TLP130
东芝光电耦合的GaAs红外发光二极管&光电晶体管
TLP130
可编程控制器
AC / DC ,输入模块
电信
东芝迷你平板耦合器TLP130是一个小大纲耦合器,
适合于表面贴装。
TLP130由一个光电晶体管的光耦合到2镓
砷化镓红外发光二极管连接的反向并联,并经营
直接由交流输入电流。
·
·
·
·
·
集电极 - 发射极电压: 80V (分钟)
电流传递比: 50% (最小)
GB排名:
100%(min.)
隔离电压: 3750Vrms (分钟)
UL认证: UL1577 ,文件No.E67349
电流传输比
以毫米单位
东芝
方法分类
fication
标准
GB排名
电流传输比
I
F
= 5毫安,V
CE
= 5V , TA = 25℃
分钟。
马克斯。
50
100
600
600
打标
分类
空白, Y, GR , GB
GB , GR
1
114C2
重量: 0.09克
认证测试(注)应用程序类型的名称,
请使用标准puroduct类型的名称,即
TLP130 ( GB) : TLP130
6
5
3
4
1 :阳极,阴极
3 :阴极,阳极
4 :发射器
5 :收藏家
6 :基本
1
2002-09-25
TLP130
最大额定值
( TA = 25°C )
特征
正向电流
LED
正向电流降额( Ta≥53 ° C)
峰值正向电流( 100μs的脉冲, 100pps )
结温
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 集电极电压
探测器
发射极 - 基极电压
集电极电流
峰值集电极电流( 10ms的脉冲, 100pps )
功耗
功耗降额( Ta≥25 ° C)
结温
存储温度范围
工作温度范围
引线焊接温度( 10秒)
总计封装功耗
总包功耗降额( Ta≥25 ° C)
隔离电压( AC, 1分, RH
≤
60%)
(注1 )
符号
I
F( RMS )
I
F
/ °C
I
FP
T
j
V
首席执行官
V
CBO
V
ECO
V
EBO
I
C
I
CP
P
C
P
C
/ °C
T
j
T
英镑
T
OPR
T
SOL
P
T
P
T
/ °C
BV
S
等级
50
-0.7
1
125
80
80
7
7
50
100
150
-1.5
125
-55~125
-55~100
260
200
-2.0
3750
单位
mA
毫安/°C的
A
°C
V
V
V
V
mA
mA
mW
毫瓦/°C的
°C
°C
°C
°C
mW
毫瓦/°C的
VRMS
(注1 )设备认为是一个双端器件:引脚1和3短接在一起,并且引脚4,5和6短
在一起。
推荐工作条件
特征
电源电压
正向电流
集电极电流
工作温度
符号
V
CC
I
F( RMS )
I
C
T
OPR
分钟。
―
―
―
-25
典型值。
5
16
1
―
马克斯。
48
25
10
85
单位
V
mA
mA
°C
2
2002-09-25
TLP130
东芝光电耦合器
砷化镓红外发光二极管&光电晶体管
TLP130
可编程控制器
AC / DC ,输入模块
电信
东芝迷你平板耦合器TLP130是一个小大纲耦合器,
适合于表面贴装。
TLP130由一个光电晶体管的光耦合到2镓
砷化镓红外发光二极管连接的反向并联,并经营
直接由交流输入电流。
集电极 - 发射极电压: 80V (分钟)
电流传递比: 50% (最小)
秩GB :100%(分钟)
隔离电压: 3750Vrms (分钟)
UL认证: UL1577 ,文件No.E67349
电流传输比
以毫米单位
东芝
方法分类
fication
标准
GB排名
电流传输比
I
F
= 5毫安,V
CE
= 5V , TA = 25℃
分钟。
马克斯。
50
100
600
600
打标
分类
空白, Y, GR , GB
GB , GR
1
114C2
重量: 0.09克
认证测试(注)应用程序类型的名称,
请使用标准的产品型号名称,即
TLP130 ( GB) : TLP130
6
5
3
4
1 :阳极,阴极
3 :阴极,阳极
4 :发射器
5 :收藏家
6 :基本
1
2007-10-01
TLP130
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
特征
正向电流
LED
正向电流降额( Ta≥53 ° C)
峰值正向电流( 100μs的脉冲, 100pps )
结温
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 集电极电压
探测器
发射极 - 基极电压
集电极电流
峰值集电极电流( 10ms的脉冲, 100pps )
功耗
功耗降额( Ta≥25 ° C)
结温
存储温度范围
工作温度范围
引线焊接温度( 10秒)
总计封装功耗
总包功耗降额( Ta≥25 ° C)
隔离电压( AC, 1分, RH
≤
60%)
(注1 )
符号
I
F( RMS )
ΔI
F
/ °C
I
FP
T
j
V
首席执行官
V
CBO
V
ECO
V
EBO
I
C
I
CP
P
C
ΔP
C
/ °C
T
j
T
英镑
T
OPR
T
SOL
P
T
ΔP
T
/ °C
BV
S
等级
50
0.7
1
125
80
80
7
7
50
100
150
1.5
125
55~125
55~100
260
200
2.0
3750
单位
mA
毫安/°C的
A
°C
V
V
V
V
mA
mA
mW
毫瓦/°C的
°C
°C
°C
°C
mW
毫瓦/°C的
VRMS
注:在重负载下连续使用(如高温/电流/电压和应用
在温度等显著变化)可能会导致此产品在可靠性,降低显著甚至
如果操作条件(即工作温度/电流/电压等)内的绝对最大
收视率。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
( “注意事项” / “降额的概念和方法” )和个人数据的可靠性(即可靠性试验
报告与估计的故障率,等)。
(注1 )设备认为是一个双端器件:引脚1和3短接在一起,并且引脚4,5和6短
在一起。
推荐工作条件
特征
电源电压
正向电流
集电极电流
工作温度
符号
V
CC
I
F( RMS )
I
C
T
OPR
分钟。
―
―
―
25
典型值。
5
16
1
―
马克斯。
48
25
10
85
单位
V
mA
mA
°C
注:推荐工作条件给出的设计方针,以获得预期的性能
装置。此外,每个项目都是一个独立的准则分别。在使用这种显影设计
产品时,请确认本文档中指定的特性。
2
2007-10-01