TM124BBK32 ， TM124BBK32S 1048576 32位
TM248CBK32 ， TM248CBK32S 2097152 32位
动态RAM模块
SMMS132D - 1991年1月 - 修订1995年6月
D
D
D
D
D
D
D
D
D
D
组织
TM124BBK32 。 。 。 1 048 576
×
32
TM248CBK32 。 。 。 2 097 152
×
32
采用5 V单电源（ ± 10 ％容差）
72脚单列直插式内存模块
（ SIMM ）为使用套接字
TM124BBK32 ，开发前景8个4兆位
DRAM的塑料小外形J引线
（ SOJ ）包
TM248CBK32 ，采用16个4兆位
DRAM的塑料小外形J引线
（ SOJ ）包
分布式刷新周期
16毫秒（ 1024个周期）
所有输入，输出，时钟完全TTL
兼容
三态输出
针对8种常见常用的CAS控制
数据输入和数据输出线，四大板块
设备检测
D
性能范围：
ACCESS
时间
TRAC
（最大）
60纳秒
70纳秒
80纳秒
60纳秒
70纳秒
80纳秒
ACCESS
时间
大隘社
（最大）
15纳秒
18纳秒
20纳秒
15纳秒
18纳秒
20纳秒
读
OR
写
周期
（分钟）
110纳秒
130纳秒
150纳秒
110纳秒
130纳秒
150纳秒
D
D
D
D
TM124BBK32-60
TM124BBK32-70
TM124BBK32-80
TM248CBK32-60
TM248CBK32-70
TM248CBK32-80
低功耗
工作自由空气的温度范围内
0 ° C至70℃
金标签式的版本可供选择：
- TM124BBK32
- TM248CBK32
锡铅（焊接）选项卡式版本
可用：
- TM124BBK32S
- TM248CBK32S
描述
TM124BBK32
该TM124BBK32是有组织的四倍动态随机存取存储器（ DRAM） 1 048 576
×
在8
72引脚无引线单列直插内存模块（ SIMM ） 。在SIMM是由八个TMS44400 ， 1 048 576
×
4位的DRAM中，每个在26分之20引线塑料SOJ封装，安装在基板上连同解耦
电容器。每个TMS44400是在TMS44400数据手册中描述。
该TM124BBK32是与插座采用单面BK无铅模块中使用。
该TM124BBK32特点是60纳秒， 70 ns到80 ns的RAS访问时间。该器件的额定从操作
0 ° C至70℃
TM248CBK32
该TM248CBK32是有组织的四倍动态随机存取存储器2 097 152
×
在一个72引脚8
无铅SIMM 。在SIMM是由16 TMS44400 ， 1 048 576
×
4位动态RAM ，每个
二十六分之二十零引脚塑料封装SOJ SOJs ，安装在基板上加上去耦电容。每
TMS44400是在TMS44400数据手册中描述。
该TM248CBK32是用于与插座使用双面BK无引线模块中提供。
该TM248CBK32特点是60纳秒， 70 ns到80 ns的RAS访问时间。该器件的额定从操作
0 ° C至70℃
手术
TM124BBK32
该TM124BBK32操作为8 TMS44400DJs所示连接的功能框图。参考
到TMS44400数据手册操作的详细信息。该TM124BBK32的通用I / O功能决定了
使用早期的写周期，以防止争D和Q.
本数据手册材料编号为金标签版本;该信息适用于黄金标签和焊接标签的版本。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
1995年，德州仪器
邮政信箱1443
休斯敦，得克萨斯州77251-1443
1
TM124BBK32 ， TM124BBK32S 1048576 32位
TM248CBK32 ， TM248CBK32S 2097152 32位
动态RAM模块
SMMS132D - 1991年1月 - 修订1995年6月
TM248CBK32
该TM248CBK32操作为16 TMS44400DJs所示连接的功能框图。
请参考TMS44400数据手册操作的详细信息。该TM248CBK32的通用I / O功能
使然采用早期的写周期，以防止争用在D和Q.
刷新
刷新周期被延长到16毫秒，并且在此期间，每一个1024行必须与RAS选通
为了保持数据。所要求的TMS44400的DRAM的A0 - A9的地址线必须被刷新每16毫秒。
CAS可以保持较高的刷新序列中，以节省电力。
单列直插存储器模块和组件
PC基材： 1,27
±
0.1毫米（0.05英寸）的公称厚度; 0.005英寸/英寸最大翘曲
旁路电容：多层陶瓷
接触面积TM124BBK32和TM248CBK32 ：镍板和黄金板块超过铜。
接触面积TM124BBK32S和TM248CBK32S ：镍板和锡铅铜线。
2
邮政信箱1443
休斯敦，得克萨斯州77251-1443
TM124BBK32 ， TM124BBK32S 1048576 32位
TM248CBK32 ， TM248CBK32S 2097152 32位
动态RAM模块
SMMS132D - 1991年1月 - 修订1995年6月
BK单列直插式内存模块
（ TOP VIEW ）
TM124BBK32
（ SIDE VIEW ）
TM248CBK32
（ SIDE VIEW ）
VSS
DQ0
DQ16
DQ1
DQ17
DQ2
DQ18
DQ3
DQ19
VCC
NC
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
NC
DQ4
DQ20
DQ5
DQ21
DQ6
DQ22
DQ7
DQ23
A7
NC
VCC
A8
A9
RAS3
RAS2
NC
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
NC
NC
VSS
CAS0
CAS2
CAS3
CAS1
RAS0
RAS1
NC
W
NC
DQ8
DQ24
DQ9
DQ25
DQ10
DQ26
DQ11
DQ27
DQ12
DQ28
VCC
DQ29
DQ13
DQ30
DQ14
DQ31
DQ15
NC
PD1
PD2
PD3
PD4
NC
VSS
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
50
51
52
53
54
55
56
57
58
59
60
61
62
63
64
65
66
67
68
69
70
71
72
PIN NOMENCLATURE
A0–A9
CAS0–CAS3
DQ0–DQ31
NC
PD1- PD4
RAS0–RAS3
VCC
VSS
W
地址输入
列地址选通
数据输入/输出
无连接
存在检测
行地址选通
5 V电源
地
写使能
设备检测
信号
（ PIN）
80纳秒
TM124BBK32
70纳秒
60纳秒
80纳秒
TM248CBK32
70纳秒
60纳秒
PD1
(67)
VSS
VSS
VSS
NC
NC
NC
PD2
(68)
VSS
VSS
VSS
NC
NC
NC
PD3
(69)
NC
VSS
NC
NC
VSS
NC
PD4
(70)
VSS
NC
NC
VSS
NC
NC
这里显示的包没有按比例绘制。
邮政信箱1443
