初步
SXB-2089Z
产品说明
Sirenza的Microdevices的SXB- 2089Z放大器是一种高线性度的InGaP /
砷化镓异质结双极晶体管（ HBT ） MMIC装在一个
低成本，表面安装的塑料封装。
这些放大器是专为用作驱动装置的
在5-2500兆赫蜂窝， ISM ， WLL基础设施设备， PCS &
W-CDMA中的应用程序。它的高线性度使得它成为一种理想的选择
多载波以及数字应用。
5-2500兆赫中等功率的InGaP /砷化镓
HBT放大器
符合RoHS
Pb
＆放大器;
绿色
包
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
典型的IP3 ， P1dB为，增益
IP3
IP3
IP3
产品特点
高OIP3 ： + 43dBm
在1960兆赫
P1dB为： 24dBm的
高线性/ ACP性能
强大的2000V的ESD ， 2级
SOT- 89封装
MSL 1潮湿的评价
P1dB的增益
P1dB
收益
P1dB
收益
应用
PA驱动放大器
IF放大器
蜂窝， PCS ， ISM ， WLL ， W- CDMA
单位
分钟。
典型值。
马克斯。
880兆赫
符号
1960年兆赫
参数
2140兆赫
P
1dB
输出功率在1 dB压缩
DBM
450兆赫
880兆赫
1960年兆赫
2140兆赫
450兆赫
880兆赫
1960年兆赫
2140兆赫
450兆赫
880兆赫
1960年兆赫
2140兆赫
450兆赫
880兆赫
1960年兆赫
2140兆赫
450兆赫
880兆赫
1960年兆赫
2140兆赫
450兆赫
880兆赫
1960年兆赫
2140兆赫
VS = 8V
RBIAS = 20欧姆
Vdevice = 5.2V
120
24.1
24.5
24.2
24.7
25
23
17
17
1.1:1
1.3:1
1.4:1
1.3:1
4.9
4.3
4.3
4.2
40
41
43
43
16
16.3
15.5
15.6
135
51.3
150
S
21
小信号增益
DBM
S
11
输入VSWR
NF
噪声系数
dB
OIP
3
三阶截点
（噘/音= + 11dBm ，音频间隔= 1MHz的）
DBM
ACP
信道功率
IS- 95在八百八十○分之四百五十〇 / 1960MHz ， -55dBc ACP
WCDMA在2140MHz时， -50dBc ACP
DBM
I
D
R
TH
J-升
测试条件：
器件的电流
mA
° C / W
测试条件：
热电阻@ 85℃ （路口 - 铅）
T
a
= 25°C
Z
O
= 50欧姆
本文提供的信息被认为是可靠截至记者发稿时。 Sirenza的Microdevices公司承担不准确或遗漏不承担任何责任。 Sirenza的Microdevices公司对使用这种不负责
信息，所有此类信息应完全由用户自己承担风险。价格和规格如有变更，恕不另行通知。没有专利的权利或许可的任何电路本文描述或暗示或
向任何第三方授予的。 Sirenza的Microdevices公司不授权或担保任何Sirenza的Microdevices公司的产品用于生命支持设备和/或系统。版权所有2005 Sirenza的Microdevices公司，公司..全球所有权利
版权所有。
303 S.技术的Ct 。
布鲁姆菲尔德，CO 80021
电话： （ 800 ） SMI- MMIC
1
http://www.sirenza.com
EDS - 104625修订版B
初步
SXB- 2089Z 5-2500MHz的InGaP /砷化镓HBT功率放大器
绝对最大额定值
参数
设备的最大电流（I
DQ
)
最大器件电压（V
D
)
马克斯。 RF输入功率
马克斯。经营消退
功率（静态）
马克斯。结温。 （T
J
)
工作温度RANGE （T
L
)
马克斯。储存温度。
绝对限制
190mA
6V
+20 dBm的
ID （MA ）
200
ID（ 25℃）
150
ID（ -40℃ ）
ID（ 85℃）
100
50
0
0
2
4
6
8
10
250
DCIV在整个温度范围（与App 。电路）
1.0 W
+150°C
-40 ° C至+ 85°C
+150°C
测试条件：
此设备之外的这些限制中任一项的操作可能会引起
永久性损坏。为了保证可靠的连续运行，设备
电压和电流必须不超过最大操作
1页表中指定的值。
偏置条件也应满足下面的表达式：
I
D
V
D
< （T
J
- T
L
) / R
TH
J-升
T
L
=T
领导
电压（V）的
噪声系数（与应用电路）
6
25C
85C
ESD 2级， 2000V HBM
5
NF（ dB）的
在搬运，包装适当的预防措施
和测试设备必须得到遵守。
4
3
2
1
0
450兆赫
880兆赫
1960年兆赫
2140兆赫
MSL
（湿度敏感等级）
等级：1级
简化设备原理图与ESD二极管
窄带
应用程序。 CKT 。
VC /输出
输入
窄带
应用程序。 CKT 。
GND
303 S.技术的Ct 。
布鲁姆菲尔德，CO 80021
电话： （ 800 ） SMI- MMIC
2
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EDS - 104625修订版B
初步
SXB- 2089Z 5-2500MHz的InGaP /砷化镓HBT功率放大器
880 MHz的应用电路数据，我
D
= 135毫安， T = + 25°C ，R
BIAS
= 20欧姆，V
S
=8V
26
26
25
的P1dB与频率的关系
-40
-45
-50
ACP与通道。功率（ IS- 95 9章，正向， 880MHz ）
25C
-40C
85C
