S T M6930
S amHop微电子 ORP 。
ARP， 2005年20 ver1.2
双数控hannel ê nhancement模式域E ffect晶体管
P ODUC牛逼S UMMAR
V
DS S
55V
F ê乌尔（E S）
( m
W
）最大
I
D
4.8A
R
DS （ ON）
S UPER高密度电池设计低R
DS （ON
).
45 @ V
的s
= 10V
65 @ V
的s
= 4.5V
- [R ugged可靠。
S urface山P ackage 。
D
1
8
D
1
7
D
2
6
D
2
5
S 0 - 8
1
1
2
3
4
S
1
G
1
S
2
G
2
ABS OLUTE最大R ATINGS （T
A
= 25°C除非另有说明）
P ARAMETER
漏-S环境允许目标电压r阿婷
漏-S环境允许的电压
门-S环境允许的电压
a
S ymbol
Vspike
d
V
DS
V
GS
25 C
70 C
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
s TG
极限
60
55
25
4.8
4.1
30
1.7
2
1.44
-55到150
单位
V
V
V
A
A
A
A
W
C
漏光凭目前 -C ontinuous @助教
-P ulsed
b
漏-S环境允许的二极管正向光凭目前
a
最大P奥尔耗散
工作结点和S torage
温度法兰
a
TA = 25℃
TA = 70℃
第r MAL HAR AC TE R是TIC S
热 esistance ，结到环境
a
R
JA
1
62.5
C / W
S T M6930
LE CTR ICAL煤焦ACTE R是TICS （T
A
25 C除非另有说明）
参数
5
S ymbol
BV
DS S
I
DS S
I
GS S
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
I
D（上）
g
FS
c
条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 250uA
V
DS
= 44V, V
GS
= 0V
V
GS
= 25V, V
DS
= 0V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250uA
V
GS
= 10V ，我
D
= 4.5A
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 4A
V
DS
= 5V, V
GS
= 10V
V
DS
= 5V ，我
D
= 4.5A
最小值典型值
C
最大单位
55
1
V
uA
100 nA的
1.0
1.9
35
55
20
9
900
80
60
2
19
5
22
12
19
9
4
4.5
25
7
29
16
25
12
5
6
1170
104
78
2.5
45
65
V
兆欧
兆欧
关煤焦ACTE R是TICS
漏-S环境允许的击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
对煤焦ACTE R是TICS
b
栅极阈值电压
漏-S环境允许在-S大老 esistance
在-S大老漏电流
正向跨导
A
S
P
F
P
F
P
F
动态煤焦ACTE R是TICS
输入电容
输出电容
EVERSE传输电容
栅极电阻
C
为s
C
OS s
C
RSS
Rg
c
V
DS
=25V, V
GS
= 0V
F = 1.0MH
Z
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1.0MH
Z
欧姆
S迷惑煤焦ACTE R是TICS
导通延迟时间
ISE时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
门-S环境允许充电
栅极 - 漏极电荷
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
V
DD
= 30V
I
D
= 4.8 A
V
GS
= 10V
R
GE
= 6欧姆
V
DS
= 48V ，我
D
=4.8A,V
GS
=10V
V
DS
= 48V ，我
D
=4.8A,V
GS
=4.5V
V
DS
= 48V ，我
D
= 4.8 A
V
GS
=10V
2
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
S T M6930
LE CTR ICAL煤焦ACTE R是TICS （T
A
= 25°C除非另有说明）
参数
二极管的正向电压
S ymbol
V
SD
条件
V
GS
= 0V ，是= 1.7A
最小典型最大单位
0.8
1.2
V
C
DR AIN -S我们CE二极管煤焦ACTE R是TICS
b
笔记
A. urface安装在FR 4局，T 10秒。
b.Pulse试验：脉宽300US ，占空比2 ％ 。
