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TLC27L4 , TLC27L4A , TLC27L4B , TLC27L4Y , TLC27L9
路LinCMOS 精密四路运算放大器
SLOS053C - 1987年10月 - 修订1994年8月
D
D
D
D
D
D
D
D
D
D
D
描述
该TLC27L4和TLC27L9四通道运算
放大器结合了宽范围的输入偏移
电压等级低失调电压漂移,高
输入阻抗,极低的功耗,以及高
获得。
单位百分比 - %
NC - 无内部连接
分布TLC27L9的
输入失调电压
40
35
30
25
20
15
10
5
0
– 1200
299单位测试了2晶圆批次
VDD = 5 V
TA = 25°C
N包装
这些器件采用德州仪器硅栅
路LinCMOS 技术,可提供补偿
电压稳定度远远超过了稳定性
可与以往的金属栅极亲
正如事实。
极高的输入阻抗,低偏置
电流和低功耗的化妆
这些成本效益的器件非常适用于高增益,
低频率,低功耗的应用。四
失调电压等级可供选择( C-后缀
I-后缀类型) ,从低成本的TLC27L4
( 10毫伏),以高精度TLC27L9 (900
V).
这些优点,具有良好的组合
共模抑制和电源电压
排斥反应,使这些设备一个不错的选择
国家的最先进的新设计以及为
升级现有的设计。
路LinCMOS是德州仪器的商标。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
– 600
2IN -
2OUT
NC
3OUT
3英寸 -
0
600
修剪失调电压:
TLC27L9 。 。 。 900
V
最高25°C时,
V
DD
= 5 V
输入失调电压漂移。 。 。通常
0.1
μV /月,
包括头30天
电源电压在很宽的范围
规定温度范围:
0℃至70℃。 。 。 3伏至16 V
- 40 ° C至85°C 。 。 。 4 V至16 V
- 55 ° C至125°C 。 。 。 4 V至16 V
单电源供电
共模输入电压范围
扩展低于负轨( C-后缀,
I-后缀类型)
超低功耗。 。 。通常情况下195
W
在25 ° C,V
DD
= 5 V
输出电压范围包括负
高输入阻抗。 。 。 10
12
典型值
ESD保护电路
小外形封装选项还
可用磁带和卷轴
设计,在闭锁抗扰度
D, J,N ,或PW包装
( TOP VIEW )
1OUT
1IN -
1IN +
V
DD
2IN +
2IN -
2OUT
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
4OUT
4IN -
4IN +
GND
3英寸+
3英寸 -
3OUT
FK包装
( TOP VIEW )
1IN +
NC
V
DD
NC
2IN +
4
5
6
7
8
3 2 1 20 19
18
17
16
15
14
9 10 11 12 13
1IN -
1OUT
NC
4OUT
4IN -
4IN +
NC
GND
NC
3英寸+
1200
VIO - 输入失调电压 -
V
版权
1994年,德州仪器
邮政信箱655303
达拉斯,德克萨斯州75265
1
TLC27L4 , TLC27L4A , TLC27L4B , TLC27L4Y , TLC27L9
路LinCMOS 精密四路运算放大器
SLOS053C - 1987年10月 - 修订1994年8月
描述(续)
一般情况下,可在路LinCMOS与双极技术相关的许多功能
操作
放大器,没有双极性工艺的功率损失。一般应用,如换能器
接口,模拟计算,放大器块,有源滤波器和信号缓冲很容易设计与
TLC27L4和TLC27L9 。该器件还具有低电压单电源供电,超低功耗
消费,使它们非常适用于偏远,交通不便电池供电的应用。该
共模输入电压范围包括负供电轨。
广泛的封装选项是可用的,包括小外形和芯片载体的版本为高密度
系统的应用程序。
该器件的输入和输出设计,可以承受-100 mA的浪涌电流而不遭受闭锁。
该TLC27L4和TLC27L9有内部ESD保护电路,以防止功能失效的
电压高达2000伏的下MIL -STD- 883C ,方法3015.2进行测试;但是,应注意在行使
操作这些设备,如暴露于静电放电可能导致器件参数的劣化
性能。
在C-后缀器件的特点是操作从0℃至70℃。后缀为I的设备的特点
从操作 - 40 ° C至85°C 。后缀为M的器件的特点是从操作 - 55 ° C至125°C 。
可选项
包装设备
TA
VIOMAX
在25℃下
900
V
0 ° C至70℃
2毫伏
5毫伏
10毫伏
900
V
- 40 ° C至85°C
2毫伏
5毫伏
10毫伏
- 55 ° C至125°C
900
V
10毫伏
概要
(D)
TLC27L9CD
TLC27L4BCD
TLC27L4ACD
TLC27L4CD
TLC27L9ID
TLC27L4BID
TLC27L4AID
TLC27L4ID
TLC27L9MD
TLC27L4MD
芯片
支架
( FK )
TLC27L9MFK
TLC27L4MFK
陶瓷的
DIP
(J)
TLC27L9MJ
TLC27L4MJ
塑料
DIP
(N)
TLC27L9CN
TLC27L4BCN
TLC27L4ACN
TLC27L4CN
TLC27L9IN
TLC27L4BIN
TLC27L4AIN
TLC27L4IN
TLC27L9MN
TLC27L4MN
TSSOP
( PW )
TLC27L4CPW
芯片
形式
(Y)
TLC27L4Y
D封装中提供卷带封装。加上R后缀的设备类型(例如, TLC27L9CDR ) 。
2
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TLC27L4 , TLC27L4A , TLC27L4B , TLC27L4Y , TLC27L9
路LinCMOS 精密四路运算放大器
SLOS053C - 1987年10月 - 修订1994年8月
等效电路图(每个放大器)
VDD
P3
P4
R6
R1
IN =
P1
IN +
P2
R2
N5
P5
P6
R5
C1
OUT
N3
N1
R3
N2
D1
R4
D2
N4
N6
R7
N7
GND
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路LinCMOS 精密四路运算放大器
SLOS053C - 1987年10月 - 修订1994年8月
TLC27L4Y芯片信息
这些芯片,如果正确组装,显示类似TLC27L4C特点。热压
或超声波接合,可以使用在掺杂铝接合焊盘。芯片可以被安装有
导电环氧树脂或金 - 硅预制件。
焊盘ASSIGNMENTS
VDD
(4)
+
+
+
+
(11)
(1)
(2)
(3)
(4)
