【TC55V16256JI/FTI-12,-15东芝MOS数字集成电路硅栅CMOS262,144字×1】,IC型号TC55V16256FTI,TC55V16256FTI PDF资料,TC55V16256FTI经销商,ic,电子元器件-51电子网

TC55V16256JI/FTI-12,-15

东芝MOS数字集成电路硅栅CMOS

262,144字×16位CMOS静态RAM

描述

该TC55V16256JI / FTI是（ SRAM）组织为262,144 4,194,304一个位高速静态随机存取存储器

字由16位。采用CMOS技术和先进的电路技术，以提供高速制成，它

工作于3.3 V单电源供电。芯片使能（CE ）可以用于将器件置于低功耗模式下，

和输出使能（ OE ）提供了快速内存访问。数据字节的控制信号（

LB

,

UB

）提供下和上

字节访问。该装置非常适合于高速缓存存储器的应用中的高速访问和高速

存储是必需的。所有输入和输出都直接LVTTL兼容。该TC55V16256JI / FTI是可用

塑料44引脚SOJ和44引脚TSOP与400mil宽度，高密度表面组装。该TC55V16256JI / FTI

担保

40°

至85° C的工作温度，使之适用于广泛的工作温度系统。

特点

快速访问时间（下面是最大值）

TC55V16256JI / FTI - 12 ： 12纳秒

TC55V16256JI / FTI - 15 ： 15纳秒

低功耗

（下面是最大值）

周期

操作（最大）

12

230

15

200

20

170

25

150

ns

mA

待机： 10毫安（两个设备）

3.3 V单电源电压

±

0.3 V

全静态操作

所有输入和输出都是LVTTL兼容

用OE输出缓冲控制

使用数据字节控制

LB

（ I / O1到I / O8 ）和

UB

（I / O9到I / O16 ）

包装：

SOJ44 -P - 400-1.27 （ JI）

（重量： 1.64克典型值）

TSOP II44 -P - 400-0.80 （ FTI ）（重量： 0.45克典型值）

引脚分配

（ TOP VIEW ）

44针SOJ

44引脚TSOP

引脚名称

A0到A17

A4

A3

A2

A1

A0

CE

I/O1

I/O2

I/O3

I/O4

V

DD

GND

I/O5

I/O6

I/O7

I/O8

WE

A15

A14

A13

A12

A16

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15

16

17

18

19

20

21

22

44

43

42

41

40

39

38

37

36

35

34

33

32

31

30

29

28

27

26

25

24

23

A5

A6

A7

OE

UB

LB

I/O16

I/O15

I/O14

I/O13

GND

V

DD

I/O12

I/O11

I/O10

I/O9

NU

A8

A9

A10

A11

A17

A4

A3

A2

A1

A0

CE

I/O1

I/O2

I/O3

I/O4

V

DD

GND

I/O5

I/O6

I/O7

I/O8

WE

A15

A14

A13

A12

A16

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15

16

17

18

19

20

21

22

44

43

42

41

40

39

38

37

36

35

34

33

32

31

30

29

28

27

26

25

24

23

A5

A6

A7

OE

UB

LB

I/O16

I/O15

I/O14

I/O13

GND

V

DD

I/O12

I/O11

I/O10

I/O9

NU

A8

A9

A10

A11

A17

I / O1到I / O16

CE

地址输入

数据输入/输出

芯片使能输入

写使能输入

输出使能输入

数据字节控制输入

电源（ +3.3 V）

地

不可用（输入）

WE

OE

LB

,

UB

V

DD

GND

NU

(TC55V16256JI)

(TC55V16256FTI)

2002-01-07

1/11

TC55V16256JI/FTI-12,-15

框图

A0

A1

A4

A5

A8

A9

A13

A14

A15

A17

ROW

地址

卜FF器

ROW

解码器

存储单元阵列

1,024

×

256

×

16

(4,194,304)

