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SUM110N06-04L
新产品
Vishay Siliconix公司
N通道60 -V （D -S ） 200_C MOSFET
产品概述
V
（ BR ） DSS
(V)
60
特点
r
DS （ ON）
(W)
I
D
(A)
110
a
0.0035 @ V
GS
= 10 V
0.005 @ V
GS
= 4.5 V
D
TrenchFETr功率MOSFET，
D
200_C结温
D
新的低热阻封装
应用
D
TO-263
D
汽车
- Boardnet 42 -V EPS和ABS
电机驱动器
D
HIGH CURRENT
D
DC / DC转换器
G
G
S
S
N沟道MOSFET
顶视图
SUM110N06-04L
绝对最大额定值（T
C
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 175_C)
_
漏电流脉冲
雪崩电流
重复性雪崩能量
b
最大功率耗散
b
工作结存储温度范围
L = 0.1 mH的
T
C
= 25_C
T
A
= 25_C)
d
T
C
= 25_C
T
C
= 125_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
AR
E
AR
P
D
T
J
, T
英镑
极限
60
"20
110
a
110
a
440
75
280
437.5
c
3.7
-55 200
单位
V
A
mJ
W
_C
热电阻额定值
参数
结到环境，印刷电路板安装
d
结至外壳（漏）
笔记
一。包装有限。
B 。占空比
v
1%.
。看到SOA曲线电压降额。
。当安装在1 “方形板（ FR-4材料） 。
符号
R
thJA
R
thJC
极限
40
0.4
单位
° C / W
_
文档编号： 71704
S- 20417 -REV 。 B， 08 -APR- 02
www.vishay.com
1
SUM110N06-04L
Vishay Siliconix公司
新产品
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
V
DS
= 0 V，I
D
= 250
mA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= 48 V, V
GS
= 0 V
零栅极电压漏极电流
I
DSS
V
DS
= 48 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125_C
V
DS
= 48 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 200_C
通态漏电流
a
I
D（上）
V
DS
w
5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 30 A
漏源导通电阻
a
r
DS （ ON）
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 20 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 30 A，T
J
= 125_C
V
GS
= 10 V，I
D
= 30 A，T
J
= 200_C
正向跨导
a
g
fs
V
DS
= 15 V，I
D
= 30 A
30
120
0.0028
0.004
0.0035
0.005
0.0058
0.0088
S
W
60
V
1
3
"100
1
50
10
nA
mA
m
mA
A
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
c
栅极 - 源电荷
c
栅极 - 漏极电荷
c
导通延迟时间
c
上升时间
c
打开-O FF延迟时间
c
下降时间
c
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
= 30 V ，R
L
= 0.4
W
I
D
^
110 A，V
根
= 10 V ，R
G
= 2.5
W
V
DS
= 30 V, V
GS
= 10 V，I
D
= 110 A
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
7500
1050
700
150
25
45
20
135
80
150
30
200
120
220
ns
220
nC
pF
源极 - 漏极二极管额定值和特性（T
C
= 25_C)
b
连续电流
脉冲电流
正向电压
a
反向恢复时间
峰值反向恢复电流
反向恢复电荷
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
I
RM （ REC ）
Q
rr
I
F
= 110 A， di / dt的= 100 A / MS
I
F
= 110 A，V
GS
= 0 V
1.1
75
2.5
0.09
110
440
1.4
120
5
0.25
A
V
ns
A
mC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
。独立的工作温度。
www.vishay.com
2
文档编号： 71704
S- 20417 -REV 。 B， 08 -APR- 02
SUM110N06-04L
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
250
V
GS
= 10直通5 V
200
I
D
- 漏极电流（ A）
4V
150
I
D
- 漏极电流（ A）
200
250
Vishay Siliconix公司
传输特性
150
100
100
T
C
= 125_C
50
25_C
50
3V
0
0
2
4
6
8
