初步speci fi cation
双N沟道双栅MOSFET
□
描述
该TMF3201J是N沟道增强型，双绝缘
栅极，其利用的MOS结构的场效应晶体管。
它是由两个相等的双栅极MOSFET放大器
共享源代码和GATE2线索。源极和基片是
相互关联的。内部偏置电路使DC稳定和
AGC在挺好的交叉调制性能。集成
门和源极之间的二极管防止过度
输入电压浪涌。该晶体管的SOT363微
小型塑料封装。
TMF3201J
SOT363
以毫米单位
□
特点
- 两个AGC放大器在一个封装
- 集成的栅极保护二极管
- 高的AGC范围，高增益，低噪声系数
□
应用
1. GATE 1（1）
4.漏极（ 2）
5.源
6.漏极（ 1）
- 两个增益控制输入级的UHF和VHF调谐器
- 专业通讯设备
2门2
3. GATE 1（2）
□
绝对最大额定值
(T
a
= 25
℃)
参数
每MOSFET ;除非另有说明
漏源电压
漏电流
门1电流
总功耗
储存温度
工作结温
V
DS
I
D
I
G1
P
合计
T
s TG
T
j
10
30
±10
200
-65 ~ 150
150
V
mA
mA
mW
℃
℃
符号
评级
单位
小心
:
静电放电
敏感的设备，观察处理防范
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1.0版
初步speci fi cation
□
DC特性
( T
j
= 25
℃,
每个MOSFET的，除非另有规定）
参数
漏源击穿电压
GATE1源击穿电压
GATE2源击穿电压
前锋源GATE1电压
前锋源GATE2电压
GATE1源阈值电压
GATE2源阈值电压
漏 - 源电流
GATE1截止电流
GATE2截止电流
符号
V
（ BR ） DSS
V
(BR)G1-SS
V
(BR)G2-SS
V
(F)S-G1
V
(F)S-G2
V
G1-S(th)
V
G2-S(th)
I
DSX
I
G1-S
I
G2-S
条件
V
G1-S
=V
G2-S
=0; I
D
=10
V
G2-S
=V
DS
=0; I
G1-S
=10
V
G1-S
=V
DS
=0; I
G2-S
=10
V
G2-S
=V
DS
=0; I
S-G1
=10
V
G1-S
=V
DS
=0; I
S-G2
=10
V
DS
=5V; V
G2-S
= 4V ;我
D
=100
V
DS
=5V; V
G1-S
= 4V ;我
D
=100
V
G2-S
=4V; V
DS
= 5V ;
G
=62
V
G1-S
=5V; V
G2-S
=V
DS
=0
V
G2-S
=5V; V
G1-S
=V
DS
=0
分钟。
10
6
6
0.5
0.5
0.3
0.3
8
-
-
TMF3201J
马克斯。
-
10
10
1.5
1.5
1.0
1.2
16
50
20
单位
V
V
V
V
V
V
V
□
AC特性
（共源;吨
a
= 25
℃,
V
G2-S
= 4V, V
DS
= 5V ，我
D
= 12毫安;每个MOSFET的;除非另有规定）
参数
正向转移导纳
在GATE1输入电容
在GATE2输入电容
输出电容
反向传输电容
符号
Iy
FS
I
C
ig1-ss
C
ig2-ss
C
OSS
C
RSS
条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
Tj=25℃
f=1MHz
f=1MHz
f=1MHz
f=1MHz
F = 200MHz的;
i
= S
11
, Z
o
= S
22
*
*
25
-
-
-
-
30
26
21
-
-
90
30
1.9
3.3
1.4
20
31
28
25
1.5
1.7
-
40
2.5
-
-
-
-
-
-
-
2.5
-
mS
fF
功率增益
GTR
F = 400MHz的;
i
= S
11*
, Z
o
= S
22*
F = 800MHz的;
i
= S
11*
, Z
o
= S
22*
F = 400MHz的;
i
= S
11 OPT （ NF ）
噪声系数
NF
F = 800MHz的;
i
= S
11 OPT （ NF ）
K = 1 ％ ，FW = 50MHz的; funw = 60MHz的
AGC = 0分贝
交叉调制
X
MOD
K = 1 ％ ，FW = 50MHz的; funw = 60MHz的
AGC = 10分贝
K = 1 ％ ，FW = 50MHz的; funw = 60MHz的