P1dB的（ DBM）
ACP （分贝）
25C
-40C
85C
860
870
880
890
900
910
25
24
24
23
23
22
850
-55
-60
-65
-70
-75
10
11
12
频率（MHz）
13
14
15
16
17
18
19
信道功率（dBm）
S21在整个温度范围
28
0
输入/输出回波损耗，
隔离与频率，T = 25℃
-5
-10
S11
S12
S22
26
24
22
25C
20
18
850
-40C
85C
增益（dB ）
-15
dB
890
900
910
-20
-25
-30
-35
-40
850
860
870
880
890
900
910
860
870
880
频率（MHz）
频率（MHz）
46
44
42
40
38
36
34
850
OIP3与频率。 （ 11dBm输出音）
46
44
42
40
38
36
34
860
870
880
890
900
910
OIP3与音频功率@ 880MHz
OIP3 （ dBm的）
25C
-40C
85C
OIP3 （ dBm的）
25C
-40C
85C
2
4
6
8
10
12
14
16
频率（MHz）
每个音板着脸（ DBM）
在应用笔记提供450 MHz的& 2140MHz时应用电路AN- 078在www.sirenza.com
303 S.技术的Ct 。
布鲁姆菲尔德，CO 80021
电话： （ 800 ） SMI- MMIC
3
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初步
SXB- 2089Z 5-2500MHz的InGaP /砷化镓HBT功率放大器
1960年MHz的应用电路数据，我
D
= 135毫安， T = + 25°C ，R
BIAS
= 20欧姆，V
S
=8V
26
26
25
的P1dB与频率的关系
-40
-45
-50
ACP与通道。功率（ IS- 95 9章。正向。 1960MHz ）
25C
-40C
85C
P1dB的（ DBM）
ACP （分贝）
25C
-40C
85C
25
24
24
23
23
22
1930
-55
-60
-65
-70
-75
1940
1950
1960
1970
1980
1990
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
频率（MHz）
信道功率（dBm）
S21在整个温度范围
22
0
输入/输出回波损耗，
隔离与频率，T = 25℃
20
18
-5
-10
增益（dB ）
-15
-20
dB
25C
16
14
12
1930
-40C
85C
1940
1950
1960
1970
1980
1990
-25
-30
-35
-40
1930
1940
1950
S11
S12
S22
1960
1970
1980
1990
频率（MHz）
频率（MHz）
OIP3与音频功率@ 1960MHz
46
44
42
OIP3与频率。 （ 11dBm输出音）
46
44
OIP3 （ dBm的）
42
40
38
36
34
1930
25C
-40C
85C
IP3 （ dBm的）
40
38
36
34
25C
-40C
85C
1940
1950
1960
1970
1980
1990
2
4
6
8
10
12
14
16
频率（MHz）
每个音板着脸（ DBM）
在应用笔记提供450 MHz的& 2140MHz时应用电路AN- 078在www.sirenza.com
303 S.技术的Ct 。
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4
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初步
SXB- 2089Z 5-2500MHz的InGaP /砷化镓HBT功率放大器
应用原理图&装配图880MHz电路
注意：
电气长度
从确定
一个分构件的中心，并在切
该中心跟踪
Ζ1
Ζ2
Ζ3
Ζ4
Ζ5
Ζ6
Ζ7
Ζ8
Ζ9
Ζ10
Ζ11
Ζ12
Ζ13
50, 4.6°
50, 9.8°
50, 3.1°
50, 2.3°
50, 6.7°
50, 4.2°
50, 2.9°
50, 2.9°
50, 4.2°
50, 3.3°
50, 3.9°
50, 2.3°
50, 9.1°
20
1.0
uF的钽
180
1200
pF
68
Ζ5
82nH
Ζ10
SXB-2089Z
Ζ4
10nH
Ζ1
22pF
Ζ2
5.6pF
3.3
Ζ3
Ζ6
Ζ7
Ζ8
Ζ9
Ζ11
1.5nH
Ζ12
Ζ13
1.8pF
68pF
在RF
RF OUT
1200
pF
1Κ
材料清单
C1
TAJB105KLRH罗门哈斯1.0uF
C2，C5 MCH185C122KK罗门哈斯1200pF
C3
MCH185A680JK罗门哈斯68pF的
C4
MCH185A1R8CK罗门哈斯1.8pF
C6
MCH185A5R6DK罗门哈斯5.6pF
C7
MCH185A220JK罗门哈斯22pF的
L1
LL1608 - FS10NJ东光10nH到
L2
LL1608 - FS1N5S东光1.5nH
L3
LL1608 - FSR82NJ东光82nH
R1
20
2515 RES （ 1 ％ ）
R2
180
0603 RES （ 5 ％ ）
R3
68
0603 RES （ 5 ％ ）
R4
3.3
0603 RES （ 5 ％ ）
R5
1K
0603 RES （ 5 ％ ）
连接器2个PSF - S01-1mm GigaLane有限公司
散热器
EEF-101407
PCB