10
–55_C
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
跨
350
T
C
= –55_C
300
g
fs
- 跨导（S ）
250
200
150
100
50
0
0
20
40
60
80
100
120
25_C
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
0.005
0.006
导通电阻与漏电流
0.004
V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 10 V
125_C
0.003
0.002
0.001
0.000
0
20
40
60
80
100
120
I
D
- 漏极电流（ A）
I
D
- 漏极电流（ A）
电容
12000
20
栅极电荷
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
10000
- 电容（pF ）
C
国际空间站
16
V
GS
= 30 V
I
D
= 85 A
8000
12
6000
8
4000
C
OSS
2000
C
RSS
0
12
24
36
48
60
4
0
0
0
50
100
150
200
250
300
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
文档编号： 71704
S- 20417 -REV 。 B， 08 -APR- 02
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
www.vishay.com
3
SUM110N06-04L
Vishay Siliconix公司
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
导通电阻与结温
2.5
V
GS
= 10 V
I
D
= 30 A
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W)
（归一化）
2.0
I
S
- 源电流（ A）
100
源极 - 漏极二极管正向电压
1.5
T
J
= 150_C
10
T
J
= 25_C
1.0
0.5
0.0
–50 –25
0
25
50
75
100 125 150 175 200
1
0
0.3
0.6
0.9
1.2
T
J
=结温（ ° C）
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
雪崩电流与时间
1000
80
漏源击穿对比
结温
100
I
DAV
(a)
I
AV
（ A） @ T
A
= 25_C
V
（ BR ） DSS
(V)
75
I
D
= 10毫安
10
70
1
I
AV
（ A） @ T
A
= 150_C
65
0.1
0.00001
0.0001
0.001
t
in
（秒）
0.01
0.1
60
–50 –25
0
25
50
75
100 125 150 175 200
T
J
=结温（ ° C）
www.vishay.com
4
文档编号： 71704
S- 20417 -REV 。 B， 08 -APR- 02
SUM110N06-04L
新产品
热额定值
最大漏极电流比。
外壳温度
120
1000
Vishay Siliconix公司
安全工作区
100
100
I
D
- 漏极电流（ A）
80
I
D
- 漏极电流（ A）
有限
由R
DS （ ON）
10
10
ms
100
ms
60
1毫秒
10毫秒
100毫秒
dc
40
1
20
T
C
= 25_C
单脉冲
0
0
25
50
75
100
125
150
175
200
0.1
0.1
1
10
100
T
C
=环境温度（℃）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
归瞬态热阻抗，结至外壳
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
–4
10
–3
10
–2
方波脉冲持续时间（秒）
10
–1
1
文档编号： 71704
S- 20417 -REV 。 B， 08 -APR- 02
www.vishay.com
5
SUM110N06-04L
新产品
Vishay Siliconix公司
N通道60 -V （D -S ） 200_C MOSFET
产品概述
V
（ BR ） DSS
(V)
60
特点
r
DS （ ON）
(W)
I
D
(A)
110
a
0.0035 @ V
GS
= 10 V
0.005 @ V
GS
= 4.5 V
D
TrenchFETr功率MOSFET，
D
200_C结温
D
新的低热阻封装
应用
D
TO-263
D
汽车
- Boardnet 42 -V EPS和ABS
电机驱动器
D
HIGH CURRENT
D
DC / DC转换器
G
G
S
S
N沟道MOSFET
顶视图
SUM110N06-04L
绝对最大额定值（T
C
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 175_C)
_
漏电流脉冲
雪崩电流
重复性雪崩能量
b
最大功率耗散
b
工作结存储温度范围
L = 0.1 mH的
T
C
= 25_C
T
A
= 25_C)
d
T
C
= 25_C
T
C
= 125_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
AR
E
AR
P
D
T
J
, T
英镑
极限
60
"20
110
a
110
a
440
75
280
437.5
c
3.7
-55 200
单位
V
A
mJ
W
_C
热电阻额定值
参数
结到环境，印刷电路板安装
d
结至外壳（漏）
笔记
一。包装有限。
B 。占空比
v
1%.
