Si3851DV
新产品
Vishay Siliconix公司
P通道30 - V（D -S）的MOSFET利用肖特基二极管
MOSFET产品概要
V
DS
(V)
–30
r
DS （ ON）
(W)
0.200 @ V
GS
= –10 V
0.360 @ V
GS
= –4.5 V
I
D
(A)
"1.8
"1.2
肖特基产品概要
V
KA
(V)
30
V
f
(v)
二极管的正向电压
0.5 V @ 0.5 A
I
F
(A)
0.5
S
K
TSOP-6
顶视图
A
1
6
K
G
3 mm
S
2
5
N / C
G
3
4
D
2.85 mm
D
P沟道MOSFET
A
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源极电压（ MOSFET和肖特基）
反向电压（肖特基）
栅源电压（ MOSFET ）
连续漏电流（T
J
= 150_C ） （MOSFET）
a
150 C)
漏电流脉冲（ MOSFET ）
连续源电流（ MOSFET二极管的导通）
a
平均FOWARD电流（肖特基）
脉冲FOWARD电流（肖特基）
最大功率耗散（ MOSFET ）
a
最大功率耗散（肖特基）
a
工作结存储温度范围
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
文档编号： 70978
S- 61845 -REV 。 A， 11 - OCT- 99
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
J
, T
英镑
P
D
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
符号
V
DS
V
KA
V
GS
I
D
I
DM
I
S
I
F
I
FM
5秒
–30
30
"20
"1.8
"1.5
"7
–1.05
0.5
7
1.15
0.73
1.0
0.64
稳定状态
单位
V
"20
"1.6
"1.2
A
–0.75
0.83
0.53
0.76
0.48
-55到150
_C
W
2-1
Si3851DV
Vishay Siliconix公司
热电阻额定值
参数
t
v
5秒
结到环境
J
i
一种双
MOSFET
稳定状态
肖特基
MOSFET
结到脚
稳定状态
肖特基
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
R
thJF
140
75
80
165
90
95
新产品
设备
MOSFET
肖特基
符号
典型
93
103
最大
110
125
150
单位
R
thJA
130
° C / W
MOSFET规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
漏源导通状态电阻
a
漏极 - 源极导通状态
正向跨导
a
二极管正向
电压
a
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ）
DS （ ON）
g
fs
V
SD
V
DS
= V
GS
, I
D
= –250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= –24 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= –24 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 75_C
V
DS
w
–5 V, V
GS
= –10 V
V
GS
= -10 V，I
D
= –1.8 A
V
GS
= -4.5 V，I
D
= –1.2 A
V
DS
= -15 V，I
D
= –1.8 A
I
S
= -1.05 A，V
GS
= 0 V
–5
0.165
0.298
2.4
–0.83
–1.10
0.200
0.360
W
S
V
–1.0
"100
–1
–10
V
nA
mA
A
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= -1.05 A， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
= ± 15 V ，R
L
= 15
W
15 V,
I
D
^
-1 A，V
根
= -10 V R
G
= 6
W
1A
10 V,
V
DS
= –15 V V
GS
= -5 V I
D
= –1.8 A
15 V,
5 V,
18
2.4
0.9
0.8
8
12
12
7
30
12
18
18
11
60
ns
3.6
nC
C
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
肖特基规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
正向电压降
符号
V
F
测试条件
I
F
= 0.5 A
I
F
= 0.5 A，T
J
= 125_C
V
r
= 30 V
V
r
= 30 V ，T
J
= 75_C
V
r
= 30 V ，T
J
= 125_C
V
r
= 10 V
民
典型值
0.45
0.35
0.002
0.06
1.5
24
最大
0.5
0.4
0.100
1
10
单位
V
最大R
M I
反向漏电流
L·K
C
I
rm
C
T
mA
A
结电容
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
pF
2-2
文档编号： 70978
S- 61845 -REV 。 A， 11 - OCT- 99
Si3851DV
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
10
V
GS
= 10到7 V
8
I D - 漏电流（ A）
I D - 漏电流（ A）
6
25_C
125_C
5V
6
6V
T
C
= –55_C
8
Vishay Siliconix公司
MOSFET
传输特性
4
4
4V
2
2V
0
0
1
2
3
4
5
3V
2
0
0
1
2
3
4
5
6
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
导通电阻与漏电流
0.6
300
电容
0.5
R DS（ON ） - 导通电阻（
W
)
- 电容（pF ）
240
C
国际空间站
0.4
V
GS
= 4.5 V
180
0.3
V
GS
= 10 V
120
C
OSS
60
C
RSS
0.2
0.1
0
0
1
2
3
4
5
6
7
0
0
6
12
18
24
30
I
D
- 漏极电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
10
V
DS
= 15 V
I
D
= 1.8 A
栅极电荷
1.8
1.6
R DS（ON ） - 导通电阻（
