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TK5A65D
东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型
（ π - MOSⅦ ）
TK5A65D
开关稳压器的应用
低漏源导通电阻，R
DS （ ON）
= 1.2
Ω
（典型值）。
高正向转移导纳：
Y
fs
= 2.6 S（典型值）。
低漏电流：I
DSS
= 10
μA
（最大值） （Ⅴ
DS
= 650 V)
增强型： V
th
= 2.0 4.0 V（V
DS
= 10 V，I
D
= 1 mA）的
单位：mm
绝对最大额定值
（大
=
25°C)
特征
漏源电压
栅源电压
DC
漏电流
（注1 ）
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
E
AS
I
AR
E
AR
T
ch
T
英镑
等级
650
±30
5
20
40
180
5
4.0
150
55
150
A
W
mJ
A
mJ
°C
°C
1 ：门
2 ：排水
3 ：源
单位
V
V
脉冲（T
=
1毫秒）
（注1 ）
漏极功耗（TC
=
25°C)
单脉冲雪崩能量
（注2 ）
雪崩电流
重复雪崩能量（注3 ）
通道温度
存储温度范围
JEDEC
JEITA
东芝
SC-67
2-10U1B
重量：2.7克（典型值）。
注：在重负载下连续使用（如高温/电流/电压和应用
在温度等显著变化）可能会导致此产品在可靠性，降低显著甚至
如果操作条件（即工作温度/电流/电压等）内的绝对最大
收视率。请在审查东芝半导体可靠性设计适当的可靠性
手册（ “注意事项” / “降额的概念和方法”“ ）和个人可靠性数据（即
可靠性测试报告和估计的故障率，等）。
热特性
特征
耐热性，信道到外壳
耐热性，信道至环境
符号
R
TH（ CH-C ）
R
第（章-a）的
最大
3.125
62.5
单位
2
° C / W
° C / W
注1：请使用上的条件的设备，该通道的温度低于150℃。
注2 ： V
DD
= 90 V，T
ch
= 25 ° C（初始） ， L = 14.4 mH的，R
G
= 25
Ω,
I
AR
= 5 A
注3 ：重复评价：脉冲宽度有限的最大通道温度
此晶体管是静电敏感器件。请谨慎操作。
1
3
1
2009-04-08
TK5A65D
电气特性
（大
=
25°C)
特征
栅极漏电流
排水截止电流
漏源击穿电压
栅极阈值电压
漏源导通电阻
正向转移导纳
输入电容
反向传输电容
输出电容
上升时间
开启时间
开关时间
下降时间
打开-O FF时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
t
f
t
关闭
Q
g
Q
gs
Q
gd
V
DD
≈
400 V, V
GS
=
10 V，I
D
=
5 A
税
≤
1%, t
w
=
10
μs
符号
I
GSS
I
DSS
V
（ BR ） DSS
V
th
R
DS （ ON）
Y
fs
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
t
r
t
on
10 V
V
GS
0V
50
Ω
I
D
=
2.5 A
V
OUT
V
DS
=
25 V, V
GS
=
0 V，F
=
1兆赫
测试条件
V
GS
= ±30
V, V
DS
=
0 V
V
DS
=
650 V, V
GS
=
0 V
I
D
=
10毫安，V
GS
=
0 V
V
DS
=
10 V，I
D
=
1毫安
V
GS
=
10 V，I
D
=
2.5 A
V
DS
=
10 V，I
D
=
2.5 A
民
650
2.0
0.7
典型值。
1.2
2.6
800
4
100
20
40
12
60
16
10
6
最大
±1
10
4.0
1.43
pF
单位
μA
μA
V
V
Ω
S
ns
R
L
=
80
Ω
V
DD
≈
200 V
nC
源极 - 漏极额定值和特性
（大
=
25°C)
特征
连续漏电流反向
（注1 ）
脉冲漏极电流反向
正向电压（二极管）
反向恢复时间
反向恢复电荷
（注1 ）
符号
I
DR
I
DRP
V
DSF
t
rr
Q
rr
测试条件
I
DR
=
5 A，V
GS
=
0 V
I
DR
=
5 A，V
GS
=
0 V,
dI
DR
/ DT
=
100 A / μs的
民
典型值。
1200
10
最大
5
20
1.7
单位
A
A
V
ns
μC
记号
注4 ：根据批号的行标识产品标签的指示
[ G] ] /符合RoHS标准或[ G] ] / RoHS指令[铅]
请联系您的东芝销售代表了解详细信息，以
环境问题，如产品的RoHS指令的兼容性。
RoHS指令是指令2002 /欧洲议会95 / EC和
对2003年1月27日，安理会就使用某些的限制
在电子电气设备中有害物质
注4
K5A65D
产品型号
（或缩写代码）
LOT号
2
2009-04-08
TK5A65D
I
D
– V
DS
5
常见的来源
Tc
=
25°C
脉冲测试
10
8
10
7.75
10
I
D
– V
DS
9
8.5
8.25
常见的来源
Tc
=
25°C
脉冲测试
8
6
7.75
7.5
4
7
2
VGS
=
6 V
10
0
0
10
20
30
40
(A)
4
(A)
(V)
漏电流I
D
7.5
8
漏电流I
D
7.25
3
7
2
6.75
6.5
1
VGS
=
6 V
0
0
2
4
6
8
漏源电压
V
DS
漏源电压
V
DS
(V)
I
D
– V
GS
常见的来源
VDS
=
20 V
脉冲测试
V
DS
– V
GS
V
DS
(V)
10
常见的来源
Tc
=
25℃
脉冲测试
10
(A)
8
8
漏电流I
D
漏源电压
6
6
5
4
25
2
100
4
2.5
2
Tc
= 55
°C
0
0
ID = 1.2 A
2
4
6
8
10
0
0
4
8
12
16
20
栅源电压
V
GS
(V)
栅源电压
V
GS
(V)
Y
fs
– I
D
正向转移导纳
Y
fs
(S)
