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THS4281
www.ti.com
SLOS432 - 2004年4月
超低功耗,高速,轨到轨输入和输出
电压反馈运算放大器
特点
极低的静态电流: 750 μA ( 5 V)
轨至轨输入和输出:
- 共模输入电压扩展
400毫伏超越了Rails
- 输出摆幅在150毫伏从
轨道
广-3 dB带宽为5 V :
- 90 MHz的@增益= 1 , 40兆赫@增益= 2
高压摆率: 35 V / μs的
快速建立时间( 2 -V步骤) :
- 78 ns至0.1 %
- 150 ns至0.01%
低失真@增益= 2 ,V
O
= 2 -VPP , 5 V :
- -91 dBc的100千赫, -67 dBc的在1 MHz
输入失调电压: 2.5 mV的(最大25° C)
输出电流>30毫安( 10 Ω负载, 5 V )
低电压噪声为12.5纳伏/ √Hz的
电源电压: 2.7 V, 3 V ,+ 5 V,
±5
V, +15 V
封装形式:SOT- 23 ,MSOP和SOIC
描述
使用BICOM - II的过程中, THS4281制造
是一种低功耗,轨到轨输入和输出电压
年龄反馈运算放大器设计
工作在2.7 V至宽电源电压范围
15 -V单电源供电,并
±1.35-V
to
±7.5-V
供应量。仅消耗750单位增益μA
90 MHz和高35 -V的带宽/μs压摆率,
该THS4281允许便携式或其他对功耗敏感
应用程序来实现高性能以最小
力。为了保证长电池寿命的便携式应用程序
阳离子,静态电流被调整到少
超过900 μA ,在25 ° C和-40 ℃1 mA至85 ℃。
该THS4281是一个真正的单电源放大器,
为400毫伏规定的共模输入范围
超出导轨。这允许高侧电流
无相位反转CON-传感应用
cerns 。其从铁轨输出摆幅在40毫伏
具有10千欧的负载,并且150毫伏的轨道与
1 kΩ的负载。
该THS4281具有78 ns的好0.1 %的建立时间,
和0.01 %,解决了150纳秒的时间。的低THD
-87 dBc的100千赫,加上最大偏移
小于2.5毫伏的电压,使得THS4281一
门当户对的高分辨率ADC采样少
比2 MSPS 。
该THS4281提供了节省空间的SOT- 23-5
封装,采用小型MSOP - 8封装,以及业界
标准的SOIC - 8封装。
应用
便携式/电池供电的应用
高通道数系统
ADC缓冲器
主动滤池
电流检测
V BAT
500
W
I
RSENSE
0.2
W
500
W
负载
+
470 pF的
VBAT/2
2.5千瓦
470 pF的
2.5千瓦
VBAT
100
W
THS4281
10 nF的
+ IN
ADS8320
In
V OUT = I RSENSE
VBAT
高边,低功耗电流传感系统
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
FILTERPRO是德州仪器的商标。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
版权所有 2004年,德州仪器
THS4281
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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备
贮藏期间放置在导电泡棉或处理,以防止对静电损坏MOS大门。
绝对最大额定值
(1)
在工作自由空气的温度范围内(除非另有说明)
单位
电源电压,V
S-
到V
S+
输入电压V
I
差分输入电压,V
ID
输出电流,I
O
连续功率耗散
最高结温,任何情况下,
存储温度范围,T
英镑
焊接温度1.6毫米( 1/16英寸)的情况下,持续10秒
HBM
ESD额定值
清洁发展机制
MM
(1)
(2)
(2)
16.5 V
±V
S
±
0.5 V
±2
V
±100
mA
见耗散额定值表
T
J
150°C
125°C
-65 ℃150 ℃的
300°C
3500 V
1500 V
100 V
最高结温,连续运转,长期可靠性
(2)
T
J
在任何情况下的绝对最大额定值是由硅工艺的制约的限制。强调以上这些评级可能
会造成永久性的损害。长期在绝对最大条件下工作会降低设备的可靠性。这些都是
只强调额定功率,以及设备在这些功能操作或超出规定的其他条件是不是暗示。
最高结温为连续运行是由包约束的限制。操作高于此温度可
导致可靠性降低和/或该设备的寿命。推荐工作条件。
推荐工作条件
电源电压(V
S+
和V
S -
)
双电源
单电源
±1.35
2.7
最大
±8.25
16.5
单位
V
耗散额定值表每包
DBV (5)
D (8)
DGK ( 8 )
(1)
(2)
θ
JC