休斯敦，得克萨斯州77251-1443
3
SMMS132D - 1991年1月 - 修订1995年6月
TM124BBK32 ， TM124BBK32S 1048576 32位
TM248CBK32 ， TM248CBK32S 2097152 32位
动态RAM模块
功能框图（对于TM124BBK32和TM248CBK32 ，侧面1 ）
4
邮政信箱1443
休斯敦，得克萨斯州77251-1443
模板发布日期： 94年7月11日
A0 – A9
RAS0
W
CAS0
10
RAS2
CAS1
10
1M
×
4
A0 – A9
RAS
W
CAS
OE
DQ1–
DQ4
10
1M
×
4
A0 – A9
RAS
W
CAS
OE
DQ1 -
DQ4
CAS2
10
1M
×
4
A0 – A9
RAS
W
CAS
OE
DQ1 -
DQ4
CAS3
10
1M
×
4
A0 – A9
RAS
W
CAS
OE
DQ1 -
DQ4
DQ0
DQ3
10
DQ8 -
DQ11
10
DQ16 -
DQ19
10
DQ24 -
DQ27
10
1M
×
4
A0 – A9
RAS
W
CAS
OE
DQ1 -
DQ4
DQ4–
DQ7
1M
×
4
A0 – A9
RAS
W
CAS
OE
DQ1 -
DQ4
DQ12 -
DQ15
1M
×
4
A0 – A9
RAS
W
CAS
OE
DQ1 -
DQ4
DQ20 -
DQ23
1M
×
4
A0 – A9
RAS
W
CAS
OE
DQ1 -
DQ4
DQ28 -
DQ31
功能框图（对于TM248CBK32 ，侧面2 ）
10
A0 – A9
RAS1
W
CAS0
10
1M
×
4
A0 – A9
RAS
W
CAS
OE
DQ1 -
DQ4
CAS1
10
1M
×
4
A0 – A9
RAS
W
CAS
OE
DQ1 -
DQ4
CAS2
10
1M
×
4
A0 – A9
RAS
W
CAS
OE
DQ1 -
DQ4
CAS3
10
1M
×
4
A0 – A9
RAS
W
CAS
OE
DQ1 -
DQ4
RAS3
邮政信箱1443
休斯敦，得克萨斯州77251-1443
DQ0
DQ3
10
DQ8 -
DQ11
10
DQ16 -
DQ19
10
DQ24 -
DQ27
10
1M
×
4
A0 – A9
RAS
W
CAS
OE
DQ1 -
DQ4
DQ4 -
DQ7
1M
×
4
A0 – A9
RAS
W
CAS
OE
DQ1 -
DQ4
DQ12 -
DQ15
1M
×
4
A0 – A9
RAS
W
CAS
OE
DQ1 -
DQ4
DQ20 -
DQ23
1M
×
4
A0 – A9
RAS
W
CAS
OE
DQ1 -
DQ4
TM124BBK32 ， TM124BBK32S 1048576 32位
TM248CBK32 ， TM248CBK32S 2097152 32位
动态RAM模块
DQ28 -
DQ31
SMMS132D - 1991年1月 - 修订1995年6月
5
TM124BBK32 ， TM124BBK32S 1048576 32位
TM248CBK32 ， TM248CBK32S 2097152 32位
动态RAM模块
SMMS132D - 1991年1月 - 修订1995年6月
D
D
D
D
D
D
D
D
D
D
组织
TM124BBK32 。 。 。 1 048 576
×
32
TM248CBK32 。 。 。 2 097 152
×
32
采用5 V单电源（ ± 10 ％容差）
72脚单列直插式内存模块
（ SIMM ）为使用套接字
TM124BBK32 ，开发前景8个4兆位
DRAM的塑料小外形J引线
（ SOJ ）包
TM248CBK32 ，采用16个4兆位
DRAM的塑料小外形J引线
（ SOJ ）包
分布式刷新周期
16毫秒（ 1024个周期）
所有输入，输出，时钟完全TTL
兼容
三态输出
针对8种常见常用的CAS控制
数据输入和数据输出线，四大板块
设备检测
D
性能范围：
ACCESS
时间
TRAC
（最大）
60纳秒
70纳秒
80纳秒
60纳秒
70纳秒
80纳秒
ACCESS
时间
大隘社
（最大）
15纳秒
18纳秒
20纳秒
15纳秒
18纳秒
20纳秒
读
OR
写
周期
（分钟）
110纳秒
130纳秒
150纳秒
110纳秒
130纳秒
150纳秒
D
D
D
D
TM124BBK32-60
TM124BBK32-70
TM124BBK32-80
TM248CBK32-60
TM248CBK32-70
TM248CBK32-80
低功耗
工作自由空气的温度范围内
0 ° C至70℃
金标签式的版本可供选择：
- TM124BBK32
- TM248CBK32
锡铅（焊接）选项卡式版本
可用：
- TM124BBK32S
- TM248CBK32S
描述
TM124BBK32
该TM124BBK32是有组织的四倍动态随机存取存储器（ DRAM） 1 048 576
×
在8
72引脚无引线单列直插内存模块（ SIMM ） 。在SIMM是由八个TMS44400 ， 1 048 576
×
4位的DRAM中，每个在26分之20引线塑料SOJ封装，安装在基板上连同解耦
电容器。每个TMS44400是在TMS44400数据手册中描述。
该TM124BBK32是与插座采用单面BK无铅模块中使用。
该TM124BBK32特点是60纳秒， 70 ns到80 ns的RAS访问时间。该器件的额定从操作
0 ° C至70℃
TM248CBK32
该TM248CBK32是有组织的四倍动态随机存取存储器2 097 152
×
在一个72引脚8
无铅SIMM 。在SIMM是由16 TMS44400 ， 1 048 576
×
4位动态RAM ，每个
二十六分之二十零引脚塑料封装SOJ SOJs ，安装在基板上加上去耦电容。每
TMS44400是在TMS44400数据手册中描述。
该TM248CBK32是用于与插座使用双面BK无引线模块中提供。
该TM248CBK32特点是60纳秒， 70 ns到80 ns的RAS访问时间。该器件的额定从操作
0 ° C至70℃
手术
TM124BBK32
该TM124BBK32操作为8 TMS44400DJs所示连接的功能框图。参考
到TMS44400数据手册操作的详细信息。该TM124BBK32的通用I / O功能决定了
使用早期的写周期，以防止争D和Q.
本数据手册材料编号为金标签版本;该信息适用于黄金标签和焊接标签的版本。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
1995年，德州仪器
邮政信箱1443
休斯敦，得克萨斯州77251-1443
1
TM124BBK32 ， TM124BBK32S 1048576 32位
TM248CBK32 ， TM248CBK32S 2097152 32位
动态RAM模块
SMMS132D - 1991年1月 - 修订1995年6月
TM248CBK32
该TM248CBK32操作为16 TMS44400DJs所示连接的功能框图。
请参考TMS44400数据手册操作的详细信息。该TM248CBK32的通用I / O功能
使然采用早期的写周期，以防止争用在D和Q.