。看到SOA曲线电压降额。
。当安装在1 “方形板（ FR-4材料） 。
符号
R
thJA
R
thJC
极限
40
0.4
单位
° C / W
_
文档编号： 71704
S- 20417 -REV 。 B， 08 -APR- 02
www.vishay.com
1
SUM110N06-04L
Vishay Siliconix公司
新产品
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
V
DS
= 0 V，I
D
= 250
mA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= 48 V, V
GS
= 0 V
零栅极电压漏极电流
I
DSS
V
DS
= 48 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125_C
V
DS
= 48 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 200_C
通态漏电流
a
I
D（上）
V
DS
w
5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 30 A
漏源导通电阻
a
r
DS （ ON）
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 20 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 30 A，T
J
= 125_C
V
GS
= 10 V，I
D
= 30 A，T
J
= 200_C
正向跨导
a
g
fs
V
DS
= 15 V，I
D
= 30 A
30
120
0.0028
0.004
0.0035
0.005
0.0058
0.0088
S
W
60
V
1
3
"100
1
50
10
nA
mA
m
mA
A
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
c
栅极 - 源电荷
c
栅极 - 漏极电荷
c
导通延迟时间
c
上升时间
c
打开-O FF延迟时间
c
下降时间
c
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
= 30 V ，R
L
= 0.4
W
I
D
^
110 A，V
根
= 10 V ，R
G
= 2.5
W
V
DS
= 30 V, V
GS
= 10 V，I
D
= 110 A
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
7500
1050
700
150
25
45
20
135
80
150
30
200
120
220
ns
220
nC
pF
源极 - 漏极二极管额定值和特性（T
C
= 25_C)
b
连续电流
脉冲电流
正向电压
a
反向恢复时间
峰值反向恢复电流
反向恢复电荷
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
I
RM （ REC ）
Q
rr
I
F
= 110 A， di / dt的= 100 A / MS
I
F
= 110 A，V
GS
= 0 V
1.1
75
2.5
0.09
110
440
1.4
120
5
0.25
A
V
ns
A
mC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
。独立的工作温度。
www.vishay.com
2
文档编号： 71704
S- 20417 -REV 。 B， 08 -APR- 02
SUM110N06-04L
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
250
V
GS
= 10直通5 V
200
I
D
- 漏极电流（ A）
4V
150
I
D
- 漏极电流（ A）
200
250
Vishay Siliconix公司
传输特性
150
100
100
T
C
= 125_C
50
25_C
50
3V
0
0
2
4
6
8
10
–55_C
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
跨
350
T
C
= –55_C
300
g
fs
- 跨导（S ）
250
200
150
100
50
0
0
20
40
60
80
100
120
25_C
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
0.005
0.006
导通电阻与漏电流
0.004
V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 10 V
125_C
0.003
0.002
0.001
0.000
0
20
40
60
80
100
120
I
D
- 漏极电流（ A）
I
D
- 漏极电流（ A）
电容
12000
20
栅极电荷
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
10000
- 电容（pF ）
C
国际空间站
16
V
GS
= 30 V
I
D
= 85 A
8000
12
6000
8
4000
C
OSS
2000
C
RSS
0
12
24
36
48
60
4
0
0
0
50
100
150
200
250
300
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
文档编号： 71704
S- 20417 -REV 。 B， 08 -APR- 02
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
www.vishay.com
3
SUM110N06-04L
Vishay Siliconix公司
新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
导通电阻与结温
2.5
V
GS
= 10 V
I
D
= 30 A
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W)
（归一化）
2.0
I
S
- 源电流（ A）
100
源极 - 漏极二极管正向电压
1.5
T
J
= 150_C
10
T
J
= 25_C
1.0
0.5
0.0
–50 –25
0
25
50
75
100 125 150 175 200
1
0
0.3
0.6
0.9
1.2
T
J
=结温（ ° C）
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
雪崩电流与时间
1000
80
漏源击穿对比
结温
100
I
DAV
(a)
I
AV
