典型尺寸
6.4毫米× 9.7毫米
TPS54610-EP
SGLS294A - 2005年2月 - 修订2007年8月
www.ti.com
3 V至6 V输入， 6 A输出同步降压PWM
切换器，带集成FET （ SWIFT ）
1
特点
应用
低电压，高密度分布式电源
系统
条例对高负载点的
高性能DSP ， FPGA的ASIC和
微处理器
宽带网络和光
通信基础设施
便携式电脑/笔记本电脑
控制基线
- 一个封装/测试网站，一个制造
现场
-55 ° C扩展级温度性能
至125℃
增强递减制造源
（ DMS ）支持
增强型产品更改通知
资质谱系
(1)
30毫欧， 12 A峰值MOSFET开关高
效率在6连续输出或源代码
灌电流
可调输出电压低至0.9 V带
1 ％的精度
宽PWM频率：固定350千赫， 550千赫
或可调280 kHz至700 kHz的
可同步至700千赫
荷载的峰值电流限制和保护
热关断
集成的解决方案降低电路板面积和
元件数量
2
描述/订购信息
由于SWIFT 系列DC中的一员/ DC
监管层的TPS54610低输入电压
高输出电流同步降压PWM
转换器集成了所有必需的活性成分。
包括基板与上市功能上
一个真正的，高性能的，电压误差放大器，其
能够在最大性能和灵活性
选择输出滤波器的L和C元件，一个
欠电压锁定电路，以防止启动直到
输入电压达到3V时，在内部或
外部设置慢启动电路，以限制浪涌电流，
和一个电源良好输出，可用于处理器/逻辑
复位，故障信号和电源排序。
该TPS54610是采用热增强型
28引脚TSSOP （ PWP ） PowerPAD包，
消除了笨重的散热器。德州仪器
提供评估模块和SWIFT
设计软件工具，帮助快速实现
高性能电源设计，以满足
积极的设备开发周期。
(1)
按照JEDEC和组件认证
行业标准，以确保可靠运行了一个多
扩展级温度范围。这包括，但不限于
到，高加速应力测试（ HAST ）或偏见85/85 ，
温度循环，高压灭菌器或无偏HAST ，
电，债券间的生活，和模塑料
生活。这样的资格测试不应该被看作是
超出规定的证明使用该组件的
性能和环境限制。
1
2
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
SWIFT ，使用PowerPad是德州仪器的商标。
版权所有2005-2007 ，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
TPS54610-EP
SGLS294A - 2005年2月 - 修订2007年8月
www.ti.com
简化的原理图
效率350千赫
100
输入
VIN
PH
TPS54610
BOOT
保护地
VBIAS VSENSE
AGND COMP
产量
95
90
85
效率 - ％
80
75
70
65
60
55
50
0
1
2
3
4
5
6
负载电流 - 一个
V
I
= 5 V,
V
O
= 3.3 V
这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。
订购信息
(1)
T
J
-55 ° C至125°C
(1)
(2)
输出电压
可调低至0.9 V
包
(2)
产品型号
TPS54610MPWPREP
塑料HTSSOP （ PWP ）
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或见TI
网站：
www.ti.com 。
包装图纸，热数据和符号可在
www.ti.com/packaging 。
2
提交文档反馈
产品文件夹链接（ S） ：
TPS54610-EP
版权所有2005-2007 ，德州仪器
TPS54610-EP
www.ti.com
SGLS294A - 2005年2月 - 修订2007年8月
绝对最大额定值
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
(1)
TPS54610M
VIN ， SS / ENA ， FSEL
V
I
输入电压范围
RT
VSENSE
BOOT
V
O
I
O
输出电压范围
源出电流
VBIAS ， COMP ， PWRGD
PH
PH
COMP ， VBIAS
PH
I
S
灌电流
电压差动
T
J
T
英镑
储存温度
焊接温度1.6毫米（ 1/16英寸）的情况下，持续10秒
(1)
COMP
SS / ENA ， PWRGD
AGND至PGND
经营虚拟结温范围
-0.3 V至7 V
0.3 V至6 V
0.3 V至24 V
0.3 V至17 V
-0.3 V至7 V
-0.6 V至10 V
内部限制
6毫安
12 A
6毫安
10毫安
0.3 V
-55_C到150_C
-65_C到150_C
300°C
强调超越那些在列
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值
只和功能在这些或任何其他条件超出下所指示的设备的操作
推荐工作
条件
是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
推荐工作条件
民
V
I
T
J
输入电压
工作结温
3
–55
喃
最大
6
125
单位
V
°C
版权所有2005-2007 ，德州仪器
提交文档反馈
产品文件夹链接（ S） ：
TPS54610-EP
3
TPS54610-EP
SGLS294A - 2005年2月 - 修订2007年8月
www.ti.com
耗散额定值
(1)
包
28引脚PWP用焊锡
无焊28引脚PWP
(1)
(2)
(2)
热阻抗
结到环境
18.2°C/W
40.5°C/W
T
A
= 25°C
额定功率
5.49 W
(3)
2.48 W
T
A
= 70°C
额定功率
3.02 W
1.36 W
T
A
= 85°C
额定功率
2.20 W
0.99 W
(3)
有关PWP包的详细信息，请参阅德州仪器技术简介
SLMA002.