刷新
刷新周期被延长到16毫秒，并且在此期间，每一个1024行必须与RAS选通
为了保持数据。所要求的TMS44400的DRAM的A0 - A9的地址线必须被刷新每16毫秒。
CAS可以保持较高的刷新序列中，以节省电力。
单列直插存储器模块和组件
PC基材： 1,27
±
0.1毫米（0.05英寸）的公称厚度; 0.005英寸/英寸最大翘曲
旁路电容：多层陶瓷
接触面积TM124BBK32和TM248CBK32 ：镍板和黄金板块超过铜。
接触面积TM124BBK32S和TM248CBK32S ：镍板和锡铅铜线。
2
邮政信箱1443
休斯敦，得克萨斯州77251-1443
TM124BBK32 ， TM124BBK32S 1048576 32位
TM248CBK32 ， TM248CBK32S 2097152 32位
动态RAM模块
SMMS132D - 1991年1月 - 修订1995年6月
BK单列直插式内存模块
（ TOP VIEW ）
TM124BBK32
（ SIDE VIEW ）
TM248CBK32
（ SIDE VIEW ）
VSS
DQ0
DQ16
DQ1
DQ17
DQ2
DQ18
DQ3
DQ19
VCC
NC
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
NC
DQ4
DQ20
DQ5
DQ21
DQ6
DQ22
DQ7
DQ23
A7
NC
VCC
A8
A9
RAS3
RAS2
NC
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
NC
NC
VSS
CAS0
CAS2
CAS3
CAS1
RAS0
RAS1
NC
W
NC
DQ8
DQ24
DQ9
DQ25
DQ10
DQ26
DQ11
DQ27
DQ12
DQ28
VCC
DQ29
DQ13
DQ30
DQ14
DQ31
DQ15
NC
PD1
PD2
PD3
PD4
NC
VSS
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
50
51
52
53
54
55
56
57
58
59
60
61
62
63
64
65
66
67
68
69
70
71
72
PIN NOMENCLATURE
A0–A9
CAS0–CAS3
DQ0–DQ31
NC
PD1- PD4
RAS0–RAS3
VCC
VSS
W
地址输入
列地址选通
数据输入/输出
无连接
存在检测
行地址选通
5 V电源
地
写使能
设备检测
信号
（ PIN）
80纳秒
TM124BBK32
70纳秒
60纳秒
80纳秒
TM248CBK32
70纳秒
60纳秒
PD1
(67)
VSS
VSS
VSS
NC
NC
NC
PD2
(68)
VSS
VSS
VSS
NC
NC
NC
PD3
(69)
NC
VSS
NC
NC
VSS
NC
PD4
(70)
VSS
NC
NC
VSS
NC
NC
这里显示的包没有按比例绘制。
邮政信箱1443
休斯敦，得克萨斯州77251-1443
3
SMMS132D - 1991年1月 - 修订1995年6月
TM124BBK32 ， TM124BBK32S 1048576 32位
TM248CBK32 ， TM248CBK32S 2097152 32位
动态RAM模块
功能框图（对于TM124BBK32和TM248CBK32 ，侧面1 ）
4
邮政信箱1443
休斯敦，得克萨斯州77251-1443
模板发布日期： 94年7月11日
A0 – A9
RAS0
W
CAS0
10
RAS2
CAS1
10
1M
×
4
A0 – A9
RAS
W
CAS
OE
DQ1–
DQ4
10
1M
×
4
A0 – A9
RAS
W
CAS
OE
DQ1 -
DQ4
CAS2
10
1M
×
4
A0 – A9
RAS
W
CAS
OE
DQ1 -
DQ4
CAS3
10
1M
×
4
A0 – A9
RAS
W
CAS
OE
DQ1 -
DQ4
DQ0
DQ3
10
DQ8 -
DQ11
10
DQ16 -
DQ19
10
DQ24 -
DQ27
10
1M
×
4
A0 – A9
RAS
W
CAS
OE
DQ1 -
DQ4
DQ4–
DQ7
1M
×
4
A0 – A9
RAS
W
CAS
OE
DQ1 -
DQ4
DQ12 -
DQ15
1M
×
4
A0 – A9
RAS
W
CAS
OE
DQ1 -
DQ4
DQ20 -
DQ23
1M
×
4
A0 – A9
RAS
W
CAS
OE
DQ1 -
DQ4
DQ28 -
DQ31
功能框图（对于TM248CBK32 ，侧面2 ）
10
A0 – A9
RAS1
W
CAS0
10
1M
×
4
A0 – A9
RAS
W
CAS
OE
DQ1 -
DQ4
CAS1
10
1M
×
4
A0 – A9
RAS
W
CAS
OE
DQ1 -
DQ4
CAS2
10
1M
×
4
A0 – A9
RAS
W
CAS
OE
DQ1 -
DQ4
CAS3
10
1M
×
4
A0 – A9
RAS
W
CAS
OE
DQ1 -
DQ4
RAS3
邮政信箱1443
休斯敦，得克萨斯州77251-1443
DQ0
DQ3
10
DQ8 -
DQ11
10
DQ16 -
DQ19
10
DQ24 -
DQ27
10
1M
×
4
A0 – A9
RAS
W
CAS
OE
DQ1 -
DQ4
DQ4 -
DQ7
1M
×
4
A0 – A9
RAS
W
CAS
OE
DQ1 -
DQ4
DQ12 -
DQ15
1M
×
4
A0 – A9
RAS
W
CAS
OE
DQ1 -
DQ4
DQ20 -
DQ23
1M
×
4
A0 – A9
RAS
W
CAS
OE
DQ1 -
DQ4
TM124BBK32 ， TM124BBK32S 1048576 32位
TM248CBK32 ， TM248CBK32S 2097152 32位
动态RAM模块
DQ28 -
DQ31
SMMS132D - 1991年1月 - 修订1995年6月
5
TM124BBK32 ， TM124BBK32S 1048576 32位
TM248CBK32 ， TM248CBK32S 2097152 32位
动态RAM模块
SMMS132D - 1991年1月 - 修订1995年6月
D
D
D
D
D
D
D
D
D
D
组织
TM124BBK32 。 。 。 1 048 576
×
32
TM248CBK32 。 。 。 2 097 152
×
32
采用5 V单电源（ ± 10 ％容差）
72脚单列直插式内存模块
（ SIMM ）为使用套接字
TM124BBK32 ，开发前景8个4兆位
DRAM的塑料小外形J引线
（ SOJ ）包
TM248CBK32 ，采用16个4兆位
DRAM的塑料小外形J引线
（ SOJ ）包
分布式刷新周期
16毫秒（ 1024个周期）
所有输入，输出，时钟完全TTL
兼容
三态输出
针对8种常见常用的CAS控制
数据输入和数据输出线，四大板块
设备检测
D
性能范围：
ACCESS
时间
TRAC
（最大）
60纳秒
70纳秒
80纳秒
60纳秒
70纳秒
80纳秒
ACCESS
时间
大隘社
（最大）
15纳秒
18纳秒
20纳秒
15纳秒
18纳秒
20纳秒
读
OR
写
周期
（分钟）
110纳秒
130纳秒
150纳秒
110纳秒
130纳秒
150纳秒
D
D
D
D
TM124BBK32-60
TM124BBK32-70
TM124BBK32-80
TM248CBK32-60
TM248CBK32-70
TM248CBK32-80
低功耗
工作自由空气的温度范围内
0 ° C至70℃
金标签式的版本可供选择：
- TM124BBK32
- TM248CBK32
锡铅（焊接）选项卡式版本
可用：
- TM124BBK32S
- TM248CBK32S
描述
TM124BBK32
该TM124BBK32是有组织的四倍动态随机存取存储器（ DRAM） 1 048 576
×
在8
72引脚无引线单列直插内存模块（ SIMM ） 。在SIMM是由八个TMS44400 ， 1 048 576
×
4位的DRAM中，每个在26分之20引线塑料SOJ封装，安装在基板上连同解耦
电容器。每个TMS44400是在TMS44400数据手册中描述。
该TM124BBK32是与插座采用单面BK无铅模块中使用。
该TM124BBK32特点是60纳秒， 70 ns到80 ns的RAS访问时间。该器件的额定从操作
0 ° C至70℃
TM248CBK32
该TM248CBK32是有组织的四倍动态随机存取存储器2 097 152
×
在一个72引脚8
无铅SIMM 。在SIMM是由16 TMS44400 ， 1 048 576
×
4位动态RAM ，每个
二十六分之二十零引脚塑料封装SOJ SOJs ，安装在基板上加上去耦电容。每
TMS44400是在TMS44400数据手册中描述。
该TM248CBK32是用于与插座使用双面BK无引线模块中提供。
该TM248CBK32特点是60纳秒， 70 ns到80 ns的RAS访问时间。该器件的额定从操作
0 ° C至70℃
手术
TM124BBK32
该TM124BBK32操作为8 TMS44400DJs所示连接的功能框图。参考
到TMS44400数据手册操作的详细信息。该TM124BBK32的通用I / O功能决定了
使用早期的写周期，以防止争D和Q.
