tm
TE
CH
T63H0001A
T63H0001A
特点
低电源电流
电源电流
锂离子电池保护器
TYP 。 5.0uA
待机电流（检测到过放电后） TYP 。 0.3uA
高耐压
高精确度检测仪
门槛
各种检测器阈值
绝对最大额定值
过充电检测
过放电检测仪
过充电检测电压
过放电检测电压
内置保护电路
过充电输出延迟
过电流脱扣/短路保护
时间延迟为C3 = 0.01uF的& VDD = 4.3V
170Ms
note1
20V(VDD-VM)
+/- 25mV的
+/- 2.5%
4.0V至4.4V
2.4V至3.0V
注1 ：结果从T63H0001A -AX测量。
型号示例
过充电检测
产品型号
电压
T63H0001A-AX
T63H0001A-BX
T63H0001A-CX
…
*note1
4.25V
4.35V
4.30V
….
电压
4.05V
4.15V
4.10V
….
001A
001B
001C
SOT-23-6
SOT-23-6
SOT-23-6
….
过充电解除
记号
包型
注1 ：新的模型版本和具体的特点可能是为了通过客户。
概述
该T63H0001A系列保护IC，用于
可再充电单电池的过充电/放电
锂离子（ Li +）电池采用CMOS工艺。
该T63H0001A系列可检测
过充电/锂的放电+ 1小区和
多余的负载电流，还包括一个短
电路保护，防止外部大
短路电流。
这些芯片是由三个电压
检测器，一个参考单元，一个滞后电路，
和短路保护。当充电
电压穿越从探测器门槛
低值为比VDET1越高，则
输出Cout的针，过充电的输出
检测器/ VD1，切换到低级别。 ...
充电器的负引脚的电平。在检测
过充电的VD1可被复位并输出
Cout的引脚变成“H”在VDD时
电压即将下降到一个电平低于
“ VDET1 - Vhys1 ”时，或当一个充电器
从电池组断开，而
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CH
T63H0001A
和DOUT级别切换到“H”被拆卸一
从负载系统的电池组。
此外，短路保护，使Dout的水平
与外部短路“L”立即
当前和消除外部短路导线
Dout的电平为“H” 。在检测
过放电，电源电流将被保持
非常“L ”通过暂停一些内部电路
操作。的输出延迟过充电
检测器可以通过连接外部设置
电容器。中Cout的和DOUT输出型
CMOS 。 SOT-23-6可用。
VDD的电平处于“ VDET1 ”与
在T63H0001A版“ VDET1 - Vhys1 ” 。
DOUT引脚输出，输出
过放电检测器/ VD2，切换到
“低”后，内部固定的延迟时间的推移，
当放电电压穿越检测
比阈值从高值到一个值的情况下
VDET2 。过量的负载电流可被检测到，并
切断后，内部固定的延迟时间过去了
通过内置过电流检测， VD3 ，
同的Dout被启动为低电平。后一次
检测过电流时， VD3被释放
框图
5 VDD
2 CT
电平转换
VD1
过放电&
过电流&
短路检测仪
调节器
1 Cout的
4 Dout的
VD2
VD3
6 VM
3 VSS
销刀豆网络gurations
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PIN号
1
2
3
4
5
6
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CH
T63H0001A
引脚说明
符号
COUT
Ct
VSS
DOUT
VDD
VM
引脚说明
的过充电检测输出， CMOS输出
引脚VD1的外部电容设定输出延迟
地
过放电检测输出， CMOS输出
电源
针充电器负输入
绝对最大额定值
Vss=0V
符号
VDD
VM
VCT
VCOUT
VDOUT
Pd
TOPT
TSTG
功耗
工作温度范围
存储温度范围
输出电压
电源电压
输入电压
项
VDD -VM
VM端
CT引脚
COUT引脚
DOUT引脚
等级
-0.3 20
VDD - 20 VSS + 0.3
VSS - 0.3 VSS + 0.3
VDD - 20 VSS + 0.3
VSS - 0.3 VSS + 0.3
150
-40至+85
-55到+125
单位
V
V
V
V
V
mV
C
C
绝对最大额定值是必须连瞬间超过临界值
下的任何条件。此外，这样的值，任何两个项目不能同时到达。
操作上面这些绝对最大额定值可能会导致性能下降或永久损坏
装置。这些仅仅是极限，并不一定意味着下面这些功能操作
极限。
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符号
VDD1
Vdet1
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电气特性
项
工作输入电压
过充电的阈值电压
（过充电检测电压）
条件
电压定义为Vdd的-VM
-AX
检测上升沿
电源电压
-Bx
-CX
-AX
过充电解除
VOCH
电压
-CX
Vhys1
Tvdet1
Vdet2
Tvdet2
Vdet3
Tvdet3
VSHORT
tshort
过充电阈值迟滞范围
输出延迟时间过充电
过放电阈值电压
过放的输出延迟时间
过电流阈值电压
过电流的输出延迟时间
短路检测电压
短路电流的输出延迟时间
Vhys1=Vdet1-voch
C3 = 0.01uF的， VDD = 3.6V
!