V

DD

GND

I/O1

I/O2

I/O3

I/O4

I/O5

I/O6

I/O7

I/O8

I/O9

I/O10

I/O11

I/O12

I/O13

I/O14

I/O15

I/O16

SENSE AMP

数据

产量

卜FF器

CE

列地址缓冲器

时钟

发电机

A2 A3 A6 A7 A10 A11 A12 A16

价值

0.5

4.6

0.5*

4.6

0.5*

到V

DD

+

0.5**

1.4

260

65

150

40

100

数据

输入

卜FF器

列解码器

WE

OE

UB

LB

CE

最大额定值

符号

V

DD

V

IN

V

I / O

P

D

T

SOLDER

T

英镑

T

OPR

电源电压

输入端子的电压

输入/输出端子电压

功耗

焊接温度（ 10秒）

储存温度

工作温度

等级

单位

V

W

°C

*:

1.5

V with a pulse width of 20%½t

RC

分（ 4 ns（最大值））

**:

V

DD

+

1.5 V with a pulse width of 20%½t

RC

分（ 4 ns（最大值））

2002-01-07

数据

产量

卜FF器

数据

输入

卜FF器

CE

2/11

TC55V16256JI/FTI-12,-15

DC推荐工作条件

（大

=

40℃至85℃ ）

符号

V

DD

V

IH

V

IL

参数

电源电压

输入高电压

输入低电压

民

3.0

2.0

0.3*

典型值

3.3

最大

3.6

V

DD

+

0.3**

0.8

单位

V

*:

1.0

V with a pulse width of 20%½t

RC

分（ 4 ns（最大值））

**:

V

DD

+

1.0 V with a pulse width of 20%½t

RC

分（ 4 ns（最大值））

DC特性

（大

=

40 °至85° C，V

DD

=

3.3 V

±

0.3 V)

符号

I

IL

I

LO

参数

输入漏电流

V

IN

=

0到V

DD

（除NU针）

输出漏

当前

输入电流

（ NU针）

输出高电压

CE

=

V

IH

或WE

=

V

IL

or

OE

=

V

IH

,

V

OUT

=

0到V

DD

测试条件

民

1

2.4

V

DD

0.2

t

周期

=

12纳秒

t

周期

=

15纳秒

t

周期

=

20纳秒

t

周期

=

25纳秒

典型值

最大

1

单位

A

1

20

1

0.4

0.2

230

200

170

150

55

I

我（ NU ）

V

IN

=

0 0.8 V

V

IN

=

0 0.2 V

I

OH

= 2

mA

I

OH

= 100 A

I

OL

=

2毫安

I

OL

=

100

A

CE

=

V

IL

, I

OUT

=

0毫安，

V

OH

V

OL

输出低电压

I

DDO

工作电流

OE

=

V

IH

,

mA

其他输入

=

V

IH

/V

IL

I

DDS1

I

DDS2

CE

=

V

IH

，其他输入

=

V

IH

或V

IL

待机电流

CE

=

V

DD

0.2 V ，其他输入

=

V

DD

0.2 V或0.2 V

mA

10

电容

（大

=

25 ° C，F

=

1.0兆赫）

符号

C

IN

C

I / O

注意：

参数

输入电容

输入/输出电容

V

IN

=

GND

V

I / O

=

GND

测试条件

最大

6

8

单位

pF

此参数是周期性采样，而不是100％测试。

2002-01-07

3/11

TC55V16256JI/FTI-12,-15

经营模式

模式

CE

OE

WE

LB

L

UB

I / O1到I / O8

产量

高阻抗

产量

输入

高阻抗

输入

高阻抗

的I / O9到I / O16

产量

高阻抗

输入

高阻抗

动力

I

DDO

I

DDO

I

DDO

I

DDO

I

DDO

I

DDO

I

DDO

I

DDS

L

H

L

H

*

H

*

读

L

H

L

写

L

*

L

H

L

输出禁用

L

待机

*

：无所谓

注意：

H

*

H

*

H

*

高阻抗

怒江脚必须悬空或连接到GND或小于0.8 V的电压电平

你不能申请超过0.8 V至怒江的电压。

2002-01-07

4/11

TC55V16256JI/FTI-12,-15

AC特性

（大

=

40℃至85℃

读周期

TC55V16256JI/FTI

符号

参数

民

t

RC

t

加

t

CO

t

OE

t

BA

t

OH

t

COE

t

OEE

t

BE

t

鳕鱼

t

ODO

t

BD

读周期时间

地址访问时间

芯片使能存取时间

输出启用访问时间

高位字节，低字节访问时间

输出数据保持时间从地址变更

输出使能时间从芯片使能

输出使能时间从输出使能

输出使能时间从高字节，低字节

从芯片输出禁止时间启用

输出禁止时间从输出使能

输出高字节禁止时间，低字节

12

3

1

-12

最大

12

6

7

民

15

4

1

-15

最大

15

8

ns

单位

（见注1 ）

, V

DD

=

3.3 V

±

0.3 V)

写周期

TC55V16256JI/FTI

符号

参数

民

t

WC

t

WP

t

CW

t

BW

t

AW

t

AS

t

WR

t

DS

t

DH

t

OEW

t

ODW

写周期时间

把脉冲宽度

芯片使能写操作的结束

高位字节，低字节使能，以结束写的

地址有效到写结束

地址建立时间

写恢复时间

数据建立时间

数据保持时间

输出使能时间从写使能

从写使能输出禁止时间

12

8

10

0

7

0

1

-12

最大

7

民

15

9

12

0

8

0

1

-15

最大

8

ns

单位

AC测试条件

参数

输入脉冲电平

输入脉冲上升时间和下降时间

输入定时测量

参考电平

输出定时测量

参考电平

输出负载

测试条件

3.0 V/ 0.0 V

2纳秒

1.5 V

Fig.1

3.3 V

1200

I / O引脚

R

L

=

50

V

L

=

1.5 V

Fig.1

870

I / O引脚

0

=

50

C

L

=

30 pF的

C

L

=

5 pF的

（对于T

COE

, t

OEE

, t

BE

, t

鳕鱼

,

t

BD

, t

ODO

, t

OEW

和T

ODW

)