本数据手册材料编号为金标签版本;该信息适用于黄金标签和焊接标签的版本。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
1995年，德州仪器
邮政信箱1443
休斯敦，得克萨斯州77251-1443
1
TM124BBK32 ， TM124BBK32S 1048576 32位
TM248CBK32 ， TM248CBK32S 2097152 32位
动态RAM模块
SMMS132D - 1991年1月 - 修订1995年6月
TM248CBK32
该TM248CBK32操作为16 TMS44400DJs所示连接的功能框图。
请参考TMS44400数据手册操作的详细信息。该TM248CBK32的通用I / O功能
使然采用早期的写周期，以防止争用在D和Q.
刷新
刷新周期被延长到16毫秒，并且在此期间，每一个1024行必须与RAS选通
为了保持数据。所要求的TMS44400的DRAM的A0 - A9的地址线必须被刷新每16毫秒。
CAS可以保持较高的刷新序列中，以节省电力。
单列直插存储器模块和组件
PC基材： 1,27
±
0.1毫米（0.05英寸）的公称厚度; 0.005英寸/英寸最大翘曲
旁路电容：多层陶瓷
接触面积TM124BBK32和TM248CBK32 ：镍板和黄金板块超过铜。
接触面积TM124BBK32S和TM248CBK32S ：镍板和锡铅铜线。
2
邮政信箱1443
休斯敦，得克萨斯州77251-1443
TM124BBK32 ， TM124BBK32S 1048576 32位
TM248CBK32 ， TM248CBK32S 2097152 32位
动态RAM模块
SMMS132D - 1991年1月 - 修订1995年6月
BK单列直插式内存模块
（ TOP VIEW ）
TM124BBK32
（ SIDE VIEW ）
TM248CBK32
（ SIDE VIEW ）
VSS
DQ0
DQ16
DQ1
DQ17
DQ2
DQ18
DQ3
DQ19
VCC
NC
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
NC
DQ4
DQ20
DQ5
DQ21
DQ6
DQ22
DQ7
DQ23
A7
NC
VCC
A8
A9
RAS3
RAS2
NC
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
NC
NC
VSS
CAS0
CAS2
CAS3
CAS1
RAS0
RAS1
NC
W
NC
DQ8
DQ24
DQ9
DQ25
DQ10
DQ26
DQ11
DQ27
DQ12
DQ28
VCC
DQ29
DQ13
DQ30
DQ14
DQ31
DQ15
NC
PD1
PD2
PD3
PD4
NC
VSS
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
50
51
52
53
54
55
56
57
58
59
60
61
62
63
64
65
66
67
68
69
70
71
72
PIN NOMENCLATURE
A0–A9
CAS0–CAS3
DQ0–DQ31
NC
PD1- PD4
RAS0–RAS3
VCC
VSS
W
地址输入
列地址选通
数据输入/输出
无连接
存在检测
行地址选通
5 V电源
地
写使能
设备检测
信号
（ PIN）
80纳秒
TM124BBK32
70纳秒
60纳秒
80纳秒
TM248CBK32
70纳秒
60纳秒
PD1
(67)
VSS
VSS
VSS
NC
NC
NC
PD2
(68)
VSS
VSS
VSS
NC
NC
NC
PD3
(69)
NC
VSS
NC
NC
VSS
NC
PD4
(70)
VSS
NC
NC
VSS
NC
NC
这里显示的包没有按比例绘制。
邮政信箱1443
休斯敦，得克萨斯州77251-1443
3
SMMS132D - 1991年1月 - 修订1995年6月
TM124BBK32 ， TM124BBK32S 1048576 32位
TM248CBK32 ， TM248CBK32S 2097152 32位
动态RAM模块
功能框图（对于TM124BBK32和TM248CBK32 ，侧面1 ）
4
邮政信箱1443
休斯敦，得克萨斯州77251-1443
模板发布日期： 94年7月11日
A0 – A9
RAS0
W
CAS0
10
RAS2
CAS1
10
1M
×
4
A0 – A9
RAS
W
CAS
OE
DQ1–
DQ4
10
1M
×
4
A0 – A9
RAS
W
CAS
OE
DQ1 -
DQ4
CAS2
10
1M
×
4
A0 – A9
RAS
W
CAS
OE
DQ1 -
DQ4
CAS3
10
1M
×
4
A0 – A9
RAS
W
CAS
OE
DQ1 -
DQ4
DQ0
DQ3
10
DQ8 -
DQ11
10
DQ16 -
DQ19
10
DQ24 -
DQ27
10
1M
×
4
A0 – A9
RAS
W
CAS
OE
DQ1 -
DQ4
DQ4–
DQ7
1M
×
4
A0 – A9
RAS
W
CAS
OE
DQ1 -
DQ4
DQ12 -
DQ15
1M
×
4
A0 – A9
RAS
W
CAS
OE
DQ1 -
DQ4
DQ20 -
DQ23
1M
×
4
A0 – A9
RAS
W
CAS
OE
DQ1 -
DQ4
DQ28 -
DQ31
功能框图（对于TM248CBK32 ，侧面2 ）
10
A0 – A9
RAS1
W
CAS0
10
1M
×
4
A0 – A9
RAS
W
CAS
OE
DQ1 -
DQ4
CAS1
10
1M
×
4
A0 – A9
RAS
W
CAS
OE
DQ1 -
DQ4
CAS2
10
1M
×
4
A0 – A9
RAS
W
CAS
OE
DQ1 -
DQ4
CAS3
10
1M
×
4
A0 – A9
RAS
W
CAS
OE
DQ1 -
DQ4
RAS3
邮政信箱1443
休斯敦，得克萨斯州77251-1443
DQ0
DQ3
10
DQ8 -
DQ11
10
DQ16 -
DQ19
10
DQ24 -
DQ27
10
1M
×
4
A0 – A9
RAS
W
CAS
OE
DQ1 -
DQ4
DQ4 -
DQ7
1M
×
4
A0 – A9
RAS
W
CAS
OE
DQ1 -
DQ4
DQ12 -
DQ15
1M
×
4
A0 – A9
RAS
W
CAS
OE
DQ1 -
DQ4
DQ20 -
DQ23
1M
×
4
A0 – A9
RAS
W
CAS
OE
DQ1 -
DQ4
TM124BBK32 ， TM124BBK32S 1048576 32位
TM248CBK32 ， TM248CBK32S 2097152 32位
动态RAM模块
DQ28 -
DQ31
SMMS132D - 1991年1月 - 修订1995年6月
5
TM124BBK32 ， TM124BBK32S 1048576 32位
TM248CBK32 ， TM248CBK32S 2097152 32位
动态RAM模块