100
10
R
DS （ ON）
– I
D
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
(Ω)
常见的来源
Tc
=
25°C
脉冲测试
常见的来源
VDS
=
10 V
脉冲测试
10
Tc
= 55
°C
100
1
25
1
VGS
=
10, 15 V
0.1
0.1
1
10
100
0.1
0.1
1
10
100
漏电流I
D
(A)
漏电流I
D
(A)
3
2009-04-08
TK5A65D
R
DS （ ON）
TC =
5
10
常见的来源
VGS
=
10 V
脉冲测试
常见的来源
Tc
=
25°C
脉冲测试
I
DR
– V
DS
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
(
Ω)
4
3
2.5
2
5
反向漏电流
I
DR
(A)
1
ID
=
1.2 A
1
10
5
3
1
0.6
VGS
=
0,
1
V
0.8
1.0
1.2
1.4
0
80
40
0
40
80
120
160
0.1
0
0.2
0.4
外壳温度
Tc
(°C)
漏源电压
V
DS
(V)
电容 - V
DS
10000
6
V
th
TC =
栅极阈值电压
V
th
(V)
100
（PF ）
5
1000
西塞
电容
C
4
100
科斯
3
2
常见的来源
1 VDS
=
10 V
ID
=
1毫安
脉冲测试
0
80
40
0
10
1
0.1
常见的来源
VGS
=
0 V
f
=
1兆赫
Tc
=
25°C
1
10
CRSS
40
80
120
160
漏源电压
V
DS
(V)
外壳温度
Tc
(°C)
P
D
TC =
V
DS
(V)
60
500
动态输入/输出
特征
(V)
栅源电压
V
GS
20
漏极功耗
P
D
(W)
400
VDS
16
200
40
漏源电压
300
VDD
=
100 V
400
12
200
VGS
100
常见的来源
ID
=
5 A
Tc
=
25°C
脉冲测试
8
20
4
0
0
40
80
120
160
0
0
5
10
15
20
25
0
30
外壳温度
Tc
(°C)
总栅极电荷
Q
g
（ NC ）
4
2009-04-08
TK5A65D
r
th
– t
w
归一化瞬态热
阻抗
日（T ）
/R
TH（ CH-C ）
10
1
Duty=0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
PDM
t
T
税
=
t/T
RTH （ CH-C ）
=
3.125 ° C / W
0.01
0.01
0.001
10μ
100μ
1m
10m
100m
1
10
脉冲宽度
t
w
(s)
安全工作区
100
250
E
AS
– T
ch
ID MAX（脉冲）
*
10
(A)
ID MAX（连续）
1毫秒
*
雪崩能量
E
AS
（兆焦耳）
100
μs
*
200
150
I
D
1
漏电流
直流操作
Tc
=
25°C
0.1
100
50
* ：单不重复
0.01
脉冲TC = 25℃
曲线必须是
降低额定功率减线性
增加
温度。
10
100
1000
0
25
50
75
100
125
150
CHANNEL温辐射（初始）
T
ch
(°C)
B
VDSS
I
AR
V
DD
V
DS
0.001
1
15 V
15
V
漏源电压
V
DS
(V)
测试电路
R
G
=
25
Ω
V
DD
=
90 V，L
=
14.4毫亨
波形
Ε
AS
=
1
B VDSS
L
I2
B
2
VDSS
VDD
5
2009-04-08
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推荐型号
TIC263
TDA1562ST
TUSB2036VFRG4
TDC1058B6C
T2301N
TLV2772CDGKG4
TCDT1124G
TS27M4AM
TSC80C51CXXX-30MI
TL16C554I
TS-1000-224A
TNY279GTL
TMMBAT46FILM
TPS2062DG4
TLBE1100B
TLHG5205
TC58NVG1S8BFT00
TPA2000D2PWPG4
TAJB336M016S
TMS320C10NL-14
供货商
型号
厂家
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数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
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    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
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    TK5A65D
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    -
    -
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联系人：钟彩香
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TK5A65D
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TK5A65D
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电话：0755-82561519
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TOS
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VB
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