TC58NVG1S3BFT00/TC58NVG1S8BFT00
暂定
东芝MOS数字集成电路硅栅CMOS
2
2吉比特（ 256M
×
8位/ 128M
×
16位） CMOS NAND PROM
描述
该TC58NVG1SxB是采用3.3 V单2千兆位（ 2214592512位）NAND电可擦除和可编程
只读存储器（ NAND
2
PROM ）组织为（ 2048
+
64 ）字节/ （ 1024
+
32 ）字
×
64页
×
2048块。
该装置具有一个2112字节/ 1056字静态寄存器，它允许程序和数据读取到之间传送
寄存器和在2112字节为单位的存储单元阵列。擦除操作是在一个单一的实现
块为单位（ 128千字节
+
4字节： 2112字节
×
64页） 。
该TC58NVG1SxB是，它利用了I / O管脚对地址和数据的串行型存储设备
输入/输出，以及用于命令输入。在擦除和编程操作自动执行制作
该装置的应用，如固态的文件存储，语音记录，图像文件存储用于静止最合适
相机和其他系统需要高密度的非易失性存储器中的数据存储。
特点
组织
存储单元阵列
注册
PAGE SIZE
BLOCK SIZE
TC58NVG1S3B
2112
×
128K
×
8
2112
×
8
2112字节
(128K
+
4K ）字节
TC58NVG1S8B
1056
×
128K
×
16
1056
×
16
1056字
(64K
+
2K ）的话
模式
阅读，复位，自动页面编程，自动块擦除，状态读
模式控制
串行输入/输出
指挥控制
有效块数
最多2048块
闽2008块
电源
V
CC
=
2.7 V至3.6 V
编程/擦除周期
100000环（带ECC ）
存取时间
注册单元阵列
串行读周期
编程/擦除时间
自动页编程
自动块擦除
工作电流
阅读（ 50 ns的周期）
计划（平均）
擦除（平均）
待机
25
s
最大
50 ns（最小值）
200
μS/页
典型值。
1.5毫秒/块（典型值） 。
10毫安典型。
10毫安典型。
10毫安典型。
50
A
最大
包
TC58NVG1S3BFT00 TSOP I 48 -P- 1220-0.50
TC58NVG1S8BFT00 TSOP I 48 -P- 1220-0.50
（重量： 0.53克典型值）。
1
2003-10-30A
TC58NVG1S3BFT00/TC58NVG1S8BFT00
引脚配置（顶视图）
TC58NVG1S8BFT00
TC58NVG1S3BFT00
×
16
×
8
×
8
×
16
NC
NC
NC
NC
NC
GND
RY / BY
NC
NC
NC
NC
NC
GND
RY / BY
RE
CE
NC
NC
V
CC
V
SS
NC
NC
CLE
ALE
WE
WP
NC
NC
NC
NC
NC
RE
CE
NC
NC
V
CC
V
SS
NC
NC
CLE
ALE
WE
WP
NC
NC
NC
NC
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
NC
NC
NC
NC
I/O8
I/O7
I/O6
I/O5
NC
PSL
NC
V
CC
V
SS
NC
NC
NC
I/O4
I/O3
I/O2
I/O1
NC
NC
NC
NC
V
SS
I/O16
I/O8
I/O15
I/O7
I/O14
I/O6
I/O13
I/O5
PSL
NC
V
CC
NC
NC
NC
I/O12
I/O4
I/O11
I/O3
I/O10
I/O2
I/O9
I/O1
V
SS
PINNAMES
I / O1到I / O8
的I / O9到I / O16
I / O端口
I / O端口（ × 16 ）
CE
WE
RE
CLE
ALE
PSL
WP
RY / BY
GND
V
CC
V
SS
芯片使能
写使能
读使能
命令锁存使能
地址锁存使能
电源选择
写保护
就绪/忙
地
电源
地
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2003-10-30A
TC58NVG1S3BFT00/TC58NVG1S8BFT00
框图
V
CC
V
SS
状态寄存器
I/O1
to
I/O8
or
I/O16
CE
CLE
ALE
WE
RE
WP
PSL
RY / BY
RY / BY
逻辑控制
I / O
控制电路
地址寄存器
柱缓冲液
列解码器
命令寄存器
数据寄存器
SENSE AMP
行地址译码器
控制电路
行地址缓冲器
解码器
存储单元阵列
高压发生器
绝对最大额定值
符号
V
CC
V
IN
V
I / O
P
D
T
