
ECO
I
C
I
CM
P
V
T
j
价值
70
7
100
200
150
100
单位
V
V
mA
mA
mW
°C
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
耦合器
参数
电流传输比
测试条件
V
CE
= 5 V，I
F
= 20毫安
部分
TCST1103,
TCST2103
TCST1202,
TCST2202
TCST1300,
TCST2300
集电极电流
V
CE
= 5 V，I
F
= 20毫安
TCST1103,
TCST2103
TCST1202,
TCST2202
TCST1300,
TCST2300
集电极发射极饱和
电压
I
F
= 20 mA时，我
C
= 1毫安
I
F
= 20 mA时，我
C
- 0.5毫安
I
F
= 20 mA时，我
C
- 0.1毫安
分辨率，快门的路径
穿越辐射敏感
区
I
CREL
= 10 90％的
TCST1103,
TCST2103
TCST1202,
TCST2202
TCST1300,
TCST2300
TCST1103,
TCST2103
TCST1202,
TCST2202
TCST1300,
TCST2300
符号
CTR
CTR
CTR
I
C
I
C
I
C
V
CESAT
V
CESAT
V
CESAT
s
0.6
民
10
5
1.25
2
1
0.25
典型值。
20
10
2.5
4
2
0.5
0.4
0.4
0.4
最大
单位
%
%
%
mA
mA
mA
V
V
V
mm
s
s
0.4
0.2
mm
mm
INPUT （发射器）
参数
正向电压
结电容
测试条件
I
F
= 60毫安
V
R
= 0中，f = 1 MHz的
符号
V
F
C
j
民
典型值。
1.25
50
最大
1.6
单位
V
pF
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2
文档编号83764
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TCST1103/1202/1300/2103/2202/2300
威世半导体
输出（检测器）
参数
集电极 - 发射极电压
发射极集电极电压
集电极暗电流
测试条件
I
C
= 1毫安
I
E
= 10 A
V
CE
= 25 V，I
F
= 0, E = 0
符号
V
首席执行官
V
ECO
I
首席执行官
民
70
7
100
典型值。
最大
单位
V
V
nA
开关特性
参数
开启时间
打开-O FF时间
测试条件
V
S
= 5 V，I
C
= 2毫安，R
L
= 100
Ω
（参见图1）
V
S
= 5 V，I
C
= 2毫安，R
L
= 100
Ω
（参见图1）
符号
t
on
t
关闭
民
典型值。
10.0
8.0
最大
单位
s
s
0
I
F
I
F
+5
V
I
C
= 2毫安;调整后
by
I
F
P - 功率耗散（ mW）的
400
R
G
= 50
Ω
t
p
=0.01
T
t
p
= 50
s
通道I
道II
50
Ω
95 10890
300
电荷耦合器件
200
PHOTOTRANSISTOR
100
IR - 二极管
示波器
R
L
≥
1 MΩ
C
L
≤
20 pF的
100
Ω
0
0
95 11088
30
60
90
120
150
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
图1.测试电路吨
on
和T
关闭
图3.功耗限制与环境温度
I
F
0
I
C
100
%
90
%
t
p
96 11698
t
10
%
0
t
r
t
d
t
on
脉冲持续时间
延迟时间
上升时间
开启时间
t
s
t
f
t
关闭
t
贮存时间
下降时间
打开-O FF时间
t
p
t
d
t
r
t
on
(=t
d
+ t
r
)
t
s
t
f
t
关闭
(= t
s
+ t
f
)
图2.开关时间
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3
TCST1103/1202/1300/2103/2202/2300
威世半导体
典型特征
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
1000
10
V
CE
= 5
V
I
F
- 正向电流（mA ）
100
I
C
- 集电极电流（毫安）
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
1
10
0.1
1
0.01
0.1
96 11862
0.001
0.1
96 12066
1
10
100
V
F
- 前进
电压
(V)
I
F
- 正向电流（mA ）
图4.正向电流与正向电压
图7.集电极电流与正向电流
CTR