( ° C / W)
55
38.3
71.5
θ
JA (1)
( ° C / W)
255.4
97.5
180.8
额定功率
(2)
T
A
< 25℃
391毫瓦
1.02 W
553毫瓦
T
A
= 85°C
156毫瓦
410毫瓦
221毫瓦
采用JEDEC标准的High-K PCB测试得到该数据。
额定功率为125 ° C的结温是确定的。这就是失真开始大幅增加点。
最终PCB的热管理应努力保持结温低于125 ℃,以获得最佳性能和长
长期可靠性。
2
THS4281
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包装/订货信息
包装设备
THS4281DBVT
THS4281DBVR
THS4281D
THS4281DR
THS4281DGK
THS4281DGKR
器件标识
AON
--
AOO
套餐类型
SOT - 23 - 5
SOIC - 8
MSOP - 8
传输介质, QUANTITY
磁带和卷轴, 250
磁带和卷轴, 3000
轨, 75
磁带和卷轴, 2500
轨, 75
磁带和卷轴, 2500
引脚配置
顶视图
THS4281
的dBV
顶视图
THS4281
D和DGK
V
OUT
V
S
IN +
1
2
5
V
S+
NC
IN-
IN +
1
2
3
4
8
7
6
5
NC
V
S+
V
OUT
NC
3
4
IN-
V
S
注: NC表示有这些引脚没有内部连接。
3
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电气特性,V
S
= 3 V (V
S+
= 3 V, V
S-
= GND)
G = 2 ,R
F
= 2.49千欧,R
L
= 1千欧到1.5 V时,除非另有说明
典型值
参数
AC性能
G = 1 ,V
O
= 100 mVpp的,
R
F
= 34
小信号带宽
G = 2 ,V
O
= 100 mVpp的,
R
F
= 1.65 k
G = 5 ,V
O
= 100 mVpp的,
R
F
= 1.65 k
G = 10 ,V
O
= 100 mVpp的,
R
F
= 1.65 k
0.1分贝平坦带宽
全功率带宽
压摆率
建立时间至0.1%
建立时间0.01%
上升/下降时间
谐波失真
二次谐波失真
第三谐波失真
二次谐波失真
第三谐波失真
THD + N
微分增益( NTSC / PAL)
微分相位( NTSC / PAL)
输入电压噪声
输入电流噪声
直流性能
开环电压增益( AOL )
输入失调电压
平均失调电压漂移
输入偏置电流
平均偏置电流漂移
输入失调电流
平均失调电流漂移
输入特性
共模输入范围
共模抑制比
输入阻抗
输入电容
V
CM
= 0 V至3 V
共模
共模/差
-0.4/3.4
92
100
0.8/1.2
-0.3/3.3
75
-0.1/3.1
70
-0.1/3.1
70
V
dB
M
pF
典型值
典型值
V
CM
= 1.5 V
0.5
0.1
0.8
0.4
95
0.5
2.5
3.5
±7
1
±2
0.5
±2
3.5
±7
1
±2
0.5
±2
dB
mV
μV/°C
A
NA / ℃,
A
NA / ℃,
典型值
最大
典型值
最大
典型值
最大
典型值
G = 2 ,V
O
= 100 mVpp的,
R
F
= 1.65 k
G = 2 ,V
O
= 2 Vpp的
G = 1 ,V
O
= 2 -V步
G = -1 ,V
O
= 2 -V步
G = -1 ,V
O
= 1 -V步骤
G = -1 ,V
O
= 1 -V步骤
G = 1 ,V
O
= 2 -V步
G = 2 ,V
O
= 2 Vpp的
F = 1 MHz时,R
L
= 1 k
F = 100千赫,R
L
= 1 k
V
O
= 1 VPP , F = 10千赫
V
O
= 2 Vpp的, F = 10千赫
G = 2 ,R
L
= 150
F = 100千赫
F = 100千赫
-52
-52
-69
-71
0.003
0.03
0.05/0.08
0.25/0.35
12.5
1.5
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
%
%
%
°
NA / √Hz的
PA / ÷赫兹
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
83
40
8
3.8
20
8
26
27
80
155
55
兆赫
兆赫
兆赫
兆赫
兆赫
兆赫
V / μs的
V / μs的
ns
ns
ns
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
条件
25°C
25°C
过温
0℃至
70°C
-40°C
至85℃
单位
MIN /
最大
4
THS4281