SMMS132D - 1991年1月 - 修订1995年6月
D
D
D
D
D
D
D
D
D
D
组织
TM124BBK32 。 。 。 1 048 576
×
32
TM248CBK32 。 。 。 2 097 152
×
32
采用5 V单电源（ ± 10 ％容差）
72脚单列直插式内存模块
（ SIMM ）为使用套接字
TM124BBK32 ，开发前景8个4兆位
DRAM的塑料小外形J引线
（ SOJ ）包
TM248CBK32 ，采用16个4兆位
DRAM的塑料小外形J引线
（ SOJ ）包
分布式刷新周期
16毫秒（ 1024个周期）
所有输入，输出，时钟完全TTL
兼容
三态输出
针对8种常见常用的CAS控制
数据输入和数据输出线，四大板块
设备检测
D
性能范围：
ACCESS
时间
TRAC
（最大）
60纳秒
70纳秒
80纳秒
60纳秒
70纳秒
80纳秒
ACCESS
时间
大隘社
（最大）
15纳秒
18纳秒
20纳秒
15纳秒
18纳秒
20纳秒
读
OR
写
周期
（分钟）
110纳秒
130纳秒
150纳秒
110纳秒
130纳秒
150纳秒
D
D
D
D
TM124BBK32-60
TM124BBK32-70
TM124BBK32-80
TM248CBK32-60
TM248CBK32-70
TM248CBK32-80
低功耗
工作自由空气的温度范围内
0 ° C至70℃
金标签式的版本可供选择：
- TM124BBK32
- TM248CBK32
锡铅（焊接）选项卡式版本
可用：
- TM124BBK32S
- TM248CBK32S
描述
TM124BBK32
该TM124BBK32是有组织的四倍动态随机存取存储器（ DRAM） 1 048 576
×
在8
72引脚无引线单列直插内存模块（ SIMM ） 。在SIMM是由八个TMS44400 ， 1 048 576
×
4位的DRAM中，每个在26分之20引线塑料SOJ封装，安装在基板上连同解耦
电容器。每个TMS44400是在TMS44400数据手册中描述。
该TM124BBK32是与插座采用单面BK无铅模块中使用。
该TM124BBK32特点是60纳秒， 70 ns到80 ns的RAS访问时间。该器件的额定从操作
0 ° C至70℃
TM248CBK32
该TM248CBK32是有组织的四倍动态随机存取存储器2 097 152
×
在一个72引脚8
无铅SIMM 。在SIMM是由16 TMS44400 ， 1 048 576
×
4位动态RAM ，每个
二十六分之二十零引脚塑料封装SOJ SOJs ，安装在基板上加上去耦电容。每
TMS44400是在TMS44400数据手册中描述。
该TM248CBK32是用于与插座使用双面BK无引线模块中提供。
该TM248CBK32特点是60纳秒， 70 ns到80 ns的RAS访问时间。该器件的额定从操作
0 ° C至70℃
手术
TM124BBK32
该TM124BBK32操作为8 TMS44400DJs所示连接的功能框图。参考
到TMS44400数据手册操作的详细信息。该TM124BBK32的通用I / O功能决定了
使用早期的写周期，以防止争D和Q.
本数据手册材料编号为金标签版本;该信息适用于黄金标签和焊接标签的版本。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
1995年，德州仪器
邮政信箱1443
休斯敦，得克萨斯州77251-1443
1
TM124BBK32 ， TM124BBK32S 1048576 32位
TM248CBK32 ， TM248CBK32S 2097152 32位
动态RAM模块
SMMS132D - 1991年1月 - 修订1995年6月
TM248CBK32
该TM248CBK32操作为16 TMS44400DJs所示连接的功能框图。
请参考TMS44400数据手册操作的详细信息。该TM248CBK32的通用I / O功能
使然采用早期的写周期，以防止争用在D和Q.
刷新
刷新周期被延长到16毫秒，并且在此期间，每一个1024行必须与RAS选通
为了保持数据。所要求的TMS44400的DRAM的A0 - A9的地址线必须被刷新每16毫秒。
CAS可以保持较高的刷新序列中，以节省电力。
单列直插存储器模块和组件
PC基材： 1,27
±
0.1毫米（0.05英寸）的公称厚度; 0.005英寸/英寸最大翘曲
旁路电容：多层陶瓷
接触面积TM124BBK32和TM248CBK32 ：镍板和黄金板块超过铜。
接触面积TM124BBK32S和TM248CBK32S ：镍板和锡铅铜线。
2
邮政信箱1443
休斯敦，得克萨斯州77251-1443
TM124BBK32 ， TM124BBK32S 1048576 32位
TM248CBK32 ， TM248CBK32S 2097152 32位
动态RAM模块
SMMS132D - 1991年1月 - 修订1995年6月
BK单列直插式内存模块
（ TOP VIEW ）
TM124BBK32
（ SIDE VIEW ）
TM248CBK32
（ SIDE VIEW ）
VSS
DQ0
DQ16
DQ1
DQ17
DQ2
DQ18
DQ3
DQ19
VCC
NC
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
NC
DQ4
DQ20
DQ5
DQ21
DQ6
DQ22
DQ7
DQ23
A7
NC
VCC
A8
A9
RAS3
RAS2
NC
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
NC
NC
VSS
CAS0
CAS2
CAS3
CAS1
RAS0
RAS1
NC
W
NC
DQ8
DQ24
DQ9
DQ25
DQ10
DQ26
DQ11
DQ27
DQ12
DQ28
VCC
DQ29
DQ13
DQ30
DQ14
DQ31
DQ15
NC
PD1
PD2
PD3
PD4
NC
VSS
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
50
51
52
53
54
55
56
57
58
59
60
61
62
63
64
65
66
67
68
69
70
71
72
PIN NOMENCLATURE
A0–A9
CAS0–CAS3
DQ0–DQ31
NC
PD1- PD4
RAS0–RAS3
VCC
VSS
W
地址输入
列地址选通
数据输入/输出
无连接
存在检测
行地址选通
5 V电源
地
写使能
设备检测
信号
（ PIN）
80纳秒
TM124BBK32
70纳秒
60纳秒
80纳秒
TM248CBK32
70纳秒
60纳秒
PD1
(67)
VSS
VSS
VSS
NC
NC
NC
PD2
(68)
VSS
VSS
VSS
NC
NC
NC
PD3
(69)
NC
VSS
NC
NC
VSS
NC
PD4
(70)
VSS
NC
NC
VSS
NC
NC
这里显示的包没有按比例绘制。
邮政信箱1443
休斯敦，得克萨斯州77251-1443
3
SMMS132D - 1991年1月 - 修订1995年6月
