【TC74VHC9125,9126P/FT/FK东芝CMOS数字集成电路硅单片TC74VHC9125P】,IC型号TC74VHC9125FK,TC74VHC9125FK PDF资料,TC74VHC9125FK经销商,ic,电子元器件-51电子网

TC74VHC9125,9126P/FT/FK

东芝CMOS数字集成电路

硅单片

TC74VHC9125P,TC74VHC9125FT,TC74VHC9125FK,

TC74VHC9126P,TC74VHC9126FT,TC74VHC9126FK

TC74VHC9125P / FT / FK 5位通用施密特缓冲器具有三态输出

TC74VHC9126P / FT / FK 5位通用施密特缓冲器具有三态输出

TC74VHC9125P ， TC74VHC9126P

该TC74VHC9125 / 9126顷超高速5位施密特

缓冲区使用制作硅栅CMOS技术。该

TC74VHC9125 / 9126结合的CMOS的低功耗

与肖特基TTL速度。

Y1至Y4输出可以通过被置于高阻抗状态

将一个逻辑高电平使能（

G

）输入。 CONT输入

决定data.A上出现低电平逻辑反转

CONT输入配置TC74VHC9125 / 9126作为逆变器;一

逻辑

高

on

该

CONT

输入

提供配置

该

TC74VHC9125 / 9126作为缓冲剂。

TC74VHC9125 Y5输出是反相型，并且

TC74VHC9126 Y5输出是一个非反相型。

所有的输入具有正向之间的滞后

负向阈值。因此， TC74VHC9125 / 9126顷

现蕾能够慢慢改变输入的转变

信号，并提供改进的抗噪声性能。

此外，所有的投入有一个新开发的保护

电路没有恢复到V二极管

CC

。这使得输入

能够容忍高达5伏特甚至当电源已关闭。

输入掉电保护功能，使

TC74VHC9125 / 9126适用于广泛的应用，例如

不同电压之间的接口，电压转换

从5 V至3 V和电池备份电路。

TC74VHC9125FT ， TC74VHC9126FT

TC74VHC9125FK ， TC74VHC9126FK

特点

高速：吨

pd

= 5.0 ns（典型值）（V

CC

= 5 V)

低电源电流：I

CC

= 2

μA

（最大值）（ TA = 25 ° C）

高抗干扰性： V

美国国立卫生研究院

= V

NIL

= 28% V

CC

（分钟）

所有的输入提供具有掉电保护功能。

对称的上升和下降延迟：吨

PLH

t

PHL

宽工作电压范围： V

CC （ OPR ）

= 2 5.5 V

重量

DIP14 -P - 300-2.54 ：

TSSOP14 -P - 0044-0.65A ：

VSSOP14 -P - 0030-0.50 ：

0.96克（典型值）。

0.06克（典型值）。

0.02克（典型值）。

1

2008-02-01

TC74VHC9125,9126P/FT/FK

引脚分配

TC74VHC9125

CONT

A1

A2

A3

A4

A5

GND

1

2

3

4

5

6

7

（ TOP VIEW ）

14

13

12

11

10

9

8

V

CC

Y1

Y2

Y3

Y4

Y5

CONT

A1

A2

A3

A4

A5

GND

1

2

3

4

5

6

7

（ TOP VIEW ）

TC74VHC9126

14

13

12

11

10

9

8

V

CC

Y1

Y2

Y3

Y4

Y5

G

真值表

输入

输出

A1½4

X

L

H

L

H

Y1½4

Z

H

L

H

输入

A5

L

H

输出

Y5(9125)

H

L

Y5(9126)

L

H

G

H

L

CONT

X

L

H

X：无关

Z：高阻

2

2008-02-01

TC74VHC9125,9126P/FT/FK

绝对最大额定值（注1）

特征

电源电压范围

直流输入电压

直流输出电压

输入二极管电流

输出二极管电流

直流输出电流

DC V

CC

/接地电流

功耗

储存温度

符号

V

CC

V

IN

V

OUT

I

IK

I

OK

I

OUT

I

CC

P

D

T

英镑

等级

0.5

7.0

0.5

7.0

0.5

到V

CC

+ 0.5

20

±20

±25

±50

500 （ DIP ）（注2 ） / 180 （ TSSOP / VSSOP ）

65

150

单位

V

mA

mW

°C

注1 ：任何超过绝对最大额定值，即使短暂，导致恶化IC性能或

甚至是破坏。

在重负载下连续使用（如高温/电流/电压和应用

在温度等显著变化）可能会导致此产品的可靠性降低显著

即使在操作条件下（即工作温度/电流/电压等）内的绝对

最大额定值和经营范围。

请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性

（ “注意事项” / “降额的概念和方法” ）和个人数据的可靠性（即可靠性试验

报告与估计的故障率，等）。

注2： 500毫瓦Ta的范围

= 40

至65℃ 。来自TA

=

65 85 ℃的降额因子

10

毫瓦/°C的应

应用到300毫瓦。

工作范围（注）

特征

电源电压

输入电压

输出电压

工作温度

符号

V

CC

V

IN

V

OUT

T

OPR

等级

2.05.5

0至5.5

0到V

CC

40

85

单位

V

°C

注意：必须保持在工作范围，以确保设备的正常运行。

未使用的输入必须连接到无论是V

CC

或GND 。

3

2008-02-01

TC74VHC9125,9126P/FT/FK

电气特性

DC特性

特征

符号

测试条件

V

CC

(V)