（ A） @ T
A
= 25_C
V
（ BR ） DSS
(V)
75
I
D
= 10毫安
10
70
1
I
AV
（ A） @ T
A
= 150_C
65
0.1
0.00001
0.0001
0.001
t
in
（秒）
0.01
0.1
60
–50 –25
0
25
50
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100 125 150 175 200
T
J
=结温（ ° C）
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4
文档编号： 71704
S- 20417 -REV 。 B， 08 -APR- 02
SUM110N06-04L
新产品
热额定值
最大漏极电流比。
外壳温度
120
1000
Vishay Siliconix公司
安全工作区
100
100
I
D
- 漏极电流（ A）
80
I
D
- 漏极电流（ A）
有限
由R
DS （ ON）
10
10
ms
100
ms
60
1毫秒
10毫秒
100毫秒
dc
40
1
20
T
C
= 25_C
单脉冲
0
0
25
50
75
100
125
150
175
200
0.1
0.1
1
10
100
T
C
=环境温度（℃）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
归瞬态热阻抗，结至外壳
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
–4
10
–3
10
–2
方波脉冲持续时间（秒）
10
–1
1
文档编号： 71704
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5
SUM110N06-04L
新产品
Vishay Siliconix公司
N通道60 -V （D -S ） 200_C MOSFET
产品概述
V
（ BR ） DSS
(V)
60
特点
r
DS （ ON）
(W)
I
D
(A)
110
a
0.0035 @ V
GS
= 10 V
0.005 @ V
GS
= 4.5 V
D
TrenchFETr功率MOSFET，
D
200_C结温
D
新的低热阻封装
应用
D
TO-263
D
汽车
- Boardnet 42 -V EPS和ABS
电机驱动器
D
HIGH CURRENT
D
DC / DC转换器
G
G
S
S
N沟道MOSFET
顶视图
SUM110N06-04L
绝对最大额定值（T
C
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 175_C)
_
漏电流脉冲
雪崩电流
重复性雪崩能量
b
最大功率耗散
b
工作结存储温度范围
L = 0.1 mH的
T
C
= 25_C
T
A
= 25_C)
d
T
C
= 25_C
T
C
= 125_C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
AR
E
AR
P
D
T
J
, T
英镑
极限
60
"20
110
a
110
a
440
75
280
437.5
c
3.7
-55 200
单位
V
A
mJ
W
_C
热电阻额定值
参数
结到环境，印刷电路板安装
d
结至外壳（漏）
笔记
一。包装有限。
B 。占空比
v
1%.
。看到SOA曲线电压降额。
。当安装在1 “方形板（ FR-4材料） 。
符号
R
thJA
R
thJC
极限
40
0.4
单位
° C / W
_
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SUM110N06-04L
Vishay Siliconix公司
新产品
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
V
DS
= 0 V，I
D
= 250
mA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= 48 V, V
GS
= 0 V
零栅极电压漏极电流
I
DSS
V
DS
= 48 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125_C
V
DS
= 48 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 200_C
通态漏电流
a
I
D（上）
V
DS
w
5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 30 A
漏源导通电阻
a
r
DS （ ON）
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 20 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 30 A，T
J
= 125_C
V
GS
= 10 V，I
D
= 30 A，T
J
= 200_C
正向跨导
a
g
fs
V
DS
= 15 V，I
D
= 30 A
30
120
0.0028
0.004
0.0035
0.005
0.0058
0.0088
S
W
60
V
1
3
"100
1
50
10
nA
mA
m
mA
A
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
c
栅极 - 源电荷
c
栅极 - 漏极电荷
c
导通延迟时间
c
上升时间
c
打开-O FF延迟时间
c
下降时间
c
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
= 30 V ，R
L
= 0.4
W
I
D
^
110 A，V
根
= 10 V ，R
G
= 2.5
W
V
DS
= 30 V, V
GS
= 10 V，I
D
= 110 A
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
7500
1050
700
150
25
45
20
135
80
150
30
200
120
220
ns
220
nC
pF
源极 - 漏极二极管额定值和特性（T
C
= 25_C)
b
连续电流
脉冲电流
正向电压
a
反向恢复时间
峰值反向恢复电流
反向恢复电荷
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
I
RM （ REC ）
Q
rr
I
F
= 110 A， di / dt的= 100 A / MS
I
F
= 110 A，V
GS
= 0 V
1.1
75
2.5
0.09
110
440
1.4
120
5
0.25
A
V
ns
A
