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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符T型号页 > 首字符T的型号第421页 > TS912BI
TS912
轨至轨
CMOS双路运算放大器
.
.
.
.
.
.
.
.
.
轨至轨输入和输出
电压范围
单电源供电
2.7V
至16V
极低的输入偏置电流：
1pA
典型值
低输入失调电压：
为2mV最大值。
指明的
600
和
100
负载
低电源电流： 200μA /放大器
（ VCC = 3V ）
ESD容差： 3KV
闭锁抗扰度
宏
包含在此
规范
N
DIP8
（塑料包装）
D
SO8
（塑料Micropackage ）
订购代码
产品型号
TS912I/AI/BI
温度范围
-40, +125
o
C
包
N
D
引脚连接
（ TOP VIEW ）
描述
该TS912是轨至轨CMOS双操作
tional放大器设计与单一经营或
双电源电压。
输入电压范围V
ICM
包括两
电源电压V
CC+
和V
CC-
.
输出达到：
V
CC-
+40mV
V
CC+
-50mV
有R
L
= 10k
-
+
V
CC
+ 350mV的V
CC
-350mV有R
L
= 600
该产品提供了广阔的供电电压operat-
从2.7V至16V和电源电流荷兰国际集团范围
只有200μA /放大器。 （V
CC
= 3V).
源和接收器的输出电流能力为典型
美云40毫安（在V
CC
= 3V ），固定由一个内部
限制电路。
意法半导体推出的四通道运算放大器与
相同的特点： TS914 。
1999年4月
输出1
反相输入1
非反相输入1
1
2
3
4
-
+
-
+
8
V
CC
+
7
输出2
6
反相输入2
5
非反相输入端2
V
CC
1/12
TS912
原理图
（ 1/2 TS912 ）
V
CC
非反相
输入
INTE RNAL
VRE F
反相
输入
本安输出
V
CC
绝对最大额定值
符号
V
CC
V
id
V
i
I
in
I
o
T
OPER
T
英镑
注意事项：
参数
电源电压 - （注1 ）
差分输入电压 - （注2 ）
输入电压 - （注3）
电流输入
电流输出
工作自由空气的温度范围
TS912I/AI/BI
储存温度
价值
18
±18
-0.3至18
±50
±130
-40到+125
-65到+150
单位
V
V
V
mA
mA
o
C
C
o
1.所有电压值，除了差分电压是相对于网络的接地端子。
2.差分电压是相对于反相输入端的非反相输入端。
3.输入和输出电压的大小不能超过V
CC+
+0.3V.
工作条件
符号
V
CC
V
ICM
电源电压
共模输入电压范围
-
参数
价值
2.7 16
V
CC
-0.2
V
CC+
+0.2
单位
V
V
2/12
TS912
电气特性
V
CC+
= 3V, V
CC-
= 0V ，R
L
,C
L
连接到V
CC
/2, T
AMB
= 25
o
C（除非另有说明）
符号
V
io
参数
输入失调电压（V
ic
= V
o
= V
CC
/2)
T
分钟。
≤
T
AMB
≤
T
马克斯。
DV
io
I
io
I
ib
I
CC
CMR
SVR
A
vd
V
OH
TS912
TS912A
TS912B
TS912
TS912A
TS912B
TS912I/AI/BI
分钟。
典型值。
马克斯。
10
5
2
12
7
3
5
1
100
200
1
150
300
200
300
400
70
50
80
3
10
2
2.95
2.9
2.96
2.3
2.6
2
2.8
2.1
30
300
900
50
70
400
100
600
20
20
40
40
0.8
0.4
0.3
30
30
mA
兆赫
V / μs的
V / μs的
度
nV
Hz
√
mV
单位
mV
输入失调电压漂移
输入失调电流 - （注1 ）
T
分钟。
≤
T
AMB
≤
T
马克斯。
输入偏置电流 - （注1 ）
T
分钟。
≤
T
AMB
≤
T
马克斯。
电源电流（每个放大器，A
VCL
= 1，无负载）
T
分钟。
≤
T
AMB
≤
T
马克斯。
共模抑制比
V
ic
= 0 3V ，V
o
= 1.5V
+
电源电压抑制比（V
CC