3.0

正阈值

电压

V

P

―

4.5

5.5

3.0

负阈值

电压

V

N

―

4.5

5.5

3.0

滞后电压

V

H

―

4.5

5.5

2.0

I

OH

=

50

μA

高电平的输出

电压

V

OH

V

IN

= V

IH

或V

IL

I

OH

=

4

mA

I

OH

=

8

mA

I

OL

= 50

μA

低电平输出

电压

V

OL

V

IN

= V

IH

或V

IL

I

OL

= 4毫安

I

OL

= 8毫安

三态输出

FF-态电流

输入漏电流

静态电源

当前

I

OZ

I

IN

I

CC

V

IN

= V

IH

或V

IL

V

OUT

= V

CC

或GND

V

IN

= 5.5 V或GND

V

IN

= V

CC

或GND

3.0

4.5

3.0

4.5

2.0

3.0

4.5

3.0

4.5

5.5

0至5.5

5.5

民

―

0.90

1.35

1.65

0.30

0.40

0.50

1.9

2.9

4.4

2.58

3.94

―

TA = 25°C

典型值。

―

2.0

3.0

4.5

―

0.0

―

最大

2.20

3.15

3.85

―

1.20

1.40

1.60

―

0.1

0.36

±0.25

±0.1

2.0

TA =

40

至85℃

民

―

0.90

1.35

1.65

0.30

0.40

0.50

1.9

2.9

4.4

2.48

3.80

―

最大

2.20

3.15

3.85

―

1.20

1.40

1.60

―

0.1

0.44

±2.50

±1.0

20.0

μA

V

单位

4

2008-02-01

TC74VHC9125,9126P/FT/FK

AC特性

（输入：吨

r

= t

f

3 = NS）

特征

符号

测试条件

V

CC

(V)

3.3 ± 0.3

―

5.0 ± 0.5

C

L

（PF ）

15

50

15

50

15

50

15

50

15

50

15

50

15

50

15

50

―

民

―

TA = 25°C

典型值。

6.0

9.0

5.0

7.0

8.5

13.0

6.5

10.5

6.0

9.0

5.0

7.0

6.0

10.5

4.5

9.0

12.5

9.0

―

4

6

10

最大

8.0

12.5

5.5

8.5

11.5

17.0

8.0

12.5

8.0

12.5

5.5

8.5

8.0

13.5

5.5

10.5

13.5

9.5

1.5

1.0

10

―

TA =

40

至85℃

民

1.0

―

最大

10.0

15.0

7.0

10.0

13.5

20.5

9.5

15.0

10.0

15.0

7.0

10.0

9.5

16.5

6.5

12.5

16.0

11.0

1.5

1.0

10

―

ns

单位

传播延迟

时间

（A1至4 - Y 1至4）

t

PLH

t

PHL

传播延迟

时间

（ CONT- Y1至4）

t

PLH

t

PHL

3.3 ± 0.3

―

5.0 ± 0.5

传播延迟

时间

（ A5 - Y5 ）

t

PLH

t

PHL

3.3 ± 0.3

―

5.0 ± 0.5

三态输出使能

时间

t

PZL

t

PZH

3.3 ± 0.3

R

L

= 1 kΩ

5.0 ± 0.5

3.3 ± 0.3

5.0 ± 0.5

3.3 ± 0.3

5.0 ± 0.5

―

三态输出禁用

时间

输出到输出偏斜

（A1至4 - Y 1至4）

输入电容

输出电容

功耗

电容（注2 ）

t

PLZ

t

PHZ

t

OSLH

t

OSHL

C

IN

C

OUT

C

PD

R

L

= 1 kΩ

（注1 ）

―

f

IN

=

1兆赫

ns

pF

注1 ：参数通过设计保证。

t

OSLH

= |t

PLHm

t

PLHn

|, t

OSHL

= |t

PHLm

t

PHLn

|

注2 ：C

PD

被定义为内部等效电容被从操作中计算出的值

电流消耗无负载。

平均工作电流可以由下式得到：

I

CC （ OPR ）

= C

PD

·V

CC

·f

IN

+ I

CC

/ 5（每比特）

5

2008-02-01