TSDF72830YS
威世半导体
双 - MOSMIC
- 2 AGC放大器，用于电视调谐器预安排
集成带开关的单线开关
评论
MOSMIC
-
MOS单片集成电路
VY
6
5
4
描述
双MOSMIC
TSDF72830YS ，组装
公知的SOT- 363塑料封装，是一个combi-
两种不同MOSMIC国家
放大器与COM-
周一源，共同门2引线和
集成开关。一个MOSMIC阶段进行了优
在甚高频应用而得到优化使用，特别是顾及─
荷兰国际集团在交叉调制性能和噪声系数
下VHF频率，而另一阶段是
用于对增益UHF应用的优化
和噪声系数性能的更高频率
UHF频段。集成开关被操作
1号门偏置UHF放大器的引脚3，所有的
盖茨是防止过高的输入电压
潮由them-之间的集成antiserial二极管
自我和来源。
漏每一级的输出管脚
是相反的相应门1的输入管脚
所谓与SOT - 363L引脚配置
日前，Vishay 。
CW
WN7
2
3
18981
1
静电敏感器件。
遵守的注意事项进行处理
应用
低噪声增益控制的VHF和UHF输入级
与5 V电源电压，如在数字和模拟
电视调谐器和其他多媒体和通讯
设备58 。
典型用途
AGC
C
C
3
2
G2 （普通）
RFC
+5 V
D
4
C
超高频
OUT
特点
在两个不同的优化放大器
单个封装中。其中一人有一个完全
e3
芯片内部的自偏置网络
另一个具有一个部分地集成偏压为
易门1关断带PNP开关晶体管
内部PLL -IC器
内部开关，节省PCB布局线为
以及外部元件
集成的栅极保护二极管
低噪声系数，高增益
典型正向31毫秒纳
RESP 。 28毫秒
卓越的交叉调制的增益衰减
高AGC范围的软坡
主AGC控制范围为3 V至0.5 V
铅（Pb） -free组件
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
超高频
in
RG1
V
GG
G1
AMP2
RFC
+5 V
6
D
C
VHF
OUT
VHF
in
C
1
G1
AMP1
S（共同）
5
V
GG
= 5 V ： UHF AMP是; VHF AMP已关闭
V
GG
= 0 V ： UHF放大器处于关闭状态; VHF AMP是
（ 0 =接地短路或开路）
18982
机械数据
案例：
SOT- 363L塑料外壳
重量：
约。 6.0毫克
V - 日前，Vishay
- 年，是可变的数字从0到9
（例如， 3 = 2003 ，4 = 2004）
CW - 日历周，是可变的
从01到52号
日历周数总是指示
地方针1
穿针：
1 = 1号门（ VHF放大器） ， 2 = 2号门（普通）
3 = 1号门（ UHF放大器） ， 4 =漏极（ UHF放大器）
5 =源（普通） ， 6 =漏极（ VHF放大器）
www.vishay.com
1
文档编号85176
修订版1.1 ， 02月， 05
TSDF72830YS
威世半导体
零件表
部分
TSDF72830YS
WN7
记号
SOT-363L
包
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
扩增fi er 1
下面的数据是有效的运算放大器1 （引脚1 ， 6,2 ， 5）的甚高频应用进行了优化
参数
漏 - 源极电压
漏电流
门1 /门2 - 源峰
当前
门1 /门2 - 源极电压
1号门 - 源极电压
总功耗
通道温度
存储温度范围
T
AMB
≤
60 °C
测试条件
符号
V
DS
I
D
± I
G1/G2SM
+ V
G1
± V
G2SM
- V
G1SM
P
合计
T
Ch
T
英镑
价值
8
30
10
6
1.5
200
150
- 55至+ 150
单位
V
mA
mA
V
V
mW
°C
°C
放大器2
下面的数据是有效的运算放大器2 （管脚3,4 ， 2,5 ），其用于UHF应用进行了优化
参数
漏 - 源极电压
漏电流
门1 /门2 - 源峰
当前
门1 /门2 - 源极电压
1号门 - 源极电压
总功耗