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电气特性,V
S
= 3 V (V
S+
= 3 V, V
S-
= GND ) (续)
G = 2 ,R
F
= 2.49千欧,R
L
= 1千欧到1.5 V时,除非另有说明
典型值
参数
输出特性
输出电压摆幅
输出电流(采购)
输出电流(沉没)
输出阻抗
电源
最大工作电压
最低工作电压
最大静态电流
最低静态电流
电源抑制比( PSRR + )
电源抑制( -PSRR )
V
S+
= 3.25 V至2.75 V,
V
S-
= 0 V
V
S+
= 3 V, V
S-
= 0 V至0.65 V
3
3
0.75
0.75
90
90
16.5
2.7
0.9
0.6
70
70
16.5
2.7
0.98
0.57
65
65
16.5
2.7
1.0
0.55
65
65
V
V
mA
mA
dB
dB
最大
最大
R
L
= 10 k
R
L
= 1 k
R
L
= 10
R
L
= 10
F = 1 MHz的
0.04/2.96
0.1/2.9
23
29
1
0.14/2.86
18
22
0.2/2.8
15
19
0.2/2.8
15
19
V
V
mA
mA
典型值
典型值
条件
25°C
25°C
过温
0℃至
70°C
-40°C
至85℃
单位
MIN /
最大
5
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超低功耗,高速,轨到轨输入和输出
电压反馈运算放大器
特点
极低的静态电流: 750 μA ( 5 V)
轨至轨输入和输出:
- 共模输入电压扩展
400毫伏超越了Rails
- 输出摆幅在150毫伏从
轨道
广-3 dB带宽为5 V :
- 90 MHz的@增益= 1 , 40兆赫@增益= 2
高压摆率: 35 V / μs的
快速建立时间( 2 -V步骤) :
- 78 ns至0.1 %
- 150 ns至0.01%
低失真@增益= 2 ,V
O
= 2 -VPP , 5 V :
- -91 dBc的100千赫, -67 dBc的在1 MHz
输入失调电压: 2.5 mV的(最大25° C)
输出电流>30毫安( 10 Ω负载, 5 V )
低电压噪声为12.5纳伏/ √Hz的
电源电压: 2.7 V, 3 V ,+ 5 V,
±5
V, +15 V
封装形式:SOT- 23 ,MSOP和SOIC
描述
使用BICOM - II的过程中, THS4281制造
是一种低功耗,轨到轨输入和输出电压
年龄反馈运算放大器设计
工作在2.7 V至宽电源电压范围
15 -V单电源供电,并
±1.35-V
to
±7.5-V
供应量。仅消耗750单位增益μA
90 MHz和高35 -V的带宽/μs压摆率,
该THS4281允许便携式或其他对功耗敏感
应用程序来实现高性能以最小
力。为了保证长电池寿命的便携式应用程序
阳离子,静态电流被调整到少
超过900 μA ,在25 ° C和-40 ℃1 mA至85 ℃。
该THS4281是一个真正的单电源放大器,
为400毫伏规定的共模输入范围
超出导轨。这允许高侧电流
无相位反转CON-传感应用
cerns 。其从铁轨输出摆幅在40毫伏
具有10千欧的负载,并且150毫伏的轨道与
1 kΩ的负载。
该THS4281具有78 ns的好0.1 %的建立时间,
和0.01 %,解决了150纳秒的时间。的低THD
-87 dBc的100千赫,加上最大偏移
小于2.5毫伏的电压,使得THS4281一
门当户对的高分辨率ADC采样少
比2 MSPS 。
该THS4281提供了节省空间的SOT- 23-5
封装,采用小型MSOP - 8封装,以及业界
标准的SOIC - 8封装。
应用
便携式/电池供电的应用
高通道数系统
ADC缓冲器
主动滤池
电流检测
V BAT
500
W
I
RSENSE
0.2
W
500
W
负载
+
470 pF的
VBAT/2
2.5千瓦
470 pF的
2.5千瓦
VBAT
100
W
THS4281
10 nF的
+ IN
ADS8320
In
V OUT = I RSENSE
VBAT
高边,低功耗电流传感系统
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
FILTERPRO是德州仪器的商标。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
版权所有 2004年,德州仪器
THS4281
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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备
贮藏期间放置在导电泡棉或处理,以防止对静电损坏MOS大门。
