TIP35 TIP35A TIP35B TIP35C NPN
TIP36 TIP36A TIP36B TIP36C PNP
中央
TM
半导体公司
描述：
中央半导体TIP35 ， TIP36
系列类型是互补硅功率
通过外延基极。制造的晶体管
过程中，设计用于高电流放大器和
开关应用。
标记：全部型号
其他芯片
功率晶体管
TO- 218晶体管CASE
最大额定值：
(TC=25°C)
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
峰值集电极电流
基极电流
功耗
工作和存储结温
热阻
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICM
IB
PD
TJ ， TSTG
Θ
JC
TIP35
TIP36
40
40
TIP35A
TIP36A
60
60
5.0
25
40
5.0
125
-65到+150
1.0
TIP35B
TIP36B
80
80
TIP35C
TIP36C
100
100
单位
V
V
V
A
A
A
W
°C
° C / W
电气特性：
（ TC = 25° C除非另有说明）
符号
测试条件
民
ICEO
VCE = 30V ， （ TIP35 ， TIP35A ， TIP36 ， TIP36A ）
ICEO
冰
IEBO
BVCEO
BVCEO
BVCEO
BVCEO
VCE （ SAT ）
VCE （ SAT ）
VBE （ON）的
VBE （ON）的
的hFE
的hFE
的hFE
fT
VCE = 60V ， （ TIP35B ， TIP35C ， TIP36B ， TIP36C ）
VCE =额定VCEO
VEB=5.0V
IC = 30毫安（ TIP35 ， TIP36 ）
IC = 30毫安（ TIP35A ， TIP36A ）
IC = 30毫安（ TIP35B ， TIP36B ）
IC = 30毫安（ TIP35C ， TIP36C ）
IC=15A,
IC=25A,
IB=1.5A
IB=5.0A
40
60
80
100
最大
1.0
1.0
0.7
1.0
单位
mA
mA
mA
mA
V
V
V
V
1.8
4.0
2.0
4.5
25
10
25
3.0
100
V
V
V
V
VCE = 4.0V ， IC = 15A
VCE = 4.0V ， IC = 25A
VCE = 4.0V ， IC = 1.5A
VCE = 4.0V ， IC = 15A
VCE = 10V ， IC = 1.0A ， F = 1.0kHz
VCE = 10V ， IC = 1.0A ， F = 1.0MHz的
兆赫
R1 （2008年29月）
中央
TM
TIP35 TIP35A TIP35B TIP35C NPN
TIP36 TIP36A TIP36B TIP36C PNP
半导体公司
其他芯片
功率晶体管
TO- 218晶体管案例 - 机械外形
前导码：
1）基础
2 ）集电极
3 ）辐射源
注：标签是常见的导致2 。
标记：
全部型号
R1 （2008年29月）
TIP36 ， TIP36A ， TIP36B ， TIP36C
PNP硅功率晶体管
版权所有 1997年，创新动力有限公司， UK
1968年7月 - 修订1997年3月
q
专为配套使用的
TIP35系列
在25 ° C的温度125瓦
B
SOT- 93封装
（ TOP VIEW ）
1
q
q
q
q
25 A连续集电极电流
40 A集电极电流峰值
提供客户指定的选择
E
3
销2与安装底座的电接触。
MDTRAA
C
2
绝对最大额定值
在25℃的情况下的温度（除非另有说明）
等级
TIP36
集电极 - 基极电压（I
E
= 0)
TIP36A
TIP36B
TIP36C
TIP36
集电极 - 发射极电压（I
B
= 0)
TIP36A
TIP36B
TIP36C
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
峰值集电极电流（见注1 ）
连续基极电流
连续器件耗散（或低于） 25 ℃的外壳温度（见注2 ）
在（或低于） 25℃自由空气温度连续设备损耗（见注3 ）
非钳位电感负载的能量（见注4 ）
工作结温范围
存储温度范围
从案例铅温度3.2毫米10秒
注：1 。
2.
3.
4.
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
合计
P
合计
½LI
C
T
j
T
英镑
T
L
2
符号
价值
-80
-100
-120
-140
-40
-60
-80
-100
-5
-25
-40
-5
125
3.5
90
-65到+150
-65到+150
250
单位
V
CBO
V
V
首席执行官
V
V
A
A
A
W
W
mJ
°C
°C
°C
该值适用于吨
p
≤
0.3毫秒，占空比
≤
10%.
降额直线到150℃情况下，温度以1的速率的W / ℃。
线性降额至150℃自由空气温度在28毫瓦/ ℃的速率。
此评价是基于晶体管的能力在一个电路安全地操作：L = 20毫亨，我
B（上）
= -0.4 A，R
BE
= 100
,
V
BE （OFF）的
= 0, R
S
= 0.1
,
V
CC
= -20 V.
