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TC4467

TC4468

TC4469

逻辑输入CMOS Quad驱动程序

特点

高峰值输出电流1.2A ...............................

宽工作范围............................ 4.5 18V

对称的上升和下降时间................ 25nsec

总之，平等延迟时间............................ 75nsec

Latchproof ！可承受500毫安感应反冲

3输入逻辑的选择

- AND / NAND / AND + INV

2kV的ESD保护上的所有引脚

概述

该TC446X一家四口输出的CMOS缓冲器/驱动器

从我们之前的单核和双输出扩展

驱动程序。每个驱动程序已经配备了一个双输入

逻辑门以增加灵活性。

该TC446X驱动器可以提供高达250 mA的负载成

参考接地。重仓时钟线，同轴

电缆和压电换能器都可以很容易地

驱动用446X系列的驱动程序。上唯一的限制

装载的是，在集成电路总功耗必须保持

内封装的功耗限制。

该TC446X系列将不会在任何条件下闩

在他们的功率和电压。它们不受

损坏最多时的噪声尖峰5V （任一极性）

发生在地线上。他们可以接受多达一半的放大器

电感反冲电流（任一极性）纳入其输出

把无损害或逻辑混乱。此外，所有的终端

均提供ESD保护，以最少2000V 。

应用

通用CMOS逻辑缓冲

找到的所有四个MOSFET的在H桥

直接小电机驱动器

继电器或外设驱动器

CCD驱动器

引脚交换网络驱动程序

订购信息

产品型号

TC446xCOE

TC446xCPD

TC446xEJD

TC446xMJD

包

16引脚SOIC （宽）

14引脚塑料DIP

14引脚CERDIP

TEMP 。 RANGE

0 °到+ 70°C

- 40 °C至+ 85°C

- 55 °C至+ 125°C

逻辑图

x表示一个数字必须在这个位置上，以限定所述设备被添加

输入配置： TC446x - 7

NAND

和

并与INV

TC4467

VDD

TC4468

VDD

TC4469

VDD

TC446X

VDD

产量

GND

TC4467 / 8 / 9-6 96年10月21日

4-261

TELCOM半导体，INC。的

逻辑输入CMOS

Quad驱动程序

TC4467

TC4468

TC4469

绝对最大额定值*

电源电压................................................ ......... + 20V

输入电压......................... （ GND - 5V ）至（v

+ 0.3V)

最大芯片温度

操作................................................. ....... + 150°C

存储............................................. - 65 ° + 150°C

最大的铅温度

（焊接， 10秒） ......................................... + 300 °

工作环境温度范围

C设备................................................ .. 0 °到+ 70°C

设备............................................. - 40 °至+ 85°C

M设备........................................... - 55 °C至+ 125°C

封装功耗（T

≤

70°C)

14引脚CERDIP .............................................. ..840mW

14引脚塑料DIP ........................................... 800mW的

16引脚宽体SOIC .......................................... 760mW的功耗

封装热阻

14引脚CERDIP

θJ -A

......................................

100°C/W

θJ -C

.........................................

23°C/W

14引脚塑料DIP

θJ -A

.........................................

80°C/W

θJ -C

.........................................

35°C/W

16引脚宽体SOIC

θJ -A

.........................................

95°C/W

θJ -C

.........................................