通道温度
存储温度范围
T
AMB
≤
60 °C
测试条件
符号
V
DS
I
D
± I
G1/G2SM
+ V
G1
/± V
G2SM
- V
G1SM
P
合计
T
Ch
T
英镑
价值
8
25
10
6
1.5
200
150
- 55至+ 150
单位
V
mA
mA
V
V
mW
°C
°C
最大热阻
参数
通道环境
1)
1)
测试条件
符号
R
thChA
价值
450
单位
K / W
上玻璃纤维印刷电路板（ 25×20× 1.5） mm的
3
镀上35
μm
Cu
www.vishay.com
2
文档编号85176
修订版1.1 ， 02月， 05
TSDF72830YS
威世半导体
电气直流特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
扩增fi er 1
下面的数据是有效的运算放大器1 （引脚1 ， 6,2 ， 5）的甚高频应用进行了优化
参数
1号门 - 源极击穿
电压
2号门 - 源极击穿
电压
测试条件
符号
民
7
7
典型值。
最大
10
10
50
20
8
0.3
13
17
1.2
单位
V
V
μA
nA
mA
V
+ I
G1S
= 10 mA时， V
G2S
= V
DS
= 0 + V
(BR)G1SS
± I
G2S
= 10 mA时， V
G1S
= V
DS
= 0 ± V
(BR)G2SS
+ I
G1SS
± I
G2SS
I
DSP
V
G2S(OFF)
1号门 - 源极漏电流+ V
G1S
= 5 V, V
G2S
= V
DS
= 0
2号门 - 源极漏电流±V
G2S
= 5 V, V
G1S
= V
DS
= 0
漏 - 源极工作电流V
DS
= V
RG1
= 5 V, V
G2S
= 4 V,
门1 = NC
2号门 - 源截止电压
V
DS
= V
RG1
= 5 V ， 1号门= NC ，
I
D
= 20
μA
放大器2
下面的数据是有效的运算放大器2 （管脚3,4 ， 2,5 ），其用于UHF应用进行了优化
参数
漏极 - 源极击穿
电压
1号门 - 源极击穿
电压
测试条件
I
D
= 10
μA,
V
G2S
= V
G1S
= 0
符号
V
（ BR ） DSS
民
15
7
7
10
10
20
20
8
0.3
0.3
12
17
1.0
1.2
典型值。
最大
单位
V
V
V
nA
nA
mA
V
V
+ I
G1S
= 10 mA时， V
G2S
= V
DS
= 0 + V
(BR)G1SS
± I
G2S
= 10 mA时， V
G1S
= V
DS
= 0 ± V
(BR)G2SS
1号门 - 源极漏电流+ V
G1S
= 5 V, V
G2S
= V
DS
= 0
2号门 - 源极漏电流±V
G2S
= 5 V, V
G1S
= V
DS
= 0
漏 - 源极工作电流V
DS
= V
RG1
= 5 V, V
G2S
= 4 V,
R
G1
= 100 kΩ
1号门 - 源截止电压
2号门 - 源截止电压
V
DS
= 5 V, V
G2S
= 4, I
D
= 20
μA
V
DS
= V
RG1
= 5 V ，R
G1
=100 kΩ,
I
D
= 20
μA
+ I
G1SS
± I
G2SS
I
DSO
V
G1S(OFF)
V
G2S(OFF)
文档编号85176
修订版1.1 ， 02月， 05
www.vishay.com
3
TSDF72830YS
威世半导体
AC电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
扩增fi er 1
V
DS
= V
RG1
= 5 V, V
G2S
= 4 V， 1号门= NC ，我
D
= I
DSP ，
F = 1 MHz时，T
AMB
= 25℃，除非另有说明
下面的数据是有效的运算放大器1 （引脚1 ， 6,2 ， 5）的甚高频应用进行了优化
参数
正向纳
1号门的输入电容
反馈电容
输出电容
功率增益
G
S
= 2毫秒，B
S