ECB-102925-B
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+
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初步
SXB-2089Z
产品说明
Sirenza的Microdevices的SXB- 2089Z放大器是一种高线性度的InGaP /
砷化镓异质结双极晶体管（ HBT ） MMIC装在一个
低成本，表面安装的塑料封装。
这些放大器是专为用作驱动装置的
在5-2500兆赫蜂窝， ISM ， WLL基础设施设备， PCS &
W-CDMA中的应用程序。它的高线性度使得它成为一种理想的选择
多载波以及数字应用。
5-2500兆赫中等功率的InGaP /砷化镓
HBT放大器
符合RoHS
Pb
＆放大器;
绿色
包
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
典型的IP3 ， P1dB为，增益
IP3
IP3
IP3
产品特点
高OIP3 ： + 43dBm
在1960兆赫
P1dB为： 24dBm的
高线性/ ACP性能
强大的2000V的ESD ， 2级
SOT- 89封装
MSL 1潮湿的评价
P1dB的增益
P1dB
收益
P1dB
收益
应用
PA驱动放大器
IF放大器
蜂窝， PCS ， ISM ， WLL ， W- CDMA
单位
分钟。
典型值。
马克斯。
880兆赫
符号
1960年兆赫
参数
2140兆赫
P
1dB
输出功率在1 dB压缩
DBM
450兆赫
880兆赫
1960年兆赫
2140兆赫
450兆赫
880兆赫
1960年兆赫
2140兆赫
450兆赫
880兆赫
1960年兆赫
2140兆赫
450兆赫
880兆赫
1960年兆赫
2140兆赫
450兆赫
880兆赫
1960年兆赫
2140兆赫
450兆赫
880兆赫
1960年兆赫
2140兆赫
VS = 8V
RBIAS = 20欧姆
Vdevice = 5.2V
120
24.1
24.5
24.2
24.7
25
23
17
17
1.1:1
1.3:1
1.4:1
1.3:1
4.9
4.3
4.3
4.2
40
41
43
43
16
16.3
15.5
15.6
135
51.3
150
S
21
小信号增益
DBM
S
11
输入VSWR
NF
噪声系数
dB
OIP
3
三阶截点
（噘/音= + 11dBm ，音频间隔= 1MHz的）
DBM
ACP
信道功率
IS- 95在八百八十○分之四百五十〇 / 1960MHz ， -55dBc ACP
WCDMA在2140MHz时， -50dBc ACP
DBM
I
D
R
TH
J-升
测试条件：
器件的电流
mA
° C / W
测试条件：
热电阻@ 85℃ （路口 - 铅）
T
a
= 25°C
Z
O
= 50欧姆
本文提供的信息被认为是可靠截至记者发稿时。 Sirenza的Microdevices公司承担不准确或遗漏不承担任何责任。 Sirenza的Microdevices公司对使用这种不负责
信息，所有此类信息应完全由用户自己承担风险。价格和规格如有变更，恕不另行通知。没有专利的权利或许可的任何电路本文描述或暗示或
向任何第三方授予的。 Sirenza的Microdevices公司不授权或担保任何Sirenza的Microdevices公司的产品用于生命支持设备和/或系统。版权所有2005 Sirenza的Microdevices公司，公司..全球所有权利
版权所有。
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初步
SXB- 2089Z 5-2500MHz的InGaP /砷化镓HBT功率放大器
绝对最大额定值
参数
设备的最大电流（I
DQ
)
最大器件电压（V
D
)
马克斯。 RF输入功率
马克斯。经营消退
功率（静态）
马克斯。结温。 （T
J
)
工作温度RANGE （T
L
)
马克斯。储存温度。
绝对限制
190mA
6V
+20 dBm的
ID （MA ）
200
ID（ 25℃）
150
ID（ -40℃ ）
ID（ 85℃）
100
50
0
0
2
4
6
8
10
250
DCIV在整个温度范围（与App 。电路）
1.0 W
+150°C
-40 ° C至+ 85°C
+150°C
测试条件：
此设备之外的这些限制中任一项的操作可能会引起
永久性损坏。为了保证可靠的连续运行，设备
电压和电流必须不超过最大操作
1页表中指定的值。
偏置条件也应满足下面的表达式：
I
D
V
D
< （T
J
- T
L
) / R
TH
J-升
T
L
=T
领导
电压（V）的
噪声系数（与应用电路）
6
25C
85C
ESD 2级， 2000V HBM
5
NF（ dB）的
在搬运，包装适当的预防措施
和测试设备必须得到遵守。
4
3
2
1
0
450兆赫
880兆赫
1960年兆赫
2140兆赫
MSL
（湿度敏感等级）
等级：1级
简化设备原理图与ESD二极管
窄带
应用程序。 CKT 。
VC /输出
输入
窄带
应用程序。 CKT 。
GND
303 S.技术的Ct 。
布鲁姆菲尔德，CO 80021
电话： （ 800 ） SMI- MMIC
2
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初步
SXB- 2089Z 5-2500MHz的InGaP /砷化镓HBT功率放大器
880 MHz的应用电路数据，我
D
= 135毫安， T = + 25°C ，R
BIAS
= 20欧姆，V
S
=8V
26
26
25
的P1dB与频率的关系