测试板条件：
一。 3英寸× 3英寸， 4层，厚度： 0.062英寸
B 。 1.5盎司位于PCB的顶部铜迹线
。 1.5盎司在PCB的底部铜地平面
。 0.5盎司对两个内层铜接地层
。 12散热通孔（见
推荐地格局
本数据手册的应用信息部分。
最大功率耗散可通过过电流保护的限制。
电气特性
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
参数
供电电压， VINL
输入电压范围，V
IN
f
s
= 350 kHz时， FSEL
≤
0.8 V， RT开放， PH引脚
开放
I
(Q)
静态电流
f
s
= 550 kHz时， FSEL
≥
2.5 V ， RT开放， PH引脚
开放
关机， SS / ENA = 0 V
欠压锁定
启动阈值电压时， UVLO
断阈值电压时， UVLO
滞后电压， UVLO
上升沿和下降沿抗尖峰脉冲， UVLO
偏压
输出电压， VBIAS
输出电流， VBIAS
(2)
累计参考
V
REF
准确性
(1)
(1)
测试条件
民
3
典型值
最大
6
单位
V
9.8
14
1
2.95
2.7
0.12
2.8
0.16
2.5
19
25
1.4
3
V
V
V
s
2.95
100
V
A
V
mA
I
（ VBIAS ）
= 0
2.7
2.8
0.882
I
L
= 3 A，F
s
= 350千赫，T
J
= 85°C
I
L
= 3 A，F
s
= 550千赫，T
J
= 85°C
(3)
0.891
0.9
0.07
0.07
0.03
0.03
规
线路调整
(1)
负载调整率
(1)
振荡器
内部设置自由运行频率
外部设置的自由运行频率
范围
FSEL
≤
0.8 V， RT开放
FSEL
≥
2.5 V ， RT开放
RT = 180 kΩ的（ 1 ％电阻AGND ）
(1)
RT = 160 kΩ的（ 1 ％电阻AGND ）
(1)
RT = 68 kΩ的（ 1 ％电阻AGND ）
高级别阈值， FSEL
低级别的门槛， FSEL
脉冲持续时间，外部同步，
FSEL
(1)
频率范围， FSEL
(1)
(1)
(2)
(3)
4
按设计规定
只有静态电阻负载
通过在所使用的电路中指定
网络连接gure 10 。
提交文档反馈
产品文件夹链接（ S） ：
TPS54610-EP
版权所有2005-2007 ，德州仪器
(1)
(3)
%/V
%/A
I
L
= 0 6 A，F
s
= 350千赫，T
J
= 85°C
I
L
= 0 6 A，F
s
= 550千赫，T
J
= 85°C
270
415
245
285
655
2.5
350
550
280
312
700
425
662
315
360
773
千赫
千赫
V
0.8
50
330
700
V
ns
千赫
TPS54610-EP
www.ti.com
SGLS294A - 2005年2月 - 修订2007年8月
电气特性（续）
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
参数
斜坡谷
(1)
斜坡幅度（峰 - 峰值）
(1)
最小可控时间
最大占空比
(1)
误差放大器器
误差放大器的开环电压增益
误差放大器的单位增益带宽
误差放大器的共模输入
电压范围
输入偏置电流， VSENSE
(4)
输出电压转换速率（对称） ，
COMP
(1)
PWM比较器
PWM比较器的传播延迟时间，
PWM比较器输入PH引脚
（不包括死区时间）
慢启动/ ENABLE
启用阈值电压， SS / ENA
启用滞后电压， SS / ENA
(5)
下降沿抗尖峰脉冲， SS / ENA
内部慢启动时间
(6)
充电电流， SS / ENA
放电电流， SS / ENA
电源良好
电源良好阈值电压
电源良好滞后电压
(5)
电源良好下降沿抗尖峰脉冲
漏电流， PWRGD
电流限制
电流限制跳变点
电流限制前沿消隐时间
(5)
电流限制总响应时间
热关断
热关断触发点
(5)
热关断迟滞
输出功率MOSFET
r
DS （ ON）
(4)
(5)
(6)
功率MOSFET开关
V
I
= 6 V
(6)
V
I
= 3 V
(6)
26
36
51
67
m
(5)
(5)
(5)
(5)
(1)
测试条件
民
典型值
0.75
1
最大
单位
V
V
200
90%
1 kΩ的COMP至AGND
(1)
平行的10kΩ ， 160 pF的COMP至AGND
本站由内部LDO
VSENSE = V
REF
1
(1)
(1)
ns
90
3
0
110
5
VBIAS
60
1.4
dB
兆赫
V
nA
V / μs的
10 mV过
(1)
70
85
ns
0.82
1.2
0.03
2.5
1.4
V
V
s
2
SS / ENA = 0 V
SS / ENA = 1.2 V ，V
I
= 2.7 V
VSENSE下降
2.5
1.1
3.35
5
2.3
90
3
35
4.5
8
4
ms
A
mA
%V
REF
%V
REF
s
输出饱和电压， PWRGD
我（汇） = 2.5毫安
V
I
= 5.5 V
V
I
= 3 V
(5)
V
I
= 6 V
(5)
0.18
100
10
12
100
200
135
150
10
0.31
V
nA
A
ns
ns
165
°C
°C
匹配的MOSFET低侧R
DS （ ON）
生产测试，高侧R
DS （ ON）
按设计规定。
按设计规定
匹配的MOSFET低侧R
DS （ ON）
生产测试，高侧R
DS （ ON）
按设计规定。
版权所有2005-2007 ，德州仪器
提交文档反馈
产品文件夹链接（ S） ：
TPS54610-EP
5
QQ：2881677436 复制