绝对最大额定值
(1)
在工作自由空气的温度范围内(除非另有说明)
单位
电源电压,V
S-
到V
S+
输入电压V
I
差分输入电压,V
ID
输出电流,I
O
连续功率耗散
最高结温,任何情况下,
存储温度范围,T
英镑
焊接温度1.6毫米( 1/16英寸)的情况下,持续10秒
HBM
ESD额定值
清洁发展机制
MM
(1)
(2)
(2)
16.5 V
±V
S
±
0.5 V
±2
V
±100
mA
见耗散额定值表
T
J
150°C
125°C
-65 ℃150 ℃的
300°C
3500 V
1500 V
100 V
最高结温,连续运转,长期可靠性
(2)
T
J
在任何情况下的绝对最大额定值是由硅工艺的制约的限制。强调以上这些评级可能
会造成永久性的损害。长期在绝对最大条件下工作会降低设备的可靠性。这些都是
只强调额定功率,以及设备在这些功能操作或超出规定的其他条件是不是暗示。
最高结温为连续运行是由包约束的限制。操作高于此温度可
导致可靠性降低和/或该设备的寿命。推荐工作条件。
推荐工作条件
电源电压(V
S+
和V
S -
)
双电源
单电源
±1.35
2.7
最大
±8.25
16.5
单位
V
耗散额定值表每包
DBV (5)
D (8)
DGK ( 8 )
(1)
(2)
θ
JC
( ° C / W)
55
38.3
71.5
θ
JA (1)
( ° C / W)
255.4
97.5
180.8
额定功率
(2)
T
A
< 25℃
391毫瓦
1.02 W
553毫瓦
T
A
= 85°C
156毫瓦
410毫瓦
221毫瓦
采用JEDEC标准的High-K PCB测试得到该数据。
额定功率为125 ° C的结温是确定的。这就是失真开始大幅增加点。
最终PCB的热管理应努力保持结温低于125 ℃,以获得最佳性能和长
长期可靠性。
2
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SLOS432 - 2004年4月
包装/订货信息
包装设备
THS4281DBVT
THS4281DBVR
THS4281D
THS4281DR
THS4281DGK
THS4281DGKR
器件标识
AON
--
AOO
套餐类型
SOT - 23 - 5
SOIC - 8
MSOP - 8
传输介质, QUANTITY
磁带和卷轴, 250
磁带和卷轴, 3000
轨, 75
磁带和卷轴, 2500
轨, 75
磁带和卷轴, 2500
引脚配置
顶视图
THS4281
的dBV
顶视图
THS4281
D和DGK
V
OUT
V
S
IN +
1
2
5
V
S+
NC
IN-
IN +
1
2
3
4
8
7
6
5
NC
V
S+
V
OUT
NC
3
4
IN-
V
S
注: NC表示有这些引脚没有内部连接。
3
THS4281
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电气特性,V
S
= 3 V (V
S+
= 3 V, V
S-
= GND)
G = 2 ,R
F
= 2.49千欧,R
L
= 1千欧到1.5 V时,除非另有说明
典型值
参数
AC性能
G = 1 ,V
O
= 100 mVpp的,
R
F
= 34
小信号带宽
G = 2 ,V
O
= 100 mVpp的,
R
F
= 1.65 k
G = 5 ,V
O
= 100 mVpp的,
R
F
= 1.65 k
G = 10 ,V
O
= 100 mVpp的,
R
F
= 1.65 k
0.1分贝平坦带宽
全功率带宽
压摆率
建立时间至0.1%
建立时间0.01%
上升/下降时间
谐波失真
二次谐波失真
第三谐波失真
二次谐波失真
第三谐波失真
THD + N
微分增益( NTSC / PAL)
微分相位( NTSC / PAL)
输入电压噪声
输入电流噪声
直流性能
开环电压增益( AOL )
输入失调电压
平均失调电压漂移
输入偏置电流
平均偏置电流漂移
输入失调电流
平均失调电流漂移
输入特性
共模输入范围
共模抑制比
输入阻抗
输入电容
V
CM
= 0 V至3 V
共模
共模/差
-0.4/3.4
92
100
0.8/1.2
-0.3/3.3
75
-0.1/3.1
70
-0.1/3.1
70
V
dB
M
pF
典型值
典型值
V
CM
= 1.5 V
0.5
0.1
0.8
0.4
95
0.5
2.5
3.5
±7
1
±2
0.5
±2
3.5
±7
1
±2
0.5
±2
dB
mV
μV/°C
A
NA / ℃,
A
NA / ℃,
典型值
最大
典型值
最大
典型值
最大
典型值
G = 2 ,V
O
= 100 mVpp的,
R
F
= 1.65 k
G = 2 ,V
O
= 2 Vpp的
G = 1 ,V
O
= 2 -V步
G = -1 ,V
O
= 2 -V步