REL
- 相对电流传输比
2.0
10
I
C
- 集电极电流（毫安）
V
CE
= 5
V
I
F
= 20毫安
I
F
= 50毫安
20毫安
10毫安
1.5
1
5毫安
2毫安
0.1
1毫安
1.0
0.5
0
- 25
0
25
50
75
100
0.01
0.1
96 12067
1
10
100
95 11089
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
V
CE
- 集电极发射极
电压
(V)
图5.相对电流传输比与环境
温度
图8.集电极电流与集电极发射极电压
I
首席执行官
- 集电极暗电流（ NA）
CTR - 电流传输比（ ％ ）
10000
V
CE
= 25
V
I
F
= 0
100
V
CE
= 5
V
1000
10
100
1
10
1
0
95 11090
25
50
75
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
100
0.1
0.1
96 12068
1
10
100
I
F
- 正向电流（mA ）
图6.集电极暗电流与环境温度
图9.电流传输比与正向电流
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4
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TCST1103/1202/1300/2103/2202/2300
威世半导体
20
t
on
/ t
关闭
- 打开/关闭时间（μs ）
I
CREL
- 相对集电极电流
不
饱和的
手术
V
S
= 5
V
R
L
= 100
Ω
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
- 0.5 - 0.4 - 0.3 - 0.2 - 0.1 0
96 12006
0
A = 0.5毫米
15
s
10
t
on
5
t
关闭
0
0
2
4
6
8
10
I
C
- 集电极电流（毫安）
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5
95 11086
秒 - 位移（毫米）
图10.开启/关闭时间与集电极电流
图12.相对集电极电流与位移
110
110
I
CREL
- 相对集电极电流
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
- 0.5 - 0.4 - 0.3 - 0.2 - 0.1 0
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5
I
CREL
- 相对集电极电流
100
0
A = 1毫米
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
A = 0.25毫米
s
s
0
- 0.5 - 0.4 - 0.3 - 0.2 - 0.1
96 12007
0
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5
96 12005
秒 - 位移（毫米）
秒 - 位移（毫米）
图11.相对集电极电流与位移
图13.相对集电极电流与位移
文档编号83764
修订版1.8 ， 16 - 8 - 06
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5
CNY70
威世半导体
反射光学传感器与晶体管输出
标记区域
特点
包装类型：含铅
探测器类型：光电晶体管
尺寸（单位：mm长x宽x高） ： 7 ×7× 6
E
D
21835
顶部
意见
19158_1
描述
该CNY70是反射传感器，其包括一个红外
发射器和光敏三极管的含铅封装，
阻挡可见光。
山顶操作距离： < 0.5毫米
工作中的> 20 ％的相对集电极范围
电流：0至5毫米
测试的典型输出电流：I
C
= 1毫安
发射波长： 950纳米
日光阻断滤波器
铅（ Pb）焊接发布
符合RoHS指令2002/95 / EC
根据WEEE指令2002/96 / EC
和
in
应用
光电扫描和开关器件即指数
传感，码盘扫描等（光电编码器
组件） 。
产品概述
产品型号
CNY70
距离FOR
最大CTR
相对（1）
(mm)
0
距离范围FOR
相对我
OUT
> 20 ％
(mm)
0-5
典型输出
电流测试
(2)
（MA ）
1
阳光
阻塞滤波器
集成
是的
笔记
(1)
CTR ：当前transfere比， I / I
OUT IN
(2)
像表基本charactristics /传感器条件
订购信息
订购代码
CNY70
记
最小起订量：最小起订量
包装
管
卷
(1)
最小起订量： 4000个， 80个/管
备注
-
(1)
绝对最大额定值
