产品说明
在SGA - 3563是一款高性能的SiGe HBT MMIC放大器。一
达林顿配置具有1微米的发射器提供了高氟
T
和优异的热性能比较。异质结增加
击穿电压和最大程度地减少结之间的漏电流。
的发射极结的非线性导致高消
抑制互调产物。只有一个操作需要
单一正电源电压， 2隔直流电容，偏压电阻
和一个射频扼流圈。
在Sirenza的无铅“Z”包雾锡涂层的应用
使用后退火处理，以减轻锡须的形成
并且符合RoHS每欧盟指令2002/95标准。包
体与含有绿色塑封料生产
没有三氧化锑或卤化阻燃剂。
获得&回波损耗与频率的关系
V
D
= 3.25 V，I
D
= 35 mA（典型值）
SGA-3563
SGA-3563Z
Pb
符合RoHS
＆放大器;
绿色
包
DC -5000 MHz的硅锗
级联HBT MMIC放大器
产品特点
可以在无铅，符合RoHS
绿色包装（Z后缀）
50欧姆的级联增益模块
高增益25.5 dB典型值。在850兆赫
高输出IP3 ： 24.5 dBm的典型值。在1950年兆赫
低噪声系数为2.7 dB典型值。在1950年兆赫
低电流消耗： 35毫安典型。
单电压电源供电
32
收益
0
-10
IRL
24
增益（dB ）
16
ORL
-20
-30
-40
0
1
2
3
频率（GHz ）
4
5
回波损耗（分贝）
8
0
应用
PA驱动放大器
蜂窝，PCS ，GSM，UMTS
IF放大器
无线数据，卫星
分钟。
23.5
19.5
典型值。
25.5
21.5
20.0
13.0
12.5
24.0
24.5
5000
1950
1950
1950
3.0
31
11.2
11.2
15.5
20.0
2.7
3.25
35
255
T
领导
= 25C
Z
S
= Z
L
= 50欧姆
符号
G
参数
小信号增益
频率。 （兆赫）
850
1950
2400
850
1950
850
1950
马克斯。
27.5
23.5
单位
dB
P
1dB
OIP
3
带宽
在1dB压缩输出功率
输出三阶截点
（音间距= 1 MHz时，每个音噘= -5 dBm的）
11.0
22.5
分贝米
分贝米
兆赫
dB
dB
3.7
3.5
39
dB
V
mA
° C / W
通过回波损耗确定（ >10分贝）
输入回波损耗
输出回波损耗
噪声系数
器件工作电压
器件工作电流
热阻（结带领）
测试COND
i
系统蒸发散：我
D
= 35 mA（典型值）
IRL
ORL
NF
V
D
I
D
R
TH
J-升
本文提供的信息被认为是可靠截至记者发稿时。 Sirenza的Microdevices公司承担不准确或遗漏不承担任何责任。 Sirenza的Microdevices公司对因使用这些信息不承担任何责任，所有此类信息
应完全由用户自己承担风险。价格和规格如有变更，恕不另行通知。没有专利的权利或许可给任何此处所描述的电路被暗示或向任何第三方授予的。 Sirenza的Microdevices公司不授权或
保证任何Sirenza的Microdevices公司的产品用于生命支持设备和/或系统。版权所有2005 Sirenza的Microdevices公司，公司。保留所有权利世界范围内。
303南方科技法庭
布鲁姆菲尔德，CO 80021
EDS - 101496 Rev. D的
1
电话： （ 800 ） SMI- MMIC
http://www.sirenza.com
SGA - 3563 DC- 5.0 GHz的MMIC可级联放大器
在重点工作频率典型RF性能
符号
参数
单位
100
500
频率（ MHz）的
850
1950
2400
3500
G
OIP
3
P
1dB
IRL
ORL
S
12
NF
小信号增益
输出三阶截点
在1dB压缩输出功率
输入回波损耗
输出回波损耗
反向隔离
噪声系数
dB
分贝米
分贝米
dB
dB
dB
dB
T
领导
= 25C
28.5
24.0
13.0
29.7
31.8
29.4
2.3
27.5
23.6
13.0
17.6
31.1
29.3
2.3
25.5
24.0
13.0
15.6
33.6
28.6
2.3
21.5
24.5
12.5
15.5
20.0
25.5
2.7
20.0
24.0
12.0
17.2
17.9
23.9
17.0
22.0
10.0
14.7
15.0
21.3
测试条件：我
D
= 35毫安
（典型值。
)
Z
S
= Z
L
= 50欧姆
音间距= 1兆赫
每板着脸语气= -5 dBm的
绝对最大额定值
噪声系数与频率的关系
I
D
= 35 mA（典型值）
5
4
参数
马克斯。
器件的电流
(I
D
)
马克斯。
设备
电压（V
D
)
绝对限制
70
mA
6V
+18 dBm的
+1
50
°C
-40 ° C至+ 85°C
+150°C
噪声系数（dB ）
马克斯。
RF输入功率
马克斯。
结温
. (T
J
)
工作温度
。范围（T
L
)
3
2
1
马克斯。
储存温度
.
