TAS5631B
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SLES263 - 2010年11月
300 -W立体声/ 600 -W单声道的PurePath HD数字输入功率级
检查样品：
TAS5631B
1
特点
的PurePath HD启用了集成反馈
规定：
- 信号带宽可达80千赫
高频率内容从高清片源
- 超低0.03 ％的THD为1 W到4
- 平THD在所有频率自然
声音
- 80 dB的电源抑制比（ BTL ，无输入信号）
- >100 - 分贝（ A加权）信噪比
- 点击 - 和波普免费入门
可能在同一多种配置
PCB带馅的选项：
- 单声道并行桥接负载（ PBTL ）
- 立体声桥接负载（ BTL ）
- 2.1单端立体声对和
桥接负载低音炮
- 四通道单端输出
10 ％ THD + N总输出功率
- 在单PBTL配置600瓦
- 300瓦每立体声BTL通道
CON组fi guration
- 145 W可持续的四通道单端
CON组fi guration
高效率功率级（ >88 ％ ）用
60毫欧的MOSFET输出
两个热增强型封装选项：
- PHD （ 64引脚QFP ）
- DKD （ 44引脚PSOP3 ）
自保护设计（包括
欠压，过热，削波和
短路保护）错误报告
EMI符合当同时使用
推荐系统的设计
应用
迷你组合系统
AV接收器
DVD接收机
有源音箱
23
描述
该TAS5631B是一个高性能的PWM输入
D类放大器与集成闭环
反馈技术（俗称的PurePath高清
技术）一起开车到300瓦的能力
(1)
立体声为4 Ω至8 Ω扬声器由一个单一的50 -V
供应量。
的PurePath高清技术使传统
AB放大器的性能（ <0.03 ％THD ），而水平
提供传统的D类的功率效率
放大器器。
不同于传统的D类放大器中，失真
曲线并不增加，直到输出电平移动
进入削波。
的PurePath HD
的PurePath高清技术实现更低的闲置损失，
使得设备更加高效。
注： 1 。
可实现输出功率电平
依赖于目标的热构造
应用程序。高性能导热界面
封装外露散热片之间的材料
和散热器，应使用以实现高
输出功率电平。
数字
音频
输入
TAS5518C
数字PWM
处理器
的PurePath高清
TAS5630
TAS5631B
TM
1
2
3
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
的PurePath高清是德州仪器的商标。
所有其他商标均为其各自所有者的财产。
2010 ，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
TAS5631B
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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。
设备信息
端子分配
两包类型包含位于该装置的顶侧，以方便热一热片
耦合至热沉。
PHD包装
（ TOP VIEW ）
VDD
PSU_REF
NC
NC
NC
NC
GND
GND
GVDD_B
GVDD_A
BST_A
OUT_A
OUT_A
PVDD_A
PVDD_A
GND_A
DKD套餐
（ TOP VIEW ）
电针1
引脚1标记
白点
2
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产品文件夹链接（ S） ：
TAS5631B
OTW2
夹
准备
M1
M2
M3
GND
GND
GVDD_C
GVDD_D
BST_D
OUT_D
OUT_D
PVDD_D
PVDD_D
GND_D
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
OC_ADJ
RESET
C_STARTUP
INPUT_A
INPUT_B
VI_CM
GND
AGND
VREG
INPUT_C
INPUT_D
TEST
NC
NC
SD
OTW1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
64引脚QFP封装
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
GND_A
GND_B
GND_B
OUT_B
OUT_B
PVDD_B
PVDD_B
BST_B
BST_C
PVDD_C
PVDD_C
OUT_C
OUT_C
GND_C
GND_C
_
GND_D
PSU_REF
VDD
OC_ADJ
RESET
C_STARTUP
INPUT_A
INPUT_B
VI_CM
GND
AGND
VREG
INPUT_C
INPUT_D
TEST
NC
NC
SD
OTW
准备
M1
M2
M3
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