参数
耦合器
总功耗
环境温度范围
存储温度范围
焊接温度
INPUT （发射器）
反向电压
正向电流
正向浪涌电流
功耗
结温
(1)
测试条件
T
AMB
≤
25 °C
符号
P
合计
T
AMB
T
英镑
价值
200
- 40至+ 85
- 40至+ 100
260
5
50
3
100
100
单位
mW
°C
°C
°C
V
mA
A
mW
°C
距离区分2毫米，吨
≤
5 s
T
sd
V
R
I
F
t
p
≤
10 s
T
AMB
≤
25 °C
I
FSM
P
V
T
j
文档编号： 83751
修订版1.7 ， 8月17日 - 09
如有技术问题，请联系：
sensorstechsupport@vishay.com
www.vishay.com
1
CNY70
威世半导体
反射光学传感器带
晶体管输出
(1)
绝对最大额定值
参数
输出（检测器）
集电极 - 发射极电压
发射极集电极电压
集电极电流
功耗
结温
记
(1)
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
测试条件
符号
V
首席执行官
V
ECO
I
C
价值
32
7
50
100
100
单位
V
V
mA
mW
°C
T
AMB
≤
25 °C
P
V
T
j
绝对最大额定值
300
P - 功率耗散（ mW）的
电荷耦合器件
200
PHOTOTRANSISTOR
100
IR - 二极管
0
0
95 11071
25
50
75
100
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
图。 1 - 功耗与环境温度
基本特征
参数
耦合器
集电极电流
串扰电流
集电极发射极饱和
电压
INPUT （发射器）
正向电压
辐射强度
峰值波长
虚拟源直径
输出（检测器）
集电极 - 发射极电压
发射极集电极电压
集电极暗电流
(1)
(1)
测试条件
V
CE
= 5 V，I
F
= 20毫安，
= 0.3毫米（图1）
V
CE
= 5 V，I
F
= 20毫安， （图2）
I
F
= 20 mA时，我
C
= 0.1毫安，
= 0.3毫米（图1）
I
F
= 50毫安
I
F
= 50毫安，T
p
= 20毫秒
I
F
= 100毫安
方法： 63 ％的能量包围
I
C
= 1毫安
I
E
= 100 A
V
CE
= 20 V，I
F
= 0 ， E = 0 LX
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
I
C (2)
I
CX （3）
V
CESAT （2）
0.3
1.0
600
0.3
mA
nA
V
V
F
I
e
λ
P
d
V
首席执行官
V
ECO
I
首席执行官
32
5
940
1.25
1.6
7.5
V
毫瓦/ SR
nm
mm
V
V
1.2
200
nA
笔记
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
(2)
测量与"Kodak中立测试card" ，白方用90 ％漫反射率
(3)
测量无反射介质
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CNY70
反射光学传感器带
晶体管输出
反映中
（柯达中立测试卡）
威世半导体
~
~
~
d
~
~
~
探测器
辐射源
A
C
C
E
95 10808
图。 2 - 脉冲图
基本特征
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
10
I
C
- 集电极电流（毫安）
柯达中性卡
（白边）
D = 0.3毫米
V
CE
= 5
V
1000
I
F
- 正向电流（mA ）
100
1
10
0.1
1
0.01
0.1
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
96 11862
0.001
0.1
95 11065
1
10
100
V
F
- 前进
电压
(V)
I
F
- 正向电流（mA ）
图。 3 - 正向电流与正向电压
图。 5 - 集电极电流与正向电流
CTR
REL
- 相对电流传输比
1.5
1.4
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
- 30 - 20 -10 0 10 20 30 40 50 60 70
80
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
10
I
C
- 集电极电流（毫安）
V
CE
= 5
V
I
F
= 20毫安
D = 0.3毫米
柯达中性卡
（白边）
D = 0.3毫米
I
F
= 50毫安
20毫安
10毫安
1
0.1
5毫安
2毫安
0.01
1毫安
0.001
0.1