T
领导
=+25C
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
此设备的运行超出了这些限制任何人不得
会造成永久性的损害。对于连续可靠运行，
器件电压和电流必须不超过最大
第一页上表中规定的工作值。
偏置条件也应满足下面的表达式：
I
D
V
D
< （T
J
- T
L
) / R
TH
J-升
频率（GHz ）
OIP
3
与频率的关系
30
P
1dB
与频率的关系
15
I
D
= 35 mA（典型值）
I
D
= 35 mA（典型值）
OIP
3
（ dBm的）
20
P
1dB
（ dBm的）
25
10
5
T
领导
=+25C
15
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
T
领导
=+25C
3
3.5
频率（GHz ）
频率（GHz ）
303南方科技法庭
布鲁姆菲尔德，CO 80021
EDS - 101496 Rev. D的
2
电话： （ 800 ） SMI- MMIC
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SGA - 3563 DC- 5.0 GHz的MMIC可级联放大器
典型的射频性能在焊接温度 -
偏见：
I
D
= 35 mA（典型值），在T
领导
= +25
C
|
S
|
与频率的关系
21
|
S
|
与频率的关系
11
32
24
S
21
（ dB）的
16
-40C
0
-10
S
11
（ dB）的
-20
-40C
8
0
0
25C
+85C
-30
-40
+25C
+85C
1
2
3
频率（GHz ）
4
5
6
0
1
2
3
频率（GHz ）
4
5
6
|
S
|
与频率的关系
12
|
S
|
与频率的关系
0
-10
S
22
（ dB）的
-20
-40C
22
0
-10
S
12
（ dB）的
-20
-40C
-30
-40
0
1
2
3
4
+25C
+85C
-30
-40
+25C
+85C
5
6
0
1
2
3
频率（GHz ）
4
5
6
频率（GHz ）
注：可在完整的S参数数据
www.sirenza.com
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3
电话： （ 800 ） SMI- MMIC
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SGA - 3563 DC- 5.0 GHz的MMIC可级联放大器
基本应用电路
应用电路元件值
R
BIAS
V
S
1 uF的
1000
pF
I
D
参考
代号
C
B
频率（ MHz）的
100
1000 pF的
100 pF的
470 nH的
500
850
1950
68 pF的
22 pF的
22 nH的
2400
56 pF的
22 pF的
18 nH的
3500
39 pF的
15 pF的
15 nH的
C
D
R
最不发达国家
BIAS
感应器
220 pF的100 pF的
100 pF的
68 nH的
68 pF的
33 nH的
C
D
L
C
L
C
1,2
在RF
C
B
3
SGA-3563
推荐偏置电阻为我
D
= 35毫安
6
V
D
C
B
RF OUT
电源电压（V
S
)
（伏）
偏置电阻*
（欧姆）
＆ LT ;
5
N / R
5
50
6
79
7
107
8
136
9
164
1
0
4,5
193
*偏置电阻= R
BIAS
+ R
最不发达国家
= ( V
S
-V
D
) / I
D
SELECT
R
BIAS
以便
R
BIAS
+
R
最不发达国家
推荐的偏置电阻。
使用1％或5 ％的容差resisistors或并行组合以实现
推荐的偏置电阻+/- 3％ 。
R
BIAS
提供电流稳定性
温度。
V
S
R
BIAS
1 uF的
1000 pF的
* N / R =否吨重C 0 M M ê次E D 。 C 0 NTA CT忿怒NZA德 HNI CALS了口FO
指导当供电电压低于5伏。
C
D
L
C
针＃
功能
在RF
A35
器件引脚输出指南
描述
射频输入引脚。该引脚需要使用的
选择用于外部隔直电容
频率操作。
连接到地。通孔接近提供
到器件接地引线尽可能地减少
接地电感和实现最佳的RF
性能。
RF输出和偏置引脚。该引脚需要使用
选择用于外部直流阻断电容器的
操作的次数。