G = -1 ,V
O
= 1 -V步骤
G = -1 ,V
O
= 1 -V步骤
G = 1 ,V
O
= 2 -V步
G = 2 ,V
O
= 2 Vpp的
F = 1 MHz时,R
L
= 1 k
F = 100千赫,R
L
= 1 k
V
O
= 1 VPP , F = 10千赫
V
O
= 2 Vpp的, F = 10千赫
G = 2 ,R
L
= 150
F = 100千赫
F = 100千赫
-52
-52
-69
-71
0.003
0.03
0.05/0.08
0.25/0.35
12.5
1.5
dBc的
dBc的
dBc的
dBc的
%
%
%
°
NA / √Hz的
PA / ÷赫兹
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
83
40
8
3.8
20
8
26
27
80
155
55
兆赫
兆赫
兆赫
兆赫
兆赫
兆赫
V / μs的
V / μs的
ns
ns
ns
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
条件
25°C
25°C
过温
0℃至
70°C
-40°C
至85℃
单位
MIN /
最大
4
THS4281
www.ti.com
SLOS432 - 2004年4月
电气特性,V
S
= 3 V (V
S+
= 3 V, V
S-
= GND ) (续)
G = 2 ,R
F
= 2.49千欧,R
L
= 1千欧到1.5 V时,除非另有说明
典型值
参数
输出特性
输出电压摆幅
输出电流(采购)
输出电流(沉没)
输出阻抗
电源
最大工作电压
最低工作电压
最大静态电流
最低静态电流
电源抑制比( PSRR + )
电源抑制( -PSRR )
V
S+
= 3.25 V至2.75 V,
V
S-
= 0 V
V
S+
= 3 V, V
S-
= 0 V至0.65 V
3
3
0.75
0.75
90
90
16.5
2.7
0.9
0.6
70
70
16.5
2.7
0.98
0.57
65
65
16.5
2.7
1.0
0.55
65
65
V
V
mA
mA
dB
dB
最大
最大
R
L
= 10 k
R
L
= 1 k
R
L
= 10
R
L
= 10
F = 1 MHz的
0.04/2.96
0.1/2.9
23
29
1
0.14/2.86
18
22
0.2/2.8
15
19
0.2/2.8
15
19
V
V
mA
mA
典型值
典型值
条件
25°C
25°C
过温
0℃至
70°C
-40°C
至85℃
单位
MIN /
最大
5
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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    -
    -
    -
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地址:深圳市福田区 汉国中心55楼
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原装原厂公司现货
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电话:13510131896
联系人:欧阳
地址:龙岗区布吉街道粤宝花园3栋514
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进口原装现货
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联系人:柯
地址:深圳市福田区华强北振兴华101号华匀大厦二栋五楼516室 本公司可以开13%增值税发票 以及3%普通发票!!
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联系人:朱咸华
地址:美驻深办公室:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼A18室/ 分公司:深圳华强北深纺大厦C座西7楼/ 市场部:华强北新亚洲电子市场3B047展销柜
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联系人:小邹
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联系人:李
地址:深圳市福田区上步工业区304栋西5楼503室
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联系人:李先生
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