我们所有的客户
关于文件中提到的名字，如日立的变化
电气与日立XX ，瑞萨科技公司
三菱电气公司和日立公司的半导体业务转移到瑞萨
科技公司4月1日2003年这些操作包括微机，逻辑，模拟
和分立器件和存储器芯片比DRAM （闪速存储器，静态存储器等）等
因此，虽然日立，日立制作所，日立半导体，和其他日立牌
名称被提到的文件中，这些名称实际上已全部被改变成瑞萨
科技公司感谢您的理解。除了我们的企业商标，标识和
企业声明，没有改变任何已对文档的内容，并且
这些变化不构成任何改动文件本身的内容。
瑞萨科技公司主页： http://www.renesas.com
瑞萨科技公司
客户服务部
2003年4月1日
注意事项
保持安全第一在你的电路设计！
1.瑞萨科技公司提出的最大的努力使半导体产品更好
和更可靠的，但总是有麻烦可能与它们发生的可能性。麻烦
半导体可能导致人身伤害，火灾或财产损失。
记得让你的电路设计时，充分考虑到安全性给予，用适当的
例如（i ）替代的布置，辅助电路，（ⅱ）使用不易燃的材料或措施
（三）预防对任何故障或事故。
对于这些材料的注意事项
1.这些材料的目的是作为一个参考，帮助我们的客户在瑞萨的选择
科技公司的产品最适合客户的应用;不传达任何
在任何知识产权或任何其他权利的许可，属于瑞萨科技
公司或第三方。
2.瑞萨科技公司不承担任何对任何损害概不负责，或侵权
第三方的权利，对原产于使用任何产品数据，图，表，程序，算法，或
这些材料所含的电路应用实例。
3.包含在这些资料，包括产品数据，图，表，程序和所有信息
算法代表了在发布这些材料的时间对产品的信息，并
受瑞萨科技公司，恕不另行通知更改由于产品改进或
其他原因。因此，建议客户联系瑞萨科技公司
或经授权的瑞萨科技产品分销商的最新产品信息
在购买之前，这里所列的产品。
这里描述的信息可能包含技术错误或印刷错误。
瑞萨科技公司不承担任何损失，责任或其他损失不承担责任
从这些不准确或错误上升。
另请注意发布的瑞萨科技公司通过各种信息
意味着，包括瑞萨科技半导体首页
（ http://www.renesas.com ） 。
4.当使用任何包含在这些资料，包括产品数据，图形或所有信息，
图表，程序和算法，请务必之前评估的所有信息作为一个整体系统
制作上的信息和产品的适用性作出最后决定。瑞萨科技
公司不承担任何损失，责任或其他损失所产生的任何责任
此处包含的信息。
5.瑞萨科技半导体产品不是设计或在设备制造中使用
或根据情况使用的系统中，人的生命是潜在的威胁。请联系
瑞萨科技公司或瑞萨科技公司授权的产品销售商
考虑到产品的本文中的任何特定的目的，例如装置或使用时
系统运输，车辆，医疗，航空航天，核能，或海底中继器的使用。
6.瑞萨科技公司的事先书面批准，不得翻印或再现
全部或部分这些物料。
7.如果这些产品或技术受日本出口管制的限制，它们必须是
日本政府根据许可证出口，不能导入到其他国家
超过批准的目的地。
任何转移或再出口违反出口管制法律和日本及/或规例
被禁止的目的国。
8.请与瑞萨科技公司对这些材料或产品的进一步详细信息
包含在其中。
TBB1008
双人内建偏置电路MOS FET IC
VHF / UHF射频放大器
ADE - 208-1599 （ Z）
Rev.0
2002年6月
特点
小型SMD封装CMPAK - 6内置双BBFET ;为了减少使用零件成本& PC板空间。
适用于世界标准调谐器RF放大器。
非常有用的总量减少调谐器的成本。
承受静电放电;打造ESD吸收二极管。承受高达200 V的C = 200 pF的，卢比= 0
条件。
提供迷你模具包; CMPAK - 6
概要
CMPAK-6
6
5
4
2
1
3
1.门- 1（1）
2.源
3.排水（ 1 ）
4.漏（2）
5.门- 2
6.门- 1（2）
注意事项：
1.
2.
标记为“ HM ” 。
TBB1008是日立TWIN BBFET个别型号。
TBB1008
电气特性
下面的说明适用于UHF单元（ FET1 ）
（ TA = 25°C ）
项
漏源击穿
电压
GATE1源击穿
电压
GATE2源击穿
电压
符号最小值
V
（ BR ） DSS
V
(BR)G1SS
V
(BR)G2SS
6
+6
+6
—
—
0.5
0.5
13
21
1.4
1.0
—
16
典型值
—
—
—
—
—
0.7
0.7
17
26
1.8
1.4
0.02
21
最大
—
—
—
+100
+100
1.0
1.0
21
32
2.2
1.8
0.04
—
单位
V
V
V
nA
nA
V
V
mA
mS
pF
pF
pF
dB
测试条件
I
D
= 200
A,
V
G1S
= V
G2S
= 0
I
G1
= +10
A,
V
G2S
= V
DS
= 0
I
G2
= +10
A,
V
G1S
= V
DS
= 0
V
G1S
= +5 V, V
G2S
= V
DS
= 0
V
G2S
= +5 V, V
G1S
= V
DS
= 0
V
DS
= 5 V, V
G2S
= 4 V，I
D
= 100
A
V
DS
= 5 V, V
G1S
= 5 V，I
D
= 100
A
V
DS
= 5 V, V
G1
= 5 V
V
G2S
= 4 V ，R
G
= 100 k
V
DS
= 5 V, V
G1
= 5 V, V
G2S
= 4 V
R
G
= 100 kΩ的， F = 1千赫
V
DS
= 5 V, V
G1
= 5 V
V
G2S
= 4 V ，R
G
= 100 k
F = 1 MHz的
V
DS
= V
G1
= 5 V, V
G2S
= 4 V
R
G
= 100 kΩ的， F = 900兆赫
紫= S11 * ，莫宁= S22 * （ ： PG ）
紫= S11opt （ ： NF ）
GATE1到源截止电流I
G1SS
GATE2到源截止电流I
G2SS
GATE1源截止电压V
G1S(off)
GATE2源截止电压V
G2S(off)
漏电流
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
功率增益
I
D（ OP ）
|y
fs
|
西塞
科斯
CRSS
PG
噪声系数
NF
—
1.7
2.5
dB
Rev.0 ， 2002年6月， 12第3页
QQ：2880707522 复制