W
)
（归一化）
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
–50
导通电阻与结温
V
GS
= 10 V
I
D
= 1.8 A
V GS - 栅极 - 源极电压（ V）
8
6
4
2
0
0
1
2
3
4
5
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
–25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
=结温（ ° C）
文档编号： 70978
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S
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Si3851DV
Vishay Siliconix公司
新产品
MOSFET
导通电阻与栅极至源极电压
0.6
I
D
= 1.8 A
0.5
R DS（ON ） - 导通电阻（
W
)
I
S
- 源电流（ A）
I
D
= 1 A
0.4
典型特征（ 25_C除非另有说明）
源极 - 漏极二极管正向电压
10
T
J
= 150_C
1
0.3
T
J
= 25_C
0.2
0.1
0.1
0.00
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
0
0
2
4
6
8
10
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
阈值电压
0.6
8
单脉冲功率，结到环境
0.4
6
V GS （ TH）方差（V ）
0.2
I
D
= 250
mA
功率（W）的
4
0.0
2
–0.2
–0.4
–50
0
–25
0
25
50
75
100
125
150
0.01
0.1
时间（秒）
1
10
30
T
J
- 温度（ _C ）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
占空比= 0.5
标准化的有效瞬态
热阻抗
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
注意事项：
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
t
1
t
2
2.每单位基础= R
thJA
= 130 ° C / W
3. T
JM
– T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
单脉冲
0.01
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
1
10
100
600
方波脉冲持续时间（秒）
www.vishay.com
S
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文档编号： 70978
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新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
2
1
占空比= 0.5
Vishay Siliconix公司
MOSFET
归瞬态热阻抗，结到脚
标准化的有效瞬态
热阻抗
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
方波脉冲持续时间（秒）
1
10
典型特征（ 25_C除非另有说明）
反向电流与结温
20
10
I
R
=反向电流（mA ）
5
肖特基
正向电压降
I
F
- 正向电流（ A）
1
T
J
= 150_C
1
0.1
30 V
0.01
10 V
T
J
= 25_C
0.001
0.0001
0
25
50
75
100
125
150
0.1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
T
J
=结温（ ° C）
V
F
- 正向压降（ V）
125
电容
C
T
- 结电容（pF ）
100
75
V
GS
= 10 V
I
D
= 1.8 A
50
25
0
0
6
12
18
24
30
V
KA
- 反向电压（V
文档编号： 70978
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S
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Si3851DV
新产品
Vishay Siliconix公司
P通道30 - V（D -S）的MOSFET利用肖特基二极管
MOSFET产品概要
V
DS
(V)
–30
r
DS （ ON）
(W)
0.200 @ V
GS
= –10 V
0.360 @ V
GS
= –4.5 V
I
D
(A)
"1.8
"1.2
肖特基产品概要
V
KA
(V)
30
V
f
(v)
二极管的正向电压
0.5 V @ 0.5 A
I
F
(A)
0.5
S
K
TSOP-6
顶视图
A
1
6
K
G
3 mm
S
2
5
N / C
G
3
4
D
2.85 mm
D
P沟道MOSFET
A
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源极电压（ MOSFET和肖特基）
反向电压（肖特基）
栅源电压（ MOSFET ）
连续漏电流（T
J
= 150_C ） （MOSFET）
a
150 C)
漏电流脉冲（ MOSFET ）
连续源电流（ MOSFET二极管的导通）
a
平均FOWARD电流（肖特基）
脉冲FOWARD电流（肖特基）
最大功率耗散（ MOSFET ）
a
最大功率耗散（肖特基）
a
工作结存储温度范围
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
文档编号： 70978
S- 61845 -REV 。 A， 11 - OCT- 99
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
J
, T
英镑
P
D
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
符号
V
DS
V
KA
V
GS
I
D
I
DM
I
S
I
F
I
FM
5秒
–30
30
"20
"1.8
"1.5
"7
–1.05
0.5
7
1.15
0.73
1.0
0.64
稳定状态
单位
V
"20
"1.6
"1.2
A
–0.75
0.83
0.53
0.76
0.48
-55到150
_C
W
2-1
Si3851DV
Vishay Siliconix公司
热电阻额定值
参数
t
v
5秒
结到环境
J
i
一种双
MOSFET
稳定状态
肖特基
MOSFET
结到脚
稳定状态