= B
SOPT
,
G
L
= 0.5毫秒，B
L
= B
LOPT
,
F = 200 MHz的
G
S
= 2毫秒，B
S
= B
SOPT
,
G
L
= 1毫秒，B
L
= B
LOPT
,
F = 400 MHz的
G
S
= 3.3毫秒，B
S
= B
SOPT
,
G
L
= 1毫秒，B
L
= B
LOPT
,
F = 800 MHz的
AGC范围
噪声系数
V
DS
= 5 V, V
G2S
= 0.54伏，
F = 200 MHz的
G
S
= G
L
= 20毫秒，B
S
= B
L
= 0,
F = 50MHz的
G
S
= 2毫秒，G
L
= 1毫秒，
B
S
= B
SOPT
， F = 400 MHz的
G
S
= 3.3毫秒，G
L
= 1毫秒，
B
S
= B
SOPT
， F = 800 MHz的
交叉调制
输入电平
K = 1 ％ @ 0分贝
AGC F
w
= 50 MHz时，
f
UNW
= 60 MHz的
输入电平
K = 1 ％ @ 40分贝
AGC F
w
= 50 MHz时，
f
UNW
= 60 MHz的
测试条件
符号
|y
21s
|
C
issg1
C
RSS
C
OSS
G
ps
民
23
典型值。
28
2.2
20
1.0
32
最大
33
2.7
单位
mS
pF
fF
pF
dB
G
ps
28
dB
G
ps
22
dB
G
ps
F
F
F
X
MOD
90
50
4.0
1.0
1.5
6.0
1.6
2.3
dB
dB
dB
dB
dBμV的
X
MOD
105
dBμV的
www.vishay.com
4
文档编号85176
修订版1.1 ， 02月， 05
TSDF72830YS
威世半导体
放大器2
V
DS
= V
RG1
= 5 V, V
G2S
= 4 V ，R
G1
= 100 kΩ的，我
D
= I
DSO ，
F = 1 MHz时，T
AMB
= 25℃，除非另有说明
下面的数据是有效的运算放大器2 （管脚3,4 ， 2,5 ），其用于UHF应用进行了优化
参数
正向纳
1号门的输入电容
反馈电容
输出电容
功率增益
G
S
= 2毫秒，B
S
= B
SOPT
,
G
L
= 0.5毫秒，B
L
= B
LOPT
,
F = 200 MHz的
G
S
= 3.3毫秒，B
S
= B
SOPT
,
G
L
= 1毫秒，B
L
= B
LOPT
,
F = 400 MHz的
G
S
= 3.3毫秒，B
S
= B
SOPT
,
G
L
= 1毫秒，B
L
= B
LOPT
,
F = 800 MHz的
AGC范围
噪声系数
V
DS
= 5 V, V
G2S
= 0.54伏，
F = 800 MHz的
G
S
= G
L
= 20毫秒，B
S
= B
L
= 0,
F = 50MHz的
G
S
= 2毫秒，G
L
= 0.5毫秒，
B
S
= B
SOPT
， F = 400 MHz的
G
S
= 3.3毫秒，G
L
= 1毫秒，
B
S
= B
SOPT
， F = 800 MHz的
交叉调制
输入电平
K = 1 ％ @ 0分贝
AGC F
w
= 50 MHz时，
f
UNW
= 60 MHz的
输入电平
K = 1 ％ @ 40分贝
AGC F
w
= 50 MHz时，
f
UNW
= 60 MHz的
备注提高互调特性：
通过设置R
G1
小于100 kΩ的，我典型值
DSO
会提高和改进的互调特性将被执行。
测试条件
符号
|y
21s
|
C
issg1
C
RSS
C
OSS
G
ps
民
27
典型值。
31
1.7
20
0.9
33
最大
35
2.1
单位
mS
pF
fF
pF
dB
G
ps
30
dB
G
ps
25
dB
G
ps
F
F
F
X
MOD
40
50
5.0
1.0
1.3
7.0
1.5
2.0
dB
dB
dB
dB
dBμV的
90
X
MOD
100
105
dBμV的
文档编号85176
修订版1.1 ， 02月， 05
www.vishay.com
5
TSDF72830YS
