新产品
SUP90N03-03
Vishay Siliconix公司
N通道30 -V （D -S ）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
30
r
DS （ ON）
(Ω)
0.0029在V
GS
= 10 V
0.0033在V
GS
= 4.5 V
I
D
(A)
A，E
90
90
Q
g
（典型值）
82 NC
特点
TrenchFET
功率MOSFET
100 % R
g
和UIS测试
RoHS指令
柔顺
应用
的OR-ing
服务器
DC / DC
D
TO-220AB
的漏极连接到选项卡
G
摹 S
顶视图
订货信息：
SUP90N03-03 -E3 （铅（Pb ） - 免费）
S
N沟道MOSFET
绝对最大额定值
T
A
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
T
C
= 25 °C
连续漏电流（T
J
= 175 °C)
T
C
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
漏电流脉冲
雪崩电流脉冲
单脉冲雪崩能量
连续源极 - 漏极二极管电流
L = 0.1 mH的
T
C
= 25 °C
T
A
= 25 °C
T
C
= 25 °C
最大功率耗散
T
C
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
工作结存储温度范围
T
J
, T
英镑
P
D
I
DM
I
AS
E
AS
I
S
I
D
符号
V
DS
V
GS
极限
30
± 20
90
A，E
90
e
28.8
B，C
27
B，C
90
36
64.8
90
A，E
3.13
B，C
187
a
131
3.75
B，C
2.63
B，C
- 55 175
°C
W
V
A
A
单位
V
热电阻额定值
参数
最大
最大结到外壳
结到环境
B，D
t
≤
10秒
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJC
典型
32
0.5
最大
40
0.6
单位
° C / W
注意事项：
一。基于T
C
= 25 °C.
B 。表面安装1" X 1" FR4板。
。 T = 10秒。
。在稳态条件下最大为90 ° C / W 。
。基于最大结温计算。套餐限制电流为90 A.
文档编号： 74341
S- 70303 -REV 。 A， 12 -FEB -07
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1
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SUP90N03-03
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
STATIC
漏源击穿电压
V
DS
温度COEF网络cient
V
GS （ TH）
温度COEF网络cient
门源阈值电压
栅源漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
漏源导通电阻
a
正向跨导
a
动态
b
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
漏源体二极管特性
连续源极 - 漏极二极管电流
脉冲二极管正向电流
a
体二极管电压
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
反向恢复下降时间
反向恢复上升时间
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
a
t
b
I
F
= 20 A， di / dt的= 100 A / μs的，T
J
= 25 °C
I
S
= 22 A
0.8
52
70.2
27
25
T
C
= 25 °C
90
90
1.2
78
105
A
V
ns
nC
ns
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
= 15 V ，R
L
= 0.67
Ω
I
D
22.5 A，V
根
= 4.5 V ，R
g
= 1
Ω
V
DD
= 15 V ，R
L
= 0.625
Ω
I
D
24 A，V
根
= 10 V ，R
g
= 1
Ω
F = 1 MHz的
V
DS
= 15 V, V
GS
= 10 V，I
D
= 28.8 A
V
DS
= 15 V, V
GS
= 4.5 V，I
D
= 28.8 A
V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V ， F = 1兆赫
12065
1725
970
171
81.5
34
29
1.4
18
11
70
10
55
180
55
12
2.1
27
17
105
15
83
270
83
18
ns
Ω
257
123
nC
pF
V
DS
ΔV
DS
/T
J
ΔV
GS （ TH）
/T
J
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ON）
g
fs
V
GS
= 0 V，I
D
= 250 A
I
D
= 250 A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
DS
= 0 V, V
GS
= ± 20 V
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55 °C
V
DS
≥
5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 28.8 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 27 A
V
DS
= 15 V，I
D
= 28.8 A
90
0.0024
0.0027
160
0.0029
0.0033
1.5
30
35
- 7.5
2.5
± 100
1
10
V
毫伏/°C的
V
nA
A
A
Ω
S
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
注意事项：
一。脉冲测试;脉冲宽度
≤
300微秒，占空比
≤
2 %.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
