TS750-TS758
6A硅整流
电压范围50-800伏
特点
采用塑料材料进行
美国保险商实验室分类
94V-0
较高的正向电流能力
扩散结
高浪涌电流能力
高温焊接保证：
260 ℃/ 10秒0.375“设计（9.5mm ）导线
长度， 5磅。 （ 2.3千克）张力
P600
机械数据
案例：模压塑体
导语：镀轴向引线，
雾锡电镀
极性：颜色频带端为负极
安装位置：任意
重量0.07盎司， 2.1克
尺寸以英寸（毫米）
无铅引脚镀层（二级互连） 。
最大额定值和电气特性
评分在25 ° C环境温度，除非另有规定。
单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。
对于容性负载，减免电流20 ％
参数
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大非重复性峰值反向电压
最大正向平均整流电流在
T
A
= 60℃， P.C.B.安装（图1）
T
L
= 60℃， 0.125“ （ 3.18毫米）引线长度（图2）
峰值正向浪涌电流， 8.3 ms单半
正弦波叠加在额定负荷（ JEDEC
法）
最大正向电压@ 6.0A
@ 100A
反向电流最大DC @ T
A
=25°C
在额定阻断电压DC @ T
A
=100°C
典型结电容（注1 ）
典型热阻（注2 ）
符号
TS750 TS751 TS752 TS754 TS756 TS758
单位
V
V
V
V
A
V
RRM
V
RMS
V
DC
V
BR
I
（AV）
I
FSM
V
F
I
R
Cj
50
35
50
60
100
70
100
120
200
140
200
240
6.0
22.0
400
0.95
400
280
400
480
600
420
600
720
800
560
800
1200
A
V
R
θ
JA
R
θ
JL
工作结温范围
T
J
存储温度范围
T
英镑
注：1.测得1.0 MHz和
外加反向电压
4.0伏特
2.安装上
铜
垫，尺寸
16毫米X上P.C.B. 16毫米
1.25
5.0
1000
150
20.0
4.0
-50至+150
-50至+150
1.30
uA
uA
pF
° C / W
°C
°C
2004年8月26日Rev.1.01
www.SiliconStandard.com
1 2
TS750-TS758
收视率和特性曲线
正向平均整流电流。 （ A）
8.0
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
0
FIG.1-最大正向电流降额
曲线
平均正向电流。 （ A）
60赫兹电阻或
感性负载
28
24
20
16
FIG.2-最大正向电流降额
曲线
L=0.25"
(6.35mm)
L = 0.125" （ 3.18毫米）
60赫兹电阻或
感性负载
地平面
1.0 X 1.0"
（ 25.4× 25.4毫米）
铜
表面积
L=0.375"
(9.5mm)
两条引线
附于热
盆带
长度
所示，L
0.050" （ 1.27毫米）分钟。
备用
P.C.B.
12
8.0
4.0
0
L = 0.625" （ 15.8毫米）
1.1× 1.0" （ 30× 30Mmm ）
铜垫
20
40
60
80
100
120
o
140
160
180 200
0
20
40
60
80
100
120
o
140
160
180
200
环境温度。 （ C）
焊接温度。 （ C）
FIG.3-典型的反向特性
100
100
FIG.4-典型正向
特征
瞬时反向电流微安
瞬时FORDWARD安培电流
10
Tj=125
0
C
10
Tj=100
0
C
1
1
Tj=25
0
C
0.1
0.1
TJ = 25℃
脉宽300秒
1 ％占空比
0
0.01
0
20
40
60
80
100
120
140
0.01
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
百分比额定峰值反向电压。 （％）
正向电压，伏
FIG.5-最大峰值正向浪涌电流
峰值正向浪涌电流安培
V
RRM
可以施加
的每个周期之间的
猛增， TJ说明的是TJ
暴涨前
FIG.6-典型的瞬态热阻抗
瞬态热阻抗，
O
C / W
100
600
不
-re
PET
ITIV
E
Tj=25
0
C
10
Tj=1
50
0
C
100
1
0
0.1
1.0
循环次数在60Hz
10
0.1
0.01
0.1
1
T，脉冲持续时间，秒。
10
100
提供的信息由Silicon标准公司被认为是准确和可靠。然而，硅标准公司不做任何
担保或保证，明示或暗示对这些信息的可靠性，准确性，及时性或完整性不承担任何
其使用的责任，或侵犯任何专利或其它第三方的知识产权可能导致其
使用。硅标准保留其认为有必要在此所述的任何原因，任何产品进行更改的权利，包括
无需在可靠性，功能或设计限制的增强。没有获发牌照，无论明示或暗示，就