= 2.7 3.3V ，V
O
= V
CC
/2)
大信号电压增益（R
L
= 10kΩ的，V
O
= 1.2V至1.8V ）
T
分钟。
≤
T
AMB
≤
T
马克斯。
高电平输出电压（V
id
= 1V)
R
L
= 100k
R
L
= 10k
R
L
= 600
R
L
= 100
T
分钟。
≤
T
AMB
≤
T
马克斯。
R
L
= 10k
R
L
= 600
R
L
= 100k
R
L
= 10k
R
L
= 600
R
L
= 100
R
L
= 10k
R
L
= 600
源（V
o
= V
CC
)
+
SINK
(V
o
= V
CC
)
V/
o
C
pA
pA
A
dB
dB
V / MV
V
V
OL
低电平输出电压（V
id
= -1V)
T
分钟。
≤
T
AMB
≤
T
马克斯。
I
o
英镑
SR
SR
-
m
e
n
+
输出短路电流（V
id
=
±1V)
增益带宽积
(A
VCL
= 100, R
L
= 10kΩ的，C
L
= 100pF的， F = 100KHz的）
压摆率（A
VCL
= 1, R
L
= 10kΩ的，C
L
= 100pF电容，V
i
= 1.3V至1.7V ）
压摆率（A
VCL
= 1, R
L
= 10kΩ的，C
L
= 100pF电容，V
i
= 1.3V至1.7V ）
相位裕度
等效输入噪声电压（R
s
= 100Ω ， F = 1kHz时）
注1 ：
最大值，包括工业性试验不可避免的误差。
3/12
TS912
电气特性
V
CC+
= 5V, V
CC-
= 0V ，R
L
,C
L
连接到V
CC
/2, T
AMB
= 25
o
C（除非另有说明）
符号
V
io
参数
输入失调电压（V
ic
= V
o
= V
CC
/2)
T
分钟。
≤
T
AMB
≤
T
马克斯。
DV
io
I
io
I
ib
I
CC
CMR
SVR
A
vd
V
OH
TS912
TS912A
TS912B
TS912
TS912A
TS912B
TS912I/AI/BI
分钟。
典型值。
马克斯。
10
5
2
12
7
3
5
1
100
200
1
150
300
230
350
450
60
55
10
7
4.95
4.9
4.25
4.8
4.1
40
350
1400
50
100
500
150
750
45
45
65
65
1
0.8
0.6
30
120
30
mA
兆赫
V / μs的
V / μs的
nV
Hz
√
dB
度
mV
85
80
40
单位
mV
输入失调电压漂移
输入失调电流 - （注1 ）
T
分钟。
≤
T
AMB
≤
T
马克斯。
输入偏置电流 - （注1 ）
T
分钟。
≤
T
AMB
≤
T
马克斯。
电源电流（每个放大器，A
VCL
= 1，无负载）
T
分钟。
≤
T
AMB
≤
T
马克斯。
共模抑制比
V
ic
= 1.5 3.5V ，V
o
= 2.5V
+
电源电压抑制比（V
CC
= 3 5V ，V
O
= V
CC
/2)
大信号电压增益（R
L
= 10kΩ的，V
O
= 1.5V至3.5V ）
T
分钟。
≤
T
AMB
≤
T
马克斯。
高电平输出电压（V
id
= 1V)
R
L
= 100k
R
L
= 10k
R
L
= 600
R
L
= 100
T
分钟。
≤
T
AMB
≤
T
马克斯。
R
L
= 10k
R
L
= 600
R
L
= 100k
R
L
= 10k
R
L
= 600
R
L
= 100
R
L
= 10k
R
L
= 600
源（V
o
= V
CC
)
+
SINK
(V
o
= V
CC
)
V/
o
C
pA
pA
A
dB
dB
V / MV
V
4.95
4.55
3.7
V
OL
低电平输出电压（V
id
= -1V)
T
分钟。
≤
T
AMB
≤
T
马克斯。
I
o
英镑
SR
+
-
SR
e
n
V
O1
/V
O2
m
输出短路电流（V
id
=
±1V)
增益带宽积
(A
VCL
= 100, R
L
= 10kΩ的，C
L
= 100pF的， F = 100KHz的）
压摆率（A
VCL
= 1, R
L
= 10kΩ的，C
L
= 100pF电容，V
i
= 1V至4V ）
压摆率（A
VCL
= 1, R
L
= 10kΩ的，C
L
= 100pF电容，V
i
= 1V至4V ）
