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TL(BE,GTE,EGE)1100B(T11)
TLBE1100B (T11) , TLGTE1100B (T11) , TLEGE1100B (T11)
面板指示灯电路
单位:mm
表面贴装器件
3.2(长)× 2.8(宽)× 1.9 (高)mm
平顶型
氮化铟镓发光二极管
高光度
低驱动电流,高强度的发光
颜色:
绿色
λd=470nm(typ)
λd=528nm(typ)
蓝绿
λd=505nm(typ)
无铅回流焊接是可能的
应用范围:汽车用,消息招牌,背光
等等
标准压纹带包装: T11 ( 2000 /卷)
8毫米磁带卷轴
色彩和材质
产品名称
TLBE1100B
TLGTE1100B
TLEGE1100B
颜色
蓝绿
绿色
氮化铟镓
材料
JEDEC
JEITA
东芝
重量: 0.035克(典型值)。
4-3R1
最大额定值(Ta
=
25°C)
产品名称
TLBE1100B
TLGTE1100B
TLEGE1100B
30
4
正向电流
I
F
(MA )
请参阅附注1
反向电压
V
R
(V)
功耗
P
D
( mW)的
129
135
132
40~100
40~100
手术
温度
T
OPR
(°C)
存储
温度
T
英镑
(°C)
注1 :正向电流降额
TLBE1100B
I
F
- TA
40
40
TLGTE1100B,TLEGE1100B
I
F
- TA
(MA )
I
F
容许正向电流
(MA )
30
30
容许正向电流
I
F
20
20
10
10
0
0
20
40
60
80
100
0
0
20
40
60
80
100
环境温度
Ta
(°C)
环境温度
Ta
(°C)
对于部分可用性和订购信息,请拨打免费电话: 800.984.5337
网址: www.marktechopto.com |电子邮件: info@marktechopto.com
1
2006-06-01
TL(BE,GTE,EGE)1100B(T11)
电气特性
(大
=
25°C)
产品名称
TLBE1100B
TLGTE1100B
TLEGE1100B
单位
2.8
3.0
2.9
正向电压V
F
典型值。
3.2
3.3
3.4
V
最大
4.3
4.5
4.4
mA
A
V
20
10
4
I
F
反向电流
I
R
最大
V
R
光学特性- 1
(大
=
25°C)
产品名称
TLBE1100B
TLGTE1100B
TLEGE1100B
单位
发光强度I
V
63
160
100
MCD
典型值。
100
300
350
MCD
最大
320
800
800
MCD
I
F
20
20
20
mA
可用㈣排名
请见附注2
QA / RA / SA
SA / TA / UA
RA / SA / TA / UA
注2:规格如下表用于在东芝设施的LED ㈣分类。
每卷包括相同等级的LED。让每一个职级的投递率是毋庸置疑的。
排名第四
军衔符号
QA
RA
SA
TA
UA
单位
63
100
160
250
400
MCD
最大
125
200
320
500
800
MCD
光学特性- 2
(大
=
25°C)
发射光谱
产品名称
峰值发射
波长
λ
p
TLBE1100B
TLGTE1100B
TLEGE1100B
单位
典型值。
468
496
523
nm
最大
λ
典型值。
25
30
35
nm
主波长
λ
d
463
496
518
典型值。
470
505
528
nm
最大
477
514
537
mA
20
I
F
注3 :注意
ESD根据MIL STD 883D ,方法3015.7耐压:
≥1000V
在处理此LED ,采取以下措施,以防止LED被损坏或以其他方式
不利的影响。
1 )使用导电杯垫和导电地垫和地面工作台和地板。
2 )运营商处理的激光二极管必须通过高电阻(约1MΩ )接地。导电表带
好用于此目的。
3 )地面的所有工具,包括电烙铁。
2
2006-06-01
TL(BE,GTE,EGE)1100B(T11)
TLBE1100B
I
F
– V
F
100
Ta
=
25°C
50
30
(典型值)。
I
V
– I
F
300
Ta
=
25°C
100
50
(典型值)。
I
F
10
5
3
发光强度
正向电流
I
V
( MCD )
(MA )
30
10
5
3
1
3
5
10
30
50
100
1
2.4
2.6
3.0
3.4
3.8
4.2
4.6
正向电压
V
F