使用本文或使用本文所提供的任何信息描述的任何产品，任何专利或其他知识产权
硅标准公司或任何第三方。
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2 2
TS750-TS758
6A硅整流
电压范围50-800伏
特点
采用塑料材料进行
美国保险商实验室分类
94V-0
较高的正向电流能力
扩散结
高浪涌电流能力
高温焊接保证：
260 ℃/ 10秒0.375“设计（9.5mm ）导线
长度， 5磅。 （ 2.3千克）张力
P600
机械数据
案例：模压塑体
导语：镀轴向引线，
雾锡电镀
极性：颜色频带端为负极
安装位置：任意
重量0.07盎司， 2.1克
尺寸以英寸（毫米）
无铅引脚镀层（二级互连） 。
最大额定值和电气特性
评分在25 ° C环境温度，除非另有规定。
单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。
对于容性负载，减免电流20 ％
参数
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大非重复性峰值反向电压
最大正向平均整流电流在
T
A
= 60℃， P.C.B.安装（图1）
T
L
= 60℃， 0.125“ （ 3.18毫米）引线长度（图2）
峰值正向浪涌电流， 8.3 ms单半
正弦波叠加在额定负荷（ JEDEC
法）
最大正向电压@ 6.0A
@ 100A
反向电流最大DC @ T
A
=25°C
在额定阻断电压DC @ T
A
=100°C
典型结电容（注1 ）
典型热阻（注2 ）
符号
TS750 TS751 TS752 TS754 TS756 TS758
单位
V
V
V
V
A
V
RRM
V
RMS
V
DC
V
BR
I
（AV）
I
FSM
V
F
I
R
Cj
50
35
50
60
100
70
100
120
200
140
200
240
6.0
22.0
400
0.95
400
280
400
480
600
420
600
720
800
560
800
1200
A
V
R
θ
JA
R
θ
JL
工作结温范围
T
J
存储温度范围
T
英镑
注：1.测得1.0 MHz和
外加反向电压
4.0伏特
2.安装上
铜
垫，尺寸
16毫米X上P.C.B. 16毫米
1.25
5.0
1000
150
20.0
4.0
-50至+150
-50至+150
1.30
uA
uA
pF
° C / W
°C
°C
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1 2
TS750-TS758
收视率和特性曲线
正向平均整流电流。 （ A）
8.0
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
0
FIG.1-最大正向电流降额
曲线
平均正向电流。 （ A）
60赫兹电阻或
感性负载
28
24
20
16
FIG.2-最大正向电流降额
曲线
L=0.25"
(6.35mm)
L = 0.125" （ 3.18毫米）
60赫兹电阻或
感性负载
地平面
1.0 X 1.0"
（ 25.4× 25.4毫米）
铜
表面积
L=0.375"
(9.5mm)
两条引线
附于热
盆带
长度
所示，L
0.050" （ 1.27毫米）分钟。
备用
P.C.B.
12
8.0
4.0
0
L = 0.625" （ 15.8毫米）
1.1× 1.0" （ 30× 30Mmm ）
铜垫
20
40
60
80
100
120
o
140
160
180 200
0
20
40
60
80
100
120
o
140
160
180
200
环境温度。 （ C）
焊接温度。 （ C）
FIG.3-典型的反向特性
100
100
FIG.4-典型正向
特征
瞬时反向电流微安
瞬时FORDWARD安培电流
10
Tj=125
0
C
10
Tj=100
0
C
1
1
Tj=25
0
C
0.1
0.1
TJ = 25℃
脉宽300秒
1 ％占空比
0
0.01
0
20
40
60
80
100
120
140
0.01
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
百分比额定峰值反向电压。 （％）
正向电压，伏
FIG.5-最大峰值正向浪涌电流
峰值正向浪涌电流安培
V
RRM
可以施加
的每个周期之间的
猛增， TJ说明的是TJ
暴涨前
FIG.6-典型的瞬态热阻抗
瞬态热阻抗，
O
C / W
100
600
不
-re
PET
ITIV
E
Tj=25
0
C
10
Tj=1
50
0
C
100
1
0
0.1
1.0
循环次数在60Hz
10
0.1
0.01
0.1
1
T，脉冲持续时间，秒。
10
100
提供的信息由Silicon标准公司被认为是准确和可靠。然而，硅标准公司不做任何
