H
VE S CO
AV R M
一个I S IO P L
L A IA
BL S N牛逼
E
TISP5070H3BJ THRU TISP5190H3BJ
正向传导单向晶闸管
过电压保护
*R
o
TISP5xxxH3BJ过电压保护器系列
模拟线路卡和ISDN保护
- 模拟SLIC
- ISDN U接口
- ISDN电源
8千伏10/700 , 200 A 310分之5 ITU -T K.20 / 45分之21评级
离子注入击穿区
- 精确和稳定的电压
在低压浪涌电压过冲
设备名称
TISP5070H3BJ
TISP5080H3BJ
TISP5095H3BJ
TISP5110H3BJ
TISP5115H3BJ
TISP5150H3BJ
TISP5190H3BJ
V
DRM
V
-58
-65
-75
-80
-90
-120
-160
V
(BO)
V
-70
-80
-95
-110
-115
-150
-190
A
SD5XAD
SMB封装(顶视图)
A 1
2 K
MD5UFCAB
设备符号
K
额定国际浪涌波形
波形
2/10
8/20
10/160
10/700
10/560
10/1000
标准
GR-1089-CORE
ANSI C62.41
TIA-968-A
ITU -T K.20 /四十五分之二十一
TIA-968-A
GR-1089-CORE
I
PPSM
A
500
300
250
200
160
100
.............................................. UL认证组件
描述
这些装置被设计为限制在电话线和数据线的过电压。过电压通常是由交流引起电力系统或
它们诱导的或到电话线进行的闪电干扰。单一设备提供了2个点的保护,是
通常用于ISDN的电源馈送的保护。两个设备,一个是环输出,另一个用于输出提示,将提供
保护单电源模拟SLIC组件。三个设备的组合将给出一个低电容保护网络的3点
保护ISDN线路。
所述保护器是由一个电压触发的单向晶闸管与反并联二极管。负过电压是由最初剪辑
击穿夹紧直到电压上升到导通的水平,这会导致设备撬棍插入状态的低电压。这种低
电压导通状态时,产生出的过电压产生的电流可以通过设备安全地转移。高撬棍保持电流
防止直流闭锁的分流电流补贴。正的过电压是由反并联二极管的导通受到限制。
如何订购
标准
终止完成
顺序
对于无铅
终止完成
顺序
TISP5xxxH3BJR-S
设备
TISP5xxxH3BJ
包
支架
记号
CODE
5xxxH3
标准。
QUANTITY
3000
BJ ( J-弯
压花
DO - 214AA / SMB)带绞纱TISP5xxxH3BJR
插入对应的070 , 080 ,110, 115和150保护的电压XXX值。
*符合RoHS指令2002/95 / EC 2003年1月27日,包括附件
1998年1月 - 修订2005年2月
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
客户应验证其特定连接的C应用程序实际设备的性能。
TISP5xxxH3BJ过压保护系列
绝对最大额定值, TA = 25
°C
(除非另有说明)
等级
'5070H3BJ
'5080H3BJ
'5095H3BJ
'5110H3BJ
'5115H3BJ
'5150H3BJ
'5190H3BJ
符号
价值
-58
-65
-75
-80
-90
-120
-160
±500
±300
±250
±220
±200
±200
±200
±160
±100
55
60
2.1
±400
-40到+150
-65到+150
单位
重复峰值断态电压(见注1 )
V
DRM
V
非重复性峰值脉冲电流(见注2 , 3和4 )
2/10
s
( GR -1089 -CORE , 2/10
s
电压波形)
8/20
s
( IEC 61000-4-5 , 1.2 / 50
s
电压, 8/20
s
目前的混合波形发生器)
10/160
s
( TIA - 968 -A ,一百六十○分之一十
s
电压波形)
5/200
s
( VDE 0433 , 10/700
s
电压波形)
0.2/310
s
(I3124, 0.5/700
s
波形)
5/310
s
( ITU -T K.44 , 10/700
s
用于K.20 /四十五分之二十一电压波形)
5/310
s
( FTZ R12 , 10/700
s
电压波形)
10/560
s
( TIA - 968 -A ,五百六十分之一十
s
电压波形)
10/1000
s
( GR -1089 -CORE , 10/1000
s
电压波形)
非重复性峰值通态电流(见注2 , 3和5 )
20毫秒, 50赫兹(全正弦波)
16.7毫秒, 60赫兹(全正弦波)
1000第50赫兹/ 60赫兹交流电
通态电流上升的初始速度, GR -1089 -CORE 2/10
s
波形
结温
存储温度范围
注:1 。
2.
3.
4.
5.