-40
-45
-50
ACP与通道。功率（ IS- 95 9章，正向， 880MHz ）
25C
-40C
85C
P1dB的（ DBM）
ACP （分贝）
25C
-40C
85C
860
870
880
890
900
910
25
24
24
23
23
22
850
-55
-60
-65
-70
-75
10
11
12
频率（MHz）
13
14
15
16
17
18
19
信道功率（dBm）
S21在整个温度范围
28
0
输入/输出回波损耗，
隔离与频率，T = 25℃
-5
-10
S11
S12
S22
26
24
22
25C
20
18
850
-40C
85C
增益（dB ）
-15
dB
890
900
910
-20
-25
-30
-35
-40
850
860
870
880
890
900
910
860
870
880
频率（MHz）
频率（MHz）
46
44
42
40
38
36
34
850
OIP3与频率。 （ 11dBm输出音）
46
44
42
40
38
36
34
860
870
880
890
900
910
OIP3与音频功率@ 880MHz
OIP3 （ dBm的）
25C
-40C
85C
OIP3 （ dBm的）
25C
-40C
85C
2
4
6
8
10
12
14
16
频率（MHz）
每个音板着脸（ DBM）
在应用笔记提供450 MHz的& 2140MHz时应用电路AN- 078在www.sirenza.com
303 S.技术的Ct 。
布鲁姆菲尔德，CO 80021
电话： （ 800 ） SMI- MMIC
3
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SXB- 2089Z 5-2500MHz的InGaP /砷化镓HBT功率放大器
1960年MHz的应用电路数据，我
D
= 135毫安， T = + 25°C ，R
BIAS
= 20欧姆，V
S
=8V
26
26
25
的P1dB与频率的关系
-40
-45
-50
ACP与通道。功率（ IS- 95 9章。正向。 1960MHz ）
25C
-40C
85C
P1dB的（ DBM）
ACP （分贝）
25C
-40C
85C
25
24
24
23
23
22
1930
-55
-60
-65
-70
-75
1940
1950
1960
1970
1980
1990
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
频率（MHz）
信道功率（dBm）
S21在整个温度范围
22
0
输入/输出回波损耗，
隔离与频率，T = 25℃
20
18
-5
-10
增益（dB ）
-15
-20
dB
25C
16
14
12
1930
-40C
85C
1940
1950
1960
1970
1980
1990
-25
-30
-35
-40
1930
1940
1950
S11
S12
S22
1960
1970
1980
1990
频率（MHz）
频率（MHz）
OIP3与音频功率@ 1960MHz
46
44
42
OIP3与频率。 （ 11dBm输出音）
46
44
OIP3 （ dBm的）
42
40
38
36
34
1930
25C
-40C
85C
IP3 （ dBm的）
40
38
36
34
25C
-40C
85C
1940
1950
1960
1970
1980
1990
2
4
6
8
10
12
14
16
频率（MHz）
每个音板着脸（ DBM）
在应用笔记提供450 MHz的& 2140MHz时应用电路AN- 078在www.sirenza.com
303 S.技术的Ct 。
布鲁姆菲尔德，CO 80021
电话： （ 800 ） SMI- MMIC
4
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EDS - 104625修订版B
初步
SXB- 2089Z 5-2500MHz的InGaP /砷化镓HBT功率放大器
应用原理图&装配图880MHz电路
注意：
电气长度
从确定
一个分构件的中心，并在切
该中心跟踪
Ζ1
Ζ2
Ζ3
Ζ4
Ζ5
Ζ6
Ζ7
Ζ8
Ζ9
Ζ10
Ζ11
Ζ12
Ζ13
50, 4.6°
50, 9.8°
50, 3.1°
50, 2.3°
50, 6.7°
50, 4.2°
50, 2.9°
50, 2.9°
50, 4.2°
50, 3.3°
50, 3.9°
50, 2.3°
50, 9.1°
20
1.0
uF的钽
180
1200
pF
68
Ζ5
82nH
Ζ10
SXB-2089Z
Ζ4
10nH
Ζ1
22pF
Ζ2
5.6pF
3.3
Ζ3
Ζ6
Ζ7
Ζ8
Ζ9
Ζ11
1.5nH
Ζ12
Ζ13
1.8pF
68pF
在RF
RF OUT
1200
pF
1Κ
材料清单
C1
TAJB105KLRH罗门哈斯1.0uF
C2，C5 MCH185C122KK罗门哈斯1200pF
C3
MCH185A680JK罗门哈斯68pF的
C4
MCH185A1R8CK罗门哈斯1.8pF
C6
MCH185A5R6DK罗门哈斯5.6pF
C7
MCH185A220JK罗门哈斯22pF的
L1
LL1608 - FS10NJ东光10nH到
L2
LL1608 - FS1N5S东光1.5nH
L3
LL1608 - FSR82NJ东光82nH
R1
20
2515 RES （ 1 ％ ）
R2
180
0603 RES （ 5 ％ ）
R3
68
0603 RES （ 5 ％ ）
R4
3.3
0603 RES （ 5 ％ ）
R5
1K