1
10
100
96 11913
95 11066
V
CE
- 集电极发射极
电压
(V)
图。 4 - 相对电流传输比与环境温度
图。 6 - 集电极电流与集电极发射极电压
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CNY70
威世半导体
反射光学传感器带
晶体管输出
100
10
I
C
- 集电极电流（毫安）
柯达中性卡
（白边）
D = 0.3毫米
V
CE
= 5
V
CTR - 电流传输比（ ％ ）
10
1
d
1
0.1
V
CE
= 5
V
I
F
= 20毫安
0.1
0.1
96 11914
1
10
100
0.001
0
95 11069
2
4
6
8
10
I
F
- 正向电流（mA ）
- 距离（mm ）
图。 7 - 电流传输比与正向电流
图。 9 - 集电极电流与距离
0°
10
10°
20°
30°
CTR - 电流传输比（ ％ ）
I
F
= 50毫安
I
EREL
- 相对辐射强度
I
CREL
- 相对集电极电流
1毫安
1
40°
1.0
0.9
0.8
0.7
50°
60°
70°
80°
20毫安
10毫安
5毫安
2毫安
柯达中性卡
（白边）
D = 0.3毫米
0.1
0.1
96 12001
100
1
10
V
CE
- 集电极发射极
电压
(V)
0.6
95 11063
0.4
0.2
0
0.2
0.4
0.6
图。 8 - 电流传输比集电极与发射极电压
图。 10 - 相对辐射强度/集电极电流 -
角位移
1.0
I
CREL
- 相对集电极电流
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
0
96 11915
D = 5毫米
4 mm
3 mm
2 mm
1 mm
0
V
CE
= 5
V
I
F
= 20毫安
E
1.5
D
d
E
D
0
s
5 mm
10 mm
0
s
5 mm
10 mm
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
秒 - 位移（毫米）
图。 11 - 相对集电极电流与位移
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CNY70
反射光学传感器带
晶体管输出
包装尺寸
以毫米为单位
威世半导体
95 11345
管外形尺寸
以毫米为单位
20291
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5
TCST2103 ， TCST2202 ， TCST2300
威世半导体
透射光学传感器，具有光电晶体管输出
特点
顶部
意见
+
E
0.3"
7.6 mm
19180_3
包装类型：含铅
探测器类型：光电晶体管
尺寸（单位：mm长x宽x高） ： 24.5 X 6.3 X 10.8
间隙（毫米） ： 3.1
测试的典型输出电流：I
C
= 4毫安
(TCST2103)
测试的典型输出电流：I
C
= 2 MA（ TCST2202 ）
测试的典型输出电流：I
C
= 0.5 MA（ TCST2300 ）
日光阻断滤波器
D
+
19180_4
描述
该TCST2103 ， TCST2202和TCST2300是
透射式传感器，其包括一个红外发射器和
光电晶体管，位于面对面的表面上在一个光轴
含铅封装，阻挡可见光。这些部件
数字包括孔径宽度选项。
发射波长： 950纳米
铅（ Pb）焊接发布
符合RoHS指令2002/95 / EC
根据WEEE指令2002/96 / EC
和
in
应用
光开关
光遮断器
计数器
编码器
产品概述
产品型号
TCST2103
TCST2202
TCST2300
间隙宽度
(mm)
3.1
3.1
3.1
光圈宽度
(mm)
1
0.5
0.25
典型输出电流
被测
(1)
（MA ）
4
2
0.5
阳光
阻塞滤波器
集成
是的
是的
是的
记
(1)
像表基本特征/耦合条件
订购信息
订购代码
TCST2103
TCST2202
TCST2300
(1)
包装
管
管
管
卷
(1)
最小起订量： 1020个， 85个/管
最小起订量： 1020个， 85个/管
最小起订量： 1020个， 85个/管
备注
与安装法兰
与安装法兰
与安装法兰
记
最小起订量：最小起订量
绝对最大额定值
参数
耦合器
总功耗
环境温度范围
存储温度范围
焊接温度
(1)
测试条件
T
AMB
≤
25 °C
符号
P
合计
T
AMB
T
英镑
价值
250
- 55至+ 85
- 55至+ 100
260
单位
mW
°C
°C
°C
距离包：2毫米;吨
≤
5 s
T
sd
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1
TCST2103 ， TCST2202 ， TCST2300