C
B
C
B
3
1, 2, 4, 5
GND
6
RF OUT /
直流偏置
部分标识标记&引脚输出
可靠性&资质信息
参数
ESD额定值 - 人体模型（ HBM ）
湿度敏感度等级
等级
1A级
MSL 1
6 5 4
6 5 4
A35
1 2 3
锡 - 铅
A35Z
1 2 3
无铅
符合RoHS
产品合格报告可道nloaded在
W W w.sirenza.com
订购信息
注意： ESD敏感
在搬运，包装适当的预防措施
和测试设备必须得到遵守。
部分
数
SGA-3563
SGA-3563Z
P ackag E / L EAD
作文
锡 - 铅
无铅，符合RoHS标准
鳗鱼
SIZ ê
7"
7"
器件
/ R鳗鱼
3000
3000
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布鲁姆菲尔德，CO 80021
EDS - 101496 Rev. D的
4
电话： （ 800 ） SMI- MMIC
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SGA - 3563 DC- 5.0 GHz的MMIC可级联放大器
SOT- 363的PCB焊盘布局
尺寸以英寸[毫米]
RF
OUT
RF
IN
注意事项：
1.提供根据器件引脚的大接地焊盘面积
通孔1 ，2，4 ， & 5与许多镀如图所示。
2.给定的尺寸为50欧姆RF I / O线是
31密耳厚GETEK 。相应规模的不同
板的厚度和介电contants 。
3.我们推荐1或2盎司铜。测量
ments此数据表中的31万做
厚GETEK与两侧1盎司铜。
SOT- 363封装标称尺寸
尺寸以英寸[毫米]
链接到SOT -363封装外形全尺寸和图纸
公差可以在www.sirenza.com产品网页上找到。
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5
电话： （ 800 ） SMI- MMIC
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产品说明
在SGA - 3563是一款高性能的SiGe HBT MMIC放大器。一
达林顿配置具有1微米的发射器提供了高氟
T
和优异的热性能比较。异质结增加
击穿电压和最大程度地减少结之间的漏电流。
的发射极结的非线性导致高消
抑制互调产物。只有一个操作需要
单一正电源电压， 2隔直流电容，偏压电阻
和一个射频扼流圈。
在Sirenza的无铅“Z”包雾锡涂层的应用
使用后退火处理，以减轻锡须的形成
并且符合RoHS每欧盟指令2002/95标准。包
体与含有绿色塑封料生产
没有三氧化锑或卤化阻燃剂。
获得&回波损耗与频率的关系
V
D
= 3.25 V，I
D
= 35 mA（典型值）
SGA-3563
SGA-3563Z
Pb
符合RoHS
＆放大器;
绿色
包
DC -5000 MHz的硅锗
级联HBT MMIC放大器
产品特点
可以在无铅，符合RoHS
绿色包装（Z后缀）
50欧姆的级联增益模块
高增益25.5 dB典型值。在850兆赫
高输出IP3 ： 24.5 dBm的典型值。在1950年兆赫
低噪声系数为2.7 dB典型值。在1950年兆赫
低电流消耗： 35毫安典型。
单电压电源供电
32
收益
0
-10
IRL
24
增益（dB ）
16
ORL
-20
-30
-40
0
1
2
3
频率（GHz ）
4
5
回波损耗（分贝）
8
0
应用
PA驱动放大器
蜂窝，PCS ，GSM，UMTS
IF放大器
无线数据，卫星
分钟。
23.5
19.5
典型值。
25.5
21.5
20.0
13.0
12.5
24.0
24.5
5000
1950
1950
1950
3.0
31
11.2
11.2
15.5
20.0
2.7
3.25
35
255
T
领导
= 25C
Z
S
= Z
L
= 50欧姆
符号
G
参数
小信号增益
频率。 （兆赫）
850
1950
2400
850
1950
850
1950
马克斯。
27.5
23.5
单位
dB
P
1dB
OIP
3
带宽
在1dB压缩输出功率
输出三阶截点
（音间距= 1 MHz时，每个音噘= -5 dBm的）
11.0
22.5
分贝米
分贝米
兆赫
dB
dB
3.7
3.5
39
dB
V
mA
° C / W
通过回波损耗确定（ >10分贝）
输入回波损耗
输出回波损耗