0603 RES （ 5 ％ ）
连接器2个PSF - S01-1mm GigaLane有限公司
散热器
EEF-101407
PCB
ECB-102925-B
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EDS - 104625修订版B
SXB-2089Z
产品说明
Sirenza的Microdevices的SXB- 2089Z放大器是一种高线性度的InGaP /
砷化镓异质结双极晶体管（ HBT ） MMIC装在一个
低成本，表面安装的塑料封装。
这些放大器是专为用作驱动装置
在5-2500兆赫蜂窝基础设施设备， ISM ， WLL ，
PCS & W- CDMA应用。它的高线性度使其成为理想的
选择用于多载波以及数字应用。
5-2500兆赫中等功率的InGaP /砷化镓
HBT放大器
符合RoHS
Pb
＆放大器;
绿色
包
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
典型的IP3 ， P1dB为，增益
IP3
IP3
IP3
产品特点
高OIP3 ： + 43dBm
在1960兆赫
P1dB为： 24dBm的
高线性/ ACP性能
强大的2000V的ESD ， 2级
SOT- 89封装
MSL 1潮湿的评价
P1dB的增益
P1dB
收益
P1dB
收益
应用
PA驱动放大器
IF放大器
蜂窝， PCS ， ISM ， WLL ， W- CDMA
加利其
M IN 。
牛逼YP 。
M AX 。
880兆赫
S YM B○升
1960年兆赫
P一RA M E印机
2140兆赫
P
1dB
ü TP ü吨P 2 O宽E R A吨1 D B C 0 M·P重新s SIO
DBM
450 M·H
880 M·H
1960年M·H
2140 M·H
450 M·H
880 M·H
1960年M·H
2140 M·H
450 M·H
880 M·H
1960年M·H
2140 M·H
450 M·H
880 M·H
1960年M·H
2140 M·H
450 M·H
880 M·H
1960年M·H
2140 M·H
450 M·H
880 M·H
1960年M·H
2140 M·H
VS = 8V
R B IA S = 2 0 O ^ h米每秒
V D E V IC E = 5 0.2 V
23
23
24
2 4 .5
2 4 .5
2 4 .5
25
23
17
17
1 .1
1 .4
1 .6
1 .3
4 .9
4 .5
4 .7
4 .2
2 4 .5
2 1 .5
S
21
S M一出来： IG N A L G一中
DBM
2 1 .5
1 5 .5
S
11
在P U被T·V·S W R
2 .5
NF
N}÷为e F IG ü重新
dB
6
IP
3
牛逼税务局 ê次中R在T TE RC ê P吨P 2 O
（P出/网元= 1 + 1 D B M，T onespac在G = 1 MH Z）
DBM
38
40
40
41
43
43
16
1 6 .3
1 5 .5
1 5 .6
ACP
hannel电源
为-9 5 4 5 0 / 8 8 0 / 1 9 6 0 MH Z， -5℃ ACP 5 D B
W C D M A中的吨2 1 4 0 M·H Z， -5 0 D B C A C P
DBM
I
D
R
牛逼
J-升
D E VIC式C ④此吨
mA
@ 8 5℃ （JU N c个TIO N - 乐一四）
Z
O
= 50欧姆s
120
135
5 1 .3
150
TEST
RM一l研究（E S）是TA 权证
条件：
T
T
a
= 2 5 °C
° C / W
率T e S T C 0 N D ITIO N s个：
本文提供的信息被认为是可靠截至记者发稿时。 Sirenza的Microdevices公司承担不准确或遗漏不承担任何责任。 Sirenza的Microdevices公司对使用这种不负责
信息，所有此类信息应完全由用户自己承担风险。价格和规格如有变更，恕不另行通知。没有专利的权利或许可的任何电路本文描述或暗示或
向任何第三方授予的。 Sirenza的Microdevices公司不授权或担保任何Sirenza的Microdevices公司的产品用于生命支持设备和/或系统。版权所有2005 Sirenza的Microdevices公司，公司..全球所有权利
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EDS - 104625 C版本
SXB- 2089Z 5-2500MHz的InGaP /砷化镓HBT功率放大器
绝对最大额定值
参数
设备的最大电流（I
DQ
)
最大器件电压（V
D
)
马克斯。 RF输入功率
马克斯。经营消退
功率（静态）
马克斯。结温。 （T
J
)
工作温度RANGE （T
L
)
马克斯。储存温度。
绝对限制
190mA
6V
+20 dBm的
ID （MA ）
200
ID（ 25℃）
150
ID（ -40℃ ）
ID（ 85℃）
100
50
0
0
2
4
6
8
10
250
DCIV在整个温度范围（与App 。电路）
1.0 W
+150°C
-40 ° C至+ 85°C
+150°C
测试条件：
此设备之外的这些限制中任一项的操作可能会引起
永久性损坏。为了保证可靠的连续运行，设备
电压和电流必须不超过最大操作
1页表中指定的值。
偏置条件也应满足下面的表达式：
I
D
V
D
< （T
J
- T
L
) / R
TH
J-升
T
L
=T
领导
电压（V）的
噪声系数（与应用电路）
6
25C
85C
ESD 2级， 2000V HBM
5
NF（ dB）的
在搬运，包装适当的预防措施