威世半导体
透射光学传感器带
光电晶体管输出
(1)
绝对最大额定值
参数
INPUT （发射器）
反向电压
正向电流
正向浪涌电流
功耗
结温
输出（检测器）
集电极 - 发射极电压
发射极集电极电压
集电极电流峰值
功耗
结温
记
(1)
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
测试条件
符号
V
R
I
F
价值
6
60
3
100
100
70
7
200
150
100
单位
V
mA
A
mW
°C
V
V
mA
mW
°C
t
p
≤
10 s
T
AMB
≤
25 °C
I
FSM
P
V
T
j
V
首席执行官
V
ECO
t
p
/T = 0.5, t
p
≤
10毫秒
T
AMB
≤
25 °C
I
CM
P
V
T
j
绝对最大额定值
400
P - 功率耗散（ mW）的
300
电荷耦合器件
200
PHOTOTRANSISTOR
100
红外二极管
0
0
95 11088
30
60
90
120
150
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
图。 1 - 功耗极限 - 环境温度
基本特征
参数
耦合器
(1)
测试条件
部分
TCST2103
符号
CTR
CTR
CTR
I
C
I
C
I
C
V
CESAT
V
CESAT
V
CESAT
s
s
s
分钟。
10
5
1.25
2
1
0.25
典型值。
20
10
2.5
4
2
0.5
马克斯。
单位
%
%
%
mA
mA
mA
电流传输比
V
CE
= 5 V，I
F
= 20毫安
TCST2202
TCST2300
TCST2103
集电极电流
V
CE
= 5 V，I
F
= 20毫安
I
F
= 20 mA时，我
C
= 1毫安
I
F
= 20 mA时，我
C
- 0.5毫安
I
F
= 20 mA时，我
C
- 0.1毫安
TCST2202
TCST2300
TCST2103
TCST2202
TCST2300
TCST2103
TCST2202
TCST2300
0.4
0.4
0.4
0.6
0.4
0.2
V
V
V
mm
mm
mm
集电极发射极饱和
电压
分辨率，快门的路径
穿越辐射敏感
区
I
CREL
= 10 ％90％
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TCST2103 ， TCST2202 ， TCST2300
透射光学传感器带
光电晶体管输出
基本特征
参数
INPUT （发射器）
正向电压
结电容
输出（检测器）
集电极 - 发射极电压
发射极集电极电压
集电极暗电流
开关特性
开启时间
打开-O FF时间
I
C
= 2毫安， V
S
= 5 V,
R
L
= 100
Ω
（参见图2）
I
C
= 2毫安， V
S
= 5 V,
R
L
= 100
Ω
（参见图2）
t
on
t
关闭
10
8
s
s
I
C
= 1毫安
I
E
= 10 A
V
CE
= 25 V，I
F
= 0 ， E = 0 LX
V
首席执行官
V
ECO
I
首席执行官
70
7
100
V
V
nA
I
F
= 60毫安
V
R
= 0 V ， F = 1兆赫
V
F
C
j
1.25
50
1.6
V
pF
(1)
威世半导体
测试条件
部分
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
记
(1)
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
I
F
0
I
F
I
F
+5
V
I
C
调整
by
I
F
0
I
C
100
%
90
%
t
p
t
R
G
= 50
Ω
t
p
T
= 20
t
p
= 1毫秒
通道I
道II
50
Ω
20688
示波器
R
L
≥
1 MΩ
C
L
≤
20 pF的
10
%
0
t
r
t
d
t
on
t
p
t
d
t
r
t
on
(= t
d
+ t
r
)
脉冲持续时间
延迟时间
上升时间
开启时间
t
s
t
f
t
关闭
t
s
t
f
t
关闭
(= t
s
+ t
f
)
贮存时间
下降时间
打开-O FF时间
96 11698
t
100
Ω
图。 2 - 测试电路吨
on
和T
关闭
图。 3 - 开关时间
基本特征
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
CTR
REL
- 相对电流传输比
1000
I
F
- 正向电流（mA ）
2.0
V
CE
= 5
V
I
F
= 20毫安
1.5
100
10
1.0
1
0.5
0.1
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
96 11862
0