产品
信息
信息为出版日期。产品符合根据规格
随着电力创新标准保修条款。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
1
TIP36 ， TIP36A ， TIP36B ， TIP36C
PNP硅功率晶体管
1968年7月 - 修订1997年3月
在25℃的情况下温度的电特性
参数
集电极 - 发射极
击穿电压
测试条件
TIP36
V
（ BR ） CEO
I
C
= -30毫安
（见注5 ）
V
CE
= -80 V
I
CES
集电极 - 发射极
截止电流
集电极截止
当前
发射极截止
当前
正向电流
传输比
集电极 - 发射极
饱和电压
基射
电压
小信号转发
电流传输比
小信号转发
电流传输比
V
CE
= -100 V
V
CE
= -120 V
V
CE
= -140 V
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
V
CE （ SAT ）
V
BE
h
fe
V
CE
= -30 V
V
CE
= -60 V
V
EB
=
V
CE
=
V
CE
=
I
B
=
I
B
=
V
CE
=
V
CE
=
-5 V
-4 V
-4 V
-1.5 A
-5 A
-4 V
-4 V
V
BE
= 0
V
BE
= 0
V
BE
= 0
V
BE
= 0
I
B
= 0
I
B
= 0
I
C
= 0
I
C
= -1.5 A
I
C
= -15 A
I
C
= -15 A
I
C
= -25 A
I
C
= -15 A
I
C
= -25 A
I
C
=
I
C
=
-1 A
-1 A
（见注5和6）
（见注5和6）
（见注5和6）
F = 1千赫
F = 1 MHz的
25
3
25
10
50
-1.8
-4
-2
-4
V
V
I
B
= 0
TIP36A
TIP36B
TIP36C
TIP36
TIP36A
TIP36B
TIP36C
TIP36/36A
TIP36B/36C
民
-40
-60
-80
-100
-0.7
-0.7
-0.7
-0.7
-1
-1
-1
mA
mA
mA
V
典型值
最大
单位
V
CE
= -10 V
V
CE
= -10 V
|
h
fe
|
注： 5。这些参数必须使用脉冲技术进行测量，T
p
= 300微秒，占空比
≤
2%.
6.这些参数必须使用电压感测接触，分开的载流触点来测量。
热特性
参数
R
θ
JC
R
θ
JA
结到外壳热阻
结到自由空气的热阻
民
典型值
最大
1
35.7
单位
° C / W
° C / W
在25℃的情况下温度的电阻负载开关特性
参数
t
on
t
关闭
测试条件
I
C
= -15 A
V
BE （OFF）的
= 4.15 V
I
B（上）
= -1.5 A
R
L
= 2
民
I
B（关闭）
= 1.5 A
t
p
= 20微秒，直流
≤
2%
典型值
1.1
0.8
最大
单位
s
s
开启时间
打开-O FF时间
显示电压和电流值是名义;精确值与晶体管的参数略有不同。
产品
信息
2
TIP36 ， TIP36A ， TIP36B ， TIP36C
PNP硅功率晶体管
1968年7月 - 修订1997年3月
典型特征
典型的直流电流增益
vs
集电极电流
1000
V
CE
= -4 V
T
C
= 25°C
t
p
= 300微秒，占空比< 2 ％
TCS636AA
集电极 - 发射极饱和电压
vs
基极电流
V
CE （ SAT ）
- 集电极 - 发射极饱和电压 - V
-10
TCS636AB
h
FE
- 直流电流增益
100
-1·0
10
-0·1
I
C
= -25 A
I
C
= -20 A
I
C
= -15 A
I
C
= -10 A
-0·1
-1·0
-10
-100
1
-0·1
-1
-10
-100
-0·01
-0·001
I
C
= -300毫安
I
C
= -1 A
I
C
= -3 A
-0·01
I
C
- 集电极电流 - 一个
I
B
- 基极电流 - 一个
图1 。
图2中。
基射极电压
vs
集电极电流
-1·8
V
CE
= -4 V
T
C
= 25°C
TCS636AC
V
BE
- 基射极电压 - V