和测试设备必须得到遵守。
4
3
2
1
0
450兆赫
880兆赫
1960年兆赫
2140兆赫
MSL
（湿度敏感等级）
等级：1级
简化设备原理图与ESD二极管
窄带
应用程序。 CKT 。
VC /输出
输入
窄带
应用程序。 CKT 。
GND
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EDS - 104625 C版本
SXB- 2089Z 5-2500MHz的InGaP /砷化镓HBT功率放大器
880 MHz的应用电路数据，我
D
= 135毫安， T = + 25°C ，R
BIAS
= 20欧姆，V
S
=8V
26
26
25
的P1dB与频率的关系
-40
-45
-50
ACP与通道。功率（ IS- 95 9章，正向， 880MHz ）
25C
-40C
85C
P1dB的（ DBM）
ACP （分贝）
25C
-40C
85C
860
870
880
890
900
910
25
24
24
23
23
22
850
-55
-60
-65
-70
-75
10
11
12
频率（MHz）
13
14
15
16
17
18
19
信道功率（dBm）
S21在整个温度范围
28
0
输入/输出回波损耗，
隔离与频率，T = 25℃
-5
-10
S11
S12
S22
26
24
22
25C
20
18
850
-40C
85C
增益（dB ）
-15
dB
890
900
910
-20
-25
-30
-35
-40
850
860
870
880
890
900
910
860
870
880
频率（MHz）
频率（MHz）
46
44
42
40
38
36
34
850
OIP3与频率。 （ 11dBm输出音）
46
44
42
40
38
36
34
860
870
880
890
900
910
OIP3与音频功率@ 880MHz
OIP3 （ dBm的）
25C
-40C
85C
OIP3 （ dBm的）
25C
-40C
85C
2
4
6
8
10
12
14
16
频率（MHz）
每个音板着脸（ DBM）
在应用笔记提供450 MHz的& 2140MHz时应用电路AN- 078在www.sirenza.com
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1960年MHz的应用电路数据，我
D
= 135毫安， T = + 25°C ，R
BIAS
= 20欧姆，V
S
=8V
26
26
25
的P1dB与频率的关系
-40
-45
-50
ACP与通道。功率（ IS- 95 9章。正向。 1960MHz ）
25C
-40C
85C
P1dB的（ DBM）
ACP （分贝）
25C
-40C
85C
25
24
24
23
23
22
1930
-55
-60
-65
-70
-75
1940
1950
1960
1970
1980
1990
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
频率（MHz）
信道功率（dBm）
S21在整个温度范围
22
0
输入/输出回波损耗，
隔离与频率，T = 25℃
20
18
-5
-10
增益（dB ）
-15
-20
dB
25C
16
14
12
1930
-40C
85C
1940
1950
1960
1970
1980
1990
-25
-30
-35
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1930
1940
1950
S11
S12
S22
1960
1970
1980
1990
频率（MHz）
频率（MHz）
OIP3与音频功率@ 1960MHz
46
44
42
OIP3与频率。 （ 11dBm输出音）
46
44
OIP3 （ dBm的）
42
40
38
36
34
1930
25C
-40C
85C
IP3 （ dBm的）
40
38
36
34
25C
-40C
85C
1940
1950
1960
1970
1980
1990
2
4
6
8
10
12
14
16
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SXB- 2089Z 5-2500MHz的InGaP /砷化镓HBT功率放大器
应用原理图&装配图880MHz电路
注意：
电气长度
从确定
一个分构件的中心，并在切
该中心跟踪
Ζ1
Ζ2
Ζ3
Ζ4
Ζ5
Ζ6
Ζ7
Ζ8
Ζ9
Ζ10
Ζ11
Ζ12
Ζ13
50, 4.6°
50, 9.8°
50, 3.1°
50, 2.3°
50, 6.7°
50, 4.2°
50, 2.9°
50, 2.9°
50, 4.2°
50, 3.3°
50, 3.9°
50, 2.3°
50, 9.1°
20
1.0
uF的钽
180
1200
pF
68
Ζ5
82nH
Ζ10
SXB-2089Z
Ζ4
10nH
Ζ1
22pF
Ζ2
5.6pF
3.3
Ζ3
Ζ6
Ζ7
Ζ8
Ζ9
Ζ11
1.5nH
Ζ12
Ζ13
1.8pF
68pF
在RF
RF OUT
1200
pF
1Κ
材料清单
C1
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C2，C5 MCH185C122KK罗门哈斯1200pF
C3
MCH185A680JK罗门哈斯68pF的
C4
MCH185A1R8CK罗门哈斯1.8pF
C6
MCH185A5R6DK罗门哈斯5.6pF
C7
MCH185A220JK罗门哈斯22pF的
L1
LL1608 - FS10NJ东光10nH到