AGC = 40分贝
-
92
-
100
105
-
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初步speci fi cation
□
等效电路（顶视图）
□
制造
6: D(1)
6: D(1)
5: S
4: D(2)
5: S
TMF3201J
4: D(2)
DA1
1: G1(1)
2: G2
3: G1(2)
□
引脚配置
针无
符号
G1(1)
G2
G1(2)
D(2)
S
D(1)
描述
Gate1_Amp1
Gate2
Gate1_Amp2
Drain_Amp2
来源
Drain_Amp1
1: G1(1)
2: G2
3: G1(2)
1
2
3
4
5
6
□
测试电路
VAGC
R1
10 K时 HM
C1
22 pF的
C3
4.7 nF的
RL
C2
4.7 nF的
RG简
50Ω HM
R2
50Ω HM
RG 1
L1
2.2 uH容
C4
4.7 nF的
50Ω HM
VGG
V DS
Fig1 。测试交叉调制测试设置（对于一个MOS- FET）的
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散射参数
初步speci fi cation
□
图对于一个MOSFET
TMF3201J
ID [M A]
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0.00
0.50
1.00
1.50
2.00
2V
VG2=4V
3.5V
3V
2.5V
ID [M A]
30
25
20
15
10
V G1 -S ： 1.5V
1.4V
1.3V
1.2V
1.1V
1V
0.9V
1.5V
5
1V
0
2.50
VG1 -S [V]的
0
1
2
3
4
5
6
V DS [V]的
7
V
DS
= 5V ，T
j
=
25
℃
图2传输特性
300
IG 1 [U A]
VG2=4V
3.5V
3V
V
G2-S
= 4V ，T
j
=
25
℃
Fig3 。输出特性
| Y FS | [小]
250
40
35
30
25
4V
3.5V
3V
200
2.5V
150
2V
20
15
2.5V
100
1.5V
10
5
0
50
1V
V
G2-S
= 2V
0
4
8
12
16
20
ID [马]
0
0.00
0.50
1.00
1.50
2.00
VG1 -S [V]的
2.50
V
DS
= 5V ，T
j
=
25
℃
图4 GATE1电流作为GATE1电压的函数
V
DS
= 5V ，T
j
=
25
℃
Fig5 。正向转移导纳的功能
漏极电流的
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1.0版
初步speci fi cation
TMF3201J
□
图对于一个MOSFET
ID [M A]
ID [M A]
20
16
14
12
10
8
16
12
8
6
4
2
4
0
0
20
40
60
80
100
IG1 [UA ]
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
VGG [V]的
V
DS
= 5V, V
G2-S
= 4V ，T
j
= 25
℃
Fig6 。漏电流作为GATE1电流的函数
V
DS
= 5V, V
G2-S
= 4V ，R
G1
=62, T
j
= 25
℃
Fig7 。漏电流作为GATE1的函数
电源电压
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0
1
2
3
4
R
G1
= 33K
39K
51K
ID [M A]
ID [M A]
20
14
12
10
VGG = 5V
4.5V
4V
3.5V
3V
62K
75K
92K
100K
8
6
4
2
0
5
6
VGG = VDS [ V]
0
1
2
3
4
5
6
VG2 -S [V]的
V
G2-S
= 4V ，T
j
= 25
℃,
R
G1
= （连接到VGG ）
Fig8 。漏电流作为GATE1的函数，并且
漏极供电电压
;
见fig1
V
DS
= 5V ，T
j
= 25
℃,
R
G1
=62
Fig9 。漏电流作为GATE2电压的函数
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