肖特基
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
R
thJF
140
75
80
165
90
95
新产品
设备
MOSFET
肖特基
符号
典型
93
103
最大
110
125
150
单位
R
thJA
130
° C / W
MOSFET规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
漏源导通状态电阻
a
漏极 - 源极导通状态
正向跨导
a
二极管正向
电压
a
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ）
DS （ ON）
g
fs
V
SD
V
DS
= V
GS
, I
D
= –250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= –24 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= –24 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 75_C
V
DS
w
–5 V, V
GS
= –10 V
V
GS
= -10 V，I
D
= –1.8 A
V
GS
= -4.5 V，I
D
= –1.2 A
V
DS
= -15 V，I
D
= –1.8 A
I
S
= -1.05 A，V
GS
= 0 V
–5
0.165
0.298
2.4
–0.83
–1.10
0.200
0.360
W
S
V
–1.0
"100
–1
–10
V
nA
mA
A
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= -1.05 A， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
= ± 15 V ，R
L
= 15
W
15 V,
I
D
^
-1 A，V
根
= -10 V R
G
= 6
W
1A
10 V,
V
DS
= –15 V V
GS
= -5 V I
D
= –1.8 A
15 V,
5 V,
18
2.4
0.9
0.8
8
12
12
7
30
12
18
18
11
60
ns
3.6
nC
C
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
肖特基规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
正向电压降
符号
V
F
测试条件
I
F
= 0.5 A
I
F
= 0.5 A，T
J
= 125_C
V
r
= 30 V
V
r
= 30 V ，T
J
= 75_C
V
r
= 30 V ，T
J
= 125_C
V
r
= 10 V
民
典型值
0.45
0.35
0.002
0.06
1.5
24
最大
0.5
0.4
0.100
1
10
单位
V
最大R
M I
反向漏电流
L·K
C
I
rm
C
T
mA
A
结电容
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
pF
2-2
文档编号： 70978
S- 61845 -REV 。 A， 11 - OCT- 99
Si3851DV
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
10
V
GS
= 10到7 V
8
I D - 漏电流（ A）
I D - 漏电流（ A）
6
25_C
125_C
5V
6
6V
T
C
= –55_C
8
Vishay Siliconix公司
MOSFET
传输特性
4
4
4V
2
2V
0
0
1
2
3
4
5
3V
2
0
0
1
2
3
4
5
6
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
导通电阻与漏电流
0.6
300
电容
0.5
R DS（ON ） - 导通电阻（
W
)
- 电容（pF ）
240
C
国际空间站
0.4
V
GS
= 4.5 V
180
0.3
V
GS
= 10 V
120
C
OSS
60
C
RSS
0.2
0.1
0
0
1
2
3
4
5
6
7
0
0
6
12
18
24
30
I
D
- 漏极电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
10
V
DS
= 15 V
I
D
= 1.8 A
栅极电荷
1.8
1.6
R DS（ON ） - 导通电阻（
W
)
（归一化）
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
–50
导通电阻与结温
V
GS
= 10 V
I
D
= 1.8 A
V GS - 栅极 - 源极电压（ V）
8
6
4
2
0
0
1
2
3
4
5
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
–25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
=结温（ ° C）
文档编号： 70978
S- 61845 -REV 。 A， 11 - OCT- 99
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
2-3
Si3851DV
Vishay Siliconix公司
新产品
MOSFET
导通电阻与栅极至源极电压
0.6
I
D
= 1.8 A
0.5
R DS（ON ） - 导通电阻（
W
)
I
S
- 源电流（ A）
I
D
= 1 A
0.4
典型特征（ 25_C除非另有说明）
源极 - 漏极二极管正向电压
10
T
J
= 150_C
1
0.3
T
J
= 25_C
0.2
0.1
0.1
0.00
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
0
0
2
4
6
8
10
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
阈值电压
0.6
8
单脉冲功率，结到环境
0.4
6
V GS （ TH）方差（V ）
0.2
I
D
= 250
mA
功率（W）的
4
0.0
2
–0.2
–0.4
–50
0
–25
0
25
50
75
100
125
150
0.01
0.1
时间（秒）
1
10
30
T
J
- 温度（ _C ）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
占空比= 0.5
标准化的有效瞬态
热阻抗
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
注意事项：
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