L2
LL1608 - FS1N5S东光1.5nH
L3
LL1608 - FSR82NJ东光82nH
R1
20
2515 RES （ 1 ％ ）
R2
180
0603 RES （ 5 ％ ）
R3
68
0603 RES （ 5 ％ ）
R4
3.3
0603 RES （ 5 ％ ）
R5
1K
0603 RES （ 5 ％ ）
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初步
SXB-2089Z
产品说明
Sirenza的Microdevices的SXB- 2089Z放大器是一种高线性度的InGaP /
砷化镓异质结双极晶体管（ HBT ） MMIC装在一个
低成本，表面安装的塑料封装。
这些放大器是专为用作驱动装置的
在5-2500兆赫蜂窝， ISM ， WLL基础设施设备， PCS &
W-CDMA中的应用程序。它的高线性度使得它成为一种理想的选择
多载波以及数字应用。
5-2500兆赫中等功率的InGaP /砷化镓
HBT放大器
符合RoHS
Pb
＆放大器;
绿色
包
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
典型的IP3 ， P1dB为，增益
IP3
IP3
IP3
产品特点
高OIP3 ： + 43dBm
在1960兆赫
P1dB为： 24dBm的
高线性/ ACP性能
强大的2000V的ESD ， 2级
SOT- 89封装
MSL 1潮湿的评价
P1dB的增益
P1dB
收益
P1dB
收益
应用
PA驱动放大器
IF放大器
蜂窝， PCS ， ISM ， WLL ， W- CDMA
单位
分钟。
典型值。
马克斯。
880兆赫
符号
1960年兆赫
参数
2140兆赫
P
1dB
输出功率在1 dB压缩
DBM
450兆赫
880兆赫
1960年兆赫
2140兆赫
450兆赫
880兆赫
1960年兆赫
2140兆赫
450兆赫
880兆赫
1960年兆赫
2140兆赫
450兆赫
880兆赫
1960年兆赫
2140兆赫
450兆赫
880兆赫
1960年兆赫
2140兆赫
450兆赫
880兆赫
1960年兆赫
2140兆赫
VS = 8V
RBIAS = 20欧姆
Vdevice = 5.2V
120
24.1
24.5
24.2
24.7
25
23
17
17
1.1:1
1.3:1
1.4:1
1.3:1
4.9
4.3
4.3
4.2
40
41
43
43
16
16.3
15.5
15.6
135
51.3
150
S
21
小信号增益
DBM
S
11
输入VSWR
NF
噪声系数
dB
OIP
3
三阶截点
（噘/音= + 11dBm ，音频间隔= 1MHz的）
DBM
ACP
信道功率
IS- 95在八百八十○分之四百五十〇 / 1960MHz ， -55dBc ACP
WCDMA在2140MHz时， -50dBc ACP
DBM
I
D
R
TH
J-升
测试条件：
器件的电流
mA
° C / W
测试条件：
热电阻@ 85℃ （路口 - 铅）
T
a
= 25°C
Z
O
= 50欧姆
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EDS - 104625修订版B
初步
SXB- 2089Z 5-2500MHz的InGaP /砷化镓HBT功率放大器
绝对最大额定值
参数
设备的最大电流（I
DQ
)
最大器件电压（V
D
)
马克斯。 RF输入功率
马克斯。经营消退
功率（静态）
马克斯。结温。 （T
J
)
工作温度RANGE （T
L
)
马克斯。储存温度。
绝对限制
190mA
6V
+20 dBm的
ID （MA ）
200
ID（ 25℃）
150
ID（ -40℃ ）
ID（ 85℃）
100
50
0
0
2
4
6
8
10
250
DCIV在整个温度范围（与App 。电路）
1.0 W
+150°C
-40 ° C至+ 85°C
+150°C
测试条件：
此设备之外的这些限制中任一项的操作可能会引起
永久性损坏。为了保证可靠的连续运行，设备
电压和电流必须不超过最大操作
1页表中指定的值。
偏置条件也应满足下面的表达式：
I
D
V
D
< （T
J
- T
L
) / R
TH
J-升
T
L
=T
领导
电压（V）的
噪声系数（与应用电路）
6
25C
85C
ESD 2级， 2000V HBM
5
NF（ dB）的
在搬运，包装适当的预防措施
和测试设备必须得到遵守。
4
3
2
1
0
450兆赫
880兆赫
1960年兆赫
2140兆赫
MSL
（湿度敏感等级）
等级：1级
简化设备原理图与ESD二极管
窄带
应用程序。 CKT 。
VC /输出
输入
窄带
应用程序。 CKT 。
GND
303 S.技术的Ct 。
布鲁姆菲尔德，CO 80021
电话： （ 800 ） SMI- MMIC
2
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初步
SXB- 2089Z 5-2500MHz的InGaP /砷化镓HBT功率放大器
880 MHz的应用电路数据，我
D
= 135毫安， T = + 25°C ，R
BIAS
= 20欧姆，V
S
=8V
26
26
25
的P1dB与频率的关系
-40
-45
-50
ACP与通道。功率（ IS- 95 9章，正向， 880MHz ）
25C
-40C
85C
P1dB的（ DBM）
ACP （分贝）
25C
-40C
85C
860
870
880
890
900
910
25
24
24
23
23
22
850
-55
-60
-65
-70
-75
10