威世半导体
双 - MOSMIC
- 2 AGC放大器，用于电视调谐器预安排
集成带开关的单线开关
评论
MOSMIC
-
MOS单片集成电路
VY
6
5
4
描述
双MOSMIC
TSDF72830YS ，组装
公知的SOT- 363塑料封装，是一个combi-
两种不同MOSMIC国家
放大器与COM-
周一源，共同门2引线和
集成开关。一个MOSMIC阶段进行了优
在甚高频应用而得到优化使用，特别是顾及─
荷兰国际集团在交叉调制性能和噪声系数
下VHF频率，而另一阶段是
用于对增益UHF应用的优化
和噪声系数性能的更高频率
UHF频段。集成开关被操作
1号门偏置UHF放大器的引脚3，所有的
盖茨是防止过高的输入电压
潮由them-之间的集成antiserial二极管
自我和来源。
漏每一级的输出管脚
是相反的相应门1的输入管脚
所谓与SOT - 363L引脚配置
日前，Vishay 。
CW
WN7
2
3
18981
1
静电敏感器件。
遵守的注意事项进行处理
应用
低噪声增益控制的VHF和UHF输入级
与5 V电源电压，如在数字和模拟
电视调谐器和其他多媒体和通讯
设备58 。
典型用途
AGC
C
C
3
2
G2 （普通）
RFC
+5 V
D
4
C
超高频
OUT
特点
在两个不同的优化放大器
单个封装中。其中一人有一个完全
e3
芯片内部的自偏置网络
另一个具有一个部分地集成偏压为
易门1关断带PNP开关晶体管
内部PLL -IC器
内部开关，节省PCB布局线为
以及外部元件
集成的栅极保护二极管
低噪声系数，高增益
典型正向31毫秒纳
RESP 。 28毫秒
卓越的交叉调制的增益衰减
高AGC范围的软坡
主AGC控制范围为3 V至0.5 V
铅（Pb） -free组件
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
超高频
in
RG1
V
GG
G1
AMP2
RFC
+5 V
6
D
C
VHF
OUT
VHF
in
C
1
G1
AMP1
S（共同）
5
V
GG
= 5 V ： UHF AMP是; VHF AMP已关闭
V
GG
= 0 V ： UHF放大器处于关闭状态; VHF AMP是
（ 0 =接地短路或开路）
18982
机械数据
案例：
SOT- 363L塑料外壳
重量：
约。 6.0毫克
V - 日前，Vishay
- 年，是可变的数字从0到9
（例如， 3 = 2003 ，4 = 2004）
CW - 日历周，是可变的
从01到52号
日历周数总是指示
地方针1
穿针：
1 = 1号门（ VHF放大器） ， 2 = 2号门（普通）
3 = 1号门（ UHF放大器） ， 4 =漏极（ UHF放大器）
5 =源（普通） ， 6 =漏极（ VHF放大器）
www.vishay.com
1
文档编号85176
修订版1.1 ， 02月， 05
TSDF72830YS
威世半导体
零件表
部分
TSDF72830YS
WN7
记号
SOT-363L
包
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
扩增fi er 1
下面的数据是有效的运算放大器1 （引脚1 ， 6,2 ， 5）的甚高频应用进行了优化
参数
漏 - 源极电压
漏电流
门1 /门2 - 源峰
当前
门1 /门2 - 源极电压
1号门 - 源极电压
总功耗
通道温度
存储温度范围
T
AMB
≤
60 °C
测试条件
符号
V
DS
I
D
± I
G1/G2SM
+ V
G1
± V
G2SM
- V
G1SM
P
合计
T
Ch
T
英镑
价值
8
30
10
6
1.5
200
150
- 55至+ 150
单位
V
mA
mA
V
V
mW
°C
°C
放大器2
下面的数据是有效的运算放大器2 （管脚3,4 ， 2,5 ），其用于UHF应用进行了优化
参数
漏 - 源极电压
漏电流
门1 /门2 - 源峰
当前
门1 /门2 - 源极电压
1号门 - 源极电压
总功耗
通道温度
存储温度范围