mC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
。独立的工作温度。
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文档编号： 71704
S- 20417 -REV 。 B， 08 -APR- 02
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新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
250
V
GS
= 10直通5 V
200
I
D
- 漏极电流（ A）
4V
150
I
D
- 漏极电流（ A）
200
250
Vishay Siliconix公司
传输特性
150
100
100
T
C
= 125_C
50
25_C
50
3V
0
0
2
4
6
8
10
–55_C
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
跨
350
T
C
= –55_C
300
g
fs
- 跨导（S ）
250
200
150
100
50
0
0
20
40
60
80
100
120
25_C
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
0.005
0.006
导通电阻与漏电流
0.004
V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 10 V
125_C
0.003
0.002
0.001
0.000
0
20
40
60
80
100
120
I
D
- 漏极电流（ A）
I
D
- 漏极电流（ A）
电容
12000
20
栅极电荷
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
10000
- 电容（pF ）
C
国际空间站
16
V
GS
= 30 V
I
D
= 85 A
8000
12
6000
8
4000
C
OSS
2000
C
RSS
0
12
24
36
48
60
4
0
0
0
50
100
150
200
250
300
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
文档编号： 71704
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Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
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新产品
典型特征（ 25_C除非另有说明）
导通电阻与结温
2.5
V
GS
= 10 V
I
D
= 30 A
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W)
（归一化）
2.0
I
S
- 源电流（ A）
100
源极 - 漏极二极管正向电压
1.5
T
J
= 150_C
10
T
J
= 25_C
1.0
0.5
0.0
–50 –25
0
25
50
75
100 125 150 175 200
1
0
0.3
0.6
0.9
1.2
T
J
=结温（ ° C）
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
雪崩电流与时间
1000
80
漏源击穿对比
结温
100
I
DAV
(a)
I
AV
（ A） @ T
A
= 25_C
V
（ BR ） DSS
(V)
75
I
D
= 10毫安
10
70
1
I
AV
（ A） @ T
A
= 150_C
65
0.1
0.00001
0.0001
0.001
t
in
（秒）
0.01
0.1
60
–50 –25
0
25
50
75
100 125 150 175 200
T
J
=结温（ ° C）
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文档编号： 71704
S- 20417 -REV 。 B， 08 -APR- 02
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新产品
热额定值
最大漏极电流比。
外壳温度
120
1000
Vishay Siliconix公司
安全工作区
100
100
I
D
- 漏极电流（ A）
80
I
D
- 漏极电流（ A）
有限
由R
DS （ ON）
10
10
ms
100
ms
60
1毫秒
10毫秒
100毫秒
dc
40
1
20
T
C
= 25_C
单脉冲
0
0
25
50
75
100
125
150
175
200
0.1
0.1
1
10
100
T
C
=环境温度（℃）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
归瞬态热阻抗，结至外壳
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
–4
10
–3
10
–2
方波脉冲持续时间（秒）
10
–1
1
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SI4840BDY-T1-GE3
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SKD83/04
SK107M1N-AO-10
S29WS256N0LBFW010
SKKD40F08
SDT452AP
SF3008PT
S72NS512PE0KJGLG2
供货商
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厂家
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数量
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    电话：0755-82780082
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电话：0755- 82556029/82532511
联系人：高小姐/李先生
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SILICONIX
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联系人：何小姐
地址：海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
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