I
TSM
di
T
/ DT
T
J
T
英镑
A
A / μs的
°C
°C
I
PPSM
A
参见图9为电压值在较低的温度。
最初的设备必须在以T热平衡
J
= 25
°C.
电涌可能会在设备返回到其初始条件后,重复进行。
参见图10 ,在其它温度下的额定电流。
EIA / JESD51-2环境和EIA / JESD51-3 PCB与5 A额定印刷线路板连接标准封装尺寸
赛道的宽度。为-0.61 % / ℃的环境温度高于25电流降额值
°C.
参见图8为其他额定电流
持续时间。
电气特性, TA = 25
°C
(除非另有说明)
参数
I
DRM
重复峰值断态电流
V
D
= V
DRM
测试条件
T
A
= 25
°C
T
A
= 85
°C
'5070H3BJ
'5080H3BJ
'5095H3BJ
'5110H3BJ
'5115H3BJ
'5150H3BJ
'5190H3BJ
'5070H3BJ
'5080H3BJ
'5095H3BJ
'5110H3BJ
'5115H3BJ
'5150H3BJ
'5190H3BJ
最小典型最大
-5
-10
-70
-80
-95
-110
-115
-150
-190
-80
-90
-105
-120
-125
-160
-200
单位
A
V
(BO)
击穿电压
的dv / dt = -250 V / ms的,R
来源
= 300
V
V
(BO)
脉冲导通电压
dv / dt的
≥
-1000 V / μs的,线性电压斜坡,
最大斜坡值= -500 V
的di / dt = -20 A / μs的,线性电流斜坡,
最大斜坡值= -10一
V
1998年1月 - 修订2005年2月
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
客户应验证其特定连接的C应用程序实际设备的性能。
TISP5xxxH3BJ过压保护系列
电气特性, TA = 25
°C
(除非另有说明) (续)
参数
I
(BO)
V
F
V
FRM
V
T
I
H
I
D
导通电流
正向电压
峰值正向恢复电压
通态电压
保持电流
FF-态电流
I
F
= 5 A,T
W
= 500
s
dv / dt的
≤
+1000 V / μs的,线性电压斜坡,
最大斜坡值= 500 V
的di / dt = 20 A / μs的,线性电流斜坡,
最大斜坡值= +10
I
T
= -5 A,T
w
= 500
s
I
T
= -5 A , di / dt的= 30毫安/ MS
V
D
= -50 V
T
A
= 85
°C
'5070H3BJ
'5080H3BJ
'5095H3BJ
'5110H3BJ
'5115H3BJ
'5150H3BJ
'5190H3BJ
'5070H3BJ
'5080H3BJ
'5095H3BJ
'5110H3BJ
'5115H3BJ
'5150H3BJ
'5190H3BJ
'5070H3BJ
'5080H3BJ
'5095H3BJ
'5110H3BJ
'5115H3BJ
'5150H3BJ
'5190H3BJ
'5150H3BJ
'5190H3BJ
300
280
260
240
214
140
140
260
245
225
205
180
120
120
90
80
73
65
56
35
35
30
30
-150
-5
-10
420
390
365
335
300
195
195
365
345
315
285
250
170
170
125
110
100
90
80
50
50
40
30
测试条件
的dv / dt = -250 V / ms的,R
来源
= 300
最小典型最大
-150
-600
3
5
-3
-600
单位
mA
V
V
V
mA
KV / μs的
A
崛起的断态电压线性斜坡电压,最大斜坡值< 0.85V的dv / dt的临界速度
DRM
F = 1MHz时, V
d
= 1 V有效值,V
D
= -1 V
C
O
关态电容
(见注6 )
F = 1MHz时, V
d
= 1 V有效值,V
D
= -2 V
pF
F = 1MHz时, V
d
= 1 V有效值,V
D
= -50 V
F = 1MHz时, V
d
= 1 V有效值,V
D
= -100 V
注意:
6.高达10 MHz的容量基本上与频率无关。 10MHZ以上的有效电容是强
依赖于连接电感。
热特性, TA = 25
°C
(除非另有说明)
参数
测试条件
EIA / JESD51-3 PCB,我
T
= I
TSM(1000)
(见注7 )
265毫米X 210毫米填充线卡
4层PCB板,我
T
= I
TSM(1000)
注意:
50
民
典型值
最大
113
° C / W
单位
R
θJA
结到环境的热阻
7. EIA / JESD51-2环境和PCB与5 A额定印刷电路线宽连接标准封装尺寸。
1998年1月 - 修订2005年2月
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
客户应验证其特定连接的C应用程序实际设备的性能。