噪声系数
器件工作电压
器件工作电流
热阻（结带领）
测试COND
i
系统蒸发散：我
D
= 35 mA（典型值）
IRL
ORL
NF
V
D
I
D
R
TH
J-升
本文提供的信息被认为是可靠截至记者发稿时。 Sirenza的Microdevices公司承担不准确或遗漏不承担任何责任。 Sirenza的Microdevices公司对因使用这些信息不承担任何责任，所有此类信息
应完全由用户自己承担风险。价格和规格如有变更，恕不另行通知。没有专利的权利或许可给任何此处所描述的电路被暗示或向任何第三方授予的。 Sirenza的Microdevices公司不授权或
保证任何Sirenza的Microdevices公司的产品用于生命支持设备和/或系统。版权所有2005 Sirenza的Microdevices公司，公司。保留所有权利世界范围内。
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1
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在重点工作频率典型RF性能
符号
参数
单位
100
500
频率（ MHz）的
850
1950
2400
3500
G
OIP
3
P
1dB
IRL
ORL
S
12
NF
小信号增益
输出三阶截点
在1dB压缩输出功率
输入回波损耗
输出回波损耗
反向隔离
噪声系数
dB
分贝米
分贝米
dB
dB
dB
dB
T
领导
= 25C
28.5
24.0
13.0
29.7
31.8
29.4
2.3
27.5
23.6
13.0
17.6
31.1
29.3
2.3
25.5
24.0
13.0
15.6
33.6
28.6
2.3
21.5
24.5
12.5
15.5
20.0
25.5
2.7
20.0
24.0
12.0
17.2
17.9
23.9
17.0
22.0
10.0
14.7
15.0
21.3
测试条件：我
D
= 35毫安
（典型值。
)
Z
S
= Z
L
= 50欧姆
音间距= 1兆赫
每板着脸语气= -5 dBm的
绝对最大额定值
噪声系数与频率的关系
I
D
= 35 mA（典型值）
5
4
参数
马克斯。
器件的电流
(I
D
)
马克斯。
设备
电压（V
D
)
绝对限制
70
mA
6V
+18 dBm的
+1
50
°C
-40 ° C至+ 85°C
+150°C
噪声系数（dB ）
马克斯。
RF输入功率
马克斯。
结温
. (T
J
)
工作温度
。范围（T
L
)
3
2
1
马克斯。
储存温度
.
T
领导
=+25C
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
此设备的运行超出了这些限制任何人不得
会造成永久性的损害。对于连续可靠运行，
器件电压和电流必须不超过最大
第一页上表中规定的工作值。
偏置条件也应满足下面的表达式：
I
D
V
D
< （T
J
- T
L
) / R
TH
J-升
频率（GHz ）
OIP
3
与频率的关系
30
P
1dB
与频率的关系
15
I
D
= 35 mA（典型值）
I
D
= 35 mA（典型值）
OIP
3
（ dBm的）
20
P
1dB
（ dBm的）
25
10
5
T
领导
=+25C
15
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
T
领导
=+25C
3
3.5
频率（GHz ）
频率（GHz ）
303南方科技法庭
布鲁姆菲尔德，CO 80021
EDS - 101496 Rev. D的
2
电话： （ 800 ） SMI- MMIC
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典型的射频性能在焊接温度 -
偏见：
I
D
= 35 mA（典型值），在T
领导
= +25
C
|
S
|
与频率的关系
21
|
S
|
与频率的关系
11
32
24
S
21
（ dB）的
16
-40C
0
-10
S
11
（ dB）的
-20
-40C
8
0
0
25C
+85C
-30
-40
+25C
+85C
1
2
3
频率（GHz ）
4
5
6
0
1
2
3
频率（GHz ）
4
5
6
|
S
|
与频率的关系
12
|
S
|
与频率的关系
0
-10
S
22
（ dB）的
-20
-40C
22
0
-10
S
12