T
AMB
≤
60 °C
测试条件
符号
V
DS
I
D
± I
G1/G2SM
+ V
G1
/± V
G2SM
- V
G1SM
P
合计
T
Ch
T
英镑
价值
8
25
10
6
1.5
200
150
- 55至+ 150
单位
V
mA
mA
V
V
mW
°C
°C
最大热阻
参数
通道环境
1)
1)
测试条件
符号
R
thChA
价值
450
单位
K / W
上玻璃纤维印刷电路板（ 25×20× 1.5） mm的
3
镀上35
μm
Cu
www.vishay.com
2
文档编号85176
修订版1.1 ， 02月， 05
TSDF72830YS
威世半导体
电气直流特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
扩增fi er 1
下面的数据是有效的运算放大器1 （引脚1 ， 6,2 ， 5）的甚高频应用进行了优化
参数
1号门 - 源极击穿
电压
2号门 - 源极击穿
电压
测试条件
符号
民
7
7
典型值。
最大
10
10
50
20
8
0.3
13
17
1.2
单位
V
V
μA
nA
mA
V
+ I
G1S
= 10 mA时， V
G2S
= V
DS
= 0 + V
(BR)G1SS
± I
G2S
= 10 mA时， V
G1S
= V
DS
= 0 ± V
(BR)G2SS
+ I
G1SS
± I
G2SS
I
DSP
V
G2S(OFF)
1号门 - 源极漏电流+ V
G1S
= 5 V, V
G2S
= V
DS
= 0
2号门 - 源极漏电流±V
G2S
= 5 V, V
G1S
= V
DS
= 0
漏 - 源极工作电流V
DS
= V
RG1
= 5 V, V
G2S
= 4 V,
门1 = NC
2号门 - 源截止电压
V
DS
= V
RG1
= 5 V ， 1号门= NC ，
I
D
= 20
μA
放大器2
下面的数据是有效的运算放大器2 （管脚3,4 ， 2,5 ），其用于UHF应用进行了优化
参数
漏极 - 源极击穿
电压
1号门 - 源极击穿
电压
测试条件
I
D
= 10
μA,
V
G2S
= V
G1S
= 0
符号
V
（ BR ） DSS
民
15
7
7
10
10
20
20
8
0.3
0.3
12
17
1.0
1.2
典型值。
最大
单位
V
V
V
nA
nA
mA
V
V
+ I
G1S
= 10 mA时， V
G2S
= V
DS
= 0 + V
(BR)G1SS
± I
G2S
= 10 mA时， V
G1S
= V
DS
= 0 ± V
(BR)G2SS
1号门 - 源极漏电流+ V
G1S
= 5 V, V
G2S
= V
DS
= 0
2号门 - 源极漏电流±V
G2S
= 5 V, V
G1S
= V
DS
= 0
漏 - 源极工作电流V
DS
= V
RG1
= 5 V, V
G2S
= 4 V,
R
G1
= 100 kΩ
1号门 - 源截止电压
2号门 - 源截止电压
V
DS
= 5 V, V
G2S
= 4, I
D
= 20
μA
V
DS
= V
RG1
= 5 V ，R
G1
=100 kΩ,
I
D
= 20
μA
+ I
G1SS
± I
G2SS
I
DSO
V
G1S(OFF)
V
G2S(OFF)
文档编号85176
修订版1.1 ， 02月， 05
www.vishay.com
3
TSDF72830YS
威世半导体
AC电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
扩增fi er 1
V
DS
= V
RG1
= 5 V, V
G2S
= 4 V， 1号门= NC ，我
D
= I
DSP ，
F = 1 MHz时，T
AMB
= 25℃，除非另有说明
下面的数据是有效的运算放大器1 （引脚1 ， 6,2 ， 5）的甚高频应用进行了优化
参数
正向纳
1号门的输入电容
反馈电容
输出电容
功率增益
G
S
= 2毫秒，B
S
= B
SOPT