- 25
0
25
50
75
100
V
F
- 前进
电压
(V)
95 11089
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
图。 4 - 正向电流与正向电压
图。 5 - 相对电流传输比与环境温度
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TCST2103 ， TCST2202 ， TCST2300
威世半导体
透射光学传感器带
光电晶体管输出
10 000
I
首席执行官
- 集电极暗电流（ NA）
100
CTR - 电流传输比（ ％ ）
V
CE
= 25
V
I
F
= 0 A
V
CE
= 5
V
1000
10
100
1
10
1
0
95 11090
25
50
75
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
100
0.1
0.1
96 12068
1
10
100
I
F
- 正向电流（mA ）
图。 6 - 集电极暗电流与环境温度
图。 9 - 电流传输比与正向电流
10
t
on
/ t
关闭
- 打开/关闭时间（μs ）
V
CE
= 5
V
I
C
- 集电极电流（毫安）
1
20
不
饱和的
手术
V
S
= 5
V
R
L
= 100
Ω
15
0.1
10
t
on
5
t
关闭
0
0
2
4
6
8
10
I
C
- 集电极电流（毫安）
0.01
0.001
0.1
96 12066
1
10
100
I
F
- 正向电流（mA ）
95 11086
图。 7 - 集电极电流与正向电流
图。 10 - 关断/导通时间与集电极电流
10
I
C
- 集电极电流（毫安）
I
F
= 50毫安
I
CREL
- 相对集电极电流
20毫安
10毫安
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
- 0.5 - 0.4 - 0.3 - 0.2 - 0.1 0
96 12005
0
A = 1毫米
1
5毫安
2毫安
0.1
s
1毫安
0.01
0.1
96 12067
1
10
100
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5
V
CE
- 集电极发射极
电压
(V)
秒 - 位移（毫米）
图。 8 - 集电极电流与集电极发射极电压
图。 11 - 相对集电极电流与位移
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1.0版， 8月17日 - 09
TCST2103 ， TCST2202 ， TCST2300
透射光学传感器带
光电晶体管输出
威世半导体
110
110
I
CREL
- 相对集电极电流
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
- 0.5 - 0.4 - 0.3 - 0.2 - 0.1 0
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5
I
CREL
- 相对集电极电流
100
0
A = 0.5毫米
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
A = 0.25毫米
s
s
0
- 0.5 - 0.4 - 0.3 - 0.2 - 0.1
96 12007
0
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5
96 12006
秒 - 位移（毫米）
秒 - 位移（毫米）
图。 12 - 相对集电极电流与位移
图。 13 - 相对集电极电流与位移
包装尺寸
以毫米为单位
水彩编号： 6.550-5040.01-4
问题： 2 ; 98年11月10日
96 12095
文档编号： 81147
1.0版， 8月17日 - 09
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TCPT1350X01
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威世半导体
微型透射光学传感器，晶体管输出
特点
封装类型：表面贴装
引脚连接
顶视图
E
NC
科尔。
19601
探测器类型：光电晶体管
尺寸（单位：mm长x宽x高） ： 5.5 ×4× 4
导管。
NC
A
21848
AEC- Q101标准
间隙（毫米） ： 3
孔径（单位为毫米） ： 0.3
测试的典型输出电流：I
C
= 1.6毫安
发射波长： 950纳米
发布的高工作温度可达125°C
潮湿敏感度等级（ MSL ） ： 1
描述
该TCPT1350X01是一款紧凑型透射式传感器
它包括一个红外发射器和一个光敏晶体管