-1·6
-1·4
-1·2
-1·0
-0·8
-0·6
-0·1
-1·0
-10
-100
I
C
- 集电极电流 - 一个
网络连接gure 3 。
产品
信息
3
TIP36 ， TIP36A ， TIP36B ， TIP36C
PNP硅功率晶体管
1968年7月 - 修订1997年3月
最大安全工作区
最大正向偏置
安全工作区
-100
SAS636AA
I
C
- 集电极电流 - 一个
-10
t
p
= 300微秒峰，d = 0.1 = 10％
t
p
= 1毫秒， D = 0.1 = 10 ％
t
p
= 10毫秒峰，d = 0.1 = 10％
直流操作
-1·0
-0·1
TIP36
TIP36A
TIP36B
TIP36C
-10
-100
-1000
-0·01
-1·0
V
CE
- 集电极 - 发射极电压 - V
图4中。
热信息
最大功率耗散
vs
外壳温度
140
P
合计
- 最大功耗 - W
TIS635AA
120
100
80
60
40
20
0
0
25
50
75
100
125
150
T
C
- 外壳温度 - C
图5中。
产品
信息
4
TIP36 ， TIP36A ， TIP36B ， TIP36C
PNP硅功率晶体管
1968年7月 - 修订1997年3月
机械数据
SOT-93
3 - pin塑料法兰安装型封装
此单直插式封装包括安装在引线框架和封装在塑料的电路的
化合物。该化合物能够承受焊接温度具有不变形，并且电路的性能
当在高湿度条件下操作的特性将保持稳定。信息不需要额外的
在钎焊组件中使用时，清洗或处理。
SOT-93
4,90
4,70
4,1
4,0
15,2
14,7
3,95
4,15
1,37
1,17
16,2 MAX 。
12,2 MAX 。
31,0 TYP 。
18,0 TYP 。
1
1,30
1,10
2
3
0,78
0,50
11,1
10,8
2,50 TYP 。
以毫米为单位所有长度
注一：中心引脚与安装标签的电接触。
MDXXAW
产品
信息
5
TIP36 ， TIP36A ， TIP36B ， TIP36C
PNP硅功率晶体管
版权所有 1997年，创新动力有限公司， UK
1968年7月 - 修订1997年3月
q
专为配套使用的
TIP35系列
在25 ° C的温度125瓦
B
SOT- 93封装
（ TOP VIEW ）
1
q
q
q
q
25 A连续集电极电流
40 A集电极电流峰值
提供客户指定的选择
E
3
销2与安装底座的电接触。
MDTRAA
C
2
绝对最大额定值
在25℃的情况下的温度（除非另有说明）
等级
TIP36
集电极 - 基极电压（I
E
= 0)
TIP36A
TIP36B
TIP36C
TIP36
集电极 - 发射极电压（I
B
= 0)
TIP36A
TIP36B
TIP36C
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
峰值集电极电流（见注1 ）
连续基极电流
连续器件耗散（或低于） 25 ℃的外壳温度（见注2 ）
在（或低于） 25℃自由空气温度连续设备损耗（见注3 ）
非钳位电感负载的能量（见注4 ）
工作结温范围
存储温度范围
从案例铅温度3.2毫米10秒
注：1 。
2.
3.
4.
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
合计
P
合计
½LI
C
T
j
T
英镑
T
L
2
符号
价值
-80
-100
-120
-140
-40
-60
-80
-100
-5
-25
-40
-5
125
3.5
90
-65到+150
-65到+150
250
单位
V
CBO
V
V
首席执行官
V
V
A
A
A
W
W
mJ
°C
°C
°C
该值适用于吨
p
≤
0.3毫秒，占空比
≤
10%.
降额直线到150℃情况下，温度以1的速率的W / ℃。
线性降额至150℃自由空气温度在28毫瓦/ ℃的速率。
此评价是基于晶体管的能力在一个电路安全地操作：L = 20毫亨，我
B（上）
= -0.4 A，R
BE
= 100
,
V
BE （OFF）的
= 0, R
S
= 0.1
,
V
CC
= -20 V.