,
G
L
= 0.5毫秒，B
L
= B
LOPT
,
F = 200 MHz的
G
S
= 2毫秒，B
S
= B
SOPT
,
G
L
= 1毫秒，B
L
= B
LOPT
,
F = 400 MHz的
G
S
= 3.3毫秒，B
S
= B
SOPT
,
G
L
= 1毫秒，B
L
= B
LOPT
,
F = 800 MHz的
AGC范围
噪声系数
V
DS
= 5 V, V
G2S
= 0.54伏，
F = 200 MHz的
G
S
= G
L
= 20毫秒，B
S
= B
L
= 0,
F = 50MHz的
G
S
= 2毫秒，G
L
= 1毫秒，
B
S
= B
SOPT
， F = 400 MHz的
G
S
= 3.3毫秒，G
L
= 1毫秒，
B
S
= B
SOPT
， F = 800 MHz的
交叉调制
输入电平
K = 1 ％ @ 0分贝
AGC F
w
= 50 MHz时，
f
UNW
= 60 MHz的
输入电平
K = 1 ％ @ 40分贝
AGC F
w
= 50 MHz时，
f
UNW
= 60 MHz的
测试条件
符号
|y
21s
|
C
issg1
C
RSS
C
OSS
G
ps
民
23
典型值。
28
2.2
20
1.0
32
最大
33
2.7
单位
mS
pF
fF
pF
dB
G
ps
28
dB
G
ps
22
dB
G
ps
F
F
F
X
MOD
90
50
4.0
1.0
1.5
6.0
1.6
2.3
dB
dB
dB
dB
dBμV的
X
MOD
105
dBμV的
www.vishay.com
4
文档编号85176
修订版1.1 ， 02月， 05
TSDF72830YS
威世半导体
放大器2
V
DS
= V
RG1
= 5 V, V
G2S
= 4 V ，R
G1
= 100 kΩ的，我
D
= I
DSO ，
F = 1 MHz时，T
AMB
= 25℃，除非另有说明
下面的数据是有效的运算放大器2 （管脚3,4 ， 2,5 ），其用于UHF应用进行了优化
参数
正向纳
1号门的输入电容
反馈电容
输出电容
功率增益
G
S
= 2毫秒，B
S
= B
SOPT
,
G
L
= 0.5毫秒，B
L
= B
LOPT
,
F = 200 MHz的
G
S
= 3.3毫秒，B
S
= B
SOPT
,
G
L
= 1毫秒，B
L
= B
LOPT
,
F = 400 MHz的
G
S
= 3.3毫秒，B
S
= B
SOPT
,
G
L
= 1毫秒，B
L
= B
LOPT
,
F = 800 MHz的
AGC范围
噪声系数
V
DS
= 5 V, V
G2S
= 0.54伏，
F = 800 MHz的
G
S
= G
L
= 20毫秒，B
S
= B
L
= 0,
F = 50MHz的
G
S
= 2毫秒，G
L
= 0.5毫秒，
B
S
= B
SOPT
， F = 400 MHz的
G
S
= 3.3毫秒，G
L
= 1毫秒，
B
S
= B
SOPT
， F = 800 MHz的
交叉调制
输入电平
K = 1 ％ @ 0分贝
AGC F
w
= 50 MHz时，
f
UNW
= 60 MHz的
输入电平
K = 1 ％ @ 40分贝
AGC F
w
= 50 MHz时，
f
UNW
= 60 MHz的
备注提高互调特性：
通过设置R
G1
小于100 kΩ的，我典型值
DSO
会提高和改进的互调特性将被执行。
测试条件
符号
|y
21s
|
C
issg1
C
RSS
C
OSS
G
ps
民
27
典型值。
31
1.7
20
0.9
33
最大
35
2.1
单位
mS
pF
fF
pF
dB
G
ps
30
dB
G
ps
25
dB
G
ps
F
F
F
X
MOD
40
50
5.0
1.0
1.3
7.0
1.5
2.0
dB
dB
dB
dB
dBμV的
90
X
MOD
100
105
dBμV的
文档编号85176
修订版1.1 ， 02月， 05
www.vishay.com
5
QQ：2881677436 复制