检测器，位于面到面的表面安装封装。
TCPT1350X01特别设计，以满足高工作
温度要求，并发布工作
温度为 - 40 ° C至+ 125°C 。
材料分类：为符合定义
请参阅
www.vishay.com/doc?99912
应用
汽车电子光学传感器
用于编码器的精确位置传感器
检测运动速度
产品概述
产品型号
TCPT1350X01
间隙宽度
(mm)
3
光圈宽度
(mm)
0.3
典型输出
电流测试
(1)
（MA ）
1.6
阳光
阻塞滤波器
集成
No
记
象表基本特征/耦合条件
订购信息
订购代码
TCPT1350X01
记
起订量：最小起订量
包装
磁带和卷轴
卷
(1)
最小起订量： 2000件， 2000件/卷
备注
Drypack ， MSL 1
1.0版， 3月14日13
文档编号： 84815
1
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本文如有更改，恕不另行通知。描述的产品说明书和本文档
受到特定的免责声明，阐明的AT
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TCPT1350X01
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威世半导体
测试条件
T
AMB
125 °C
符号
P
合计
T
j
T
AMB
T
英镑
价值
37.5
140
- 40至+ 125
- 40至+ 125
260
5
25
200
37.5
20
7
20
3.3
单位
mW
°C
°C
°C
°C
V
mA
mA
mW
V
V
mA
μA
绝对最大额定值
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
耦合器
总功耗
结温
环境温度范围
存储温度范围
焊接温度
INPUT （发射器）
反向电压
正向电流
正向浪涌电流
功耗
输出（检测器）
集电极 - 发射极电压
发射极集电极电压
集电极电流
集电极暗电流
T
AMB
½
85°C ，V
CE
= 5 V
V
首席执行官
V
ECO
I
C
I
首席执行官
T
AMB
125 °C
t
p
10 μs
T
AMB
125 °C
V
R
I
F
I
FSM
P
V
按照图。 16
T
sd
绝对最大额定值
40
30
25
20
15
10
5
0
0
20
40
60
80
100
120
140
0
20
40
60
80
100
120
140
R
thJA
= 460 K / W
P
V
- 功耗（MW ）
35
30
25
20
15
10
5
0
R
thJA
= 460 K / W
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
I
F
- 正向电流（mA ）
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
图。 1 - 功耗极限 - 环境温度
图。 2 - 正向电流限制与环境温度
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测试条件
V
CE
= 5 V，I
F
= 15毫安
I
F
= 15毫安，我
C
- 0.2毫安
符号
I
C
V
CESAT
分钟。
0.7
典型值。
1.6
0.4
马克斯。
单位
mA
V
基本特征
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
耦合器
集电极电流
集电极发射极饱和
电压
INPUT （发射器）
正向电压
反向电流
结电容
输出（检测器）
集电极 - 发射极电压I
C
发射极集电极电压
集电极暗电流
开关特性
上升时间
下降时间
I
C
= 0.7毫安， V
CE
= 5 V,
R
L
= 100
（参见图3）
I
C
= 0.7毫安， V
CE
= 5 V,
R
L
= 100
（参见图3）
t
r
t
f
9
16
150
150
μs
μs
I
C
= 1毫安
I
E
= 100 μA
V
CE
= 25 V，I
F
= 0 ， E = 0 LX
V
首席执行官
V
ECO
I
首席执行官
20
7
1
100
V
V
nA
I
F
= 15毫安
V
R
= 5 V
V
R
= 0 V ， F = 1兆赫
V
F
I
R
C
j
25
1
1.2
1.4
10
V
μA
pF
I
F
0
I
F
I
F
+5V
I
C
由我调整
F
0
I
C
100 %
90 %
t
p
t
R
G
= 50
Ω
t
p
T
= 20
t
p
= 1毫秒
通道I
道II
50
Ω
20688
示波器
R
L
≥
1 MΩ
C
L
≤
20 pF的
10 %
0
t
r
t
d
t
on
t
p
t
d
t
r
t
on
(= t
d
+ t
r
)