(V)
正向电流
I
F
(MA )
10
5
I
V
TC =
(典型值)。
相对IV -
λ
1.0
(典型值)。
IF
=
20毫安
Ta
=
25°C
0.8
3
I
V
相对光度
20
0
20
40
60
80
100
相对光度
0.6
1
0.5
0.3
0.4
0.2
0.1
0
360
400
440
480
520
560
600
外壳温度
Tc
(°C)
波长
λ
(纳米)
辐射方向图
Ta
=
25°C
(典型值)。
20°
30°
40°
50°
60°
70°
80°
90°
10°
10°
20°
30°
40°
50°
60°
70°
80°
90
°
1.0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
3
2006-06-01
TL(BE,GTE,EGE)1100B(T11)
TLGTE1100B
I
F
– V
F
100
Ta
=
25°C
50
30
(典型值)。
I
V
– I
F
1000
Ta
=
25°C
(典型值)。
I
V
( MCD )
发光强度
(MA )
500
300
正向电流
I
F
10
5
3
100
50
30
1
2.4
2.6
3.0
3.4
3.8
4.2
4.6
10
1
3
5
10
30
50
100
正向电压
V
F
(V)
正向电流
I
F
(MA )
10
5
I
V
TC =
(典型值)。
1.0
相对IV -
λ
(典型值)。
IF
=
20毫安
Ta
=
25°C
0.8
I
V
3
相对光度
相对光度
20
100
0.6
1
0.5
0.3
0.4
0.2
0.1
0
20
40
60
80
0
400
440
480
520
560
600
640
外壳温度
Tc
(°C)
波长
λ
(纳米)
辐射方向图
Ta
=
25°C
(典型值)。
20°
30°
40°
50°
60°
70°
80°
90°
10°
10°
20°
30°
40°
50°
60°
70°
80°
90
°
1.0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
4
2006-06-01
TL(BE,GTE,EGE)1100B(T11)
TLEGE1100B
I
F
– V
F
100
Ta
=
25°C
50
30
(典型值)。
1000
500
300
Ta
=
25°C
I
V
– I
F
(典型值)。
正向电流
发光强度
I
V
( MCD )
I
F
(MA )
10
5
3
100
50
30
1
2.4
2.6
3.0
3.4
3.8
4.2
4.6
10
1
3
5
10
30
50
100
正向电压
V
F
(V)
正向电流
I
F
(MA )
I
V
TC =
10
5
(典型值)。
1.0
相对IV -
λ
(典型值)。
IF
=
20毫安
Ta
=
25°C
I
V
0.8
相对光度
相对光度
20
0
20
40
60
80
100
3
0.6
1
0.5
0.3
0.4
0.2
0.1
0
400
440
480
520
560
600
640
外壳温度
Tc
(°C)
波长
λ
(纳米)
辐射方向图
Ta
=
25°C
(典型值)。
20°
30°
40°
50°
60°
70°
80°
90°
10°
10°
20°
30°
40°
50°
60°
70°
80°
90
°
1.0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
5
2006-06-01
TL(BE,GTE,EGE)1100B(T11)
东芝LED灯
TLBE1100B (T11) , TLGTE1100B (T11) , TLEGE1100B (T11)
面板指示灯电路
表面贴装器件
3.2(长)× 2.8(宽)× 1.9 (高)mm
平顶型
氮化铟镓发光二极管
高光度
低驱动电流,高强度的发光
颜色:
λd=470nm(typ)
蓝绿
λd=505nm(typ)
绿色
λd=528nm(typ)
无铅回流焊接是可能的
应用范围:汽车用,消息招牌,背光
等等
标准压纹带包装: T11 ( 2000 /卷)
8毫米磁带卷轴
单位:mm
色彩和材质
产品名称
TLBE1100B
TLGTE1100B
TLEGE1100B
颜色
蓝绿
绿色
氮化铟镓
材料
JEDEC
JEITA
东芝
重量: 0.035克(典型值)。
4-3R1
绝对最大额定值(Ta
=
25°C)
产品名称
TLBE1100B