TM124BBK32 ， TM124BBK32S 1048576 32位
TM248CBK32 ， TM248CBK32S 2097152 32位
动态RAM模块
功能框图（对于TM124BBK32和TM248CBK32 ，侧面1 ）
4
邮政信箱1443
休斯敦，得克萨斯州77251-1443
模板发布日期： 94年7月11日
A0 – A9
RAS0
W
CAS0
10
RAS2
CAS1
10
1M
×
4
A0 – A9
RAS
W
CAS
OE
DQ1–
DQ4
10
1M
×
4
A0 – A9
RAS
W
CAS
OE
DQ1 -
DQ4
CAS2
10
1M
×
4
A0 – A9
RAS
W
CAS
OE
DQ1 -
DQ4
CAS3
10
1M
×
4
A0 – A9
RAS
W
CAS
OE
DQ1 -
DQ4
DQ0
DQ3
10
DQ8 -
DQ11
10
DQ16 -
DQ19
10
DQ24 -
DQ27
10
1M
×
4
A0 – A9
RAS
W
CAS
OE
DQ1 -
DQ4
DQ4–
DQ7
1M
×
4
A0 – A9
RAS
W
CAS
OE
DQ1 -
DQ4
DQ12 -
DQ15
1M
×
4
A0 – A9
RAS
W
CAS
OE
DQ1 -
DQ4
DQ20 -
DQ23
1M
×
4
A0 – A9
RAS
W
CAS
OE
DQ1 -
DQ4
DQ28 -
DQ31
功能框图（对于TM248CBK32 ，侧面2 ）
10
A0 – A9
RAS1
W
CAS0
10
1M
×
4
A0 – A9
RAS
W
CAS
OE
DQ1 -
DQ4
CAS1
10
1M
×
4
A0 – A9
RAS
W
CAS
OE
DQ1 -
DQ4
CAS2
10
1M
×
4
A0 – A9
RAS
W
CAS
OE
DQ1 -
DQ4
CAS3
10
1M
×
4
A0 – A9
RAS
W
CAS
OE
DQ1 -
DQ4
RAS3
邮政信箱1443
休斯敦，得克萨斯州77251-1443
DQ0
DQ3
10
DQ8 -
DQ11
10
DQ16 -
DQ19
10
DQ24 -
DQ27
10
1M
×
4
A0 – A9
RAS
W
CAS
OE
DQ1 -
DQ4
DQ4 -
DQ7
1M
×
4
A0 – A9
RAS
W
CAS
OE
DQ1 -
DQ4
DQ12 -
DQ15
1M
×
4
A0 – A9
RAS
W
CAS
OE
DQ1 -
DQ4
DQ20 -
DQ23
1M
×
4
A0 – A9
RAS
W
CAS
OE
DQ1 -
DQ4
TM124BBK32 ， TM124BBK32S 1048576 32位
TM248CBK32 ， TM248CBK32S 2097152 32位
动态RAM模块
DQ28 -
DQ31
SMMS132D - 1991年1月 - 修订1995年6月
5
TM124BBK32 ， TM124BBK32S 1048576 32位
TM248CBK32 ， TM248CBK32S 2097152 32位
动态RAM模块
SMMS132D - 1991年1月 - 修订1995年6月
D
D
D
D
D
D
D
D
D
D
组织
TM124BBK32 。 。 。 1 048 576
×
32
TM248CBK32 。 。 。 2 097 152
×
32
采用5 V单电源（ ± 10 ％容差）
72脚单列直插式内存模块
（ SIMM ）为使用套接字
TM124BBK32 ，开发前景8个4兆位
DRAM的塑料小外形J引线
（ SOJ ）包
TM248CBK32 ，采用16个4兆位
DRAM的塑料小外形J引线
（ SOJ ）包
分布式刷新周期
16毫秒（ 1024个周期）
所有输入，输出，时钟完全TTL
兼容
三态输出
针对8种常见常用的CAS控制
数据输入和数据输出线，四大板块
设备检测
D
性能范围：
ACCESS
时间
TRAC
（最大）
60纳秒
70纳秒
80纳秒
60纳秒
70纳秒
80纳秒
ACCESS
时间
大隘社
（最大）
15纳秒
18纳秒
20纳秒
15纳秒
18纳秒
20纳秒
读
OR
写
周期
（分钟）
110纳秒
130纳秒
150纳秒
110纳秒
130纳秒
150纳秒
D
D
D
D
TM124BBK32-60
TM124BBK32-70
TM124BBK32-80
TM248CBK32-60
TM248CBK32-70
TM248CBK32-80
低功耗
工作自由空气的温度范围内
0 ° C至70℃
金标签式的版本可供选择：
- TM124BBK32
- TM248CBK32
锡铅（焊接）选项卡式版本
可用：
- TM124BBK32S
- TM248CBK32S
描述
TM124BBK32
该TM124BBK32是有组织的四倍动态随机存取存储器（ DRAM） 1 048 576
×
在8
72引脚无引线单列直插内存模块（ SIMM ） 。在SIMM是由八个TMS44400 ， 1 048 576
×
4位的DRAM中，每个在26分之20引线塑料SOJ封装，安装在基板上连同解耦
电容器。每个TMS44400是在TMS44400数据手册中描述。
该TM124BBK32是与插座采用单面BK无铅模块中使用。
该TM124BBK32特点是60纳秒， 70 ns到80 ns的RAS访问时间。该器件的额定从操作
0 ° C至70℃
TM248CBK32
该TM248CBK32是有组织的四倍动态随机存取存储器2 097 152
×
在一个72引脚8
无铅SIMM 。在SIMM是由16 TMS44400 ， 1 048 576
×
4位动态RAM ，每个
二十六分之二十零引脚塑料封装SOJ SOJs ，安装在基板上加上去耦电容。每
TMS44400是在TMS44400数据手册中描述。
该TM248CBK32是用于与插座使用双面BK无引线模块中提供。
该TM248CBK32特点是60纳秒， 70 ns到80 ns的RAS访问时间。该器件的额定从操作
0 ° C至70℃
手术
TM124BBK32
该TM124BBK32操作为8 TMS44400DJs所示连接的功能框图。参考
到TMS44400数据手册操作的详细信息。该TM124BBK32的通用I / O功能决定了
使用早期的写周期，以防止争D和Q.
本数据手册材料编号为金标签版本;该信息适用于黄金标签和焊接标签的版本。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
1995年，德州仪器
邮政信箱1443
休斯敦，得克萨斯州77251-1443
1
TM124BBK32 ， TM124BBK32S 1048576 32位
TM248CBK32 ， TM248CBK32S 2097152 32位
动态RAM模块
SMMS132D - 1991年1月 - 修订1995年6月
TM248CBK32
该TM248CBK32操作为16 TMS44400DJs所示连接的功能框图。
请参考TMS44400数据手册操作的详细信息。该TM248CBK32的通用I / O功能
使然采用早期的写周期，以防止争用在D和Q.