脉冲持续时间
延迟时间
上升时间
开启时间
t
s
t
f
t
关闭
t
100
Ω
t
s
t
f
t
关闭
(= t
s
+ t
f
)
贮存时间
下降时间
打开-O FF时间
96 11698
图。 3 - 测试电路吨
r
和T
f
图。 4 - 开关时间
基本特征
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
100
1.4
I
F
- 正向电流（mA ）
V
F
- 正向电压（ V）
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
1.6
1.3
10
1.2
1.1
1
0.8
20589
1.0
- 50 - 25
22680
0
25
50
75
100
125
150
V
F
- 正向电压（ V）
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
图。 5 - 正向电流与正向电压
图。 6 - 正向电压与环境温度
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2.5
V
CE
= 5 V
10
I
C
- 集电极电流（毫安）
I
C
- 集电极电流（毫安）
2.0
I
F
= 15毫安
1.5
1
1.0
I
F
= 5毫安
0.5
0.1
V
CE
= 5 V
0.01
1
22681
0.0
10
100
22684
- 50 - 25
0
25
50
75
100
125
150
I
F
- 正向电流（mA ）
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
图。 7 - 集电极电流与正向电流
图。 10 - 集电极电流与环境温度
10
I
F
= 25毫安
100 000
I
首席执行官
- 集电极暗电流（ NA）
I
C
- 集电极电流（毫安）
10 000
V
CE
= 70 V
V
CE
= 25 V
V
CE
= 5 V
1
I
F
= 15毫安
I
F
= 5毫安
1000
I
F
= 3毫安
0.1
100
10
0.01
0.1
22682
1
10
100
22685
1
- 50 - 25
0
25
50
75
100 125 150
V
CE
- 集电极发射极电压（V ）
T
AMB
- 环境温度（ ° C）
图。 8 - 集电极电流与集电极发射极电压
图。 11 - 集电极暗电流与环境温度
V
CESAT
- 科尔。发射器
饱和
电压（V）的
0.30
1
I
REL
- 相对集电极电流
I
C
= 200 μA
0.25
I
F
= 5毫安
0.20
0.15
0.10
0.05
0.00
- 50 - 25
I
F
= 15毫安
S
0.8
0.6
0.4
0.2
0
25
50
75
100
125
150
20595
0
- 1.5
-1
- 0.5
0
0.5
1
1.5
22683
T
AMB
- 环境Tempearture （ ° C）
的S - 水平位移（毫米）
图。 9 - 集电极发射极饱和电压与
环境温度
图。 12 - 相对集电极电流与水平位移
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回流焊接温度曲线
1
I
CREL
- 相对。集电极电流
1 ± 0.2
S
300
250
255 °C
240 °C
217 °C
最大。 260℃
245 °C
0.5
光轴
温度（℃）
200
最大。 30秒
150
最大。 120秒
100
50
最大。斜坡上升3 ℃/ s最大。斜坡下降6 ℃/秒
最大。 100秒
0
- 1.5
20610
-1
- 0.5
0
0.5
1
1.5
0
0
19841
的S - 垂直位移（毫米）
50
100
150
200
250
300
图。 13 - 相对集电极电流与垂直位移
时间（s）
图。 16 - 铅（Pb ） - 免费的回流焊接温度曲线ACC 。 J- STD- 020
100
90
地板寿命
没有时间限制。
潮湿敏感度等级（MSL ） 1 ， ACC 。 JEDEC J- STD- 020 。
R
L
= 100
Ω
t
r
/t
f
- 上升/下降时间（μs ）
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
250
500 750 1000 1250 1500 1750 2000
I
C
- 集电极电流（ μA ）
t
r
t
f
20599
图。 14 - 上升/下降时间与集电极电流
I
F
= 15毫安
+ V
C
= 5 V
74HCT14
10 kΩ
V
E
U
Q
13887
GND
图。 15 - 应用实例
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