TLGTE1100B
TLEGE1100B
30
4
正向电流
I
F
(MA )
请参阅附注1
反向电压
V
R
(V)
功耗
P
D
( mW)的
129
135
132
40~100
40~100
手术
温度
T
OPR
(°C)
存储
温度
T
英镑
(°C)
注:在重负载下连续使用(如高温/电流/电压和应用
在温度等显著变化)可能会导致此产品在可靠性,降低显著甚至
如果操作条件(即工作温度/电流/电压等)内的绝对最大
收视率。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
( “注意事项” / “降额的概念和方法” )和个人数据的可靠性(即可靠性试验
报告与估计的故障率,等)。
注1 :正向电流降额
TLBE1100B
I
F
- TA
40
40
TLGTE1100B,TLEGE1100B
I
F
- TA
(MA )
I
F
容许正向电流
(MA )
30
30
容许正向电流
I
F
20
20
10
10
0
0
20
40
60
80
100
0
0
20
40
60
80
100
环境温度
Ta
(°C)
环境温度
Ta
(°C)
1
2007-10-01
TL(BE,GTE,EGE)1100B(T11)
电气特性
(大
=
25°C)
产品名称
TLBE1100B
TLGTE1100B
TLEGE1100B
单位
2.8
3.0
2.9
正向电压V
F
典型值。
3.2
3.3
3.4
V
最大
4.3
4.5
4.4
mA
μA
V
20
10
4
I
F
反向电流
I
R
最大
V
R
光学特性- 1
(大
=
25°C)
产品名称
TLBE1100B
TLGTE1100B
TLEGE1100B
单位
发光强度I
V
63
160
100
MCD
典型值。
100
300
350
MCD
最大
320
800
800
MCD
I
F
20
20
20
mA
可用㈣排名
请见附注2
QA / RA / SA
SA / TA / UA
RA / SA / TA / UA
注2:规格如下表用于在东芝设施的LED ㈣分类。
每卷包括相同等级的LED。让每一个职级的投递率是毋庸置疑的。
排名第四
军衔符号
QA
RA
SA
TA
UA
单位
63
100
160
250
400
MCD
最大
125
200
320
500
800
MCD
光学特性- 2
(大
=
25°C)
发射光谱
产品名称
峰值发射
波长
λ
p
TLBE1100B
TLGTE1100B
TLEGE1100B
单位
典型值。
468
496
523
nm
最大
Δλ
典型值。
25
30
35
nm
主波长
λ
d
463
496
518
典型值。
470
505
528
nm
最大
477
514
537
mA
20
I
F
注3 :注意
ESD根据MIL STD 883D ,方法3015.7耐压:
≥1000V
在处理此LED ,采取以下措施,以防止LED被损坏或以其他方式
不利的影响。
1 )使用导电杯垫和导电地垫和地面工作台和地板。
2 )运营商处理的激光二极管必须通过高电阻(约1MΩ )接地。导电表带
好用于此目的。
3 )地面的所有工具,包括电烙铁。
此产品是设计一个通用的显示光源的使用,并已申请了测量标准
这与人眼的灵敏度匹配。因此,它不适合于功能性应用的使用情况
(例如,光源传感器,光通信等),除了常规的显示光源。
2
2007-10-01
TL(BE,GTE,EGE)1100B(T11)
TLBE1100B
I
F
– V
F
100
Ta
=
25°C
50
30
(典型值)。
I
V
– I
F
300
Ta
=
25°C
100
50
(典型值)。
I
F
发光强度
2.6
3.0
3.4
3.8
4.2
4.6
正向电流
I
V
( MCD )
(MA )
10
5
3
30
10
5
3
1
3
5
10
30
50
100
1
2.4
正向电压
V
F
(V)
正向电流
I
F
(MA )
10
5
I
V
TC =
(典型值)。
相对IV -
λ
1.0
(典型值)。
IF
=
20毫安
Ta
=
25°C
0.8
3
I
V
相对光度
20
0
20
40
60
80
100
相对光度
0.6
1
0.5
0.3
0.4
0.2
0.1
0
360
400
440
480
520
560
600
外壳温度
Tc
(°C)
波长
λ
(纳米)
辐射方向图
Ta
=
25°C
(典型值)。
20°
30°
40°
50°
60°
70°
80°
90°
10°
10°
20°