刷新
刷新周期被延长到16毫秒，并且在此期间，每一个1024行必须与RAS选通
为了保持数据。所要求的TMS44400的DRAM的A0 - A9的地址线必须被刷新每16毫秒。
CAS可以保持较高的刷新序列中，以节省电力。
单列直插存储器模块和组件
PC基材： 1,27
±
0.1毫米（0.05英寸）的公称厚度; 0.005英寸/英寸最大翘曲
旁路电容：多层陶瓷
接触面积TM124BBK32和TM248CBK32 ：镍板和黄金板块超过铜。
接触面积TM124BBK32S和TM248CBK32S ：镍板和锡铅铜线。
2
邮政信箱1443
休斯敦，得克萨斯州77251-1443
TM124BBK32 ， TM124BBK32S 1048576 32位
TM248CBK32 ， TM248CBK32S 2097152 32位
动态RAM模块
SMMS132D - 1991年1月 - 修订1995年6月
BK单列直插式内存模块
（ TOP VIEW ）
TM124BBK32
（ SIDE VIEW ）
TM248CBK32
（ SIDE VIEW ）
VSS
DQ0
DQ16
DQ1
DQ17
DQ2
DQ18
DQ3
DQ19
VCC
NC
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
NC
DQ4
DQ20
DQ5
DQ21
DQ6
DQ22
DQ7
DQ23
A7
NC
VCC
A8
A9
RAS3
RAS2
NC
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
NC
NC
VSS
CAS0
CAS2
CAS3
CAS1
RAS0
RAS1
NC
W
NC
DQ8
DQ24
DQ9
DQ25
DQ10
DQ26
DQ11
DQ27
DQ12
DQ28
VCC
DQ29
DQ13
DQ30
DQ14
DQ31
DQ15
NC
PD1
PD2
PD3
PD4
NC
VSS
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
50
51
52
53
54
55
56
57
58
59
60
61
62
63
64
65
66
67
68
69
70
71
72
PIN NOMENCLATURE
A0–A9
CAS0–CAS3
DQ0–DQ31
NC
PD1- PD4
RAS0–RAS3
VCC
VSS
W
地址输入
列地址选通
数据输入/输出
无连接
存在检测
行地址选通
5 V电源
地
写使能
设备检测
信号
（ PIN）
80纳秒
TM124BBK32
70纳秒
60纳秒
80纳秒
TM248CBK32
70纳秒
60纳秒
PD1
(67)
VSS
VSS
VSS
NC
NC
NC
PD2
(68)
VSS
VSS
VSS
NC
NC
NC
PD3
(69)
NC
VSS
NC
NC
VSS
NC
PD4
(70)
VSS
NC
NC
VSS
NC
NC
这里显示的包没有按比例绘制。
邮政信箱1443
休斯敦，得克萨斯州77251-1443
3
SMMS132D - 1991年1月 - 修订1995年6月
TM124BBK32 ， TM124BBK32S 1048576 32位
TM248CBK32 ， TM248CBK32S 2097152 32位
动态RAM模块
功能框图（对于TM124BBK32和TM248CBK32 ，侧面1 ）
4
邮政信箱1443
休斯敦，得克萨斯州77251-1443
模板发布日期： 94年7月11日
A0 – A9
RAS0
W
CAS0
10
RAS2
CAS1
10
1M
×
4
A0 – A9
RAS
W
CAS
OE
DQ1–
DQ4
10
1M
×
4
A0 – A9
RAS
W
CAS
OE
DQ1 -
DQ4
CAS2
10
1M
×
4
A0 – A9
RAS
W
CAS
OE
DQ1 -
DQ4
CAS3
10
1M
×
4
A0 – A9
RAS
W
CAS
OE
DQ1 -
DQ4
DQ0
DQ3
10
DQ8 -
DQ11
10
DQ16 -
DQ19
10
DQ24 -
DQ27
10
1M
×
4
A0 – A9
RAS
W
CAS
OE
DQ1 -
DQ4
DQ4–
DQ7
1M
×
4
A0 – A9
RAS
W
CAS
OE
DQ1 -
DQ4
DQ12 -
DQ15
1M
×
4
A0 – A9
RAS
W
CAS
OE
DQ1 -
DQ4
DQ20 -
DQ23
1M
×
4
A0 – A9
RAS
W
CAS
OE
DQ1 -
DQ4
DQ28 -
DQ31
功能框图（对于TM248CBK32 ，侧面2 ）
10
A0 – A9
RAS1
W
CAS0
10
1M
×
4
A0 – A9
RAS
W
CAS
OE
DQ1 -
DQ4
CAS1
10
1M
×
4
A0 – A9
RAS
W
CAS
OE
DQ1 -
DQ4
CAS2
10
1M
×
4
A0 – A9
RAS
W
CAS
OE
DQ1 -
DQ4
CAS3
10
1M
×
4
A0 – A9
RAS
W
CAS
OE
DQ1 -
DQ4
RAS3
邮政信箱1443
休斯敦，得克萨斯州77251-1443
DQ0
DQ3
10
DQ8 -
DQ11
10
DQ16 -
DQ19
10
DQ24 -
DQ27
10
1M
×
4
A0 – A9
RAS
W
CAS
OE
DQ1 -
DQ4
DQ4 -
DQ7
1M
×
4
A0 – A9
RAS
W
CAS
OE
DQ1 -
DQ4
DQ12 -
DQ15
1M
×
4
A0 – A9
RAS
W
CAS
OE
DQ1 -
DQ4
DQ20 -
DQ23
1M
×
4
A0 – A9
RAS
W
CAS
OE
DQ1 -
DQ4
TM124BBK32 ， TM124BBK32S 1048576 32位
TM248CBK32 ， TM248CBK32S 2097152 32位
动态RAM模块
DQ28 -
DQ31
SMMS132D - 1991年1月 - 修订1995年6月
5
TM124BBK32 ， TM124BBK32S 1048576 32位
TM248CBK32 ， TM248CBK32S 2097152 32位
动态RAM模块
SMMS132D - 1991年1月 - 修订1995年6月
D
D
D
D
D
D
D
D
D
D
组织
TM124BBK32 。 。 。 1 048 576
×
32
TM248CBK32 。 。 。 2 097 152
×
32
采用5 V单电源（ ± 10 ％容差）
72脚单列直插式内存模块
（ SIMM ）为使用套接字
TM124BBK32 ，开发前景8个4兆位
DRAM的塑料小外形J引线
（ SOJ ）包
TM248CBK32 ，采用16个4兆位
DRAM的塑料小外形J引线
（ SOJ ）包
分布式刷新周期
16毫秒（ 1024个周期）
所有输入，输出，时钟完全TTL
兼容
三态输出
针对8种常见常用的CAS控制
数据输入和数据输出线，四大板块
设备检测
D
性能范围：
ACCESS
时间
TRAC
（最大）
60纳秒
70纳秒
80纳秒
60纳秒
70纳秒
80纳秒
ACCESS
时间
大隘社
（最大）
15纳秒
18纳秒
20纳秒
15纳秒
18纳秒
20纳秒
读
OR
写
周期
（分钟）
110纳秒
130纳秒
150纳秒
110纳秒
130纳秒
150纳秒
D
D
D
D
TM124BBK32-60
TM124BBK32-70
TM124BBK32-80
TM248CBK32-60
TM248CBK32-70
TM248CBK32-80
低功耗
工作自由空气的温度范围内
0 ° C至70℃
金标签式的版本可供选择：
- TM124BBK32
- TM248CBK32
锡铅（焊接）选项卡式版本
可用：
- TM124BBK32S
- TM248CBK32S
描述
TM124BBK32
该TM124BBK32是有组织的四倍动态随机存取存储器（ DRAM） 1 048 576
×
在8
72引脚无引线单列直插内存模块（ SIMM ） 。在SIMM是由八个TMS44400 ， 1 048 576
×
4位的DRAM中，每个在26分之20引线塑料SOJ封装，安装在基板上连同解耦
电容器。每个TMS44400是在TMS44400数据手册中描述。
该TM124BBK32是与插座采用单面BK无铅模块中使用。
该TM124BBK32特点是60纳秒， 70 ns到80 ns的RAS访问时间。该器件的额定从操作
0 ° C至70℃
TM248CBK32
该TM248CBK32是有组织的四倍动态随机存取存储器2 097 152
×
在一个72引脚8
无铅SIMM 。在SIMM是由16 TMS44400 ， 1 048 576
×
4位动态RAM ，每个
二十六分之二十零引脚塑料封装SOJ SOJs ，安装在基板上加上去耦电容。每
TMS44400是在TMS44400数据手册中描述。
该TM248CBK32是用于与插座使用双面BK无引线模块中提供。
该TM248CBK32特点是60纳秒， 70 ns到80 ns的RAS访问时间。该器件的额定从操作
0 ° C至70℃
手术
TM124BBK32
该TM124BBK32操作为8 TMS44400DJs所示连接的功能框图。参考
到TMS44400数据手册操作的详细信息。该TM124BBK32的通用I / O功能决定了
使用早期的写周期，以防止争D和Q.