t
1
t
2
2.每单位基础= R
thJA
= 130 ° C / W
3. T
JM
– T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
单脉冲
0.01
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
1
10
100
600
方波脉冲持续时间（秒）
www.vishay.com
S
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2-4
文档编号： 70978
S- 61845 -REV 。 A， 11 - OCT- 99
Si3851DV
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
2
1
占空比= 0.5
Vishay Siliconix公司
MOSFET
归瞬态热阻抗，结到脚
标准化的有效瞬态
热阻抗
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
方波脉冲持续时间（秒）
1
10
典型特征（ 25_C除非另有说明）
反向电流与结温
20
10
I
R
=反向电流（mA ）
5
肖特基
正向电压降
I
F
- 正向电流（ A）
1
T
J
= 150_C
1
0.1
30 V
0.01
10 V
T
J
= 25_C
0.001
0.0001
0
25
50
75
100
125
150
0.1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
T
J
=结温（ ° C）
V
F
- 正向压降（ V）
125
电容
C
T
- 结电容（pF ）
100
75
V
GS
= 10 V
I
D
= 1.8 A
50
25
0
0
6
12
18
24
30
V
KA
- 反向电压（V
文档编号： 70978
S- 61845 -REV 。 A， 11 - OCT- 99
www.vishay.com
S
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2-5
Si3851DV
新产品
Vishay Siliconix公司
P通道30 - V（D -S）的MOSFET利用肖特基二极管
MOSFET产品概要
V
DS
(V)
–30
r
DS （ ON）
(W)
0.200 @ V
GS
= –10 V
0.360 @ V
GS
= –4.5 V
I
D
(A)
"1.8
"1.2
肖特基产品概要
V
KA
(V)
30
V
f
(v)
二极管的正向电压
0.5 V @ 0.5 A
I
F
(A)
0.5
S
K
TSOP-6
顶视图
A
1
6
K
G
3 mm
S
2
5
N / C
G
3
4
D
2.85 mm
D
P沟道MOSFET
A
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源极电压（ MOSFET和肖特基）
反向电压（肖特基）
栅源电压（ MOSFET ）
连续漏电流（T
J
= 150_C ） （MOSFET）
a
150 C)
漏电流脉冲（ MOSFET ）
连续源电流（ MOSFET二极管的导通）
a
平均FOWARD电流（肖特基）
脉冲FOWARD电流（肖特基）
最大功率耗散（ MOSFET ）
a
最大功率耗散（肖特基）
a
工作结存储温度范围
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
文档编号： 70978
S- 61845 -REV 。 A， 11 - OCT- 99
www.vishay.com
S
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T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
J
, T
英镑
P
D
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
符号
V
DS
V
KA
V
GS
I
D
I
DM
I
S
I
F
I
FM
5秒
–30
30
"20
"1.8
"1.5
"7
–1.05
0.5
7
1.15
0.73
1.0
0.64
稳定状态
单位
V
"20
"1.6
"1.2
A
–0.75
0.83
0.53
0.76
0.48
-55到150
_C
W
2-1
Si3851DV
Vishay Siliconix公司
热电阻额定值
参数
t
v
5秒
结到环境
J
i
一种双
MOSFET
稳定状态
肖特基
MOSFET
结到脚
稳定状态
肖特基
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
R
thJF
140
75
80
165
90
95
新产品
设备
MOSFET
肖特基
符号
典型
93
103
最大
110
125
150
单位
R
thJA
130
° C / W
MOSFET规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
漏源导通状态电阻
a
漏极 - 源极导通状态
正向跨导
a
二极管正向
电压
a
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ）
DS （ ON）
g
fs
V
SD
V
DS
= V
GS
, I
D
= –250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= –24 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= –24 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 75_C
V
DS
w
–5 V, V
GS
= –10 V
V
GS
= -10 V，I
D
= –1.8 A
V
GS
= -4.5 V，I
D
= –1.2 A
V
DS
= -15 V，I
D
= –1.8 A
I
S
= -1.05 A，V
GS
= 0 V
–5
0.165
0.298
2.4
–0.83
–1.10
0.200
0.360
W
S
V
–1.0
"100
–1
–10
V
nA
mA
A
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源漏反向恢复时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
F
= -1.05 A， di / dt的= 100 A / MS
V
DD
= ± 15 V ，R
L
= 15
W
15 V,
I
D
^
-1 A，V
根
= -10 V R
G
= 6
W
1A
10 V,
V
DS
= –15 V V
GS