28°C/W

*静电敏感器件。未使用的设备必须存储在导电

材料。防止静电放电和静电场的设备。讲

超出上述绝对最大额定值可能会导致perma-

新界东北损坏设备。这些压力额定值只和功能

该设备在这些或以上的任何其他条件的操作

在规范的业务部门所标明是不是暗示。

暴露在绝对最大额定值条件下长时间

可能会影响器件的可靠性。

电气特性：

测量在T

= + 25 ℃， 4.5V

≤

18V，除非另有规定。

符号

输入

逻辑1 ，高输入电压

逻辑0 ，低输入电压

输入电流

高输出电压

低输出电压

输出电阻

峰值输出电流

连续输出电流

闭锁保护

承受反向电流

上升时间

下降时间

延迟时间

电源电流

电源电压

注3

≤

负载

= 100μA （注1 ）

负载

= 10毫安（注1 ）

OUT

= 10毫安，V

= 18V

单路输出

总包

4.5V

≤

16V

2.4

–1

– 0.025

—

500

—

1.2

—

0.8

—

0.15

—

300

500

—

参数

测试条件

民

典型值

最大

单位

产量

开关时间

图1

—

4.5

1.5

—

纳秒

电源

注2

真值表

产品型号

输入A

输入B

输出TC446X

H = HIGH

4-262

L =低

TC4467 NAND

TC4468和

TC4469和/ INV

TELCOM半导体，INC。的

逻辑输入CMOS

Quad驱动程序

TC4467

TC4468

TC4469

电气特性：

衡量整个工作温度范围内具有4.5V

≤

18V,

除非另有规定ED 。

符号

输入

逻辑1 ，高输入电压

逻辑0 ，低输入电压

输入电流

高输出电压

低输出电压

输出电阻

峰值输出电流

闭锁保护

承受反向电流

上升时间

下降时间

延迟时间

电源电流

电源电压

（注3）

≤

负载

= 100

（注1 ）

负载

= 10 MA（注1 ）

OUT

= 10 mA时， V

= 18V

4.5V

≤

16V

2.4

—

– 10

– 0.025

—

500

—

1.2

—

0.8

—

0.30

—

参数

测试条件

民

典型值

最大

单位

产量

开关时间

图1

—

4.5

—

100

纳秒

电源

注2

注意事项：

1.图腾柱输出不应该平行，因为从一个传播延迟差异，其他可能导致一个司机

开车前高又几纳秒。所得到的电流尖峰，虽然短，可降低该装置的使用寿命。

2.当同时驱动所有四个输出端在相同的方向，V

应限制在16V 。这降低了机会，内部

的dv / dt将导致在装置中的高功率消耗。

3.输入阈值有大约50毫伏滞后的中心大约在1.5V 。缓慢移动的投入将强制设备

消散高峰值电流的输入，通过这个频段的过渡。输入的上升时间应保持低于5

避免高内

在输入端电平峰值电流。为静态的输入电平也应保持在高于最大或低于最小输入

在"Electrical Characteristics"规定的水平，以避免增加功耗的器件。

销刀豆网络gurations

16引脚SOIC （宽）

GND

14引脚塑料DIP / CERDIP

1A 1

1B 2

2A 3

2B 4

3A 5

3B 6

7 GND

14 V

13 1Y

12 2Y

TC4467/8/9

11 3Y

10 4Y

4-263

TELCOM半导体，INC。的

逻辑输入CMOS

Quad驱动程序

TC4467

TC4468

TC4469

电源旁路

大电流，需要进行充电和放电

大容性负载快速。例如，充电

1000 pF负载至18V的25nsec需要从0.72A

设备的电源。

为了保证低电源阻抗在很宽的频

昆西范围，1-

薄膜电容器并联有一个或两个

低电感0.1

短陶瓷圆盘电容器

引线长度（ <0.5英寸）通常提供足够的bypass-

ING 。

三个部分构成总包电源

功耗：

（1）负荷引起的耗散性（P

)

（ 2 ）静态功率（P

)

（ 3 ）转换功率（P

电容性负载造成的功耗（驱动MOSFET

门），是频率，电容性负载的直接函数，并

电源电压。功耗为：

= F （C V）

式中： f =开关频率

C =容性负载

=电源电压。

电阻性负载造成的功耗为地面为参考

转制载荷是占空比，负载电流的函数，并且

负载电压。功耗为：

= D （V

– V

) I

其中：D =占空比

电源电压

=负载电压

=负载电流。

电阻性负载造成的功耗为供为参考

转制载荷是占空比，负载电流的函数，并且

输出电压。功耗为：

= D V

式中： f =开关频率

=设备的输出电压

=负载电流。

静态功耗取决于输入信号

占空比。逻辑高电平输出，导致较低的功率

散热模式，具有仅为0.6 mA的总电流消耗（所有

设备驱动）。逻辑低输出提升为4 mA的电流

最大。静态功耗为：

= V

（D （ 1H） +（1- D）的余

其中：I

=静态电流与所有输出低电平

（4 mA（最大值））

=静态电流与所有输出高电平

（0.6 mA以下）

D =占空比

=电源电压。

TELCOM半导体，INC。的

接地

该TC4467和TC4469包含反相驱动器。

在共同点的阻抗开发潜力下降

从输入到输出显示为负反馈和

降低开关速度快的特点。相反，个别

接地回路的输入和输出电路或接地

面，应使用。

输入级

输入电压电平改变空载或quies-

电源电流美分。所述N沟道MOSFET的输入级

晶体管驱动2.5 mA电流源负载。随着逻辑"0"

输出，最大静态电源电流为4mA 。逻辑

"1"输出电平信号，降低静态电流1.4毫安

最大。未使用的驱动器输入必须连接到V

或V

。最低功耗发生逻辑"1"

输出。

该驱动器的设计与50 mV的滞后。这

提供干净的过渡，最大限度地减少输出级电流

改变状态的时候租扣球。输入电压阈值

大约是1.5V ，因此比任何电压高

1.5V至V

逻辑1输入。输入电流小于1

超过这个范围。

功耗

电源电流与频率的关系和电源电流

对容性负载特性曲线将在阻止 - 帮助

采矿功耗计算。 Telcom公司Semicon-

导体的CMOS驱动器，大大降低了静态直流

功耗。

输入信号的占空比，电源电压和负载

式，影响封装功耗。鉴于电力

耗散和封装的热电阻，最大

环境温度是很容易计算的。在14-

引脚塑料封装结点至环境热阻

83.3 ° C / W 。在+ 70 ° C，封装的额定功率为800mW的

最大耗散。最大允许芯片温度

TURE为+ 150°C 。

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逻辑输入CMOS

Quad驱动程序

TC4467

TC4468

TC4469

过渡功耗产生的

互补结构（ TC446X ），因为

输出级N沟道和P沟道MOS晶体管

同时打开了很短的时间内，当

输出的变化。过渡功耗

大致如下：

= F V

(10

–9

最大工作温度：

–

) = 141°C,

其中：T

=最大允许结温

(+150°C)

=结点至环境热阻

（ 83.3 ° C / W ） 14引脚塑料封装。

注意：

环境工作温度应不超过+ 85 ℃下进行

"EJD"设备或+ 125 ℃下进行"MJD"设备。

的功率为负载的总和， quies-

分和过渡的功耗。一个例子显示

每个学期的相对大小：

C = 1000pF的容性负载

= 15V

D = 50%

F = 200千赫

=封装功耗= P

+ P

= 45毫瓦+ 35毫瓦+ 30 MW = 110毫瓦。

VDD

1 μF电影

0.1 μF陶瓷

+5V

90%

VOUT

470 pF的

输入

（A ， B）

VDD

90%

10%

90%

10%

tD2

产量

tD1

10%

输入： 100 kHz时，方波，

上升

= t

秋天

≤

10nsec

图1.开关时间测试电路

TELCOM半导体，INC。的

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