本数据手册材料编号为金标签版本;该信息适用于黄金标签和焊接标签的版本。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
1995年，德州仪器
邮政信箱1443
休斯敦，得克萨斯州77251-1443
1
TM124BBK32 ， TM124BBK32S 1048576 32位
TM248CBK32 ， TM248CBK32S 2097152 32位
动态RAM模块
SMMS132D - 1991年1月 - 修订1995年6月
TM248CBK32
该TM248CBK32操作为16 TMS44400DJs所示连接的功能框图。
请参考TMS44400数据手册操作的详细信息。该TM248CBK32的通用I / O功能
使然采用早期的写周期，以防止争用在D和Q.
刷新
刷新周期被延长到16毫秒，并且在此期间，每一个1024行必须与RAS选通
为了保持数据。所要求的TMS44400的DRAM的A0 - A9的地址线必须被刷新每16毫秒。
CAS可以保持较高的刷新序列中，以节省电力。
单列直插存储器模块和组件
PC基材： 1,27
±
0.1毫米（0.05英寸）的公称厚度; 0.005英寸/英寸最大翘曲
旁路电容：多层陶瓷
接触面积TM124BBK32和TM248CBK32 ：镍板和黄金板块超过铜。
接触面积TM124BBK32S和TM248CBK32S ：镍板和锡铅铜线。
2
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休斯敦，得克萨斯州77251-1443
TM124BBK32 ， TM124BBK32S 1048576 32位
TM248CBK32 ， TM248CBK32S 2097152 32位
动态RAM模块
SMMS132D - 1991年1月 - 修订1995年6月
BK单列直插式内存模块
（ TOP VIEW ）
TM124BBK32
（ SIDE VIEW ）
TM248CBK32
（ SIDE VIEW ）
VSS
DQ0
DQ16
DQ1
DQ17
DQ2
DQ18
DQ3
DQ19
VCC
NC
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
NC
DQ4
DQ20
DQ5
DQ21
DQ6
DQ22
DQ7
DQ23
A7
NC
VCC
A8
A9
RAS3
RAS2
NC
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
NC
NC
VSS
CAS0
CAS2
CAS3
CAS1
RAS0
RAS1
NC
W
NC
DQ8
DQ24
DQ9
DQ25
DQ10
DQ26
DQ11
DQ27
DQ12
DQ28
VCC
DQ29
DQ13
DQ30
DQ14
DQ31
DQ15
NC
PD1
PD2
PD3
PD4
NC
VSS
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
50
51
52
53
54
55
56
57
58
59
60
61
62
63
64
65
66
67
68
69
70
71
72
PIN NOMENCLATURE
A0–A9
CAS0–CAS3
DQ0–DQ31
NC
PD1- PD4
RAS0–RAS3
VCC
VSS
W
地址输入
列地址选通
数据输入/输出
无连接
存在检测
行地址选通
5 V电源
地
写使能
设备检测
信号
（ PIN）
80纳秒
TM124BBK32
70纳秒
60纳秒
80纳秒
TM248CBK32
70纳秒
60纳秒
PD1
(67)
VSS
VSS
VSS
NC
NC
NC
PD2
(68)
VSS
VSS
VSS
NC
NC
NC
PD3
(69)
NC
VSS
NC
NC
VSS
NC
PD4
(70)
VSS
NC
NC
VSS
NC
NC
这里显示的包没有按比例绘制。
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3
SMMS132D - 1991年1月 - 修订1995年6月
TM124BBK32 ， TM124BBK32S 1048576 32位
TM248CBK32 ， TM248CBK32S 2097152 32位
动态RAM模块
功能框图（对于TM124BBK32和TM248CBK32 ，侧面1 ）
4
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休斯敦，得克萨斯州77251-1443
模板发布日期： 94年7月11日
A0 – A9
RAS0
W
CAS0
10
RAS2
CAS1
10
1M
×
4
A0 – A9
RAS
W
CAS
OE
DQ1–
DQ4
10
1M
×
4
A0 – A9
RAS
W
CAS
OE
DQ1 -
DQ4
CAS2
10
1M
×
4
A0 – A9
RAS
W
CAS
OE
DQ1 -
DQ4
CAS3
10
1M
×
4
A0 – A9
RAS
W
CAS
OE
DQ1 -
DQ4
DQ0
DQ3
10
DQ8 -
DQ11
10
DQ16 -
DQ19
10
DQ24 -
DQ27
10
1M
×
4
A0 – A9
RAS
W
CAS
OE
DQ1 -
DQ4
DQ4–
DQ7
1M
×
4
A0 – A9
RAS
W
CAS
OE
DQ1 -
DQ4
DQ12 -
DQ15
1M
×
4
A0 – A9
RAS
W
CAS
OE
DQ1 -
DQ4
DQ20 -
DQ23
1M
×
4
A0 – A9
RAS
W
CAS
OE
DQ1 -
DQ4
DQ28 -
DQ31
功能框图（对于TM248CBK32 ，侧面2 ）
10
A0 – A9
RAS1
W
CAS0
10
1M
×
4
A0 – A9
RAS
W
CAS
OE
DQ1 -
DQ4
CAS1
10
1M
×
4
A0 – A9
RAS
W
CAS
OE
DQ1 -
DQ4
CAS2
10
1M
×
4
A0 – A9
RAS
W
CAS
OE
DQ1 -
DQ4
CAS3
10
1M
×
4
A0 – A9
RAS
W
CAS
OE
DQ1 -
DQ4
RAS3
邮政信箱1443
休斯敦，得克萨斯州77251-1443
DQ0
DQ3
10
DQ8 -
DQ11
10
DQ16 -
DQ19
10
DQ24 -
DQ27
10
1M
×
4
A0 – A9
RAS
W
CAS
OE
DQ1 -
DQ4
DQ4 -
DQ7
1M
×
4
A0 – A9
RAS
W
CAS
OE
DQ1 -
DQ4
DQ12 -
DQ15
1M
×
4
A0 – A9
RAS
W
CAS
OE
DQ1 -
DQ4
DQ20 -
DQ23
1M
×
4
A0 – A9
RAS
W
CAS
OE
DQ1 -
DQ4
TM124BBK32 ， TM124BBK32S 1048576 32位
TM248CBK32 ， TM248CBK32S 2097152 32位
动态RAM模块
DQ28 -
DQ31
SMMS132D - 1991年1月 - 修订1995年6月
5
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