2002-01-07

5/11

TC55V16256JI/FTI-12,-15

东芝MOS数字集成电路硅栅CMOS

262,144字×16位CMOS静态RAM

描述

该TC55V16256JI / FTI是（ SRAM）组织为262,144 4,194,304一个位高速静态随机存取存储器

字由16位。采用CMOS技术和先进的电路技术，以提供高速制成，它

工作于3.3 V单电源供电。芯片使能（CE ）可以用于将器件置于低功耗模式下，

和输出使能（ OE ）提供了快速内存访问。数据字节的控制信号（

LB

,

UB

）提供下和上

字节访问。该装置非常适合于高速缓存存储器的应用中的高速访问和高速

存储是必需的。所有输入和输出都直接LVTTL兼容。该TC55V16256JI / FTI是可用

塑料44引脚SOJ和44引脚TSOP与400mil宽度，高密度表面组装。该TC55V16256JI / FTI

担保

40°

至85° C的工作温度，使之适用于广泛的工作温度系统。

特点

快速访问时间（下面是最大值）

TC55V16256JI / FTI - 12 ： 12纳秒

TC55V16256JI / FTI - 15 ： 15纳秒

低功耗

（下面是最大值）

周期

操作（最大）

12

230

15

200

20

170

25

150

ns

mA

待机： 10毫安（两个设备）

3.3 V单电源电压

±

0.3 V

全静态操作

所有输入和输出都是LVTTL兼容

用OE输出缓冲控制

使用数据字节控制

LB

（ I / O1到I / O8 ）和

UB

（I / O9到I / O16 ）

包装：

SOJ44 -P - 400-1.27 （ JI）

（重量： 1.64克典型值）

TSOP II44 -P - 400-0.80 （ FTI ）（重量： 0.45克典型值）

引脚分配

（ TOP VIEW ）

44针SOJ

44引脚TSOP

引脚名称

A0到A17

A4

A3

A2

A1

A0

CE

I/O1

I/O2

I/O3

I/O4

V

DD

GND

I/O5

I/O6

I/O7

I/O8

WE

A15

A14

A13

A12

A16

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15

16

17

18

19

20

21

22

44

43

42

41

40

39

38

37

36

35

34

33

32

31

30

29

28

27

26

25

24

23

A5

A6

A7

OE

UB

LB

I/O16

I/O15

I/O14

I/O13

GND

V

DD

I/O12

I/O11

I/O10

I/O9

NU

A8

A9

A10

A11

A17

A4

A3

A2

A1

A0

CE

I/O1

I/O2

I/O3

I/O4

V

DD

GND

I/O5

I/O6

I/O7

I/O8

WE

A15

A14

A13

A12

A16

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15

16

17

18

19

20

21

22

44

43

42

41

40

39

38

37

36

35

34

33

32

31

30

29

28

27

26

25

24

23

A5

A6

A7

OE

UB

LB

I/O16

I/O15

I/O14

I/O13

GND

V

DD

I/O12

I/O11

I/O10

I/O9

NU

A8

A9

A10

A11

A17

I / O1到I / O16

CE

地址输入

数据输入/输出

芯片使能输入

写使能输入

输出使能输入

数据字节控制输入

电源（ +3.3 V）

地

不可用（输入）

WE

OE

LB

,

UB

V

DD

GND

NU

(TC55V16256JI)

(TC55V16256FTI)

2002-01-07

1/11

TC55V16256JI/FTI-12,-15

框图

A0

A1

A4

A5

A8

A9

A13

A14

A15

A17

ROW

地址

卜FF器

ROW

解码器

存储单元阵列

1,024

×

256

×

16

(4,194,304)

V

DD

GND

I/O1

I/O2

I/O3

I/O4

I/O5

I/O6

I/O7

I/O8

I/O9

I/O10

I/O11

I/O12

I/O13

I/O14

I/O15

I/O16

SENSE AMP

数据

产量

卜FF器

CE

列地址缓冲器

时钟

发电机

A2 A3 A6 A7 A10 A11 A12 A16

价值

0.5

4.6

0.5*

4.6

0.5*

到V

DD

+

0.5**

1.4

260

65

150

40

100

数据

输入

卜FF器

列解码器

WE

OE

UB

LB

CE

最大额定值

符号

V

DD

V

IN

V

I / O

P

D

T

SOLDER

T

英镑

T

OPR

电源电压

输入端子的电压

输入/输出端子电压

功耗

焊接温度（ 10秒）

储存温度

工作温度

等级

单位

V

W

°C

*:

1.5

V with a pulse width of 20%½t

RC

分（ 4 ns（最大值））

**:

V

DD

+

1.5 V with a pulse width of 20%½t

RC

分（ 4 ns（最大值））

2002-01-07

数据

产量

卜FF器

数据

输入

卜FF器

CE

2/11

TC55V16256JI/FTI-12,-15

DC推荐工作条件

（大

=

40℃至85℃ ）

符号

V

DD

V

IH

V

IL

参数

电源电压

输入高电压

输入低电压

民

3.0

2.0

0.3*

典型值

3.3

最大

3.6

V

DD

+

0.3**

0.8

单位

V

*:

1.0

V with a pulse width of 20%½t

RC

分（ 4 ns（最大值））

**:

V

DD

+

1.0 V with a pulse width of 20%½t

RC

分（ 4 ns（最大值））

DC特性

（大

=

40 °至85° C，V

DD

=

3.3 V

±

0.3 V)

符号

I

IL

I

LO

参数

输入漏电流

V

IN

=

0到V

DD

（除NU针）

输出漏

当前

输入电流

（ NU针）

输出高电压

CE

=

V

IH

或WE

=

V

IL

or

OE

=

V

IH

,

V

OUT

=

0到V

DD

测试条件

民

1

2.4

V

DD

0.2

t

周期

=

12纳秒

t

周期

=

15纳秒

t

周期

=

20纳秒

t

周期

=

25纳秒

典型值

最大

1

单位

A

1

20

1

0.4

0.2

230

200

170

150

55

I

我（ NU ）

V

IN

=

0 0.8 V

V

IN

=

0 0.2 V

I

OH

= 2

mA

I

OH

= 100 A

I

OL

=

2毫安

I

OL

=

100

A

CE

=

V

IL

, I

OUT

=

0毫安，

V

OH

V

OL

输出低电压

I

DDO

工作电流

OE

=

V

IH

,

mA

其他输入

=

V

IH

/V

IL

I

DDS1

I

DDS2

CE

=

V

IH

，其他输入

=

V

IH

或V

IL

待机电流

CE

=

V

DD

0.2 V ，其他输入

=

V

DD

0.2 V或0.2 V

mA

10

电容

（大

=

25 ° C，F

=

1.0兆赫）

符号

C

IN

C

I / O

注意：

参数

输入电容

输入/输出电容

V

IN

=

GND

V

I / O

=

GND

测试条件

最大

6

8

单位

pF

此参数是周期性采样，而不是100％测试。

2002-01-07

3/11

TC55V16256JI/FTI-12,-15

经营模式

模式

CE

OE

WE

LB

L

UB

I / O1到I / O8

产量

高阻抗

产量

输入

高阻抗

输入

高阻抗

的I / O9到I / O16

产量

高阻抗

输入

高阻抗

动力

I

DDO

I

DDO

I

DDO

I

DDO

I

DDO

I

DDO

I

DDO

I

DDS

L

H

L

H

*

H

*

读

L

H

L

写

L

*

L

H

L

输出禁用

L

待机

*

：无所谓

注意：

H

*

H

*

H

*

高阻抗

怒江脚必须悬空或连接到GND或小于0.8 V的电压电平

你不能申请超过0.8 V至怒江的电压。

2002-01-07

4/11

TC55V16256JI/FTI-12,-15

AC特性

（大

=

40℃至85℃

读周期

TC55V16256JI/FTI

符号

参数

民

t

RC

t

加

t

CO

t

OE

t

BA

t

OH

t

COE

t

OEE

t

BE

t

鳕鱼

t

ODO

t

BD

读周期时间

地址访问时间

芯片使能存取时间

输出启用访问时间

高位字节，低字节访问时间

输出数据保持时间从地址变更

输出使能时间从芯片使能

输出使能时间从输出使能

输出使能时间从高字节，低字节

从芯片输出禁止时间启用

输出禁止时间从输出使能

输出高字节禁止时间，低字节

12

3

1

-12

最大

12

6

7

民

15

4

1

-15

最大

15

8

ns

单位

（见注1 ）

, V

DD

=

3.3 V

±

0.3 V)

写周期

TC55V16256JI/FTI

符号

参数

民

t

WC

t

WP

t

CW

t

BW

t

AW

t

AS

t

WR

t

DS

t

DH

t

OEW

t

ODW

写周期时间

把脉冲宽度

芯片使能写操作的结束

高位字节，低字节使能，以结束写的

地址有效到写结束

地址建立时间

写恢复时间

数据建立时间

数据保持时间

输出使能时间从写使能

从写使能输出禁止时间

12

8

10

0

7

0

1

-12

最大

7

民

15

9

12

0

8

0

1

-15

最大

8

ns

单位

AC测试条件

参数

输入脉冲电平

输入脉冲上升时间和下降时间

输入定时测量

参考电平

输出定时测量

参考电平

输出负载

测试条件

3.0 V/ 0.0 V

2纳秒

1.5 V

Fig.1

3.3 V

1200

I / O引脚

R

L

=

50

V

L

=

1.5 V

Fig.1

870

I / O引脚

0

=

50

C

L

=

30 pF的

C

L

=

5 pF的

（对于T

COE

, t

OEE

, t

BE

, t

鳕鱼

,

t

BD

, t

ODO

, t

OEW

和T

ODW

)

2002-01-07

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