4.3V
4.05
0.15
140
-
-Bx
4.30
4.25
4.00
4.10
分钟。
2.4
4.20
temp=25C
典型值。
马克斯。
18
4.25
4.35
4.30
4.05
4.15
4.10
0.20
170
2.50
10
0.12
13
4.30
4.40
4.35
4.10
4.20
4.15
0.25
210
2.563
13
0.14
17
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
ms
V
ms
V
ms
V
us
千欧
V
V
V
V
uA
uA
检测电源电压的2.437的下降沿
Vdd=3.6V
!
2.4V
检测VM管脚的电压上升沿
Vdd=3V
Vdd=3V
1
Vdd=3V
VDD = 3.0V ， VM = 1.0V
IOL = 50uA的， VDD = 4.4V
IOH = -50uA ， VDD = 3.9V
IOL = 50uA的， VDD = 2.4V
IOH = -50uA ， VDD = 3.9V
VDD = 3.9V ， VM = 0V
Vdd=2.0V
3.4
3.4
50
7
0.1
9
的Vdd -1 。的Vdd -0 。的Vdd -0 。
8
5
100
0.2
3.8
0.2
3.7
5.0
0.3
9.0
0.6
0.5
5
50
150
0.5
Rshort复位电阻过电流保护
Vol1
Voh1
Vol2
Voh2
国际直拨电话
Istandby
COUT的N沟道开启电压
COUT的PCH的电压开启
DOUT的N沟道开启电压
DOUT的P沟道导通电压
电源电流
待机电流
手术
VD1 /过充电检测
该VD1监控VDD引脚的电压。当
VDD电压超过过充电检测器
阈VDET1从一个低的值与值
比Vdelt1越高， VD1可以感
过度充电和一个外部充电控制
N沟道MOS -FET变为“ OFF ”与COUT引脚
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是在“L” 。
为过充电检测时的延迟时间
可以通过外部电容器C3被设置
连接VSS引脚和CT引脚。外部
电容器可以从时刻作出的延迟时间
检测到过充电到时间输出一个信号
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的充电控制N沟道型MOS - FET的“关”。
在缓冲驱动器整合为一个电平转换器
COUT引脚使COUT引脚的“L”的
VM端子电压和COUT引脚的“H ”设置为
VDD电压CMOS缓冲器。
在VDD水平滞后宽度范围内
(Vdet1-Vhys1<=VDD<Vdet1)
之后，与VDD检测过充电
比VDET1更高，连接系统的电压
负载到电池组使得负载电流
许用通过外部寄生二极管
充电控制N -MOS -FET 。该Cout的水平
将“H”时的VDD水平来
下降到低于VDET1一个水平连续
负载电流的绘图。
包。当VDD电压保持在
过放电检测电压VDET2费
电流可以流过寄生二极管
外部控制N -MOS -FET ，再经过
VDD的电压来达到一个值大于
Vdet2的放电过程中会被推进
通过“ON”状态放电控制
N沟道MOS -FET 。连接充电器的
电池组使得Dout的级别为“H”
瞬间，当
N沟道MOS -FET 。
由VD2检测过放电后，
电源电流将减少到0.3uA典型值。
在VDD = 2V ，并进入待机状态，只有充电器
检测器在运行。
DOUT引脚的输出类型为CMOS有
的VDD为“H”电平与VSS的“ L”电平。
这使得充电控制N -MOS -FET
对于转向“OFF” 。虽然VDD电压
会提高到一个更高的水平比VDET1如果
它的输出的延迟时间的时间周期内，
VD1不会输出用于接通的信号
滥复位条件
可以有两种情况重置VD1制作
经过检测COUT引脚电平为“H”再
过充。重置VD1使
充电系统准备恢复
充电过程。
第一种情况是在这样的条件下，一时间
当VDD电压开始下降到
级别比“ VDET1 - Vhys1 ”低。而在
第二种情况下，断开从充电器
电池组可以使VD1重置时
VD2 /过放电检测仪
该VD2监控VDD引脚的电压。当
在VDD电压超过过放电
从高值到一个检测器阈值Vdet2的
值比Vdet2的低， VD2可以感知
一个过放电和外部放电
控制N -MOS -FET变为“ OFF ”与
DOUT引脚处于“L” 。
重置VD2与DOUT引脚电平幸福
“H”之后检测到过放电又是只
可能由一个充电器连接到电池
VDD电压低于VDET2高。
对于过放电的输出的延迟时间
检测是内部固定的。通过VDD
电压将下降到一个较低的水平
比Vdet2的，如果它是在一个时间周期内
输出的延迟时间，VD2不会输出一个
信号用于使放电控制“关”
VD3 /过电流检测仪，短路保护电路
无论是过电流检测器与短的
电路保护器工作时，两个控制
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