GVDD_AB
BST_A
PVDD_A
PVDD_A
OUT_A
OUT_A
GND_A
GND_B
OUT_B
PVDD_B
BST_B
BST_C
PVDD_C
OUT_C
GND_C
GND_D
OUT_D
OUT_D
PVDD_D
PVDD_D
BST_D
GVDD_CD
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
50
49
44引脚封装
（ TOP VIEW ）
PIN一个位置PHD包装
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TAS5631B
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模式选择引脚
模式引脚
M3
0
0
0
0
1
1
1
1
(1)
(2)
M2
0
0
1
1
0
0
1
1
M1
0
1
0
1
0
1
0
1
PWM输入
(1)
2N
—
2N
1N
1N
2N
1N
产量
CON组fi guration
2 × BTL
—
2 × BTL
1 × BTL 2 × SE
4 × SE
1 × PBTL
AD模式
版权所有
BD模式
AD模式
AD模式
INPUT_C
(2)
0
1
版权所有
INPUT_D
(2)
0
0
AD模式
BD模式
描述
在1N和2N命名约定是用来表示在一个特定模式的PWM行至每个信道的功率级的数目。
INPUT_C和INPUT_D使用的AD和BD模式操作中PBTL模式的子集之间进行选择。
封装的热耗散额定值
(1)
参数
R
QJC
（℃ / W ） - 2- BTL或4 SE的通道
R
QJC
（ ℃/ W） - 1 BTL或2 SE的信道（多个）
R
QJC
（ ° C / W） - 1 SE通道
垫区
(1)
(2)
(2)
TAS5631BPHD
2.63
4.13
6.45
64 mm
2
TAS5631BDKD
1.4
2.04
3.45
80 mm
2
R
QJC
是结到外壳;
QCH
区分到散热器。
R
QCH
是一个重要的考虑因素。假定导热油脂的2密耳（ 0.051毫米）的厚度为2.5瓦/ mK的热导率
焊盘区域和散热器和两个通道活性之间。第r
QCH
这个条件对于PHD包1.1 ° C / W和
0.44 ° C / W的DKD包。
表1.订购信息
(1)
T
A
0°C–70°C
0°C–70°C
(1)
包
TAS5631BPHD
TAS5631BDKD
描述
64引脚HTQFP
44针PSOP3
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或见TI
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绝对最大额定值
在工作自由空气的温度范围内，除非另有说明
TAS5631B
VDD到AGND
GVDD到AGND
PVDD_X到GND_X
BST_X到GND_X
VREG到AGND
GND_X到GND
GND_X到AGND
GND到AGND
OC_ADJ ，M1， M2，M3， OSC_IO + OSC_IO- ， FREQ_ADJ ， VI_CM ， C_STARTUP ，
PSU_REF到GND
INPUT_X ， RESET ， SD ， OTW1 ， OTW2 ， CLIP ，准备GND
最大连续灌电流（SD ， OTW1 ， OTW2 ， CLIP ，就绪）
最大工作结温范围，T
J
贮藏温度，T
英镑
静电放电
(1)
(2)
(3)
人体模型
(3)
（所有引脚）
带电器件模型
(3)
(2)
(1)
单位
-0.3至13.2
-0.3至13.2
-0.3至69
-0.3至69
-0.3 82.2
-0.3至69
-0.3 4.2
-0.3 0.3
-0.3 0.3
-0.3 0.3
-0.3 4.2
-0.3 7
9
0至150
-40至150
±2
±500
（所有引脚）
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
mA
°C
°C
kV
V
OUT_X到GND_X
(2)
(2)
BST_X到GVDD_X
(2)
强调超越那些在列
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值
只和功能在这些或任何其他条件超出下所指示的设备的操作
推荐工作
条件
是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
这些电压表示在该装置的各种情况下，终端测量的直流电压+峰的交流波形。
未能在制造过程中遵循良好的防静电ESD处理和返工有贡献的设备故障。确保
运营商处理装置通过使用接地母线或替代ESD保护的充分接地。
推荐工作条件
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
闽喃
PVDD_x