11
12
频率（MHz）
13
14
15
16
17
18
19
信道功率（dBm）
S21在整个温度范围
28
0
输入/输出回波损耗，
隔离与频率，T = 25℃
-5
-10
S11
S12
S22
26
24
22
25C
20
18
850
-40C
85C
增益（dB ）
-15
dB
890
900
910
-20
-25
-30
-35
-40
850
860
870
880
890
900
910
860
870
880
频率（MHz）
频率（MHz）
46
44
42
40
38
36
34
850
OIP3与频率。 （ 11dBm输出音）
46
44
42
40
38
36
34
860
870
880
890
900
910
OIP3与音频功率@ 880MHz
OIP3 （ dBm的）
25C
-40C
85C
OIP3 （ dBm的）
25C
-40C
85C
2
4
6
8
10
12
14
16
频率（MHz）
每个音板着脸（ DBM）
在应用笔记提供450 MHz的& 2140MHz时应用电路AN- 078在www.sirenza.com
303 S.技术的Ct 。
布鲁姆菲尔德，CO 80021
电话： （ 800 ） SMI- MMIC
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初步
SXB- 2089Z 5-2500MHz的InGaP /砷化镓HBT功率放大器
1960年MHz的应用电路数据，我
D
= 135毫安， T = + 25°C ，R
BIAS
= 20欧姆，V
S
=8V
26
26
25
的P1dB与频率的关系
-40
-45
-50
ACP与通道。功率（ IS- 95 9章。正向。 1960MHz ）
25C
-40C
85C
P1dB的（ DBM）
ACP （分贝）
25C
-40C
85C
25
24
24
23
23
22
1930
-55
-60
-65
-70
-75
1940
1950
1960
1970
1980
1990
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
频率（MHz）
信道功率（dBm）
S21在整个温度范围
22
0
输入/输出回波损耗，
隔离与频率，T = 25℃
20
18
-5
-10
增益（dB ）
-15
-20
dB
25C
16
14
12
1930
-40C
85C
1940
1950
1960
1970
1980
1990
-25
-30
-35
-40
1930
1940
1950
S11
S12
S22
1960
1970
1980
1990
频率（MHz）
频率（MHz）
OIP3与音频功率@ 1960MHz
46
44
42
OIP3与频率。 （ 11dBm输出音）
46
44
OIP3 （ dBm的）
42
40
38
36
34
1930
25C
-40C
85C
IP3 （ dBm的）
40
38
36
34
25C
-40C
85C
1940
1950
1960
1970
1980
1990
2
4
6
8
10
12
14
16
频率（MHz）
每个音板着脸（ DBM）
在应用笔记提供450 MHz的& 2140MHz时应用电路AN- 078在www.sirenza.com
303 S.技术的Ct 。
布鲁姆菲尔德，CO 80021
电话： （ 800 ） SMI- MMIC
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SXB- 2089Z 5-2500MHz的InGaP /砷化镓HBT功率放大器
应用原理图&装配图880MHz电路
注意：
电气长度
从确定
一个分构件的中心，并在切
该中心跟踪
Ζ1
Ζ2
Ζ3
Ζ4
Ζ5
Ζ6
Ζ7
Ζ8
Ζ9
Ζ10
Ζ11
Ζ12
Ζ13
50, 4.6°
50, 9.8°
50, 3.1°
50, 2.3°
50, 6.7°
50, 4.2°
50, 2.9°
50, 2.9°
50, 4.2°
50, 3.3°
50, 3.9°
50, 2.3°
50, 9.1°
20
1.0
uF的钽
180
1200
pF
68
Ζ5
82nH
Ζ10
SXB-2089Z
Ζ4
10nH
Ζ1
22pF
Ζ2
5.6pF
3.3
Ζ3
Ζ6
Ζ7
Ζ8
Ζ9
Ζ11
1.5nH
Ζ12
Ζ13
1.8pF
68pF
在RF
RF OUT
1200
pF
1Κ
材料清单
C1
TAJB105KLRH罗门哈斯1.0uF
C2，C5 MCH185C122KK罗门哈斯1200pF
C3
MCH185A680JK罗门哈斯68pF的
C4
MCH185A1R8CK罗门哈斯1.8pF
C6
MCH185A5R6DK罗门哈斯5.6pF
C7
MCH185A220JK罗门哈斯22pF的
L1
LL1608 - FS10NJ东光10nH到
L2
LL1608 - FS1N5S东光1.5nH
L3
LL1608 - FSR82NJ东光82nH
R1
20
2515 RES （ 1 ％ ）
R2
180
0603 RES （ 5 ％ ）
R3
68
0603 RES （ 5 ％ ）
R4
3.3
0603 RES （ 5 ％ ）
R5
1K
0603 RES （ 5 ％ ）
连接器2个PSF - S01-1mm GigaLane有限公司
散热器
EEF-101407
PCB
ECB-102925-B
303 S.技术的Ct 。
布鲁姆菲尔德，CO 80021
电话： （ 800 ） SMI- MMIC
5
+
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