担保或保证，明示或暗示对这些信息的可靠性，准确性，及时性或完整性不承担任何
其使用的责任，或侵犯任何专利或其它第三方的知识产权可能导致其
使用。硅标准保留其认为有必要在此所述的任何原因，任何产品进行更改的权利，包括
无需在可靠性，功能或设计限制的增强。没有获发牌照，无论明示或暗示，就
使用本文或使用本文所提供的任何信息描述的任何产品，任何专利或其他知识产权
硅标准公司或任何第三方。
2004年8月26日Rev.1.01
www.SiliconStandard.com
2 2
TS750
THRU
TS758
6.0安培。矽整流器
电压范围
50至800伏特
当前
6.0安培
特点
采用塑料材料进行
美国保险商实验室分类
94V-0
较高的正向电流能力
扩散结
高浪涌电流能力
高温焊接保证：
260
O
C / 10秒0.375“设计（9.5mm ）导线
长度， 5磅。 （ 2.3千克）张力
P600
机械数据
案例：模压塑体
导语：镀轴向引线，每焊
MIL- STD- 750 ，方法2026
极性：颜色频带端为负极
安装位置：任意
重量0.07盎司， 2.1克
尺寸以英寸（毫米）
最大额定值和电气特性
评分在25℃环境温度，除非另有规定。
单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。
对于容性负载，减免电流20 ％
符号
TS750 TS751 TS752 TS754 TS756 TS758
单位
类型编号
最大的经常峰值反向电压
50
100
200
400
600
800
V
V
RRM
最大RMS电压
V
RMS
35
70
140
280
420
560
V
最大直流阻断电压
V
DC
50
100
200
400
600
800
V
最大非重复性峰值反向电压
V
BR
60
120
240
480
720 1200
V
最大正向平均整流电流在
T
A
= 60 ℃ ， P.C.B.安装（图1）
T
L
= 60 ℃ ， 0.125“ （ 3.18毫米）引线长度（图2 ）
峰值正向浪涌电流， 8.3 ms单半
正弦波叠加在额定负荷（ JEDEC
法）
最大正向电压@ 6.0A
@ 100A
反向电流最大DC @ T
A
=25℃
在额定阻断电压DC @ T
A
=100℃
典型结电容（注1 ）
典型热阻（注2 ）
工作结温范围
存储温度范围
I
（AV）
I
FSM
V
F
I
R
Cj
R
θ
JA
R
θ
JL
T
J
T
英镑
6.0
22.0
400
0.95
1.25
5.0
1000
150
20.0
4.0
-50至+150
-50至+150
A
A
V
uA
uA
pF
℃/W
℃
℃
1.30
注：1.测得1.0 MHz和4.0伏特应用反向电压
2.安装上P.C.B.铜焊盘尺寸16毫米X 16毫米
- 526 -
额定值和特性曲线（ TS750 TS758 THRU ）
FIG.1-最大正向电流降额
曲线
平均正向电流。 （ A）
正向平均整流电流。 （ A）
8.0
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
60赫兹电阻或
感性负载
28
24
20
16
FIG.2-最大正向电流降额
曲线
L=0.25"
(6.35mm)
L = 0.125" （ 3.18毫米）
60赫兹电阻或
感性负载
地平面
1.0 X 1.0"
（ 25.4× 25.4毫米）
铜
表面积
L=0.375"
(9.5mm)
两条引线
附于热
盆带
长度
所示，L
0.050" （ 1.27毫米）分钟。
备用
P.C.B.
1.1× 1.0" （ 30× 30Mmm ）
铜垫
20
40
60
80
100
120
o
12
8
4
0
L = 0.625" （ 15.8毫米）
0
140
160
180 200
0
20
40
60
80
100
120
o
140
160
180
200
环境温度。 （ C）
焊接温度。 （ C）
FIG.3-典型的反向特性
100
100
FIG.4-典型正向
特征
瞬时反向电流微安
瞬时FORDWARD安培电流
10
Tj=125
0
C
10
Tj=100
0
C
1
1
Tj=25
0
C
0.1
0.1
TJ = 25℃
脉宽300秒
1 ％占空比
0
0.01
0
20
40
60
80
100
120
140
0.01
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
百分比额定峰值反向电压。 （％）
正向电压，伏
FIG.5-最大峰值正向浪涌电流
峰值正向浪涌电流安培
V
RRM
可以施加
的每个周期之间的
猛增， TJ说明的是TJ
暴涨前
FIG.6-典型的瞬态热阻抗
瞬态热阻抗，
O
C / W
100
600
10
Tj=25
0
C
100
1
0
0.1
1
循环次数在60Hz
10
0.1
0.01
0.1
1
T，脉冲持续时间，秒。
10
100
- 527 -
QQ：2880707522 复制