30°
40°
50°
60°
70°
80°
90
°
1.0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
3
2007-10-01
TL(BE,GTE,EGE)1100B(T11)
TLGTE1100B
I
F
– V
F
100
Ta
=
25°C
50
30
(典型值)。
I
V
– I
F
1000
Ta
=
25°C
(典型值)。
I
V
( MCD )
发光强度
2.6
3.0
3.4
3.8
4.2
4.6
(MA )
500
300
正向电流
I
F
10
5
3
100
50
30
1
2.4
10
1
3
5
10
30
50
100
正向电压
V
F
(V)
正向电流
I
F
(MA )
10
5
I
V
TC =
(典型值)。
1.0
相对IV -
λ
(典型值)。
IF
=
20毫安
Ta
=
25°C
0.8
I
V
3
相对光度
相对光度
20
0
20
40
100
0.6
1
0.5
0.3
0.4
0.2
0.1
60
80
0
400
440
480
520
560
600
640
外壳温度
Tc
(°C)
波长
λ
(纳米)
辐射方向图
Ta
=
25°C
(典型值)。
20°
30°
40°
50°
60°
70°
80°
90°
10°
10°
20°
30°
40°
50°
60°
70°
80°
90
°
1.0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
4
2007-10-01
TL(BE,GTE,EGE)1100B(T11)
TLEGE1100B
I
F
– V
F
100
Ta
=
25°C
50
30
(典型值)。
1000
500
300
Ta
=
25°C
I
V
– I
F
(典型值)。
正向电流
发光强度
2.6
3.0
3.4
3.8
4.2
4.6
I
V
( MCD )
I
F
(MA )
10
5
3
100
50
30
1
2.4
10
1
3
5
10
30
50
100
正向电压
V
F
(V)
正向电流
I
F
(MA )
I
V
TC =
10
5
(典型值)。
1.0
相对IV -
λ
(典型值)。
IF
=
20毫安
Ta
=
25°C
I
V
0.8
相对光度
相对光度
20
0
20
40
60
80
100
3
0.6
1
0.5
0.3
0.4
0.2
0.1
0
400
440
480
520
560
600
640
外壳温度
Tc
(°C)
波长
λ
(纳米)
辐射方向图
Ta
=
25°C
(典型值)。
20°
30°
40°
50°
60°
70°
80°
90°
10°
10°
20°
30°
40°
50°
60°
70°
80°
90
°
1.0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
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2007-10-01
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TLBE1100B
TOSHIBA/东芝
20+
45000
LED
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联系人:何小姐
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TLBE1100B
TOSHIBA/东芝
最新环保批次
25800
SMD
全新原装正品/质量有保证
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TOSHIBA
24+
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LED
13424184668 原厂直销 大量现货 可开票 原装正品
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TOSHIBA/东芝
2443+
23000
ROHS
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TLBE1100B
TOSHIBA/东芝
新年价
126000
LED
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