产品
信息
信息为出版日期。产品符合根据规格
随着电力创新标准保修条款。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
1
TIP36 ， TIP36A ， TIP36B ， TIP36C
PNP硅功率晶体管
1968年7月 - 修订1997年3月
在25℃的情况下温度的电特性
参数
集电极 - 发射极
击穿电压
测试条件
TIP36
V
（ BR ） CEO
I
C
= -30毫安
（见注5 ）
V
CE
= -80 V
I
CES
集电极 - 发射极
截止电流
集电极截止
当前
发射极截止
当前
正向电流
传输比
集电极 - 发射极
饱和电压
基射
电压
小信号转发
电流传输比
小信号转发
电流传输比
V
CE
= -100 V
V
CE
= -120 V
V
CE
= -140 V
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
V
CE （ SAT ）
V
BE
h
fe
V
CE
= -30 V
V
CE
= -60 V
V
EB
=
V
CE
=
V
CE
=
I
B
=
I
B
=
V
CE
=
V
CE
=
-5 V
-4 V
-4 V
-1.5 A
-5 A
-4 V
-4 V
V
BE
= 0
V
BE
= 0
V
BE
= 0
V
BE
= 0
I
B
= 0
I
B
= 0
I
C
= 0
I
C
= -1.5 A
I
C
= -15 A
I
C
= -15 A
I
C
= -25 A
I
C
= -15 A
I
C
= -25 A
I
C
=
I
C
=
-1 A
-1 A
（见注5和6）
（见注5和6）
（见注5和6）
F = 1千赫
F = 1 MHz的
25
3
25
10
50
-1.8
-4
-2
-4
V
V
I
B
= 0
TIP36A
TIP36B
TIP36C
TIP36
TIP36A
TIP36B
TIP36C
TIP36/36A
TIP36B/36C
民
-40
-60
-80
-100
-0.7
-0.7
-0.7
-0.7
-1
-1
-1
mA
mA
mA
V
典型值
最大
单位
V
CE
= -10 V
V
CE
= -10 V
|
h
fe
|
注： 5。这些参数必须使用脉冲技术进行测量，T
p
= 300微秒，占空比
≤
2%.
6.这些参数必须使用电压感测接触，分开的载流触点来测量。
热特性
参数
R
θ
JC
R
θ
JA
结到外壳热阻
结到自由空气的热阻
民
典型值
最大
1
35.7
单位
° C / W
° C / W
在25℃的情况下温度的电阻负载开关特性
参数
t
on
t
关闭
测试条件
I
C
= -15 A
V
BE （OFF）的
= 4.15 V
I
B（上）
= -1.5 A
R
L
= 2
民
I
B（关闭）
= 1.5 A
t
p
= 20微秒，直流
≤
2%
典型值
1.1
0.8
最大
单位
s
s
开启时间
打开-O FF时间
显示电压和电流值是名义;精确值与晶体管的参数略有不同。
产品
信息
2
TIP36 ， TIP36A ， TIP36B ， TIP36C
PNP硅功率晶体管
1968年7月 - 修订1997年3月
典型特征
典型的直流电流增益
vs
集电极电流
1000
V
CE
= -4 V
T
C
= 25°C
t
p
= 300微秒，占空比< 2 ％
TCS636AA
集电极 - 发射极饱和电压
vs
基极电流
V
CE （ SAT ）
- 集电极 - 发射极饱和电压 - V
-10
TCS636AB
h
FE
- 直流电流增益
100
-1·0
10
-0·1
I
C
= -25 A
I
C
= -20 A
I
C
= -15 A
I
C
= -10 A
-0·1
-1·0
-10
-100
1
-0·1
-1
-10
-100
-0·01
-0·001
I
C
= -300毫安
I
C
= -1 A
I
C
= -3 A
-0·01
I
C
- 集电极电流 - 一个
I
B
- 基极电流 - 一个
图1 。
图2中。
基射极电压
vs
集电极电流
-1·8
V
CE
= -4 V
T
C
= 25°C
TCS636AC
V
BE
- 基射极电压 - V
-1·6
-1·4
-1·2
-1·0
-0·8
-0·6
-0·1
-1·0
-10
-100
I
C
- 集电极电流 - 一个
网络连接gure 3 。
产品
信息
3
TIP36 ， TIP36A ， TIP36B ， TIP36C
PNP硅功率晶体管
1968年7月 - 修订1997年3月
最大安全工作区
最大正向偏置
安全工作区
-100
SAS636AA
I
C
- 集电极电流 - 一个
-10
t
p
= 300微秒峰，d = 0.1 = 10％
t
p
= 1毫秒， D = 0.1 = 10 ％
t
p
= 10毫秒峰，d = 0.1 = 10％
直流操作
-1·0
-0·1
TIP36
TIP36A
TIP36B
TIP36C
-10
-100
-1000
-0·01
-1·0
V
CE
- 集电极 - 发射极电压 - V
图4中。
热信息
最大功率耗散
vs
外壳温度
140
P
合计
- 最大功耗 - W
TIS635AA
120
100
80
60
40
20
0
0
25
50
75
100
125
150
T
C
- 外壳温度 - C
图5中。
产品
信息
4
TIP36 ， TIP36A ， TIP36B ， TIP36C
PNP硅功率晶体管
1968年7月 - 修订1997年3月
机械数据
SOT-93
3 - pin塑料法兰安装型封装
此单直插式封装包括安装在引线框架和封装在塑料的电路的
化合物。该化合物能够承受焊接温度具有不变形，并且电路的性能
当在高湿度条件下操作的特性将保持稳定。信息不需要额外的
在钎焊组件中使用时，清洗或处理。
SOT-93
4,90
4,70
4,1
4,0
15,2
14,7
3,95
4,15
1,37
1,17
16,2 MAX 。
12,2 MAX 。
31,0 TYP 。
18,0 TYP 。
1
1,30
1,10
2
3
0,78
0,50
11,1
10,8
2,50 TYP 。
以毫米为单位所有长度
注一：中心引脚与安装标签的电接触。
MDXXAW
产品
信息