108
切屑厚度: 15典型
焊盘: 4
×
4最低
TJMAX = 150℃
公差
±
10%.
所有尺寸都以密耳。
PIN码( 11 )内部连接
背侧的芯片。
(5)
(6)
(7)
GND
(12)
(13)
4IN +
4IN -
(5)
(6)
(8)
3OUT
2IN +
2IN -
(1)
1OUT
(14)
(13)
(12) (11)
(10)
(9)
(8)
1IN +
1IN -
(3)
(2)
(7)
2OUT
68
(10)
3英寸+
(9)
3英寸 -
4OUT
(14)
4
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TLC27L4 , TLC27L4A , TLC27L4B , TLC27L4Y , TLC27L9
路LinCMOS 精密四路运算放大器
SLOS053C - 1987年10月 - 修订1994年8月
在工作自由空气的温度绝对最大额定值(除非另有说明)
电源电压,V
DD
(见注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 18 V
差分输入电压,V
ID
(见注2 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±
V
DD
输入电压范围,V
I
(任意输入)。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 0.3 V到V
DD
输入电流I
I
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
±
5毫安
输出电流,I
O
(每个输出) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±
30毫安
总电流为V
DD
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 45毫安
总电流流出GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 45毫安
短路电流的持续时间(或低于) 25 ° C(见注3 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。无限
连续总功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。见耗散额定值表
经营自由的空气温度,T
A
:C后缀。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0 ° C至70℃
我的后缀。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 40 ° C至85°C
M后缀。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 55 ° C至125°C
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 65 ℃150 ℃的
外壳温度60秒: FK包装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 260℃
铅温度1.6毫米(1/16英寸)的距离的情况下,10秒: D,N,或PW包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 260℃
焊接温度1.6毫米( 1/16英寸)的情况下60秒:J-包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300℃
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只,和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
注:1.所有的电压值,除了差分电压,是相对于网络接地。
2.差分电压为IN +相对于 - 。
3.可以将输出短接至任一电源。温度和/或电源电压必须被限制,以确保最大
额定功耗不超过(见应用部分) 。
额定功耗表
D
FK
J
N
PW
TA
25°C
额定功率
950毫瓦
1375毫瓦
1375毫瓦
1575毫瓦
700毫瓦
降额因子
以上TA = 25°C
7.6毫瓦/°C的
11.0毫瓦/°C的
11.0毫瓦/°C的
12.6毫瓦/°C的
5.6毫瓦/°C的
TA = 70℃
额定功率
608毫瓦
880毫瓦
880毫瓦
1008毫瓦
448毫瓦
TA = 85°C
额定功率
494毫瓦
715毫瓦
715毫瓦
819毫瓦
TA = 125°C
额定功率
275毫瓦
275毫瓦
推荐工作条件
后缀
电源电压(VDD)
共模
共模输入电压, VIC
电压
经营自由的空气温度, TA
VDD = 5 V
VDD = 10 V
3
– 0.2
– 0.2
0
最大
16
3.5
8.5
70
我的后缀
4
– 0.2
– 0.2
– 40
最大
16
3.5
8.5
85
M后缀
4
0
0
– 55
最大
16
3.5
8.5
125
单位
V
V
°C
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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联系人:米小姐,黄小姐
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格科技园2栋西
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4高性能运算放大器
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电话:021-51875986/51872153
联系人:陈小姐 张先生
地址:上海市黄浦区北京东路668号科技京城西楼
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TI/德州仪器
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地址:深圳市福田区华强北海外装饰大厦B座7B33
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电话:021-51872165/51872561
联系人:陈小姐 付先生
地址:上海市黄浦区北京东路668号科技京城西楼
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