（ dB）的
-20
-40C
-30
-40
0
1
2
3
4
+25C
+85C
-30
-40
+25C
+85C
5
6
0
1
2
3
频率（GHz ）
4
5
6
频率（GHz ）
注：可在完整的S参数数据
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布鲁姆菲尔德，CO 80021
EDS - 101496 Rev. D的
3
电话： （ 800 ） SMI- MMIC
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基本应用电路
应用电路元件值
R
BIAS
V
S
1 uF的
1000
pF
I
D
参考
代号
C
B
频率（ MHz）的
100
1000 pF的
100 pF的
470 nH的
500
850
1950
68 pF的
22 pF的
22 nH的
2400
56 pF的
22 pF的
18 nH的
3500
39 pF的
15 pF的
15 nH的
C
D
R
最不发达国家
BIAS
感应器
220 pF的100 pF的
100 pF的
68 nH的
68 pF的
33 nH的
C
D
L
C
L
C
1,2
在RF
C
B
3
SGA-3563
推荐偏置电阻为我
D
= 35毫安
6
V
D
C
B
RF OUT
电源电压（V
S
)
（伏）
偏置电阻*
（欧姆）
＆ LT ;
5
N / R
5
50
6
79
7
107
8
136
9
164
1
0
4,5
193
*偏置电阻= R
BIAS
+ R
最不发达国家
= ( V
S
-V
D
) / I
D
SELECT
R
BIAS
以便
R
BIAS
+
R
最不发达国家
推荐的偏置电阻。
使用1％或5 ％的容差resisistors或并行组合以实现
推荐的偏置电阻+/- 3％ 。
R
BIAS
提供电流稳定性
温度。
V
S
R
BIAS
1 uF的
1000 pF的
* N / R =否吨重C 0 M M ê次E D 。 C 0 NTA CT忿怒NZA德 HNI CALS了口FO
指导当供电电压低于5伏。
C
D
L
C
针＃
功能
在RF
A35
器件引脚输出指南
描述
射频输入引脚。该引脚需要使用的
选择用于外部隔直电容
频率操作。
连接到地。通孔接近提供
到器件接地引线尽可能地减少
接地电感和实现最佳的RF
性能。
RF输出和偏置引脚。该引脚需要使用
选择用于外部直流阻断电容器的
操作的次数。
C
B
C
B
3
1, 2, 4, 5
GND
6
RF OUT /
直流偏置
部分标识标记&引脚输出
可靠性&资质信息
参数
ESD额定值 - 人体模型（ HBM ）
湿度敏感度等级
等级
1A级
MSL 1
6 5 4
6 5 4
A35
1 2 3
锡 - 铅
A35Z
1 2 3
无铅
符合RoHS
产品合格报告可道nloaded在
W W w.sirenza.com
订购信息
注意： ESD敏感
在搬运，包装适当的预防措施
和测试设备必须得到遵守。
部分
数
SGA-3563
SGA-3563Z
P ackag E / L EAD
作文
锡 - 铅
无铅，符合RoHS标准
鳗鱼
SIZ ê
7"
7"
器件
/ R鳗鱼
3000
3000
303南方科技法庭
布鲁姆菲尔德，CO 80021
EDS - 101496 Rev. D的
4
电话： （ 800 ） SMI- MMIC
http://www.sirenza.com
SGA - 3563 DC- 5.0 GHz的MMIC可级联放大器
SOT- 363的PCB焊盘布局
尺寸以英寸[毫米]
RF
OUT
RF
IN
注意事项：
1.提供根据器件引脚的大接地焊盘面积
通孔1 ，2，4 ， & 5与许多镀如图所示。
2.给定的尺寸为50欧姆RF I / O线是
31密耳厚GETEK 。相应规模的不同
板的厚度和介电contants 。
3.我们推荐1或2盎司铜。测量
ments此数据表中的31万做
厚GETEK与两侧1盎司铜。
SOT- 363封装标称尺寸
尺寸以英寸[毫米]
链接到SOT -363封装外形全尺寸和图纸
公差可以在www.sirenza.com产品网页上找到。
303南方科技法庭
布鲁姆菲尔德，CO 80021
EDS - 101496 Rev. D的
5
电话： （ 800 ） SMI- MMIC
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