5
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
描述
·带
TO- 3PN封装
.Complement
键入TIP35 / 35A / 35B / 35C
ΔDC
电流增益
FE
=25(Min)@I
C
=-1.5A
应用
·设计
对于一般用途
功率放大器和开关应用。
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
描述
TIP36/36A/36B/36C
Fig.1简化外形（ TO- 3PN ）和符号
绝对最大额定值（Ta =
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
导½
半
ND
固电
ICO
SEM
GE
的HAn
INC。
TIP36
TIP36A
TIP36B
集电极 - 基极电压
发射极开路
TIP36C
TIP36
TIP36A
TIP36B
TIP36C
集电极 - 发射极电压
开基
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25℃
集电极开路
参数
条件
OR
CT
U
价值
-40
-60
-80
-100
-40
-60
单位
V
V
-80
-100
-5
-25
-40
-5
125
150
-65~150
V
A
A
A
W
℃
℃
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
C
T
j
T
英镑
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻结到外壳
最大
1.0
单位
℃/W
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
TIP36/36A/36B/36C
导½
半
ND
固电
ICO
SEM
GE
的HAn
INC。
OR
CT
U
图2外形尺寸（ unindicated公差：为±0.1mm ）
3
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
描述
与TO- 3PN封装
·补键入TIP35 / 35A / 35B / 35C
·直流电流增益
FE
=25(Min)@I
C
=-1.5A
应用
·专为一般用途
功率放大器和开关应用。
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
描述
TIP36/36A/36B/36C
·
Fig.1简化外形（ TO- 3PN ）和符号
绝对最大额定值（T
C
=
)
符号
参数
TIP36
V
CBO
集电极 - 基极电压
TIP36A
TIP36B
TIP36C
TIP36
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
TIP36A
TIP36B
TIP36C
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
C
T
j
T
英镑
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25
集电极开路
开基
发射极开路
条件
价值
-40
-60
-80
-100
-40
-60
-80
-100
-5
-25
-40
-5
125
150
-65~150
V
A
A
A
W
V
V
单位
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻结到外壳
最大
1.0
单位
/W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
TIP36/36A/36B/36C
图2外形尺寸（ unindicated公差：为±0.1mm ）
3
半导体
PNP TIP36 -A -B -C
硅功率晶体管
它们安装在JEDEC TO - 3PN PNP功率晶体管。它们只用于在使用中
通用功率放大器和开关应用。
NPN互补的TIP35 -A -B -C
符合RoHS指令。
绝对最大额定值
符号
评级
TIP36
TIP36A
TIP36B
TIP36C
TIP36
TIP36A
TIP36B
TIP36C
TIP36
TIP36A
TIP36B
TIP36C
TIP36
TIP36A
TIP36B
TIP36C
TIP36
TIP36A
TIP36B
TIP36C
价值
-40
-60
-80
-100
-40
-60
-80
-100
单位
V
CBO
集电极 - 基极电压
V
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
V
V
EBO
发射极 - 基极电压
-5
V
I
C
集电极电流
-25
A
I
CM
集电极电流峰值
-40
A
04/10/2012
半导体COMSET
1|4
半导体
PNP TIP36 -A -B -C
符号
评级
电流增益带宽
产品
测试条件（S ）
V
CE
= -10 V，I
C
= -10
A，F = 1kHz时
TIP36
TIP36A
TIP36B
TIP36C
民
典型值
Mx
单位
f
T
3
-
-
兆赫
机械数据案例TO3PN非隔离塑料包装
外形尺寸（mm ）
分钟。
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
O
P
R
S
T
引脚1 ：
引脚2 ：
3脚：
案例：
15.20
1.90
4.60
3.10
马克斯。
1600
2.10
5.00
3.30
9.60
2.00
0.55
1.40
5.55
20.20
1.25
2.00
3.00
4.00
4.00
1.80
5.20
BASE
集热器
辐射源
集热器
0.35
5.35
20.00
19.60
0.95
4.80
2012年9月
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04/10/2012
半导体COMSET
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