设计c.Guaranteed ，不受生产测试。
d.Guaranteed当外部R G = 6欧姆和TF < TF最大
20
V
的s
=10,9,8,7,6,5V
16
20
25
25 C
-55 C
I
D
，排水光凭目前 （A ）
12
I
D
，排水光凭目前 （A ）
V
的s
=4V
T J = 125℃
15
8
10
4
V
的s
=3V
0
0
1
2
3
4
5
6
5
0
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
V
DS
，漏到-S环境允许的电压（V ）
V
的s
地下吃到-S环境允许的电压（V）
F igure 1输出C haracteris抽动
1500
1.6
F igure 2.跨FER haracteris抽动
V
的s
=10V
R
DS （ ON）
，在-R es是tance
归
1250
1.4
1.2
1.0
0.6
0.4
0
-50
C，C apacitance （PF ）
V
的s
=10V
I
D
=4.8A
1000
750
500
250
0
RS s
0
5
10
15
20
C为S
OS s
25
30
-25
0
25
50
75
100
125 150
T J = （ C）
V
DS
，汲极与S环境允许的电压（V ）
I
D
，排水光凭目前 （A ）
F igure 3. apacitance
F igure 4.在-R es是tance与变化
排水光凭目前与温度
3
S T M6930
B V
DS S
归一化
漏-S环境允许B reakdown V oltage
V th时，归一化
摹吃-S环境允许牛逼HRES持有V oltage
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
-50 -25
0
25
50
75
100 125 150
V
DS
=V
的s
I
D
=250uA
1.15
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
0.85
-50 -25
0
25
50
75 100 125 150
ID=250uA
T J ，J油膏牛逼emperature （ C）
T J ，J油膏牛逼emperature （ C）
F igure 5.摹吃牛逼HRES持有V ariation
以T emperature
15
F igure 6. B reakdown V oltage V ariation
以T emperature
20.0
g
F小号
，T失败者电导（ S）
是，S环境允许的漏电流（ A）
20
12
9
6
3
0
0
5
10
V
DS
=5V
15
10.0
1.0
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
I
DS
，排水-S环境允许光凭目前 （A ）
V
S.D。
，B ODY二极管F orward V oltage （ V）
F igure 7.牛逼失败者导V ariation
与排水光凭目前
10
8
6
4
2
0
0
3
6
9
12 15
18
21 24
QG ，T otal摹吃哈耶（ NC）
F igure 8. B ODY二极管F orward V oltage
V ariation带S环境允许光凭目前
40
10
R
D
(
)
ON
升IM
it
V
的s
，G连吃向S环境允许的V oltage （ V）
V
DS
=48V
I
D
=4.8A
I
D
，排水光凭目前 （A ）
S
10
10
1s
DC
ms
0m
s
11
0.1
0.03
0.1
V
的s
=10V
S英格尔P ulse
T
A
=25 C
1
10 30
60
V
DS
，排水-S环境允许的V oltage （ V）
F igure 9.摹吃哈耶
4
F igure 10和最大S AFE
操作摄像区
S T M6930
V
DD
t
on
t
关闭
t
r
90%
5
V
的s
R
GE
V
IN
D
G
R
L
V
OUT
t
D（上）
V
OUT
t
D（关闭）
90%
10%
t
f
10%
INVE TE
90%
S
V
IN
50%
10%
50%
P ULS e×宽度
F igure为11，S魔力牛逼ES吨碳ircuit
10
F igure 12 S魔力波形
归一化瞬时
热阻
1
0.5
0.2
0.1
P
DM
0.05
0.02
0.01
on
0.1
t
1
1.
2.
3.
4.
t
2
单脉冲
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
R
THJ一
（吨） = R （t）的R *
THJ一
R
THJ一
= S EE资料中HEET
T
M-
T
A
= P
DM
* R
THJ一
(t)
值班 ycle ，D = T
1
/t
2
100
1000
方波脉冲持续时间（秒）
归瞬态热阻抗曲线
QQ：2881677436 复制