= -5 V I
D
= –1.8 A
15 V,
5 V,
18
2.4
0.9
0.8
8
12
12
7
30
12
18
18
11
60
ns
3.6
nC
C
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
肖特基规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
正向电压降
符号
V
F
测试条件
I
F
= 0.5 A
I
F
= 0.5 A，T
J
= 125_C
V
r
= 30 V
V
r
= 30 V ，T
J
= 75_C
V
r
= 30 V ，T
J
= 125_C
V
r
= 10 V
民
典型值
0.45
0.35
0.002
0.06
1.5
24
最大
0.5
0.4
0.100
1
10
单位
V
最大R
M I
反向漏电流
L·K
C
I
rm
C
T
mA
A
结电容
www.vishay.com
S
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pF
2-2
文档编号： 70978
S- 61845 -REV 。 A， 11 - OCT- 99
Si3851DV
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
10
V
GS
= 10到7 V
8
I D - 漏电流（ A）
I D - 漏电流（ A）
6
25_C
125_C
5V
6
6V
T
C
= –55_C
8
Vishay Siliconix公司
MOSFET
传输特性
4
4
4V
2
2V
0
0
1
2
3
4
5
3V
2
0
0
1
2
3
4
5
6
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
导通电阻与漏电流
0.6
300
电容
0.5
R DS（ON ） - 导通电阻（
W
)
- 电容（pF ）
240
C
国际空间站
0.4
V
GS
= 4.5 V
180
0.3
V
GS
= 10 V
120
C
OSS
60
C
RSS
0.2
0.1
0
0
1
2
3
4
5
6
7
0
0
6
12
18
24
30
I
D
- 漏极电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
10
V
DS
= 15 V
I
D
= 1.8 A
栅极电荷
1.8
1.6
R DS（ON ） - 导通电阻（
W
)
（归一化）
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
–50
导通电阻与结温
V
GS
= 10 V
I
D
= 1.8 A
V GS - 栅极 - 源极电压（ V）
8
6
4
2
0
0
1
2
3
4
5
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
–25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
=结温（ ° C）
文档编号： 70978
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新产品
MOSFET
导通电阻与栅极至源极电压
0.6
I
D
= 1.8 A
0.5
R DS（ON ） - 导通电阻（
W
)
I
S
- 源电流（ A）
I
D
= 1 A
0.4
典型特征（ 25_C除非另有说明）
源极 - 漏极二极管正向电压
10
T
J
= 150_C
1
0.3
T
J
= 25_C
0.2
0.1
0.1
0.00
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
0
0
2
4
6
8
10
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
阈值电压
0.6
8
单脉冲功率，结到环境
0.4
6
V GS （ TH）方差（V ）
0.2
I
D
= 250
mA
功率（W）的
4
0.0
2
–0.2
–0.4
–50
0
–25
0
25
50
75
100
125
150
0.01
0.1
时间（秒）
1
10
30
T
J
- 温度（ _C ）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
占空比= 0.5
标准化的有效瞬态
热阻抗
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
注意事项：
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
t
1
t
2
2.每单位基础= R
thJA
= 130 ° C / W
3. T
JM
– T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
单脉冲
0.01
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
1
10
100
600
方波脉冲持续时间（秒）
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文档编号： 70978
S- 61845 -REV 。 A， 11 - OCT- 99
Si3851DV
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
2
1
占空比= 0.5
Vishay Siliconix公司
MOSFET
归瞬态热阻抗，结到脚
标准化的有效瞬态
热阻抗
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
方波脉冲持续时间（秒）
1
10
典型特征（ 25_C除非另有说明）
反向电流与结温
20
10
I
R
=反向电流（mA ）
5
肖特基
正向电压降
I
F
- 正向电流（ A）
1
T
J
= 150_C
1
0.1
30 V
0.01
10 V
T
J
= 25_C
0.001
0.0001
0
25
50
75
100
125
150
0.1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
T
J
=结温（ ° C）
V
F
- 正向压降（ V）
125
电容
C
T
- 结电容（pF ）
100
75
V
GS
= 10 V
I
D
= 1.8 A
50
25
0
0
6
12
18
24
30
V
KA
- 反向电压（V
文档编号： 70978
S- 61845 -REV 。 A， 11 - OCT- 99
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S
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