GVDD_X
VDD
R
L
（ BTL ）
R
L
（ SE ）
R
L
（ PBTL ）
L
产量
（ BTL ）
L
产量
（ SE ）
L
产量
（ PBTL ）
f
PWM
T
J
PWM帧率
结温
输出滤波电感
最小输出电感的我
OC
负载阻抗
根据在图表输出滤波器
应用信息部分。
半桥电源
供应逻辑稳压器和栅极驱动器
电路
数字式稳压电源电压
直流电源电压
直流电源电压
直流电源电压
25
10.8
10.8
3.5
1.8
1.6
7
7
7
352
0
50
12
12
4
2
2
10
15
10
384
500
125
千赫
°C
mH
最大
52.5
13.2
13.2
单位
V
V
V
终端功能
终奌站
名字
AGND
BST_A
BST_B
BST_C
PHD NO 。
8
54
41
40
DKD NO 。
10
43
34
33
功能
(1)
P
P
P
P
描述
模拟地
HS自举电源（ BST ） ;外部0.033 -MF电容OUT_A要求
HS自举电源（ BST ） ;以OUT_B所需的外部0.033 -MF电容器
HS自举电源（ BST ） ;以OUT_C所需的外部0.033 -MF电容器
(1)
4
I =输入， O =输出， P =电源
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终端功能（续）
终奌站
名字
BST_D
夹
C_STARTUP
TEST
GND
GND_A
GND_B
GND_C
GND_D
GVDD_A
GVDD_B
GVDD_C
GVDD_D
GVDD_AB
GVDD_CD
INPUT_A
INPUT_B
INPUT_C
INPUT_D
M1
M2
M3
NC
NC
OC_ADJ
OTW
OTW1
OTW2
OUT_A
OUT_B
OUT_C
OUT_D
PSU_REF
PVDD_A
PVDD_B
PVDD_C
PVDD_D
准备
RESET
SD
VDD
VI_CM
VREG
PHD NO 。
27
18
3
12
7, 23, 24, 57, 58
48, 49
46, 47
34, 35
32, 33
55
56
25
26
—
—
4
5
10
11
20
21
22
59–62
13, 14
1
—
16
17
52, 53
44, 45
36, 37
28, 29
63
50, 51
42, 43
38, 39
30, 31
19
2
15
64
6
9
DKD NO 。
24
—
5
14
9
38
37
30
29
—
—
—
—
44
23
6
7
12
13
20
21
22
–
15, 16
3
18
—
—
39, 40
36
31
27, 28
1
41, 42
35
32
25, 26
19
4
17
2
8
11
功能
(1)
P
O
O
I
P
P
P
P
P
P
P
P
P
P
P
I
I
I
I
I
I
I
—
—
O
O
O
O
O
O
O
O
P
P
P
P
P
O
I
O
P
O
P
描述
HS自举电源（ BST ） ;以OUT_D所需的外部0.033 -MF电容器
裁剪警告;漏极开路;低电平有效
起动加速需要4.7 nF的充电电容到AGND 。
连接到VREG节点
地
电源地为半桥一个
电源地为半桥B
电源地为半桥
电源地的半桥式D
栅极驱动电源需要0.1 μF的电容到AGND。
栅极驱动电源需要0.1 μF的电容到AGND。
栅极驱动电源需要0.1 μF的电容到AGND。
栅极驱动电源需要0.1 μF的电容到AGND。
栅极驱动电源需要0.22 μF的电容到AGND。
栅极驱动电源需要0.22 μF的电容到AGND。
输入信号为半桥一个
输入信号为半桥B
输入信号为半桥
输入信号的半桥式D
模式选择
模式选择
模式选择
无连接;引脚可接地。
无连接;引脚可接地。
模拟过电流编程引脚要求接地电阻。
超温预警信号，漏极开路，低电平有效
超温预警信号，漏极开路，低电平有效
超温预警信号，漏极开路，低电平有效
输出，半桥一个
输出，半桥B
输出，半桥
输出，半桥式D
PSU需要参考4.7紧密脱钩
mF
到AGND 。
电源输入半桥A需要的0.01 μF的电容去耦靠近
与1- μF的电容GND_A平行。
电源输入半桥B要求的0.01 μF的电容去耦靠近
与1- μF的电容GND_B平行。
电源输入半桥C要求的0.01 μF的电容去耦靠近
与1- μF的电容GND_C平行。
电源输入端的半桥式D需要0.01 μF的电容去耦靠近
与1- μF的电容GND_D平行。
正常运行;漏极开路;高电平有效
器件复位输入;低电平有效
关闭信号;漏极开路，低电平有效
电源的数字电压调节器需要一个47 μF的电容并联一个
0.1 μF的电容接地，去耦。
模拟比较器的参考节点需要4.7紧密脱钩
mF
到AGND 。
数字式稳压电源滤波器引脚需要0.1 μF的电容到AGND。
2010 ，德州仪器
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