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文档编号： 74341
S- 70303 -REV 。 A， 12 -FEB -07
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SUP90N03-03
Vishay Siliconix公司
典型特征
25 ℃，除非另有说明
90
V
GS
= 10 V直通4 V
75
2.4
I
D
- 漏电流（ A）
3.0
I
D
- 漏电流（ A）
60
1.8
45
1.2
T
C
= 25 °C
0.6
T
C
= 125 °C
T
C
= - 55 °C
0
1
2
3
4
30
15
V
GS
= 2 V
0
0.0
V
GS
= 3 V
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
输出特性
600
T
C
= 25 °C
500
r
DS （ ON）
- 导通电阻（ Ω ）
G
fs
- 跨导（S ）
T
C
= 125 °C
0.0030
0.0032
传输特性
V
GS
= 4.5 V
0.0028
400
300
T
C
= - 55 °C
0.0026
V
GS
= 10 V
200
0.0024
100
0.0022
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
0.0020
0
15
30
45
60
75
90
I
D
- 漏电流（ A）
I
D
- 漏电流（ A）
跨
15000
C
国际空间站
10
r
DS （ ON）
与漏电流
I
D
= 28.8 A
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
8
V
DS
= 15 V
12000
- 电容（pF ）
V
DS
= 24 V
6
9000
6000
C
OSS
3000
4
2
0
0
C
RSS
6
12
18
24
30
0
0
30
60
90
120
150
180
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
电容
文档编号： 74341
S- 70303 -REV 。 A， 12 -FEB -07
栅极电荷
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新产品
SUP90N03-03
Vishay Siliconix公司
典型特征
25 ℃，除非另有说明
1.6
V
GS
= 10 V，I
D
= 28.8 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 27 A
r
D
S
（上）
- 在铼
s
ISTANCE
（范
a
lized ）
I
S
- 源电流（ A）
1.4
100
10
1.2
1
T
J
= 150 °C
0.1
T
J
= 25 °C
1.0
0.8
0.01
0.6
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
175
0.001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
T
J
- 结温（ ° C）
导通电阻与结温
0.005
I
D
= 28.8 A
r
DS （上
） - 导通电阻（ Ω ）
0.004
T
A
= 125 °C
V
GS （ TH）
方差（ V）
2.4
2.8
正向二极管电压与温度的关系
I
D
= 250 A
2.0
0.003
T
A
= 25 °C
0.002
1.6
0.001
1.2
0.000
0
2
4
6
8
10
0.8
- 50 - 25
0
25
50
75
100
125 150
175
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
T
J
- 温度（℃ ）
r
DS （ ON）
与V
GS
与温度的关系
1000
*仅限为r
DS （ ON）
100
I
D
- 漏电流（ A）
阈值电压
10
10毫秒
100毫秒
1
1s
10 s
dc
0.1
0.01
T
A
= 25 °C
单脉冲
0.001
0.1
*V
GS
1
10
100
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
最小V
GS
在r
DS （ ON）
为特定网络版
安全工作区，结到环境
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文档编号： 74341
S- 70303 -REV 。 A， 12 -FEB -07
新产品
SUP90N03-03
Vishay Siliconix公司
典型特征
25 ℃，除非另有说明
300
300
250
功耗（ W）
250
I
D
- 漏电流（ A）
200
200
150
包装有限公司
100
150
100
50
50
0
0
25
50
75
100
125
150
175
0
0
25
50
75
100
125
150
175
T
C
- 外壳温度（ ° C）
T
C
- 外壳温度（ ° C）
电流降额*
功率降额
*功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 175℃ ，使用结到外壳的热阻，并且是在解决上耗散更多的有用
而不能使极限情况下，额外的散热使用。它被用来确定额定电流，当该等级低于封装限制。
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10-
4
10-
3
10-
2
10-
1
1
10
方波脉冲持续时间（秒）
归瞬态热阻抗，结至外壳
日前，Vishay Siliconix公司维护着全球制造能力。产物可以在几个合格的位置之一来制造。对于硅技可靠性数据
术和封装可靠性的代表资格全部位置的复合材料。对于相关的文件，如包/带图纸，零件标记和可靠性
数据见
http://www.vishay.com/ppg?74341
文档编号： 74341
S- 70303 -REV 。 A， 12 -FEB -07
www.vishay.com
5
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