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TPC6110

东芝场效应晶体管的硅P沟道MOS型（ U- MOSⅢ ）

TPC6110

电源管理开关应用

单位：mm

占地面积小，因小而薄的封装

低漏源导通电阻，R

DS （ ON）

= 43毫欧（典型值）。

低漏电流：I

DSS

10 μA

（最大值）（Ⅴ

增强型： V

0.8

2.0

V，I

0.1mA)

绝对最大额定值

（大

25°C)

特征

漏源电压

漏，栅极电压（R

20 kΩ)

栅源电压

漏电流

脉冲

（注1 ）

5 s)

（注2A ）

5 s)

（注2B ）

符号

DSS

DGR

GSS

（注4 ）

英镑

等级

25/+20

4.5

2.2

0.7

3.4

2.3

0.025

150

单位

漏极功耗

JEDEC

°C

―

2-3T1A

JEITA

东芝

单脉冲雪崩能量（注3 ）

雪崩电流

重复性雪崩能量

通道温度

存储温度范围

重量： 0.011克（典型值）。

注意：

重负载下连续使用（如高温/电流/电压的施加而在显著变化

温度等）可能会导致此产品的可靠性降低显著即使工作条件下（即

工作温度/电流/电压等）的绝对最大额定值。请设计适当的

经审查东芝半导体可靠性手册（ “注意事项” / “降额概念和可靠性

的方法“），并从个人数据的可靠性（即可靠性测试报告和估计的故障率，等）。

热特性

特征

耐热性，信道至环境（叔

5 s)

（注2A ）

耐热性，信道至环境（叔

5 s)

（注2B ）

符号

第（章-a）的

最大

56.8

178.5

单位

° C / W

电路CON组fi guration

注：（注1 ）（注2 ）（注3 ）（注4 ）和（注5 ）：查看其它页面。

此晶体管是静电感应装置。请谨慎操作。

2009-07-17

TPC6110

电气特性

（大

25°C)

特征

栅极漏电流

排水截止电流

漏源击穿电压

栅极阈值电压

漏源导通电阻

正向转移导纳

输入电容

反向传输电容

输出电容

上升时间

开启时间

开关时间

下降时间

打开-O FF时间

总栅极电荷

（栅极 - 源极加上栅极 - 漏极）

栅极 - 源极电荷1

栅 - 漏极（ “米勒” ）费

关闭

gs1

符号

GSS

DSS

（ BR ） DSS

（ BR ） DSX

DS （ ON）

国际空间站

RSS

OSS

= 2.2

OUT

6.8

4.7

= 10

V, V

0 V，F

1兆赫

测试条件

= ±

20 V, V

0 V

= 30

V, V

0 V

= 10

毫安，V

0 V

= 10

毫安，V

10 V

= 10

V，I

= 0.1

= 4.5

V，I

= 2.2

= 10

V，I

= 2.2

= 10

V，I

= 2.2

（注7 ）

民

0.8

4.2

≈ 24

V, V

= 10

= 4.5

典型值。

8.4

510

110

1.6

3.8

最大

±100

2.0

单位

μA

mΩ

≈ 15

税

≤

1%, t

μs

源极 - 漏极额定值和特性

（大

25°C)

特征

反向漏

当前

脉冲（注1 ）

符号

DRP

DSF

测试条件

—

= 4.5

A，V

0 V

民

—

典型值。

—

最大

1.2

单位

正向电压（二极管）

注7： VDSX模式（栅极和源极之间加上电压的应用）可能会导致降低最大

漏极 - 源极电压的额定值。

2009-07-17

TPC6110

记号

（注5 ）

很多代码（月）

LOT号

产品型号

（或缩写代码）

S3K

产品特定的代码

批号

（年）

注6

针＃ 1

注1 ：确保通道温度不超过150 ℃。

注2 ：（1）装置安装在玻璃环氧基板（一）（叔

5 s)

（二）装置安装在一个玻璃环氧板（二）（叔

5 s)

FR-4

25.4

0.8

（单位：毫米）

FR-4

25.4

0.8

（单位：毫米）

(a)

(b)

注3 ： V

= 24

V，T

25 ° C（初始），L

0.5 mH的，R

Ω,

= 2.3

注4 ：重复评价：脉冲宽度有限的最大通道温度

注5 ：

在标记的左下角显示引脚1 。

注6：圆点标志，用于识别产品标签的指示。

如果没有一个点： [铅] /包括> MCV

以一个点： [ [G ] /符合RoHS标准或[ G] ] / RoHS指令[铅]

请联系您的东芝销售代表的详细情况，诸如环境问题，如RoHS指令

产品的兼容性。 RoHS指令的指令2002/95 / EC欧洲议会和27局的

2003年1月关于在电气和电子设备中使用某些有害物质的限制。

2009-07-17

TPC6110

– V

4 3.5

4.5

2.6

2.4

VGS

= 2.2

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

常见的来源

25°C

脉冲测试

3.5

– V

(A)

2.8

4.5

常见的来源

25°C

脉冲测试

2.8

漏电流

2.6

2.4

VGS

= 2.2

漏源电压

VDS

(V)

漏源电压

VDS

(V)

– V

常见的来源

VDS

= 10

脉冲测试

100

= 55°C

– V

常见的来源

25°C

脉冲测试

(V)

VDS

漏源电压

0.8

ID （ A）

0.6

漏电流

0.4

= 4.5

0.2

1.1

2.2

栅源电压

VGS

(V)

栅源电压

VGS

(V)

| – I

100

常见的来源

VDS

= 10

脉冲测试

= 55°C

100

1000

DS （ ON）

– I

常见的来源

25°C

脉冲测试

正向转移导纳

(S)

漏源导通电阻

DS （ ON）

(mΩ)

100

VGS

= 4.5

0.1

100

0.1

100

漏极电流ID （ A）

2009-07-17

TPC6110

DS （ ON）

120

常见的来源

脉冲测试

100

常见的来源

25°C

脉冲测试

反向漏电流IDR （ A）

漏源导通电阻

DS （ ON）

(

μΩ)

= 1.1, 2.2, 4.5

4.5

VGS

= 4.5

= 1.1, 2.2, 4.5

VGS

0 V

VGS

= 10

120

160

0.1

0.4

0.8

1.2

1.6

环境温度Ta （C ）

漏源电压

VDS

(V)

电容 - V

10000

常见的来源

VGS

0 V

1兆赫

25°C

2.0

1.6

（PF ）

1000

西塞

栅极阈值电压

VTH （V）的

电容C

1.2

100

科斯

CRSS

0.8

常见的来源

0.4

VDS

= 10

= ?? 0.1毫安

脉冲测试

常见的来源

VGS

= 10

= 0.1

脉冲测试

120

160

0.1

100

漏源电压

VDS

(V)

环境温度Ta （C ）

2.5

(1) t

2.0

（1）设备安装在玻璃环氧基板

（一）（注2a）的

（ 2）设备安装在玻璃环氧基板

（二）（注2b）的

动态输入/输出

特征

常见的来源

= 4.5

25°C

脉冲测试

(V)

漏极功耗

PD （W）的

漏源电压

VGS

1.0

(2) t

0.5

VDD

= 24

120

160

环境温度Ta （C ）

总栅极电荷Qg （ NC）

2009-07-17

栅源电压

1.5

VGS （ V）

VDS

= 24

VDS