等效输入噪声电压（R
s
= 100Ω ， F = 1kHz时）
声道分离度（ F = 1kHz时）
相位裕度
注1 ：
最大值，包括工业性试验不可避免的误差。
4/12
TS912
电气特性
V
CC+
= 10V, V
CC-
= 0V ，R
L
,C
L
连接到V
CC
/2, T
AMB
= 25
o
C（除非另有说明）
符号
V
io
参数
输入失调电压（V
ic
= V
o
= V
CC
/2)
T
分钟。
≤
T
AMB
≤
T
马克斯。
DV
io
I
io
I
ib
I
CC
CMR
SVR
A
vd
V
OH
TS912
TS912A
TS912B
TS912
TS912A
TS912B
TS912I/AI/BI
分钟。
典型值。
马克斯。
10
5
2
12
7
3
5
1
100
200
1
150
300
400
600
700
60
90
50
75
60
90
15
50
10
9.95
9.85
9.95
9
9.35
7.8
9.8
8.8
50
650
2300
50
150
800
150
900
45
50
65
75
1.4
1.3
0.8
40
30
0.024
1.5
mA
兆赫
V / μs的
V / μs的
度
nV
Hz
√
%
pF
mV
单位
mV
输入失调电压漂移
输入失调电流 - （注1 ）
T
分钟。
≤
T
AMB
≤
T
马克斯。
输入偏置电流 - （注1 ）
T
分钟。
≤
T
AMB
≤
T
马克斯。
电源电流（每个放大器，A
VCL
= 1，无负载）
T
分钟。
≤
T
AMB
≤
T
马克斯。
共模抑制比
V
ic
= 3 7V ，V
o
= 5V
V
ic
= 0 10V ，V
o
= 5V
电源电压抑制比（V
CC+
= 5 10V ，V
O
= V
CC
/2)
大信号电压增益（R
L
= 10kΩ的，V
O
= 2.5V至7.5V ）
T
分钟。
≤
T
AMB
≤
T
马克斯。
高电平输出电压（V
id
= 1V)
R
L
= 100k
R
L
= 10k
R
L
= 600
R
L
= 100
T
分钟。
≤
T
AMB
≤
T
马克斯。
R
L
= 10k
R
L
= 600
R
L
= 100k
R
L
= 10k
R
L
= 600
R
L
= 100
R
L
= 10k
R
L
= 600
源（V
o
= V
CC
)
+
SINK
(V
o
= V
CC
)
V/
o
C
pA
pA
A
dB
dB
V / MV
V
V
OL
低电平输出电压（V
id
= -1V)
T
分钟。
≤
T
AMB
≤
T
马克斯。
I
o
英镑
SR
+
-
SR
m
e
n
THD
C
in
输出短路电流（V
id
=
±1V)
增益带宽积
(A
VCL
= 100, R
L
= 10kΩ的，C
L
= 100pF的， F = 100KHz的）
压摆率（A
VCL
= 1, R
L
= 10kΩ的，C
L
= 100pF电容，V
i
= 2.5V至7.5V ）
压摆率（A
VCL
= 1, R
L
= 10kΩ的，C
L
= 100pF电容，V
i
= 2.5V至7.5V ）
相位裕度
等效输入噪声电压（R
s
= 100Ω ， F = 1kHz时）
总谐波失真
(A
VCL
= 1, R
L
= 10kΩ的，C
L
= 100pF电容，V
O
= 4.75V至5.25V ， F = 1kHz时）
输入电容
注1 ：
最大值，包括工业性试验不可避免的误差。
5/12
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TMPM369FDXBG
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TSC80C31XXX-40MA
TEA2164
TISP4350H3BJ
TPM2S471P075R
THS4281DBVT
TMS320C6412GNZ500
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封装
单价/备注
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    TS912BI
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