SOLDER
T
英镑
T
OPR
电源电压
输入电压
输入/输出电压
功耗
焊接温度（ 10秒）
储存温度
工作温度
等级
价值
0.6 4.6
0.6 4.6
0.6 V到V
CC
+
0.3 V (
≤
4.6 V)
单位
V
V
V
W
°C
°C
°C
0.3
260
55 150
0到70
电容
* （大
=
25 ° C，F
=
1兆赫）
SYMB0L
C
IN
C
OUT
*
参数
输入
产量
条件
V
IN
=
0 V
V
OUT
=
0 V
民
最大
10
10
单位
pF
pF
此参数是周期性采样，而不是对每个设备进行测试。
3
2003-10-30A
TC58NVG1S3BFT00/TC58NVG1S8BFT00
有效块
符号
N
VB
注意：
参数
有效块数
民
2008
典型值。
最大
2048
单位
块
该设备偶尔无法使用包含块。参阅应用说明（13）朝向该文件的结束。
的第一个块（块0）是保证是在装运时的有效块。
有效块的最小数目可保证在寿命。
建议的直流工作条件
符号
参数
民
典型值。
最大
单位
V
CC
电源电压
2.7 V
3.6 V
V
V
IH
高电平输入电压
2.7 V
≤
V
CC
≤
3.6 V
2.0
V
CC
+
0.3
V
V
IL
*
低电平输入电压
2 V （脉冲宽度小于20纳秒）
2.7 V
≤
V
CC
≤
3.6 V
0.3
*
0.8
V
DC特性
（大
=
0 70 ℃ ，V
CC
=
2.7 V至3.6 V ）
符号
I
IL
I
LO
参数
输入漏电流
输出漏电流
条件
V
IN
=
0 V至V
CC
V
OUT
=
0 V至V
CC
PSL
=
GND或NC
I
CCO0*
上电复位电流
PSL
=
V
CC
， FFH后输入命令
电源
CE
=
V
IL
, I
OUT
=
0毫安， TCYCLE
=
50纳秒
民
典型值。
最大
±
10
±
10
单位
A
A
10
10
10
10
10
30
mA
30
30
30
30
1
50
I
CCO1
I
CCO2
I
CCO3
I
CCS1
I
CCS2
V
OH
串行读取电流
编程电流
写电流
待机电流
待机电流
高电平输出电压
mA
mA
mA
mA
A
CE
=
V
IH
， WP
=
0 V/V
CC
CE
=
V
CC
0.2 V ， WP
=
0 V/V
CC
I
OH
=
0.4毫安（ 2.7 V
≤
V
CC
≤
3.6 V)
10
2.4
V
V
OL
低电平输出电压
I
OL
=
2.1毫安（ 2.7 V
≤
V
CC
≤
3.6 V)
0.4
V
I
OL
（ RY / BY ）
*
RY / BY的输出电流
V
OL
=
0.4 V (2.7 V
≤
V
CC
≤
3.6 V)
针
8
mA
请参考应用笔记（ 2 ）查看详细
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2003-10-30A
TC58NVG1S3BFT00/TC58NVG1S8BFT00
交流特性和推荐工作条件
（大
=
0 70 ℃ ，V
CC
=
2.7 V至3.6 V ）
符号
t
CLS
t
CLH
t
CS
t
CH
t
WP
t
ALS
t
ALH
t
DS
t
DH
t
WC
t
WH
t
WW
t
RR
t
RW
t
RP
t
RC
t
REA
t
CEA
t
CLEA
t
ALEA
t
OH
t
RHZ
t
CHZ
t
REH
t
IR
t
RHW
t
世界遗产
t
WHR
t
R
t
WB
t
RST
CLE建立时间
CLE保持时间
CE建立时间
CE保持时间
把脉冲宽度
ALE建立时间
ALE保持时间
数据建立时间
数据保持时间
写周期时间
WE高保持时间
WP高到WE低
准备重新下降沿
准备WE下降沿
阅读脉宽
读周期时间
RE访问时间
CE访问时间
CLE访问时间
ALE访问时间
数据输出保持时间
RE高到输出高阻抗
CE高到输出高阻抗
稀土高保持时间
输出高阻抗，用于─ RE下降沿
RE高到WE低
WE高到CE低
WE高到RE低
存储单元阵列，以起始地址
WE高到忙
器件复位时间（就绪/读/编程/擦除）
参数
民
0
10
0
10
25
0
10
20
10
50
15
100
20
20
35
50
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
s
笔记
35
45
45
45
10
30
20
15
0
30
30
30
25
200
6/6/10/500
ns
s
5
2003-10-30A
QQ：2881677436 复制
